【課題】シャワーヘッド部の表面に不要な付着膜が堆積しても、その輻射率の変動を抑えて被処理体毎の温度変化を抑制することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】排気可能になされた処理容器４と、前記処理容器内に設けられて被処理体Ｗを載置するための載置台２４と、前記被処理体を加熱するための加熱手段３０と、前記載置台と対向するように前記処理容器の天井部に設けられて成膜用の原料ガスを供給するシャワーヘッド部６と、を有して前記被処理体の表面に所定の薄膜を堆積する成膜装置において、前記シャワーヘッド部の表面を、表面処理により輻射率が０．５以上になるように設定する。これにより、シャワーヘッド部の表面に不要な付着膜が堆積しても、その輻射率の変動を抑えるようにする。 （もっと読む）

【課題】熱処理中に被処理体が反った際に発生するボート接触部への応力集中を緩和し、且つ被処理体の自重応力による影響が最も抑制された表面形状を保ち、被処理体のスリップ等の欠陥の発生ないし誘発を防止する。
【解決手段】高さ方向に所定の間隔で形成された爪部１１を有する複数の支柱１２に、被処理体ｗを搭載する支持板１３を上記爪部１１を介して多段に取付けてなる熱処理用ボート９において、上記支持板１３を環状に形成すると共に支持板１３の上面を中心に向けて傾斜して形成し、その傾斜が大直径の被処理体ｗの自重及び熱処理時の熱膨張に伴う反りに合わせた傾斜とされている。 （もっと読む）

【課題】リセットボタンの誤操作による損失の発生を防止する。
【解決手段】ＧＵＩシステムを備えたメインコントローラにタイトルパネルのリセットボタンの操作可否をユーザ毎に設定する権限者設定システム８６をプログラミングする。権限者設定システム８６のプロセスフローの初期設定ステップにおいて、リセットボタンの操作可否を設定すべきユーザのＩＤが入力される（ステップＡ１）。入力されたＩＤのユーザにリセットボタンの使用権限を付与するかを判断する（ステップＡ２）。使用権限を付与する場合にはリセットボタン操作可否フラグを「１」にセットする（ステップＡ３）。使用権限を付与しない場合にはリセットボタン操作可否フラグを「０」にセットする（ステップＡ４）。使用権限の無いユーザによるリセットボタンの誤操作を防止できるので、その誤操作によって連続処理装置が緊急停止に至ってしまう事態を回避できる。 （もっと読む）

【課題】 積層された基板へ供給されるガスの流量と流速とを均一化することで、前記積載された基板に対してガスを均一に供給する。
【解決手段】 積層配置された基板を収納する反応室を形成する反応管６と、第１のガス導入部及び第２のガス導入部と、反応管の内部に設けられ、ガス供給口を有するバッファ室１７と、バッファ室内部に処理ガスを活性化させるプラズマ発生用の電極とを備えた基板処理装置であって、第１のガス導入部は、処理ガスをバッファ室内に導入し、バッファ室は、該バッファ室の内部に電極により処理ガスを活性化させる空間を形成し、第１のガス導入部から導入される処理ガスをガス供給口から反応室内に供給し、第２のガス導入部は、活性化させる処理ガスと異なる処理ガスを活性化させないで反応室内に供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】転位密度の小さい、良好なＧａＮ系半導体層を形成することができる、半導体層成長用基板と、それを用いた、特性に優れた半導体装置とを提供する。
【解決手段】半導体層成長用基板は、ＧａＮ系半導体層を成長させるための主面の、Ｘ線反射率法によるＸ線反射率曲線の半値幅を１００秒以下とし、かつ、前記主面に、原子ステップ構造を形成した。半導体装置は、前記半導体層成長用基板と、前記半導体層成長用基板の主面上にエピタキシャル成長させたＧａＮ系半導体層とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の大型化やコスト増を伴うことなく、加熱後のヒータの冷却速度を従来よりも格段に高めることができ、生産性の改善向上に寄与し得るヒータモジュール、及びこれを用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ヒータモジュールは、表面上にウエハを載置して加熱制御するヒータ部１ａと、ヒータ部１ａに対し相対的に移動可能に設けられ、ヒータ部１ａの裏面に当接又は分離してヒータ部１ａとの合計熱容量を変えるためのブロック部３ａとを備えている。ブロック部の熱容量をヒータ部とブロック部の合計熱容量の２０％以上とすることで、ヒータ冷却速度を１０℃／分以上にすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板温度の均一性を向上する熱処理装置を提供する。
【解決手段】基板９に加熱を伴う処理を行う熱処理装置において、基板９に光を照射するランプ群、および、基板９を支持する円環状の補助リング３１が設けられる。補助リング３１は内周面３１０に内側に突出する円環状の支持部３１１を有し、支持部３１１が基板９の外縁部９１を下方より当接して支持する。熱処理装置では、ランプ群が互いに独立して電力が供給される複数の小グループに分けられており、複数の小グループに主に補助リングに向けて光の照射を行う小グループが含まれ、さらに、基板９と支持部３１１とが当接する幅である支持幅Ｗ、および、支持部３１１の厚みである支持部厚Ｔが所定の条件を満たすように決定される。これにより、加熱される基板温度の均一性が向上される。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理装置の反応室内でおきる異常放電は、発生した個所を損傷したり、部材を溶融させてパーティクルを発生させる可能性がある。この異常放電を防止するために処理室内での水分量を低減することが考えられるが、従来では、経験的に得られた加熱時間を制御して加熱処理するしかなく、異常放電を防止する際の安定性や再現性に問題がある。
【解決手段】 プラズマ処理装置の真空処理室１０に隣接して予備処理室１０Ａを設け、予備処理室１０Ａにおいて、水分の量を計測しながら基板Ｗがプラズマ加工されないパワーで基板Ｗをプラズマに晒す。水分の量が所定レベルよりも低下した後に基板Ｗを真空処理室１０に搬送してプラズマ処理を行うので、真空処理室１０内における異常放電を防止する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、アンチレフレクティブ層の堆積のための安定なプロセスを提供する。
【解決手段】 ヘリウムガスを用いてプラズマ励起シラン酸化物プロセス、プラズマ励起シランオキシナイトライドプロセス及びプラズマ励起シランナイトライドプロセスの堆積速度を下げる。また、ヘリウムはプロセスを安定化するためにも用いられ、別々の膜を堆積できるようにした。本発明はまた、プロセスパラメータを制御して、所望の光学挙動を得るための最適な屈折率、吸収率及び厚さを変化させたアンチレフレクティブ層を生成する。 （もっと読む）

【課題】稼働率の低下を抑制するとともに、装置内部を平坦化する。
【解決手段】熱処理装置１の制御部１００は、反応管２内を３５０℃に加熱した状態で処理ガス導入管１７からクリーニングガスを供給して装置内部に付着した付着物を除去する。次に、反応管２内を５００℃に加熱した状態で、処理ガス導入管１７からフッ素ガスと水素ガスとを含む平坦化ガスを供給し、装置内部を平坦化させる。 （もっと読む）

【課題】複数ウエハを処理する半導体熱処理装置内の膜厚分布の均一性を向上するとともに、条件出しを容易にできる半導体熱処理装置を提供する。
【解決手段】装置内の温度を測定する温度センサ３と、処理条件入力手段５と、許容膜厚範囲入力手段９と、熱処理装置により処理した半導体ウエハの膜厚測定値を入力する膜厚測定結果入力手段７と、温度センサ３が取得した温度データと膜厚測定値をもとに膜厚分布を予測する成膜モデルを生成するモデル生成部１１と、成膜モデルをもとに予測した膜厚分布と許容膜厚範囲を比較して膜厚が許容範囲に入る処理条件を探索する推奨条件探索部１３を備えた。 （もっと読む）

【課題】装置構造を複雑化することなく、基板表面に均一性の高い処理を施すことができ、メンテナンス等の保守性のよいプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】第１の拡散板２１のガス導入管２７側の面に第１のチャネル３０を、電極板１９側の面に凹部３２を形成する。第１のチャネル３０と凹部３２とは複数の導通口３１により連通している。第１のチャネル３０と導通口３１とは、ガス導入管２７から凹部３２へと通じるガス流路Ｌを形成する。ガス導入管２７から供給される処理ガスは、ガス流路Ｌを通ることにより、凹部３２と電極板１９との間に形成される中空部に拡散して供給される。 （もっと読む）

【課題】均熱板を用いて基板に所望の温度分布を形成することを可能とする。
【解決手段】化合物半導体製造装置は、基板２を収容するための開口７を持ったサセプタ３と、サセプタ３の開口７内に収容される基板２の裏面に接触させて基板２の温度分布を均一化させる均熱板１と、均熱板１を介して基板２を加熱する加熱手段とを備えて、加熱された基板２の表面に化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させるようになっている。この化合物半導体製造装置において、均熱板１に生じる温度分布の低くなる部分で接触させ、温度分布の高くなる部分で非接触とするよう、均熱板１を基板２の裏面に部分的に接触させるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 加熱、冷却の繰り返しに伴う熱サイクルによってセラミックヒータ２とセラミック筒状支持体８とのセラミック接合層６にクラックが発生することを防止する。
【解決手段】 抵抗発熱体４を埋設した板状セラミック体３の一方の主面をウエハＷの載置面５とするセラミックヒータ２の上記載置面５と反対側の表面中央に凸状部３ａを設け、この凸状部３ａに上記抵抗発熱体４と電気的に接続される給電端子９を備えるとともに、上記給電端子９を包囲するようにセラミック筒状支持体８をセラミック接合層６を介して焼結により接合一体化するとともに、凸状部３ａの外周面と、セラミック筒状支持体８の接合部外周面と、接合層６の外周面とが連続的につながった表面となるようにして試料加熱装置１を構成する。 （もっと読む）

【課題】リモートプラズマ装置において、ワークに対して荷電粒子の影響を極小化すると共に、ラジカルの消滅確率を極小化する手段を提供する。
【解決手段】プラズマ生成領域と基板処理領域との間にプラズマ分離用の荷電粒子捕獲器１１０を有するリモートプラズマ装置１００は、チャンバ１０１内にサセプタ１０３及びガスノズル１０４を備えており、前記チャンバ１０１上にＩＣＰコイル１０２が搭載されていて、前記チャンバ１０１と前記ＩＣＰコイル１０２との間に誘電体の上蓋１０９が配置されていて、さらに前記チャンバ１０１内の圧力を制御するための排気系１０６と圧力を検知するための真空ゲージ１０７とを備え、ステージ１０８上には誘電体から構成される前記荷電粒子捕獲器１１０を搭載する。 （もっと読む）

【課題】 ノズル等のガス出力手段の内壁全体をクリーニングガスによってクリーニングすることができるようにする。
【解決手段】 基板に所定の処理を施すための反応管３７と、前記反応管内に反応ガスを供給する複数のノズル４３、４４、４５と、前記複数のノズルのそれぞれに接続されるとともに、前記反応ガス、クリーニングガスの蓄積源に接続される配管部と、前記配管部の少なくとも前記複数のノズルのそれぞれと前記各ガスの蓄積源との間にそれぞれ設けられたバルブと、前記配管部に設けられ、前記各ガスの流量を制御するマスフローコントローラと、前記複数のノズルの内部をクリーニングする場合に、前記複数のノズルに供給する前記クリーニングガスの流量をそれぞれ異ならせるよう前記マスフローコントローラを制御するコントローラ１０３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】シングルウエハ方式のチャンバー内で化学気相蒸着方式を用いて多結晶ポリシリコン薄膜を蒸着する方法を提供する。
【解決手段】シリコンソースガスとしてＳｉＨ_４（Ｓｉｌａｎｅ）ガスを用い、その蒸着圧力を利用する構成によって、多結晶ポリシリコン薄膜の微細な柱状の結晶粒子として制御し、電気的特性の均一度を向上させて特性低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制するとともに、生産性を向上させることができる薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１の制御部１００は、半導体ウエハＷにジクロロシランとアンモニアとを含む成膜用ガスを供給して薄膜を形成する成膜処理を複数回実行する。そして、制御部１００は、成膜処理により半導体ウエハＷに形成されるシリコン窒化膜の累積膜厚が０．７μｍを超える工程を実行する前に、反応管２内にクリーニングガスを供給して、熱処理装置１の内部を洗浄する洗浄処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】結合されたステッパおよび堆積ツールを提供すること。
【解決手段】ステッパが、集積回路の形成中に材料の層を堆積させるハードウェアと結合され、従って、ウェハをツール間の移送にさらすことなく堆積、パターン形成および洗浄が実行され、複合ツール中の３つのツールの機能が結合される。パターン画定材料は、ステッパのマスクを通してＵＶ光を照射することによって除去され、それによって、従来技術の方法のベーキングおよび現像ステップが排除される。同様に、ＵＶのフラッド照射により、従来技術の方法の洗浄ステップが排除される。 （もっと読む）

【課題】 ノズル等のガス出力手段の内壁全体をクリーニングガスによってクリーニングすることができるようにする。
【解決手段】 基板に所定の処理を施すための反応管３７と、前記反応管内に反応ガスを供給する複数のノズル４３、４４、４５と、前記複数のノズルのそれぞれに接続されるとともに、前記反応ガス、クリーニングガスおよび不活性ガスの蓄積源に接続される配管部と、前記配管部の前記複数のノズルのそれぞれと前記各ガスの蓄積源との間にそれぞれ設けられたバルブと、前記複数のノズルの内部をクリーニングする場合に、前記複数のノズルに前記クリーニングガスを供給し、クリーニングの終了したノズルに前記不活性ガスを供給するように前記バルブを制御するコントローラ１０３と、を有する。 （もっと読む）