半導体製造工程の反応副産物を捕集する装置が設けられ、本装置は、薄膜の蒸着及び食刻工程でプロセスチャンバから発生される反応副産物が真空ポンプに吸入されることを積極的に遮断しながら反応副産物が実際に捕集される有効面積を最大化することによって反応副産物の捕集効果及び捕集容量を増大させ、それにより捕集された反応副産物を容易に除去することができる。本装置は、内部収容空間を有する中空のハウジングと、プロセスチャンバとハウジングとを連結する第１連結管と、真空ポンプとハウジングとを連結し、ハウジングの底面から内部に伸長して突出する突出部を含む第２連結管と、ハウジング内部に配置され第１連結管を介して流れ込む反応副産物を冷却する冷却要素と、ハウジング内部に複数層形状で配置され反応副産物が積層される捕集プレートとを含む。 （もっと読む）

【課題】 ヘッドへの生成物の生成を防止し、ヘッドから吹出させる反応ガスを短時間で変更できるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 ヘッド２１の各吹出し口部２６Ａ〜２６Ｄのうち、ウェハ２２に対向する吹出し口部には、反応ガスが供給され、残余の吹出し口部には、不活性ガスが供給される。これによってヘッド２１に反応ガスによる生成物の生成が防止される。またヘッド２１は回転可能に設けられる。ヘッド２１にガスを供給する供給手段２５は、各吹出し口部２６Ａ〜２６Ｄがウェハ２２に対向する位置に配置されたときに供給する反応ガスの供給条件を、各吹出し口部２６Ａ〜２６Ｄ毎に異ならせる。この供給条件には、反応ガスの種類、供給流量および供給流量比が含まれる。各吹出し口部２６Ａ〜２６Ｄ毎に反応ガスの種類を変更すれば、ヘッドから吹出させる反応ガスを短時間で変更できる。 （もっと読む）

【課題】処理容器に処理ガスに起因する付着物がつき難い処理装置を提供すること。
【解決手段】被処理基板であるウエハＷを収容するチャンバー１１と、チャンバーの１１上方に設けられたベルジャー１２と、ベルジャー１２内に導電磁界を形成するためのアンテナ部材としてのコイル６５と、コイル６５に高周波電力を印加する高周波電源６６と、処理ガスを供給するガス供給機構４０と、ベルジャー１２内にプラズマ生成ガスおよび処理ガス吐出部を有するシャワーヘッド３０とを具備し、ベルジャー１２内に形成された電磁界によりプラズマを形成してウエハＷを処理する処理装置において、シャワーヘッド３０はチャンバー１１の上部に処理ガス吐出口を有する。 （もっと読む）

本発明のシール集成体は、第１および第２の溝と、前記第１の溝内に取り付けられたゴムシールと、前記第２の溝内に除去可能に取り付けられた交換可能なバリアストランドとを有するクロージャ集成体を含み、前記バリアが前記ゴムシールとプラズマ源との間に配置され、それによって前記バリアが前記ゴムシールをプラズマの浸蝕作用から遮蔽する。
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【課題】クリーニング処理において発生する異常条件を、一種類の信号を非連続的に検出することにより、プロセスの異常を的確にかつ簡便に診断する技術を提供する。
【解決手段】プラズマ処理の異常動作を検知する方法は、(i)反応チャンバ内でプラズマ処理が開始された後の時刻T1において、反応チャンバ内で互いに平行に配置された上部電極と下部電極との間のポテンシャルVpp1を検出する工程と、(ii)T1後の時刻T2において、上部電極と下部電極との間のポテンシャルVpp2を検出する工程と、(iii)演算値を得るために、Vpp1とVpp2とを比較する工程と、(iv)演算値が所定範囲内にあるか否かで異常動作を判定する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】種々の反応ガスがシャワーヘッドを互いに独立的に通過するようにすることでシャワーヘッド内部で反応ガスが互いに化学反応を起こして粒子が生成されることを防止するための技術を提供する。
【解決手段】本発明は、膜を蒸着させるために多数の原料ガスをシャワーヘッドを介して基板上に供給する化学気相蒸着方法において、シャワーヘッドの底面を基板とを所定の距離だけ離隔して配置する離隔段階；原料ガスのうち反応ガスをシャワーヘッド内に注入するとき、シャワーヘッド内の各々の隔室に互いに異なる種類の反応ガスを注入し、原料ガスの中でパージガスはシャワーヘッド内の他の隔室に充填されるように注入する注入段階；及び原料ガスをシャワーヘッドの底面に形成された多数の反応ガス噴射口及び反応ガス噴射口の個数より多いパージガス噴射口を介して排出させる排出段階；を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に均一かつ良質な薄膜を安定して形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ３内にはガス供給部７−１、７−２、７−３が設けられる。チャンバ３内の基材１３の同一表面側には電極３５−１、３５−２を有する電極ユニット１５−１、１５−２が回転可能に設けられ、電源１７から電力が供給される。
成膜時には、チャンバ３内にガス供給部７−１、７−２、７−３から成膜用ガスが供給され、電極３５−１、３５−２はプラズマを発生し、基材１３上に薄膜が形成される。
また、成膜中は、電極ユニット１５−１、１５−２の間の距離は放電インピーダンスが一定になるように調整される。 （もっと読む）

【課題】所定の位置に基板を配置するためのサセプタを備えた気相成長装置において、回転時におけるサセプタの偏心を検知する方法を提供する。
【解決手段】 サセプタ１の回転軸８の周囲を取り囲んで導電性の偏心検知部材５を設け、この導電性の偏心検知部材５とサセプタ１の回転軸８間の接触による電気的な導通の有無により、サセプタ１が偏心したかどうかを検知する。 （もっと読む）

【課題】 成膜面に均一な厚さで結晶を成長させることができる基板支持方法を提供する。
【解決手段】 成膜面２８が下側を向くように基板１１を支持するためのサセプタ２を備える横型の気相成長装置の基板支持方法であって、基板１１の外周の縁に、段差部２１を形成する。サセプタ２に、段差部２１と係合して基板１１を支持するための基板支持部９を形成する。段差部２１および基板支持部９を、基板１１の成膜面２８とサセプタ２の下面２０とが略同一平面状になるように形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｈ_２雰囲気においてＧａ_２Ｏ_３低温成長バッファ層を形成しても、Ｇａ_２Ｏ_３基板が変質しない低温成長バッファ層の形成方法、発光素子の製造方法、結晶品質に優れるＧａＮを形成することのできる発光素子およびこれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】温度条件を３５０℃から５５０℃の範囲、より好ましくは４００℃のＨ_２雰囲気中でＧａ_２Ｏ_３基板１０上にＡｌＮバッファ層１１を形成することにより、Ｈ_２雰囲気におけるβ−Ｇａ_２Ｏ_３の熱分解を生じることなくＡｌＮバッファ層１１を安定して成膜させることができるので、ＡｌＮバッファ層１１上に結晶品質に優れる良質なｎ^＋−ＧａＮ層１２を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 高温下で繰り返し使用した場合でも、目皿と天板の横方向への変形を抑制できるようにしたプロセスチューブ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 円筒形のチューブ本体１と、チューブ本体１の上端に取り付けられた天板２と、チューブ本体１の内側面の天板２から離れた位置に取り付けられた目皿３と、を有するプロセスチューブ１００であって、天板２と、目皿３とがそれぞれドーム状であり、かつ、天板２とチューブ本体１との接合部ａと、目皿３とチューブ本体１との接合部ｂとを含む当該チューブ本体１の上端部位５が、当該上端部位５以外の部位よりも厚くなっている。 （もっと読む）

【課題】 抵抗発熱体を有するセラミックスヒータの被処理物保持面の均熱性を高めた半導体あるいは液晶製造装置用保持体およびそれを搭載した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 抵抗発熱体を有するセラミックスヒータの被処理物保持面の反対側に、金属板を配することにより、セラミックヒータに保持された半導体ウェハあるいは液晶用ガラスの表面の温度を均一にすることができる。セラミックスヒータの上に金属板をのせただけでも効果はあるが、接合、ネジ、嵌合、あるいは真空吸着により、固定した方がより効果が高まる。 （もっと読む）

本発明は、半導体部品の製造中に基板を支持するための装置（１０）であって、前記基板が置かれうる上面（１１）を有している実質的に平坦なプレートを具備した装置に関する。本発明は、このような装置（１０）の製造方法にも関する。本発明の目的は、前文に記載の装置（１０）であって、安価且つ単純な構成であるが、例えば、基板に保護ガスを供給するか、又は、基板をエアクッション上で静止させるために、或る製造条件下で基板の方向へのプロセスガスの通過を可能とする装置を提供することにある。本発明によると、プレートの上面（１１）は、少なくとも部分的に多孔質（１４）である。そのため、当技術の現状において通常必要とされるような、装置（１０）の高価且つ極端に精密な機械加工は不要であり、これにより、装置（１０）を遥かに低いコストで製造することを可能としている。 （もっと読む）

単一の質量流量を少なくとも二つの流れライン（１２２ａ、１２２ｂ）に分割するための流量比率制御装置（１０６）を含むガス送出システム用の反対称最適制御アルゴリズムを提供する。各流れラインは、流量計（１２４）及びバルブ（１２６）を含む。流量比率制御装置の両バルブは、単一の入力信号出力ＳＩＳＯ制御装置と、インバーターと、二つの線型飽和器とを含む反対称最適制御装置によって、比率フィードバックループを通して制御される。ＳＩＳＯ制御装置の出力を、二つのバルブに加えられる前に分割し変更する。二つのバルブ制御コマンドは、許容可能な最大バルブコンダクタンス位置に対し、実際上、反対称である。これらの二つのバルブコマンドが、夫々の線型飽和器を、許容可能な最大バルブコンダクタンス位置で二つの飽和限度の一方として通過するため、一方のバルブが、任意の時期に、許容可能な最大バルブコンダクタンス位置に保持されると同時に、他方のバルブが、流量比率を維持するように能動的に制御されるという正味の効果が得られる。
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ウェハは、ウェハ上で最大飽和ＡＬＤ堆積レートをもたらすのに不十分である、第１の化学的に反応する前駆体ドーズ量に露光され、次に、第２の化学的に反応する前駆体ドーズ量に露光され、前駆体は、ほぼ均一な膜堆積を実現するように分散されるプロセス。第２の化学的に反応する前駆体ドーズ量は、同様に、ウェハ上で最大飽和ＡＬＤ堆積レートをもたらすのに不十分であるか、または、別法として、ウェハ上で不足状態の飽和堆積をもたらすのに十分であってもよい。プロセスは、前駆体ドーズ量の露光と露光の間で、または、露光の１つのセットと別のセットの間でパージを含んでも含まなくてもよい。
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基板（２０）上に膜を堆積させるための堆積システム（１００）において、寄生堆積物を制御し、その型の堆積システムは、基板を収容するための反応室を画定し、および反応室の中のプロセスガス（Ｐ）および反応室と隣接する内部表面を含む。ガスバリア層が内部表面とプロセスガスの成分との間の接触を阻止するように、内部表面とプロセスガスの少なくとも一部との間にバッファガス（Ｂ）を流すことによってガスバリア層を形成して、そのような制御を与える。
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【課題】ＺｒＢ₂単結晶層にＧａＮ化合物半導体層をエピタキシャル成長させる場合に、ＧａＮ化合物半導体層の結晶性を大幅に改善する。
【解決手段】ＺｒＢ₂単結晶層とＧａＮ化合物半導体層との境界面に、前記ＺｒＢ₂単結晶層からのＢ，Ｚｒの少なくとも１種と前記化合物半導体層からのＧａ，Ｎの少なくとも１種とを含む反応層が形成されている。
【効果】前記反応層が形成されることにより、ＺｒＢ₂単結晶層とＧａＮ化合物半導体層との格子不整合を緩和し、低欠陥の化合物半導体基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 成長室内に滞りのない均等な流れを実現し、均一な成長膜厚分布を得ることを可能にする。成長室の内面への汚れ付着を防止し、メンテナンス時間を大幅に短縮する。【解決手段】 成長室１に、基板Ｓを載置する基板保持台４と、基板保持台４上の基板Ｓに原料ガスを供給する原料ガス導入口１１とを備え、加熱された基板Ｓ上で成膜を行う気相成長装置において、成長室１の側壁２０上部を円筒形状、下部を円錐台形状とし、成長室１内に原料ガス導入口１１の部分を除き上面を覆う蓋９と、円筒形状部２０Ｔの内側面に接する内筒管３とを設けて、内筒管３の内側面と基板保持台４の外側面との間に排気通路５、内筒管３の外側面と円錐台形状部２０Ｂの内側面との間に環状排気空間６を形成するとともに、内筒管３の下部に排気通路５から環状排気空間６へ排気ガスを放射状に流出させる複数の排気孔３Ｈを設け、環状排気空間６に排気口２を設ける。 （もっと読む）

プラズマ加速原子層成膜（ＰＥＡＬＤ）処理を用いて、基板上に膜を設置する方法であり、当該方法は、前記ＰＥＡＬＤ処理を行うことができるように構成された処理チャンバ内に、前記基板を配置するステップを有する。処理チャンバ内に、第１の処理材料が導入され、処理チャンバ内に、第２の処理材料が導入される。第２の処理材料の導入の間、処理チャンバには、６００Ｗを超える電磁力が結合され、基板の表面での第１および第２の処理材料の間の還元反応を促進するプラズマが発生する。第１の処理材料と第２の処理材料の交互の導入により、基板上に膜が形成される。
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温度制御された基板支持表面を有する基板支持体は、少なくとも１つの液体源と複数の液体流路とを有する液体供給システムとを含む。前記液体供給システムは、前記液体流路に対し液体の分布を制御するためにバルブを含むことができる。前記液体供給システムはまた、その動作を制御するコントローラを含んでもよい。液体は、様々なパターンの液体流路を通して供給されうる。基板支持体はまた、熱伝達ガス供給システムを含むことができる。このシステムは、熱伝達ガスを前記基板支持表面と前記基板支持表面上で支持される基板との間に供給する。
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