【課題】ガス供給ノズルからウエハー上の反応領域に供給される工程ガスの分布を均一にすることで、所望の加工工程を均一に行える高密度プラズマ化学気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】チャンバー本体１１及びチャンバーカバー１２を備えた工程チャンバー１０と、該工程チャンバー１０の内部に工程ガスを供給するために前記工程チャンバー１０の上部に設けられる上部ガス供給ノズル４０と、を含み、前記上部ガス供給ノズル４０は、水平方向に形成された板状の水平部４２を有するノズル本体４１と、該ノズル本体４１に沿って垂直方向に形成されるガス供給流路４４と、前記水平部４２の下面に付着されて流路を形成するノズルカバー５０と、前記流路に連通するとともに、前記工程チャンバー１０内の半導体基板Ｗ側に均一に工程ガスを供給するために前記ノズルカバー５０に形成される複数のガス流入口６０と、を含んで高密度プラズマ化学気相蒸着装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】プロセスチューブ内の温度を確実に制御して均熱領域の温度を大きく超える部分が生じるのを防止することが可能な熱処理装置を低コストに提供する。
【解決手段】５点型熱電対のプロファイル熱電対１７を用い、プロセスチューブ１１内の均熱領域Ｅｂの両端部と中央部の３箇所の温度を各熱電対１７ｂ，１７ｄ，１７ｃで検出すると共に、各領域Ｅａ，Ｅｃの温度を各熱電対１７ａ，１７ｅで検出する。温度制御装置２０は、各スパイク熱電対１６ａ〜１６ｃの温度検出結果に基づいて各ヒーター１５ａ〜１５ｃ毎に個別の温度制御を行い、プロファイル熱電対１７を構成する各熱電対１７ａ〜１７ｅの温度検出結果に基づいて当該温度制御を補正することにより、炉奥１１ａおよび炉口１１ｂの熱損失をカバーした上で、各領域Ｅａ，Ｅｃの温度が均熱領域Ｅｂの温度を超えないように、プロセスチューブ１１内の温度を最適に制御する。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置等に用いるウエハ保持体のようなセラミックス接合体について、熱衝撃による接合部品の損傷を抑制することができ、接合に対する信頼性を高めたセラミックス接合体を提供する。
【解決手段】 １００℃以上に昇温されるセラミックス部材１に、熱伝導率の異なる筒状又は棒状の接合部品１０を突き合せ接合したセラミックス接合体であって、接合部品１０の側面の一部に、セラミックス部材１の突き合せ面に対してなす角度θが０°＜θ＜９０°を満たす傾斜面１０ａ、及び／又は曲率ＲがＲ≧５ｍｍを満たす曲面を有する。セラミックス部材１と接合部品１０の間に中間接合部品を介在させ又はセラミックス部材１の裏面に突起部を設けてもよく、その中間接合部品又は突起部の側面に上記傾斜面や曲面を設けることもできる。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバ内表面の低温化をより好適に防止できる基板熱処理装置および基板熱処理製造方法を提供する
【解決手段】 プロセスチャンバ内部に設置された基板を熱処理する基板熱処理装置は、内壁面部材に囲まれた内部に基板を収容し、かつ、その内部をガス雰囲気とされるプロセスチャンバと、前記プロセスチャンバの外部近傍であって、前記内壁面部材の熱影響を受ける位置に設けられる低耐熱性部材と、前記低耐熱性部材を冷却する冷却機構と、前記低耐熱性部材と前記内壁面部材との間に設けられ、前記内壁面部材への冷却作用を遮断する冷却作用遮断機構と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
寄生的沈殿の発生なしにメチル有機気相沈殿によって基板に化合物を析出させる方法を提供すること
【解決手段】
この発明は、少なくとも一つのキャリアガスと少なくとも一つの有機金属とから成る第一混合物と、少なくとも一つのキャリアガスと少なくとも一つのグループＶ化合物或いはグループＶＩ化合物とから成る第二混合物とから成り、両混合物がＭＯＣＶＤ装置へ別々に供給され、有機金属気相沈殿によって基板に化合物を析出させる方法に関する。少なくとも一つのキャリアガスと少なくとも一つの有機金属とから成る第一混合物は、この発明によると、基板と少なくとも一つのキャリアガスと少なくとも一つのグループＶ化合物或いはグループＶＩ化合物とから成る第二混合物との間の装置に供給される。これによって、好ましくは、寄生的沈殿がＭＯＣＶＤ装置の壁に生じないことが奏される。それ故に、析出率は従来の技術水準の方法に比べて上昇される。
（もっと読む）

基板上に薄膜を堆積させる装置内の露出表面を不動態化する方法が開示される。堆積チャンバーおよびその堆積チャンバーと連通している導管の内部表面が堆積プロセス中で使用される反応体および反応生成物が上記内部表面に吸着または化学吸着しないように不動態化される。これらの内部表面は、この目的にために、表面処理、ライニング、温度調節またはそれらの組み合わせによって不動態化することができる。ある表面を反応体および反応生成物の蓄積を最低限に抑えるように保持する温度または温度範囲を決める方法も開示される。堆積チャンバーおよびガス流路内に不動態化表面を有する堆積装置も開示される。
（もっと読む）

本発明は、温度のみに対する制御により、半導体基板上の膜厚を均一にすることができる温度制御方法および半導体処理装置を提供することを目的とする。半導体基板の加熱温度を所定時間内に温度変化させたときに発生する基板端部の温度と中心部の温度との偏差と、基板端部の温度と中心部の温度との定常偏差とを用いて、所望の平均温度偏差Ｍを実現するための変化温度量Ｎを求め、変化温度量Ｎにより、半導体基板に対する加熱温度を制御する。
（もっと読む）

【課題】 真空排気路に設けられた圧力調整バルブにより圧力制御を行う成膜装置において、圧力調整バルブの開度を予測することにより、正常な圧力制御ができない状態で成膜処理が行われることを未然に防止すること。
【解決手段】 今回実施しようとしている成膜処理の処理条件に対応する過去の処理データ（処理条件と、処理圧力に対応する圧力調整バルブの開度と、累積膜厚とからなる。）と、今回の成膜処理を終えた時の累積膜厚の値と、に基づいて今回の成膜処理における圧力調整バルブの開度を予測し、その予測値が閾値を越えているか否かを判断する。また過去の処理データに基づいて相関モデル線図を作成し、今回の成膜処理を終えた時の累積膜厚の値と、今回の処理条件と同じ相関モデル線図とに基づいて圧力調整バルブの開度の予測を行ってもよい。 （もっと読む）

化学気相成長リアクタは、チャンバ内の反応ガスを層流にするようにリアクタのチャンバと協働するウエハキャリヤと、減損を減少させるために、流量制御可能なゾーン内に構成された複数のインジェクタとを、を有する。各ゾーンは、任意選択的に、専用の流量制御装置を備え得る。したがって、各ゾーンを通る流れは、別々に制御可能である。
（もっと読む）

【課題】基板処理に関するプログラムの編集画面において、編集画面の編集部分を、コンピュータ上のツールで変換することなく編集の内容を一目で理解できるようにする。
【解決手段】 基板処理に関するプログラムの編集画面を表示する表示手段（モニタ２２７）と、前記表示手段に表示されキーにより編集された編集後の編集画面をキーログに関連付けて記憶手段に保存するキーログ保存手段（メモリ→ＨＤ（ハードディスク）書き込みモジュール５３）と、前記記憶手段から前記編集後の編集画面を保存順に呼び出す次画面キー（Nextキー７１）と逆順に呼び出す前画面キー（Prevキー６９）と、編集後の編集画面の編集部分のうち前記キーにより編集された部分の画面表示形式を、編集画面の他の表示部分と区別可能に変更する表示形式変更手段（キーログデータと画面ファイルリンク表示モジュール５４）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 高周波電力強度が電極面方向において均一になるようにし、基板面方向における膜厚分布を均一にすることができるプラズマ成膜装置を提供すること。
【解決手段】 内部が真空排気される真空チャンバ１と、真空チャンバ１内に設置され、成膜対象物２０が支持される第１電極３と、複数種の成膜ガスを混合するガスミキシングボックス８と、真空チャンバ１の壁の一部を構成して第１電極３に対向しており、ガスミキシングボックス８内で混合された成膜ガスを真空チャンバ１内に導入するためのガス導入口１２が形成された第２電極２と、第１及び第２電極３、２間に高周波電界を生じさせて真空チャンバ１内に成膜ガスのプラズマを生成させる高周波電源１８とを備え、ミキシングボックス８は、第２電極２上に絶縁物１７を介して設置され、混合ガスのガス出口１１を第２電極２のガス導入口１２に直結させている。 （もっと読む）

【課題】 半導体として実用可能なｈ−ＢＮ単結晶膜を備えたｈ−ＢＮ単結晶基板およびこれを容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】 結晶面方位（１１１）のＳｉ単結晶基板１上に、厚さ２０ｎｍ以上１μｍ以下のｃ−ＢＰ単結晶層２をエピタキシャル成長させる工程と、前記ｃ−ＢＰ単結晶層２を表面から厚さ１ｎｍ以上２０ｎｍ以下まで活性化窒素により窒化して、ｈ−ＢＮ初期層３とする工程と、前記ｈ−ＢＮ初期層３上に、さらに、ｈ−ＢＮ単結晶層４をエピタキシャル成長させる工程とを経ることにより、結晶面方位（１１１）のＳｉ単結晶基板上に、ｃ−ＢＰ単結晶層、ｈ−ＢＮ単結晶層が順次積層されているｈ−ＢＮ単結晶基板を得る。 （もっと読む）

【課題】被処理体の加熱ムラを抑制し、被処理体の面内を均一に処理することができ、被処理体に照射される電子ビーム線量を直接測定する事ができる処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】ヒータ１３を有する載置台３に７箇所の保持ピン１５によって載置台３との間に所定の距離を保って保持され、前記ウエハはヒータ１３で加熱しながら、電子ビームを照射する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置で、自公転する基板上の成膜シミュレーションを精度よく行う
【解決手段】前処理としてＣＶＤ装置上の基板載置面上の位置に対応した成膜速度をデータベースとして予め構築したのち、ステップＳ１で基板上の複数の点の初期位置を設定後、ステップＳ２で自公転運動の軌道座標を算出し、ステップＳ３でデータベースを用いて軌道座標から成膜速度を基板上の各点ごとに求め、このステップＳ３で求められた成膜速度と経過時間とから各点ごとの累積成膜量を求めるステップＳ４を処理し、これらステップＳ２からＳ４までをステップＳ５での処理時間判定条件を満足するまで逐次処理し、その後ステップＳ６の平均成膜速度算出工程で各点ごとの累積成膜量を成膜時間で除し、基板上の複数の点ごとの平均成膜速度を求めるとともに、基板全面における基板平均成膜速度を求め、実試行による成膜速度との比較を直接行えるようにした。 （もっと読む）

【課題】例えば窒化シリコン膜を形成する際、成膜処理後に当該成膜処理に対応したパージレシピにより反応容器内のパージ処理を行って、反応容器内に付着したガスやパーティクルの原因となる膜の表層部を除去し、ガスやパーティクルの発生を低減する成膜方法を提供する。
【解決手段】多数枚のウエハＷをウエハボート２５に保持させて、反応容器２内に搬入し、例えばＳｉ_２Ｃｌ_２ガスとＮＨ_３ガスとを成膜ガスとして用いた成膜レシピ１の成膜処理を行う。次いでこの成膜処理に対応するパージレシピ１を自動的に選択し、当該パージレシピ１に従って反応容器２のパージ処理を行う。成膜処理の種別毎にパージレシピを用意して、各成膜処理に対応するパージレシピを自動的に選択してパージ処理を行うことにより、不要なパージ時間の発生を抑えた状態で各成膜処理に対応した適切なパージ処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 従来の基板加熱装置には横型基板加熱装置と縦型基板加熱装置があり、上記横型基板加熱装置は基板上に均一の絶縁被膜を作るのが困難で、上記縦型基板加熱装置は作業性が悪いという欠点があった。
【解決手段】 本発明の基板加熱装置は、気密チャンバと、この気密チャンバの一側に設けた、レーザ光を透過せしめるレーザ光透過窓と、上記気密チャンバの他側に設けた、赤外線を透過せしめる赤外線透過窓と、上記レーザ光透過窓と上記赤外線透過窓との間で上記気密チャンバ内に設けた基板載置部と、上記レーザ光透過窓を介して上記基板載置部に載置せしめた基板上にレーザ光を照射せしめるレーザ照射手段と、上記赤外線透過窓を介して上記基板からの赤外線から温度を測定する赤外線放射温度計とよりなる。上記気密チャンバと上記レーザ照射手段と上記赤外線放射温度計とを固定した枠体と、上記枠体を回転自在に枢支する固定台と、上記枠体を上記固定台に対して任意の傾動位置に傾動せしめる傾動手段を更に有する。 （もっと読む）

【課題】 開度可変弁への反応副生成物の付着を抑制して内部リークを抑制することができると共にダウンタイムを軽減することができる処理方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】 ガス供給系６及び真空排気系８が接続された処理容器２に被処理体ｗを収容して所定の温度、圧力及びガス雰囲気で成膜処理を行う処理方法において、前記真空排気系８に、開閉及び圧力制御が可能な開度可変弁２０を設けると共に、該開度可変弁２０よりも上流に不活性ガスを導入して圧力制御を行うバラスト制御部２１を設け、前記開度可変弁２０を全開状態とし、前記バラスト制御部２１により不活性ガスの導入流量を制御して成膜処理時の圧力制御を行う。 （もっと読む）

簡単にはＡＬＰを高める方法、本発明の好適実施形態は、ウエハ上で層状成長を達成するためにリアクタ内でガス流を連続してモジュレートすることによりＡＬＰ処理量を増加させる方法を含んでいる。第一反応種をキャリヤガスの割合と導入する。第一時間間隔後、第一反応種流量を減少させ、ほぼ一定の全ガス流を維持するようにキャリヤガス流を増加させる。第一反応種流量が最少の所定量に達したとき、第二反応種流量を開始し増加させ、キャリヤガス流を一定の全ガス流を続けるように減少させる。本方法は、或いは、表面と反応する第一適用ガスとしてか又は反応種に対する追加リガンドとして、反応種の吸着と化学吸着を高める物質を導入するステップを含んでいる。代替法は、更に、膜特性、対応するウエハ処理、反応種レザバーを改善するために定期的急速加熱アニールを含んでいる。 （もっと読む）

厚いアルミニウム板からなる底板（６１）と天板（６２）と第一側板（６３）と第二側板（６４）と第三側板（６５）と第四側板（６６）とが四辺で組付られＴＩＧ法で溶接されて、耐圧筐体（２２）は直方体の箱形状に構築される。天板（６２）と第一側板（６３）とのＴＩＧ溶接時、天板（６２）の空洞部（７２）が没設された側の端面が第一側板（６３）の位置決め部（７１）が突設された側の主面に当接される。天板（６２）の空洞部（７２）の部位のエッジが位置決め部（７１）に突き当てられ、隅肉溶接部（７５）が天板（６２）と位置決め部（７１）とが画成する隅部にＴＩＧ溶接法によって形成される。ＴＩＧ溶接される天板の空洞部と位置決め部とは熱容量が小さいので、大熱伝導率のアルミニウム板でも隅肉溶接部を形成できる。隅肉溶接部は接触面間が構成するスリットを塞ぐので、耐圧筐体は真空性能等を維持できる。
（もっと読む）

【課題】
ＴＭＡの様に大気中に漏洩すると発火するガスで、水や炭酸ガス（ＣＯ2 ）等の様に酸素を含む物質では消火できない原料を用いた基板処理装置に於いて、安全に原料を保管できると共に発火時には速やかに消火を可能とする基板処理装置を提供する。
【解決手段】
酸素と混合することで発火又は爆発する原料を、基板が収納された処理室内に供給し、基板に所望の処理を行う基板処理装置であって、前記原料を収納する原料タンク３０を気密に収納する収納体３１と、該収納体に接続され、該収納体に常時不活性ガスを供給するガス供給手段３６と、前記収納体内での発火又は爆発を検知する検知手段４６，４７，４８，４９と、前記不活性ガスの供給量を制御する制御手段５２とを備え、該制御手段は、前記検知手段が発火又は爆発を検知した際に不活性ガスの供給量を増大させる。
（もっと読む）