【課題】成長炉内の雰囲気が変わってしまっても、従来通りの面内分布を保つことができる基板セット位置可動型成長用治具を提供することにある。
【解決手段】治具の回転中心に同軸に設けられた位置調整ツマミ２を有する中心ギヤ７と、上記中心ギヤの周囲に基板５を保持して花弁状に配置され且つ中心ギヤ７の半径方向に変位可能に装置された板状の可動片４と、位置調整ツマミ２により上記中心ギヤ７を回転させることにより操作され、上記可動片４の位置を中心ギヤ７の半径方向に変位させる力伝達機構８とを備えた構造とする。 （もっと読む）

本発明は両立できないガスを収容する多数の真空処理室を真空化するための装置及び方法である。ガスはプレコンディショニング装置を収容する大気中より低い除去室へ導かれる。ガスは除去室において両立できるように処理される。次いで、両立できるようになったガスは単一のストリーム６として除去室から支援ポンプを通して引き出される。 （もっと読む）

処理容器の金属汚染を有効に低減させることができるとともにクリーニングガスによる処理容器の損傷を低減させることができる基板処理装置のクリーニング方法を提供する。内部に被クリーニング物質が存在し、かつ少なくとも内壁面が（Ａ）ＳｉＣ、（Ｂ）石英、（Ｃ）Ｍｇを０．５−５．０重量％含んだＡｌ系材料、及び（Ｄ）Ｎｉ系材料のいずれかから構成された処理容器の内部にβ−ジケトンを含むクリーニングガスを供給して、基板処理装置をクリーニングする。
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本発明の実施形態は、ガスをより均一にプロセスチャンバーへ分配するガス分配システムに向けられる。一実施形態において、ガス分配システムは、外面及び内面を含むガスリングと、このガスリングの外面に配置されたガス入口とを備えている。ガス入口は、ガスリングの外面と内面との間に配置された第１チャンネルに流体結合される。ガスリングの内面には複数のガス出口が分布され、それら出口は、ガスリングの外面と内面との間に配置された第２チャンネルに流体結合される。第１チャンネルと第２チャンネルとの間には複数のオリフィスが流体結合される。複数のオリフィスは、ガス入口から複数の距離で離間され、オリフィスのサイズは、第１チャンネルに沿って測定されたガス入口からの距離と共に変化し、第１チャンネルに沿って測定されたオリフィスとガス入口との間の距離の増加と共にオリフィスのサイズも増加するようにされる。 （もっと読む）

【課題】 気化器の使用を繰り返しても、気化室内における原料の気化効率を極端に低下させることなく、安定的に原料ガスを供給することが可能な気化器および該気化器を備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】 気化器３０は、気化室３２を形成する壁面に、複数の山形突起４０が設けられ、それぞれの山形突起４０は、気化室３２へ向けて突設され、気化ノズル３５から噴霧されるミストの流れのうち壁面近傍の流れを遮るように作用する。これにより気化室３２の壁面に、気化ノズル３５から噴霧されるミストの流れに対して蔭になる領域が形成される。この蔭になる領域には付着物がほとんど付着することないため、熱交換効率の極端な低下が防止され、ミストの気化性能を安定的に維持できる。 （もっと読む）

【課題】pタイプ化合物半導体薄膜の結晶成長させる方法。
【解決手段】PNヘテロ接合を含む化合物半導体薄膜積層ウエハの結晶成長における有機金属材料の鎖体反応を制御する混合工程と、加熱工程により高濃度のpタイプ化合物半導体薄膜の結晶成長させる。 （もっと読む）

簡単な構造でありながら、プラズマやオゾンを高効率に発生し、取り扱いが容易な発生装置を得るようにする。 誘電体を介在しない電極１１、１２からなる電極部１０を構成する。この電極部１０に電荷を蓄積する電荷蓄積部としての消弧コンデンサ１３を直列に接続する。電極部１０と消弧コンデンサ１３との直列回路の両端に、交流電圧を印加して消弧コンデンサ１３を充放電させ、電極１１、１２間に自己消弧放電を生じさせてプラズマを発生させる交流電源１５を接続する。電極部の多極化を容易にするために、消弧コンデンサ１３と、これに接続される側の電極部１０の一方の電極１２とをユニット化する。ユニットは、電極部１０の一方の電極１２とコンデンサ１３の一方の電極とを兼用した浮遊電極と、浮遊電極の周囲に設けられた絶縁体と、絶縁体周囲に設けられた接地電極とから構成する。
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【課題】ＰＥＣＶＤシステムの洗浄サイクルを制御するための改良された方法及びシステムを提供する。
【解決手段】 排気口１５２が堆積サイクルの間に１つ以上の粒子と洗浄サイクルの間に洗浄ガス反応種を排出するように構成された真空堆積プロセスチャンバ１３３と、排気口１５２に結合したインサイチュ粒子モニタ１９０とを含む基板処理システムを用いる。インサイチュ粒子モニタ１９０は洗浄サイクルの開始点を求めるように構成されている。プラズマ増強型化学気相堆積システムは、更に、排気口１５２に結合された赤外線用終点検出アセンブリ２００を含んでいる。赤外線用終点検出アセンブリ２００は、洗浄サイクルの終点を求めるように構成されている。 （もっと読む）

並列ウエハ処理リアクタのための基板キャリアは、複数の基板を支持する。上記基板キャリアは、垂直スタックに水平に配列されるサーマルプレート又は環状リングでよい複数のサセプタを含む。上記基板は、サセプタの対の間でそれらサセプタの外周をめぐって設けられた２つ又はそれ以上のサポート上に取り付けられる。サセプタの各対の間に取り付けられる基板の数は、同じであっても異なっていてもよいが、サセプタの少なくとも１つの対の間では２つ又はそれ以上である。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタの信頼性の劣化を抑制しつつ、高電圧駆動を可能とするとともに高速化を図る。
【解決手段】 酸化防止膜４をマスクとしてエピタキシャル成長を行うことにより、第１単結晶半導体層３上に第２単結晶半導体層５を形成し、酸化防止膜４をマスクとして第２単結晶半導体層５の熱処理を行うことにより、第２単結晶半導体層５の構成成分を第１単結晶半導体層３内に拡散させ、第１単結晶半導体層３の一部を第３単結晶半導体層７に変換した後、第１単結晶半導体層３上および第３単結晶半導体層７上に第４単結晶半導体層８を形成し、第３単結晶半導体層７上に配置された第４単結晶半導体層８上にゲート絶縁膜１１を形成するとともに、オフセットゲート層１５ｂおよびドレイン層１５ｃを第１単結晶半導体層３および第４単結晶半導体層８に形成する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス作業での塩酸ガスの発生を抑制することができるシリコン窒化膜の形成方法及び形成装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１はヘキサクロロジシラン及びアンモニアを供給して半導体ウエハ１０にシリコン窒化膜を形成する反応管２と、反応管２に接続された排気管１６と、熱処理装置１の各部を制御する制御部２１とを備えている。制御部２１は、排気管１６を１００℃〜２００℃に加熱するとともに、アンモニアの導入量がヘキサクロロジシランの導入量の２０〜５０倍となるように、処理ガス導入管１３からヘキサクロロジシラン及びアンモニアを供給する。 （もっと読む）

【課題】 基板を処理するための方法を提供することである。
【解決手段】 基板を処理する方法は、プラズマ空間を規定するために構成される第１のチャンバ部分と、処理空間を規定するように構成された第２のチャンバ部分とを有する処理チャンバに基板を配置することと、プラズマ空間に第１のガスを導入することと、処理空間に第２のガスを導入することとを含む。プラズマは、上部チャンバ部分に結合されたプラズマソースを使用して第１のガスからプラズマ空間に形成される。プラズマがプラズマ空間から処理空間へと拡散することができるように、基板を処理するためのプロセス化学は、第１のチャンバ部分と、第２のチャンバ部分との間に配置されたグリッドを提供することによって処理空間に形成される。 （もっと読む）

【課題】基板処理室の開口部を閉塞する閉塞手段に流体を供給または排出する金属配管同士や金属配管とその周囲の金属部品との干渉に起因する金属パーティクルを低減し歩留まりを向上することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理炉２０２と、処理炉の開口部を閉塞する閉塞手段２４４と閉塞手段２４４に設けられた流体を流通させるための流路２８１と、流路２８１に接続され流路に対して流体を供給または排出する金属配管２８０とを有し、金属配管２８０の少なくとも一部を金属配管２８０よりも硬度の小さい部材で覆っている。 （もっと読む）

【課題】被処理体が大口径化してもその膜厚の面内均一性を向上させることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】気密な処理容器４内に配置され、サセプタ６上に載置された被処理体Ｗに対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、アンテナ部材２２と、アンテナ部材に接続された高周波電源３２と、複数の処理ガス供給通路５６Ａ，５６Ｂを備え、処理ガス供給通路と連通する処理ガス噴出孔から処理容器内に処理ガスを供給するためのガス供給部と、処理容器内を排気するための排気口５８Ａ，５８Ｂとを備え、ガス供給部は、処理ガス供給通路と連通する処理ガス噴出孔の位置が、処理容器の周方向に位置し、略均等に配置されて、処理容器内の中心部に向かって処理ガスを放出する。これにより、成膜の厚みの面内均一性を大幅に向上させることができる。 （もっと読む）

本発明は、化学気相成長用のリアクターの反応チャンバー（２）の壁を冷却する方法に関する。この方法は、反応チャンバー（２）の実質的に均一な温度分布を達成するように、チャンバー（２）の壁の少なくとも１つの所定の区域を水で選択的に冷却して、隣接する区域と比べて異なる熱流束を取り除くことにある。好ましい実施形態において、選択的に冷却される区域は、サセプタ（５）の上の区域であり、２つのリブ（８、９）によって範囲を定められる。本発明は、また、この冷却方法を実行するため、リアクターおよび反応チャンバー（２）を含む。
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【課題】降温時の温度制御の精度を向上することのできる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】加熱装置２０７と加熱装置２０７内に設けられる外側反応管２０６および内側反応管２０３とを有する反応炉と、内側反応管２０３と外側反応管２０６との間に挿入される熱電対２６３と、外側反応管２０６と加熱装置２０７との間を吸引排気する吸引排気口３０１と、熱電対２６３の計測した値に基づき加熱装置２０７の温度制御を行う制御部１０１、１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ロギング条件を任意設定できるようにして汎用ロギング機構を実現する。
【解決手段】 表示画面300上で、複数の装置ステータス欄311〜315、321〜325(Tube Status、Trans Mode、Boat Mode、Step Name、及びValve Number)の各項目の中から任意の装置ステータスの組み合わせを選択することにより、ロギング条件を設定する。その際、ロギング開始条件(Start Trigger)308とロギング終了条件(End Trigger)309とをそれぞれ設定できるようにする。表示画面300上から設定された装置ステータスと、実際の装置から検出された装置ステータスとを所定時間間隔毎に比較して、開始条件が成立している場合は、条件フラグを立て、その状態で終了条件が成立した場合は条件フラグを落とすようにして、条件フラグの有無によりロギング条件の確立を判定する。積算方式欄(Accumulation Type)327でTIMEを選択して確立した時間を積算すると、それがロギングデータとなる。MFCNo.を選択すると積算ガス流量が換算できる。 （もっと読む）

窒化シリコン膜を形成する方法が記載される。本発明によれば、シリコン/窒素含有原料ガス又はシリコン含有原料ガスと窒素含有原料ガスを低堆積温度（例えば、５５０℃未満）で熱分解して窒化シリコン膜を形成することにより窒化シリコン膜が堆積される。次に、熱堆積された窒化シリコン膜を水素ラジカルで処理して処理した窒化シリコン膜を形成する。
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【課題】短期間で所定の温度に安定させる温度制御を実現することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１０４と、ボート１０２の昇降手段と、ヒータ１０１と、前記処理室１０４内の温度を検出する熱電対１０７と、前記検出温度に基づき、所定の温度制御条件により前記ヒータ１０１を制御するヒータコントローラ１１３と、前記複数の基板１０３の種類および枚数のうち少なくとも一方と、前記検出温度との相関関係に関する情報を予め記憶する記憶手段とを備え、前記ヒータコントローラ１１３は、前記昇降手段により前記ボート１０２に保持された前記複数の基板１０３を前記処理室１０４内に搬送する際に、前記熱電対１０７により検出される処理室１０４内の温度の変化量と前記相関関係に関する情報とに基づいて前記所定の温度制御条件を補正し、該補正後の温度制御条件により前記ヒータ１０１を制御する。 （もっと読む）

本発明は、電子工学、光学または光電子工学での応用を目的とする構造体に関するものであり、該構造体は、周期表の第ＩＩ族の少なくとも一つの元素および／または周期表の第ＩＶ族の少なくとも一つの元素、および、Ｎ₂で構成された合金（この合金はＩＩ−ＩＶ−Ｎ₂と表記される）による、主として結晶質の層を含み、該構造体はさらに、ＩｎＮの層を含んでいる。他方、本発明は窒化インジウム層の実現方法と、基板を形成するプレート、並びに、窒化インジウムの成長に該プレートを応用することにも関するものである。 （もっと読む）