【課題】化学蒸着法による薄膜蒸着時に、ソース物質のソース物質蒸発部の外部への流出を抑制することができるソースガス供給装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るソースガス供給装置は、化学蒸着法による薄膜蒸着時に使用されるソースガス供給装置であって、ソース物質２２を加熱してソースガスを生成するソース物質蒸発部２１と、前記ソースガスを蒸着チャンバーに搬送する搬送ガスを前記ソース物質蒸発部に供給する搬送ガス供給部２４とを備え、前記ソース物質蒸発部の内部には、前記ソース物質が前記搬送ガスによって前記ソース物質蒸発部の外部に流出するのを抑制する搬送ガス誘導管（抑制手段）２５が設けられている。前記搬送ガス誘導管の端部は前記ソース物質と対向しないようになっている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のプラズマ処理の面内均一性を向上することを可能とする。
【解決手段】開口部２２０を有する処理容器と、ガス供給手段と、排気手段と、開口部から処理室２０１内に挿入される基板を保持する基板保持具と、基板保持具に積層されるプラズマ生成用の少なくとも１対の電極であって電極間に基板が配置される第１、第２電極と、基板保持具を処理室内で回転自在に支持するための回転軸３１０と、回転軸を回転自在に軸支し開口部を閉塞する蓋体と、回転軸中を通って処理室内に導入され第１、第２電極とに接続される第１、第２供給ラインと、処理室外に導出される第１、第２供給ラインに接続される第１、第２回転コンデンサ３１４ａ、３１４ｂと、第１、第２回転コンデンサから第１、第２供給ラインを介して第１、第２電極に異なる位相の電力を別々に供給する電力供給手段とを備える。 （もっと読む）

本願において、ドープ石英コンポーネントの製造方法を提供する。一実施形態において、ドープ石英コンポーネントは、基板を支持するように構成されたイットリウムをドープした石英リングである。別の実施形態において、ドープ石英コンポーネントは、イットリウムとアルミニウムをドープしたカバーリングである。更に別の実施形態において、ドープ石英コンポーネントは、イットリウム、アルミニウム及び窒素を含有するカバーリングである。
（もっと読む）

【課題】半導体製造装置に腐食性ガスを供給する際に，ガスフィルタでは除去できない揮発性金属成分の混入を防止する。
【解決手段】半導体製造装置（例えば熱処理装置１１０）にガス供給流路２２０を介して腐食性の高いガスを供給可能なガス供給システムであって，ガス供給流路２２０に設けたガスフィルタ２４０と，ガス供給流路２２０のガスフィルタ２４０の配設位置よりも下流側に設けられ，ガス供給流路２２０を流通するガスに含まれる揮発性金属成分を液化させて除去する金属成分除去器２５０とを設けた。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成した薄膜上へ吸着する有機物などの微粒子の量を低減させ、形成する薄膜の膜厚均一性を向上させ、ヘイズ性パーティクルを低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２００を支持具に装填する工程と、基板を装填した支持具２１７を処理室２０１内に搬入する工程と、処理室内で支持具に装填された基板を熱処理する工程と、熱処理後の基板を装填した支持具を処理室内から搬出する工程と、処理室内より搬出した支持具から熱処理後の基板を回収する工程と、を有し、熱処理後の基板を回収する工程は、基板の温度が、基板表面に吸着した有機物の揮発温度を下回らない間に行う。 （もっと読む）

【課題】熱処理装置での処理温度が１３００℃前後と非常に高い温度領域で行われたとしても、高価な炭化硅素材料を使用せずとも、効果的に輻射熱の遮断が可能となり、かつ装置自体の高さを増大させない縦型熱処理装置を提供する。
【解決手段】輻射熱遮熱体１０は、石英ガラス製の真空容器体１ａと、その内部空間に封入された輻射熱を遮熱できる粒子１ｂとからなる。真空容器体１ａとしては、中空の円柱体、中空のディスク体、管壁の内部が中空となっている管体、環壁の内部が中空となっている環体等が挙げられる。輻射熱を遮熱できる粒子１ｂとしては、層状のグラファイト系材料、金属材料又はセラミック系材料等の粒子が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】処理室内の付着膜を化学的反応により除去することを可能とし、基板上への均一な薄膜形成を可能とする装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室２０１内のガスをプラズマ化する活性化機構３００と、処理室２０１と連通するように設けられ、活性化機構３００を処理室２０１から退避させるための退避室３０５と、活性化機構３００を移送する移送機構と、処理室２０１と退避室３０５との間のガス流通を遮断する遮断機構３０３と、基板を処理する際は、活性化機構３００を退避室３０５に退避させ、処理室２０１と退避室３０５との間のガス流通を遮断させた状態で、ガス供給部から処理ガスを供給し、処理室内をクリーニングする際は、活性化機構を処理室内に移動させた状態で、ガス供給部２０１ａからクリーニングガスを供給させ、処理室２０１内のクリーニングガスをプラズマ化させるように制御する。 （もっと読む）

【課題】化学剤及び反応性気体の混合を最小にする原子層堆積装置及び方法を提供する。
【解決手段】分配前方ライン２６を設置し且つ監視することにより、所望のとき及び所望の箇所にてのみ第一の前駆体及び第二の前駆体がその他の化学剤及び反応性気体と混合される。また、独立的で且つ、専用のチャンバ出口１７、２９、隔離弁２４、３４、排出前方ライン２２、３２及び排出ポンプ２０、３０が提供され、これらは、必要なとき、特定の気体に対して作動される。 （もっと読む）

【課題】気化ガスの温度低下によるパーティクルの発生を防止又は抑制する。
【解決手段】基板処理装置はウエハ２００を収容する処理室２０１と、ウエハ２００を加熱するヒータ２０７と、処理室２０１内に処理ガスを供給するガス供給源２５０と、処理室２０１内の雰囲気を排出するガス排気管２３１等と、コントローラ２８０と、を有し、ガス供給源２５０は、液体または固体原料を気化させた気化ガスを供給するガス供給管２３２ａと、前記気化ガスとは異なるガスを供給するガス供給管２３２ｂとを少なくとも備え、コントローラ２８０は、ガス供給管２３２ａから気化ガスを処理室２０１内に供給している際、ガス供給管２３２ｂから加熱された不活性ガスを処理室２０１内に供給するようにガス供給源２５０を制御する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内に残留する堆積物による半導体の汚染を防止する方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１００表面近傍の温度制御付きセラミックのライナ１０２の温度は、半導体の基板処理中にライナ１０２表面上の堆積物形成の低減やライナ１０２表面から堆積物除去の促進を目的に設定される。チャンバ１００表面には堆積物が早く堆積するものもある。堆積物の形成又は除去の速度は温度に依存するので、ライナ１０２は異なる場所で温度を独立に設定可能に構成されうる。温度制御可能なライナ１０２が複数の場合、各ライナで保護されるチャンバの領域の堆積物の形成の低減又は除去の要件に応じ、異なる温度に設定される。好適には、基板処理時或いは洗浄処理時にチャンバ１００外部で生成されたプラズマが導管を通してチャンバ１００内に供給される。 （もっと読む）

【課題】フットプリントの増加を極力抑えつつ，大気搬送ユニットに従来以上に多くの増設ユニットを増設できるようにし，その拡張性を高める。
【解決手段】大気搬送ユニット３００は，ウエハを収納するカセット容器との搬出入口３１４を設けるとともに，真空処理ユニットと接続され，直線的に水平移動可能な水平搬送機構により真空処理ユニットと基板収納容器との間でウエハの受け渡しを行う水平搬送ユニット３１０と，複数の増設ユニット４００Ａ〜４００Ｄ，４１０Ａ〜４１０Ｄを鉛直方向に並べて接続可能に構成され，直線的に鉛直移動可能な鉛直搬送機構により各増設ユニットに対してウエハの受渡しを行う鉛直搬送ユニット３６０とを相互に接続した。 （もっと読む）

【課題】成膜処理時に容器内や導入管内からパーティクルが流出するのを防止することができる粉体状ソース供給系の洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム１０は、粉体状ソース供給系１２と成膜処理装置１１とを備え、粉体状ソース供給系１２は、粉体状ソース１３（タングステンカルボニル）を収容するアンプル１４と、該アンプル１４内へキャリアガスを供給するキャリアガス供給装置１６と、アンプル１４及び成膜処理装置１１を接続する粉体状ソース導入管１７と、該粉体状ソース導入管１７から分岐するパージ管１９と、粉体状ソース導入管１７を開閉する開閉弁２２とを有し、成膜処理に先立って、開閉弁２２が閉弁し且つパージ管１９内を排気する際に、キャリアガス供給装置１６が、キャリアガスによる粘性力が成膜処理時におけるキャリアガスによる粘性力よりも大きくなるようにキャリアガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】シャワープレートの温度を所望の温度に維持すると共に面内温度の均一性を向上させて、シャワープレートの変形、歪みの発生を抑える。
【解決手段】処理容器２内に基板Ｗを収納し、処理ガスをプラズマ化して基板Ｗを処理するプラズマ処理装置１であって、処理容器２内に処理ガス供給用のガス供給部材５０が配置され、ガス供給部材５０の内部に、熱媒を流通させる熱媒流路５５が形成され、熱媒流路５５へ所定の圧力で熱媒を供給する状態と、熱媒流路５５への熱媒の供給を中断する状態とに切り替え自在な熱媒供給機構６０を備え、熱媒供給機構６０は、熱媒流路５５に熱媒を供給する時間と供給を中断する時間の割合を可変である。熱媒流路５５へ熱媒を供給する際には、常に等しい圧力で熱媒が供給されて、熱媒流路５５内に一定の流量で熱媒が流通させられる。 （もっと読む）

【課題】減圧時に蓋体と炉口周縁部との間で気密部材が押し潰されることにより蓋体と炉口周縁部とが直接接触することに起因する炉口周縁部の損傷や蓋体と炉口周縁部の擦れの発生を防止する。
【解決手段】被処理体ｗを多段に搭載した保持具２０を載置すると共に上記炉口３ａを開閉する蓋体１７と、処理容器３内への保持具２０の搬入・搬出及び蓋体１７の開閉を行う昇降機構１８と、蓋体１７上に設けられ処理容器３の炉口周縁部３ｆとの間を封止する環状の気密部材２６と、を備えた熱処理装置１において、上記処理容器３内の減圧時に該減圧による内外の圧力差分の押し付け力を減少させるための押し付け力減少手段３７を設けている。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ等の被処理体に対して所定の処理を行うチャンバーに用いられる圧力制御バルブにおいて、シール部材の長寿命化を達成することができる圧力制御バルブを提供すること。
【解決手段】 チャンバー１１側と排気装置５３，５４側とを連通する開口６１ｂを備えた弁ボディ６１と、前記開口を閉止する封止用弁体６２と、該封止用弁体に設けられたシール部材６２ａ及びその外側の保護シール６２ｂと、前記開口６１ｂを所定の開度だけ開口するシール部材を持たない制御用弁体６３と、を設け、プラズマ処理をする場合は、開口を制御用弁体で所定の開度にし、封止用弁体６２は、弁退避部に退避させておく。弁退避部では、保護シールの内側にシール部材が密封されるので、シール部材はプラズマやラジカルに曝されない。 （もっと読む）

【課題】気相成長反応中にウェハに付着するシリコン生成物によるウェハとサセプタの貼りつきを低減させる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１０２と、チャンバ１０２内にプロセスガスを供給するプロセスガス供給部１０８と、チャンバ１０２に収容され、気相成長反応が行なわれるウェハ１０１を載置するサセプタ１０３を有するホルダ１０４と、ウェハ１０１を所定の温度に加熱するヒータ１０５と、ホルダ１０４内にエッチング性ガスを供給するエッチング性ガス供給部１０６と、エッチング性ガスをホルダ１０４内から排気するホルダ内ガス排気部１１２と、チャンバ１０２内のガスをチャンバ１０２外へと排気するチャンバ内ガス排気部１０９とを備えることを特徴とする。これにより気相成長反応中にウェハ１０１の裏面にシリコン生成物を付着させず、ウェハ１０１とサセプタ１０３との貼りつきを低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】 高温熱処理時における自重によるウェハの撓みを防止して、スリップの解消を図れるようにする。
【解決手段】 複数の基板を搭載して反応炉内に出し入れされるボートを備えた熱処理装置において、前記ボートは上下方向に複数段の棚と基板支持部とを有し、前記複数段の棚のそれぞれに基板を垂直に立てた姿勢で水平方向に並べて保持するとともに前記基板支持部で基板を水平姿勢で保持するよう構成されている。 （もっと読む）

半導体製造プロセスチャンバー中の表面から不所望の物質を取り除くための方法および装置。フッ素源と酸素源とを含むガス混合物は前処理され、活性なフッ素種を含むようになる。前処理された混合物は、当面、ガス貯蔵デバイス中で貯蔵され、その後、半導体プロセスチャンバーに導入される。前処理されたガスの導入に先立って、チャンバー中の温度は、通常の動作温度以下の温度まで下げられる。チャンバー中でプラズマを発生させないか、または高温条件を発生させることなく、不所望の物質が前処理されたガス混合物との化学反応によって除去されるか、または取り除かれる。
（もっと読む）

【課題】
温度検出手段の温度検出位置精度を向上させると共に、温度検出手段を再組立てした場合にでも、再現性が保証される様にする。
【解決手段】
基板を収納し処理する空間を形成する反応管３２と、前記基板を加熱する加熱手段と、前記反応管内の温度を検出する温度検出手段４１と、前記反応管内で前記温度検出手段を収納する保護管４３とを具備し、前記温度検出手段は複数の温度検出部材４２を有し、該温度検出部材は先端部に温度検出部を有する線状部材から構成され、前記温度検出部材に前記温度検出部の位置が異なる様に絶縁部材が数珠状に挿通され、該絶縁部材の少なくとも１つに複数の前記温度検出部材が挿通する。
（もっと読む）

【課題】液体原料の気化ガスがキャリアガス供給ラインに流入するのを防止又は抑止する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を収容する処理室２０１と、ウエハ２００を加熱するヒータ２０７と、処理室２０１内に所望の処理ガスを供給するガス供給系と、処理室２０１内の雰囲気を排気するガス排気系と、コントローラ２８０とを備え、前記ガス供給系は、液体の原料を気化させる気化ユニットを含み、前記気化ユニットは、バルブ３１１を介して接続されるキャリアガス供給管３１０と、バルブ３０１を介して接続される液体原料用のガス供給管２３２ａとを含み、コントローラ２８０は、キャリアガス供給管３１０内の圧力をガス供給管２３２ａ内の圧力よりも高く維持させ且つバルブ３０１を閉じる動作を行う際は、バルブ３１１が開放されていることを条件に閉動作を実行する。 （もっと読む）