【課題】 ウエハ−プロセスで基板の上に製造された素子単位をチップ分離する際に研磨、切断などの工程を減らすことができ、基板を繰り返し使用できる窒化物半導体デバイス作製方法を提供する。
【解決手段】 閉曲線をなす結晶成長速度の遅い欠陥の集合した欠陥集合領域Ｈと結晶成長速度の速い低欠陥の領域ＺＹの位置が予め決まっている窒化物半導体欠陥位置制御基板Ｓを用い、低欠陥領域ＺＹにデバイスの内部が、欠陥集合領域Ｈに境界線が来るように窒化ガリウム基板の上に窒化物半導体層（上層部Ｂ）をエピタキシャル成長させ、レーザ照射或いは機械的手段で欠陥位置制御基板Ｓと成長層（上層部Ｂ）を上下方向横方向に同時分離し、基板は繰り返し使用する。 （もっと読む）

本発明は、電子デバイスを製造するのに用いられる蒸着チャンバーの内部などの表面から表面沈着物を除去するためのプラズマクリーニング方法に関する。本発明はまた、表面から沈着物を除去するのに優れた性能を提供するガス混合物および活性化ガス混合物を提供する。本方法は、炭素または硫黄源、ＮＦ_３、および任意選択的に酸素源を含むガス混合物を活性化させて活性化ガスを形成する工程と、活性化ガス混合物を表面沈着物と接触させて表面沈着物を除去する工程であって、活性化ガス混合物が装置の内部表面を不動態化して気相化学種の表面再結合の速度を下げる役割を果たす工程とを含む。
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半導体ウェーハ・プロセス・チャンバにおけるアーク発生問題を診断する方法及びシステムが説明される。方法は、プロセス・チャンバで電圧プローブをプロセス・ガス分配面板へ結合し、ＲＦ電源を活性化して、面板と基板ウェーハとの間にプラズマを生成することを含む。方法は、更に、ＲＦ電源の活性化中に、時間の関数としての面板ＤＣバイアス電圧を測定することを含む。この場合、面板における測定電圧のスパイクは、アーク発生事象がプロセス・チャンバ内で出現したことを表示する。半導体ウェーハ・プロセス・チャンバ内のアーク発生を低減する方法及びシステムも説明される。 （もっと読む）

【課題】 不活性ガスによる移載室のパージが自動的になされるようにする
【解決手段】 基板の処理を行う際に前記基板の処理を行う処理室に連接される移載室（Ｎ₂パージ室102）を不活性ガスでパージするように制御する制御手段（装置コントローラ321）を備えた基板処理装置において、前記制御手段は、前記移載室に供給する不活性ガスの流量や流す時間をパラメータに含む複数のレシピを有し、前記複数のレシピを実行して前記移載室をパージするためのレシピを選択する。
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【課題】本発明は、窒素（Ｎ）の濃度を所望する濃度に設定し、且つ表面から深さ方向に対して窒素（Ｎ）の濃度を均一に形成することが可能な窒素（Ｎ）ドープの酸化物結晶成長方法を提供する。
【解決手段】超高真空容器２にアンモニア（ＮＨ_３）ガスを供給する窒素ソースガン７を、実質的にステージ３を挟んで排気ポート８の反対側に配置し、容器２内に導入されたアンモニア（ＮＨ_３）がステージ３に載置されたＺｎＯ基板４に到達後速やかに排気されるようなアンモニア（ＮＨ_３）の流路を形成するようにした。その結果、超高真空容器内におけるアンモニア（ＮＨ_３）の蓄積が緩和されて、ＺｎＯ基板上の結晶成長層内の窒素（Ｎ）の濃度を所望する濃度に設定し、且つ表面から深さ方向に対して窒素（Ｎ）の濃度を均一に形成することが可能となった。 （もっと読む）

【課題】スパッタにより成膜された基板上のＰＺＴ膜への、防着板上の堆積膜からの再蒸発Ｐｂの付着によるＰｂ組成比の増加に関し、前記成膜におけるＰｂ組成比の制御を可能にする。
【解決手段】スパッタ装置のチャンバ内に、基板表面より下側で、その基板を載置する支持台が搭載されたペデスタル側面とチャンバ底壁とを覆って、絶縁体を介して底壁に固定された下方防着板を設け、前記下方防着板に電位を印加可能のようにし、前記印加電位の制御によって、成膜ＰＺＴ中のＰｂ組成比を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に、電気的特性のばらつきの小さい酸化膜を形成することができる酸化膜形成方法および酸化膜形成装置を提供する。
【解決手段】ボロンをドーピングした半導体基板５４が配置されたプロセスチューブ４８内に、純水供給管３３および導入管３２によって形成される管路を通して純水を供給する。純水が気化した水蒸気の雰囲気中において半導体基板５４を加熱し、半導体基板５４の表面部に酸化膜を形成する。次に、純水供給管３３に接続された排出ガス導入部３５に窒素ガスを供給することによって、純水供給管３３および導入管３２によって形成される管路に窒素ガスを供給し、管路内に残留する純水をプロセスチューブ４８内に排出する。次に、窒素ガス供給管３４によって形成される管路を通して窒素ガスをプロセスチューブ４８内に供給し、水蒸気を含まない窒素ガスのみの雰囲気中で半導体基板５４を加熱し、ボロンを拡散する。 （もっと読む）

本発明は、電子デバイスを製造するのに用いられるプロセスチャンバーの内部などの、表面から表面沈着物を除去するための改良された遠隔プラズマクリーニング方法に関する。本改良は、少なくとも約３０００Ｋの高い中性温度の活性化ガスの使用、およびエッチング速度を向上させるためのＮＦ₃クリーニングガス混合物への酸素源の添加を含む。
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本発明は、総括的には半導体処理用の堆積装置に関する。より具体的には、本発明の実施形態は、ガスマニホルドバルブクラスタ及び堆積装置に関する。本発明の一部の実施形態では、洗浄中に大気に曝露されることになるガスラインの長さ及び容積の縮小を可能にし、プロセスチャンバの保守を行うのに必要な時間を最少にすることでプロセスチャンバの生産性を高める、ガスマニホルドバルブクラスタ及びシステムが提供される。他の実施形態では、ガスマニホルドバルブクラスタ及びＡＬＤ堆積装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】石英製の配管に合成樹脂製の排気導管を連結した基板処理装置に於いて、連結部が高温となった状態でも基板処理装置からのガス漏れを確実に抑止する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室１９を形成する反応管２と、該反応管の周囲に設けられ前記基板を加熱する加熱装置と、前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記反応管の下端部から処理室を排気する様設けられた排気管４と、該排気管４に該排気管４と熱膨張率の異なる材料で形成された管継手３４を介して接続される排気導管３１と、前記管継手３４を前記排気管４に向って付勢する付勢手段５１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 回転軸周囲への反応副生成物形成を抑制し、パーティクル発生を抑えると共に回転駆動の異常を防止する半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 反応管１１は、内部反応管１１１と外部反応管１１２で構成され、それぞれマニホールド１２上に取り付けられている。炉口蓋１８は、回転軸１６の貫通孔１８２を有する。炉口蓋１８は、外部から反応管１１（内部反応管１１１）内へのボート１４の連絡経路を開閉すると共に、貫通孔１８２近傍の回転軸１６の周囲が不活性ガス雰囲気で保護されるようになっている。炉口蓋１８は、貫通孔１８２近傍の回転軸１６の周囲を円筒状に囲む窪み１８３を有し、窪み１８３と回転軸１６の離間領域１９に不活性ガスを供給するガス導入管１８４を有する。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置の処理炉に於けるガス供給管等の細管の取付け位置調整を容易にする。
【解決手段】
基板を処理する処理室を形成する反応管４５，４６と、該反応管が立設されるマニホールド４４と、該マニホールドに設けられたポート４０と、前記処理室内で前記ポートに挿入される細管４７と、該細管に形成した突起部と、前記マニホールドに設けられ、前記突起部と係合状態で前記突起部の処理室半径方向の変位を拘束する係止手段とを具備した。
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【課題】トラップ装置ごと交換することなく、カートリッジのみを交換することを可能とする反応室の排気ガスから生成物を分離除去するトラップ装置を提供する。
【解決手段】トラップ装置２６に設けられるカートリッジ１８であって、カートリッジ取付け蓋と、前記カートリッジ取付け蓋に挿通固定される媒体導入チューブ３３及び媒体排出チューブ３２と、前記挿通固定された媒体導入チューブ３３及び媒体排出チューブ３２に連結されるスパイラルチューブとを有する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜製造時に発生する副生成物の収集、捕捉を効率良く、安価に行うことができ、チャンバおよび排気配管などへの副生成物の付着を防止することが可能な薄膜製造装置、薄膜製造方法、および薄膜製造装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】 プラズマを発生するのに必要な真空を確保する空間を構成するチャンバ１、チャンバ１内に配置されガス供給系１３から薄膜製造に必要なガス（キャリアガス、反応ガス）および反応物質を供給される成膜部４を備え、チャンバ１と成膜部４の間にチャンバ１への副生成物の付着を防止する防着板２を配置している。防着板２はホッパ部３を備えてあり、ホッパ部３の外周面（チャンバ１に対向する面）にはホッパ部３（防着板２）に振動を与える振動発生部としての振動子５が設けてある。 （もっと読む）

【課題】
断熱保温治具の円筒体内部の真空引きを不要として、安全性が高く、生産性、加工性及び取扱性に優れ、且つ処理ガスの円滑な流れを確保でき、充分な断熱保温効果を発揮することのできる半導体ウェハ熱処理炉用断熱保温治具を提供する。
【解決手段】
円盤状のシリカガラス底板体と、該底板体の上面側に立設されたシリカガラス円筒体と、該円筒体の上部を閉塞するシリカガラス天板体とを備える熱処理炉内でウェハ支持ボートを載置するため半導体ウェハ熱処理炉用断熱保温治具であって、該シリカガラス円筒体の内部を少なくとも上部空間と下部空間とに仕切る熱遮蔽性シリカガラス体が具設され、且つ該シリカガラス円筒体の中空部壁面にガス通気孔が穿設されてなるようにした。 （もっと読む）

本発明は実質的に大気圧でガス流出物をプラズマ処理する方法に関し、処理される流出物をプラズマトーチに注入し、プラズマの上流または下流で水蒸気を注入することを含む。 （もっと読む）

【課題】耐腐食性が高く、メンテナンスコストが低く、稼働率が高い膜処理装置を提供する。
【解決手段】半導体薄膜の加工をするための反応室１と、高周波電源２と、前記高周波電源２に接続され、前記反応室１の内部に設置されている第１電極５と、第２電極７と、前記反応室１内にガスを供給するガス供給部３と、前記反応室１からの排気をするための真空ポンプ９とを具備している。ここで、前記反応室１の内部に設置されている第１電極５と、第２電極７は、母材と、前記母材の表面に形成されている第１層と、前記第１層の外側に位置する第２層とを含む構造を有している。前記第１層においては、アルミニウムが前記母材中に拡散していて、前記第２層はアルミニウムにより形成されている。 （もっと読む）

基板処理チャンバコンポーネントは、アニールされたマイクロクラックを有する局所表面領域を備えた構造体を有している。アニールされたマイクロクラックによって、クラック伝播が減じ、破壊抵抗が増大する。一製造方法において、コンポーネントの構造体は、通常の手段により形成され、表面マイクロクラックをアニールするのに十分な時間にわたって、構造体の局所表面領域に、レーザービームが向けられる。
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【課題】搬入搬出口の扉の開閉時に発生する汚染物を遮蔽できる減圧処理装置及び減圧処理方法を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気を保持し被処理物を処理するための処理空間３と、前記被処理物を前記処理空間３に搬入搬出するする搬入口９とを有する処理容器１と、前記処理容器１内に設けられた前記被処理物を載置する載置手段と、前記処理容器１に接続され前記処理容器１内を排気する排気手段と、前記処理空間３に向けて処理ガスあるいは活性種を供給する処理ガスあるいは活性種供給手段と、前記載置手段と前記処理容器１の内壁との間に設けられ第１の位置と第２の位置との間を移動可能な遮蔽体１２と、前記遮蔽体１２を移動するための遮蔽体移動手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】
バッチ処理に於いて、複数種のウェーハを同時に処理し、而も処理品質を向上させる。
【解決手段】
基板を処理する反応管２と、該反応管内の基板を加熱するヒータ１０と、前記反応管内で所要数の基板を保持する基板保持具１６とを有し、該基板保持具は少なくとも２種類以上の基板を保持すると共に、各種類の基板に対応したウェーハ保持領域を有し、各ウェーハ保持領域毎に基板を支持する基板支持部の間隔又は／及び形状が異なる様構成された。
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