本発明は、電子工学、光学または光電子工学での応用を目的とする構造体に関するものであり、該構造体は、周期表の第ＩＩ族の少なくとも一つの元素および／または周期表の第ＩＶ族の少なくとも一つの元素、および、Ｎ₂で構成された合金（この合金はＩＩ−ＩＶ−Ｎ₂と表記される）による、主として結晶質の層を含み、該構造体はさらに、ＩｎＮの層を含んでいる。他方、本発明は窒化インジウム層の実現方法と、基板を形成するプレート、並びに、窒化インジウムの成長に該プレートを応用することにも関するものである。 （もっと読む）

【課題】 基板載置台の貫通孔に対する基板保持ピンの位置調整を容易に行うことを可能にする。
【解決手段】 ピン設置用のピンアーム（基板保持ピン設置台）２８２は、処理室を構成する下側容器２１１の底面２１２に取り付けられる。リフトピン（基板保持ピン）２６６は、ピンアーム２８２の貫通孔２１７ａと対応する係合孔２６２に立設され、ピンアーム２８２の取付部２８５は、下側容器２１１の底面２１２へ取り付けられる。リフトピン２６６は、サセプタ（基板載置台）２１７の下降にともなって貫通孔２１７ａから突き出してウェハ（基板）２００を保持し、サセプタ２１７の上昇にともなって貫通孔２１７ａから引っ込んでウェハ２００をサセプタ２１７に載置する。このリフトピン２６６の貫通孔２１７ａに対する位置調整を容易に行えるように、ピンアーム２８２の底面２１２への取付部２８５を、サセプタ２１７と下側容器２１１の底面２１２との間に挟まれる空間Ｓ_inの外側の空間Ｓ_outに取り付ける。 （もっと読む）

【課題】ボートへ移載済みのウェハに対して温度インタロック制御を行うことにより、熱ストレスを少なくして製品歩留りの高い半導体基板を製造する。
【解決手段】温度制御ゾーン２が複数のゾーン（Ｕ，ＣＵ，ＣＬ，Ｌ）に分散された複数のヒータによって加熱される加熱炉１へ、複数枚のウェハ４を載置したボート３を挿入する挿入工程と、挿入工程に続いて加熱炉１においてウェハ４に所定の処理を施す処理工程と、処理工程に続いて加熱炉１よりボート３を引き出す引出工程と、引出工程に続いてウェハ４を冷却する冷却工程とを含む。そして、挿入工程及び引出工程において、温度制御ゾーン２における複数のゾーンに温度傾斜が生じるように、非接触温度センサでウェハ４の温度監視を行いながら複数のヒータの加熱制御を行う。これによってウェハ４の熱ストレスは防止される。 （もっと読む）

本発明は、薄膜形成装置、すなわち、たとえば半導体ウエハまたは液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製造プロセスにおいて基板に様々な材料からなる薄膜を形成するための装置に関する。薄膜形成装置は、薄膜が形成される基板を搭載するための基板支持体と、基板支持体を取り囲んで適切な作動条件を有するチャンバを備える。さらに、インジウム、錫、鉛、あるいはアンチモンなどの延性金属材料を金属または合成樹脂母材に塗布することにより構成される吸着手段を、薄膜形成装置内の基板を除く部品表面に付着する。したがって、構成要素表面に形成された後、そこから剥離した不要な薄膜の一部分が基板に付着することにより生じる薄膜形成不良を根本的に防ぐことができる。
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各々内部における半独立ＡＬＤと／またはＣＶＤ被膜形成（成膜）用に構成された複数の別個のシングルウェハ処理リアクタを有する１以上のウェハ処理モジュー^*1ルと；該各ウェハ処理モジュールにウェハを供給すると共に該各ウェハ処理モジュールからウェハを受け取るよう構成されたロボット式中央ウェハハンドラと；ローディング／アンローディング・ポートと該ローディング／アンローディング・ポートを該ロボット式中央ウェハハンドラに結合するミニ環境を備えるシングルウェハ・ローディング／アンローディング機構と；を備えたウェハ処理装置。該ウェハ処理リアクタは、（Ｉ）１座標軸が、該シングルウェハ処理リアクタがそれぞれ属する該ウェハ処理モジュールの中の少なくとも１つのモジュールのウェハ装入面と平行なデカルト座標系の座標軸に沿って配置する、あるいは（ＩＩ）該座標軸により定まる象限内に配置することが可能である。各処理モジュールは、最大４つのシングルウェハ処理リアクタを各々独立のガス分配モジュールと共に備えることができる。
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【課題】 排気口部を処理容器と同様に迅速に降温させることができ、スループットの向上が図れる縦型熱処理装置及びその処理容器急速降温方法を提供する。
【解決手段】 被処理体ｗを収容して熱処理する処理容器２と、該処理容器２の周囲を囲んで加熱する急速冷却機能を有する主ヒータ７と、処理容器２の上部に排気管５を接続するために屈曲形成された排気口部６と、該排気口部６を加熱するために設けられた補助ヒータ２０とを備えた縦型熱処理装置１であって、前記補助ヒータ２０に主ヒータ７の急速冷却時に該補助ヒータ２０を排気口部６から退避させるための移動機構２１を設けると共に、排気口部６周辺の雰囲気を強制排気するための強制排気機構２２を設けている。 （もっと読む）

下方に面するミラー表面を有するリフレクタと、そのリフレクタの下に置かれたガラス構造体と、そのガラス構造体内で、処理される部品を保持する能力があり上方に面する表面を有するサセプタと、そのガラス構造体の下に向けられ、ガラス構造体の下に置かれた一以上の放射熱源と、を含む装置。
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【課題】 絶縁性の高いシリコン酸化膜を形成できる。
【解決手段】 第１の反応室１では、オゾンと、アルキルシロキサン化合物５から放出したアルキルシロキサン化合物ガスとが効率的に混合され、第２の反応室２には、シリコン酸化膜を成膜したい基板６が載置され、基板６は第２のヒータ１１により加熱され、第１の反応室１と第２の反応室２は互いに断熱板３によって独立し、連結部となる孔４により連通している。
第１の反応室の混合ガスは、連結部４を通過して第２の反応室２に導入され、上記混合ガスは基板表面に吸着するとともに熱反応分解によって表面にＳｉＯ_２が形成される。 （もっと読む）

【課題】排気配管内に付着する副生成物を効率よくしかも均一性よく除去できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室２０１と、処理室２０１に基板処理用ガスとクリーニングガスをそれぞれ供給する供給手段２３２、２３４と、処理室２０１に連通された排気通路２３１と、基板２００を加熱する加熱手段２０７とを有し、少なくとも排気通路２３１の内部に生成された副生成物を除去するため、クリーニングガスを処理室２０１内に供給し排気通路２３１を介して排出する際、排気通路２３１の途中から不活性ガス供給システム２５１、２５３により高温の不活性ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】 処理室の気密を保持する伸縮部材の温度低下を防止する。
【解決手段】 処理室２０１内にヒータユニット３２７が設けられる。このヒータユニット３２７は、処理室２０１底部から挿入される支持体（駆動軸）３７６によって昇降自在に支持される。この支持体３７６の外側にベローズ（伸縮部材）２７９が設けられる。ベローズ２７９は、支持体３７６の直線軸運動を許容しつつ、支持体３７６の処理室２０１への挿入部３７８をシールする。ベローズ２７９の外側に、ベローズ２７９と空間３８８を介して、筒状加熱手段３８０をベローズ２７９と同軸的に設ける。この筒状加熱手段３８０を、ベローズ２７９の伸縮にともなって伸縮するように、はめ込み式の２つの筒状ヒータ３８１、３８２で構成する。 （もっと読む）

プロセシング中にウエハを加熱するための装置及び方法。該装置は、プロセシング領域を画定するプロセシング管を内部に収容するプロセスチャンバを有する。プロセシング管は第１及び第２の壁を有し、両者の間に中空キャビティ即ち通路が画定される。第２の壁には複数の孔即ち出口が形成され、中空キャビティとプロセシング領域とを連通させている。該装置は、プロセシング管に隣接した位置に複数の抵抗性加熱要素も有する。抵抗性加熱要素から放出される熱エネルギーが中空キャビティを通して流れるガスを加熱するように構成される。中空キャビティを通して流れるガスは、前記複数の孔を通して中空キャビティから流出し、対流の効果を利用してプロセシング管に配置されたウエハの温度を変化させる。
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【課題】 エピタキシャルウェーハを製造するにあたって、エピタキシャル膜の膜厚の均一化を図れるサセプタ、およびエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】サセプタ２は、基板ウェーハが載置されるウェーハ載置部２１を有する。このウェーハ載置部２１は、基板ウェーハの形状に対応した凹形状を有し、基板ウェーハの外周縁部を支持する第１凹部２１１と、この第１凹部２１１よりも中心側下段に形成される第２凹部２１２とで構成される。このうち、第１凹部２１１の底面は、外周端縁から内周端縁に向かうにしたがってサセプタ２の厚み寸法が小さくなるように傾斜している。 （もっと読む）

プラズマ発生システムに供給される洗浄ガス混合物の流量を設定する流量制御器であって、前記プラズマ発生システムが、前記洗浄ガス混合物からプラズマを形成し、前記プラズマは、反応性洗浄元素種を含む前記流量制御器と、反応性洗浄元素種と処理チャンバの内側表面上に形成された堆積物との反応により形成された反応生成物の濃度に関する情報を有するフィードバック信号を発生させる検出器と、前記フィードバック信号を制御信号に変換するプロセッサとして、前記制御信号は、前記流量制御器で洗浄ガス混合物の流量を連続的に調節するのに用いられる、前記プロセッサとを含む、処理チャンバの内側表面上に形成された堆積物を除去するフィードバックループ洗浄システム。また、処理チャンバの内側表面上に形成された堆積物を除去する方法。 （もっと読む）

【課題】 ガス流量が大きく変化してもウェハの温度が所定の温度に保持されるような温度制御機能を備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】 内部ＴＣ７が検出する反応管４内の温度とガス導入口６から反応管４内に供給されるガス流量とウェハ３の温度との関係を予めデータに記録しておく。次に、目標温度設定値とウェハ３の温度とのずれを補正するための温度補正値を記録しておく。さらに、ガス流量ごとに各ゾーンの温度補正値を設定してテーブルに記録しておく。熱処理のプロセスを行うときは、ガス導入管６からのガスの供給流量に応じた温度補正値によって目標温度の補正を行う。これによって、ガス導入管６から供給されるガス流量が大きく変化してもウェハ３の温度を所定の温度に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】 熱処理装置において、基板を支持する支持機構とウェハとの接触により生じるウェハの温度変化を抑える。
【解決手段】 処理室と、処理室内において基板を支持する支持機構と、処理室内に支持された基板を加熱する加熱手段とを有する熱処理装置において、支持機構は、基板の外周縁部において基板を支持するようにする。また、支持機構は、基板表面に対して垂直な面で切った断面形状において、基板と接する面が、基板表面に対して斜めの方向に形成されたものとする。 （もっと読む）

【課題】基板と位置規制部との接触を防止することにより、フラッシュランプによる熱処理時における基板の破損を防止する。
【解決手段】熱処理装置は、基板９を保持する保持部７、保持部７を昇降する保持部昇降機構、基板９にフラッシュランプからの光を照射して加熱する光照射部、および、保持部７の上方にて基板９を支持する３本の支持ピン７０を有する基板支持部７００を備える。保持部７のサセプタ７２は、基板９が載置される載置面７２２、および、載置面７２２の周囲に設けられた傾斜した側面７２３を備える。熱処理装置では、基板支持部７００から保持部７への基板９の移載時に、極めて低速（秒速１ｍｍ以下）にて基板９を上昇させることにより、載置面７２２上における基板９の横滑りを防止して基板９と側面７２３との接触を防止し、熱処理時における基板９の破損を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】より簡易な構造で装置全体の気密性等を良好に保ちつつ、かつ、清掃や再組立等のメインテナンスの頻度を最小限にすることができ、さらに、半導体基板の温度を精度良く制御し、且つ半導体基板の品質を容易に維持でき、また加熱処理を高歩留まりにできる加熱処理装置及び加熱処理方法を提供する。
【解決手段】反応室１０は反応ガスを導入するガス導入口４と反応ガスを排出するガス排出口５を有するとともに赤外線透過窓１６を備え、前記反応室１０内部には半導体基板１を載置するサセプタ２を具備し、前記反応室１０外部には、前記半導体基板１を加熱する加熱手段８と、前記赤外線透過窓１６を介して前記半導体基板１の温度を測定する基板温度測定手段１１ａと、前記反応室１０全体を冷却する反応室冷却手段１２と、前記赤外線透過窓１６を冷却する窓冷却手段１３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】温度計用保護管を処理室にシールを確保しつつ着脱可能に設置する。
【解決手段】熱電対６１が挿入される石英製の保護管６２をエルボ管形状に形成する。石英製のプロセスチューブ３１の炉口３３付近の側壁に開設された取付孔６３に石英製のスペーサ６４とパイプ６５を溶着し、パイプ６５に保護管６２の屈曲下端部をプロセスチューブ３１の内側から挿入する。パイプ６５にスペーサ６６とシールリング６７が収納されたキャップ６８を嵌合し、パイプ６５の外側端部に異径ウルトラトール６９を嵌合し、異径ウルトラトール６９の外側端部にスペーサ７０とシールリング７１が収納されたキャップ７２を嵌合する。一対の保護管６２、６２を連結棒７３で連結し、両保護管のプロセスチューブ３１の内周面との間に当てブロック７４、７４を挟み込む。保護管を石英製のプロセスチューブに着脱可能に取り付けることで、メンテナンス作業を向上できる。
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ウェハを支持するための領域を有する表面および本体を備えるステージと、ステージに結合されたシャフトと、第１および第２の加熱素子とを含む加熱装置。第１の加熱素子は、ステージの本体の第１の平面内に配置される。第２の加熱素子は、第１の加熱素子よりステージの表面から離れた距離にあるステージの本体の第２の平面内に配置され、第２の加熱素子は、第１の平面および第２の平面の少なくとも１つに対して実質的に平行な平面に第１の加熱素子からずらされる。
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マイクロエレクトロニック構造を形成する方法が記述される。それらの方法は、基板上にダイヤモンド層を形成し、そこではダイヤモンド層の一部が欠陥を含み、その後、ダイヤモンド層から欠陥を除去することによってダイヤモンド層内に空孔を形成する。 （もっと読む）