【課題】フィードバック値の変化の程度に基づきフィードバック値の適正化を図る。
【解決手段】ＴＬ８００は、ＰＭ４００をフィードフォワード制御およびフィードバック制御する。具体的には、記憶部８５０は、ウエハＷにエッチング処理を施すときの制御値となる目標値を記憶する。通信部８５５は、ウエハＷの処理状態をＩＭＭ６００に測定させ、その測定情報を受信する。演算部８６５は、受信された測定情報のうち、ウエハＷの処理前後の測定情報に基づいて今回処理されたウエハＷのフィードバック値を算出し、前回算出されたフィードバック値との変化値ΔＦＢを算出する。判定部８７０は、変化値ΔＦＢと所定の閾値とを比較することにより、今回算出されたフィードバック値を破棄するか否かを判定する。更新部８７５は、破棄しないと判定された場合、今回算出されたフィードバック値により目標値を更新する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率材料を化学気相堆積するチャンバー表面の清浄工程の終点を決定する方法を提供する。
【解決手段】金属残渣４０を揮発させかつ生成すると表面から離れる揮発した残渣生成物７０を生成させるために十分な時間、残渣４０を清浄剤６０と接触させることにより残渣４０を表面から除去し、下にある金属を腐食させ、かつそれを揮発させる傾向を有する清浄剤６０と接触させることにより、金属を含む下にある表面から金属残渣４０を除去し、清浄剤６０が残渣４０を除去した効果により表面と接触し、そして表面の金属と反応しかつ表面の金属を揮発させるまで残渣４０と接触させて清浄剤を保持し、金属を含む下にある表面は、金属残渣４０の金属よりも清浄剤６０と反応性が高いことを利用し、揮発した金属及び清浄剤６０のそれぞれの量をモニターして、揮発した金属の量の清浄剤６０の量に対する比が、低い値から高い値に増えた時に清浄工程を停止させる。 （もっと読む）

【課題】予備室と処理室との圧力差を低減し、該圧力差に起因するガスの急激な流動を抑制し、もって基板のパーティクル汚染を防止する基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ロードロック室内の圧力が設定された第１の設定圧力値となるよう第２の圧力センサの検出する圧力値に基づいてロードロック室内の圧力を調整する第１の圧力調整部２８８と、処理室内の圧力が第２の設定圧力値となるよう第１の圧力センサ２４５の検出する圧力値に基づいて処理室内の圧力を調整する第２の圧力調整部２９０と、差圧計２８０が検出するロードロック室と処理室との圧力差に基づいて第２の設定圧力値を更新する設定圧力値更新部２９２とを備える。 （もっと読む）

【課題】ホストコンピュータからの指令に応じて基板処理装置がデータ処理装置に処理レシピの最適化計算を行わせる。
【解決手段】所定の処理レシピに基づいて被処理基板のプロセス処理を実行する熱処理装置１００と，処理レシピの最適化計算を行うデータ処理装置４００と，ホストコンピュータ５００と，をネットワーク３１０で接続した基板処理システムの処理レシピ最適化方法であって，基板処理装置は，ホストコンピュータから処理レシピ最適化処理実行指令を受けてデータ処理装置に計算に必要なデータを送信して処理レシピの最適化計算を実行させて，その結果に基づいて処理レシピを更新する。 （もっと読む）

【課題】ねじの交換を容易にできかつねじが不用意に外れない、半導体加工リアクタ内にランプをねじ留めするための締結具を提供する。
【解決手段】放射加熱された半導体加工リアクタ内にランプを取り付け得る被捕捉型の締結具３８は、ランプの各端部のハトメ形末端部３２内に捕捉され、これにより、締結具３８が、ランプに回転式に留められる。ハトメ形末端部３２は、締結具３８のねじ切りされた部分内に螺合される、ねじ切りされた開口部を具え得る。あるいは、末端部を適合させることは、末端部から挿入される締結具の上部上にタブ、導電体延長部、またはハウジングアセンブリを重ね合わせることで行い得る。別の実施形態では、末端部を適合させることは、末端部を通って挿入される締結具の円形の蟻溝とノッチ付き突起部とを係合させることで行い得る。 （もっと読む）

処理システム内で基板を支持する基板ホルダは、第1温度を有する温度制御された支持体底部、及び、該温度制御された支持体底部に対向して前記基板を支持するように備えられている基板支持体を有する。前記基板支持体と結合して該基板支持体を前記第1温度よりも高い第2温度に加熱するように備えられている1つ以上の加熱素子、及び、前記温度制御された支持体底部と前記基板支持体との間に設けられた断熱材も含まれる。前記断熱材での熱伝導係数(W/m²-K)は空間的に不均一に変化する。
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【課題】フッ素を含有するクリーニングガスによりシャワーヘッド部のボディとシャワープレートとの接着面にフッ化アルミニウムが生成及び成長することにより生じる密着性不良によって引き起こされる温度伝達不良、ＲＦ伝達不良のない薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】反応チャンバ６と、反応チャンバ６内で被処理体を載置するためのサセプタ３と、反応チャンバ６内に前記サセプタ３と対向して略平行に設置されたシャワーヘッド９’とを備え、さらにシャワーヘッド９’は、平板状かつ中空構造のボディ１３と、当該ボディ１３の端部に固定され前記サセプタ方向に複数の細孔を有するガス噴出面を備えたシャワープレート１１とから構成されるとともに、ボディ１３とシャワープレート１１との接着面が、前記ガス噴出面に対して平行である水平面と前記ガス噴出面に対して垂直である垂直面とより構成される。 （もっと読む）

【課題】成長治具へのデポから生じるエピタキシャルウェハへの影響をなくす均一化成長治具を提供する。
【解決手段】治具本体２に収容穴３を形成し、その収容穴３に基板４を収容して保持し、記基板４上に結晶をエピタキシャル成長させて堆積させるための成長用治具１において、治具本体２の収容穴３を除く成長側の面２ｄに、結晶の堆積を防止するカバー１０を取り付けたものである。 （もっと読む）

【課題】放熱体の溶融を防止しつつ排気ガスを充分に冷却するラジエータを有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】バッチ式ホットウオール形ＣＶＤ装置のプロセスチューブとプロセスチューブを取り囲むヒータユニットとの間に形成された冷却エア通路に、排気フードと排気ダクトとダンパケースとラジエータケース１００とを接続し、ラジエータケース１００にラジエータ１１０を設置する。ラジエータ１１０の供給口１０４側領域の複数の第一放熱体を鉄分を主成分とする材料で形成し、ラジエータ１１０の排気口１０５側領域の複数の第二放熱体を第一放熱体より放熱性の高い材料で形成する。放熱体の溶融を防止しつつ、熱交換性能を維持できるので、１０００℃での急冷を実施した場合であっても、予め設定された温度の低温ガスを排気口から安全に排出できる。 （もっと読む）

【課題】ツィーザをセラミック製とすることによるパーティクルの問題をセルフメンテナンスによって解決することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１をツィーザ２５によって保持してカセット２とボート２８との間で移載するウエハ移載装置２３を有する酸化・拡散装置において、移載室内のウエハ移載装置２３の待機位置３０にツィーザ２５にガス３３を吹き付けるガス吹き付け機構３１を設置し、ガス吹き付け機構３１から吹き出されたガス３３を吸引する吸引機構３６をツィーザ３３を挟んでガス吹き付け機構３１に対向するように設置する。吸引機構３６を構成する吸引排気配管３８にはパーティクルモニタ３９を取り付け、吸引機構３６にはイオナイザ４０を設ける。これによりツィーザに付着または吸着したパーティクル等を吹き付けたガスによって洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】熱膨張による影響を回避する。
【解決手段】複数枚のウエハ１を所定の間隔を置いて保持して処理室３７に搬入するボート４３と、処理室３７内を加熱するヒータ４２と、ボート４３に複数枚のウエハ１に対応した間隔を置いて保持される複数の電極体６０と、複数の電極体６０に高周波電力を印加する一対のフィーダ５０、５０とを備えており、フィーダ５０には複数の電極体６０に対応した間隔を置いて複数段の接続溝５１を形成し、各接続溝５１には複数の電極体６０の端子６６、６７を自重によって押接させて電気的に接続する。電極体６０は第一電極板６１と第二電極板６２を誘電体６３で囲んで構成し、誘電体６３の上面にウエハ１を下から保持する保持爪６８を設ける。ボート４３に両フィーダ５０、５０と協働して３点支持する電極体保持柱５８を設ける。
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【課題】過加圧発生時や不活性ガスにより反応室内雰囲気を排気する際、ガスに含まれる反応生成物等を除去する。
【解決手段】 基板処理室と、該基板処理室にガスを供給するガス供給ラインと、前記基板処理室内のガスを排気し、前記基板処理室内を減圧排気する減圧排気ラインと、前記基板処理室内のガスを排気し、前記基板処理室内を常圧排気する減圧排気ラインと、前記常圧排気ラインに設けられ、前記ガスに含まれる成分を除去する排気トラップ（常圧排気ライン用排気トラップ１４６）とを備え、前記排気トラップには、排気トラップへのガス導入方向と略垂直であり、排気トラップのガス導入口１３側に凹面３を有する邪魔板４と凹面３内に配置された冷却管５とを設ける。 （もっと読む）

【課題】搬送アームを使わずに基板受け渡し装置だけで基板の水平方向の位置ずれを補正する。
【解決手段】載置台１１２の支持軸１１４周りに離間して配設され，基板例えばウエハＷをその下面で支持する複数の支持ピン１３２Ａ〜１３２Ｃと，支持ピンが取り付けられる基台１３４と，支持ピンを基台を介して上下駆動させて，ウエハＷの上げ下ろしを行う上下駆動手段（Ｚ方向駆動手段１３８Ｚ）と，支持ピンを基台を介して水平駆動させて，ウエハの水平方向（Ｘ，Ｙ方向）の位置を調整する水平駆動手段（Ｘ方向駆動手段１３８Ｘ，Ｙ方向駆動手段１３８Ｙ）とを設けた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハ中心部と周辺部の温度差を抑えながら昇温、降温し、ウェーハの反りによる欠陥の発生を抑えることが可能な半導体製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造方法は、反応室内に被処理ウェーハを保持する工程と、被処理ウェーハを所定温度に昇温する工程と、被処理ウェーハを所定温度に保持し、被処理ウェーハを回転させ、被処理ウェーハ上に反応ガスを供給して、被処理ウェーハ上に被膜を形成する工程と、被処理ウェーハを所定温度から降温する工程を備え、昇温する工程と、降温する工程において、被処理ウェーハの中心部、周辺部と、その中間部の温度を測定し、中心部と中間部との温度差に基づいて、中心部の温度を制御し、周辺部と中間部との温度差に基づいて、周辺部の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板Ｗを載置支持して加熱するための基板加熱装置において、側面からの放熱により被処理基板Ｗの温度分布が不均一となることを防止する。
【解決手段】基板加熱装置１０の表面に沿って第一の加熱用電極１３Ａを設けてこれを第一の電圧印加手段１５Ａで発熱させると共に、基板加熱装置の側面に沿って第二の加熱用電極１３Ｂを設けてこれを第二の電圧印加手段１５Ｂで発熱させることにより、側面からの放熱を補って外周部の温度低下を防ぎ、被処理基板Ｗの温度分布が均一になるように加熱する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を防止することができるようにする。
【解決手段】半導体製造装置は、複数の基板を処理する処理容器と、前記処理容器内に収容されて前記複数の基板を多段に保持する基板保持具と、前記基板保持具の側面に設けられるプラズマ生成室１７と、前記プラズマ生成室内に第一のガスを供給する第一のガス供給部と、前記基板保持具に保持される複数の基板の間に第二のガスを供給する第二のガス供給部と、前記処理容器の外に設けられ、前記プラズマ生成室１７内に供給される前記第一のガスを誘導結合により励起してプラズマを生成する電極と、前記電極と前記プラズマ生成室１７との間に接地して設けられたシールドと、前記プラズマ生成室１７内に設けられ、該プラズマ生成室１７内で生成されたプラズマのうちの電子を前記処理容器内の前記複数の基板の間に発射して、前記基板間に供給された前記第二のガスをプラズマ励起する電子供給装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマによる基板の損傷が少ない基板処理装置、及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】 基板を処理するための処理室と、処理室内に原料ガスを供給するための原料ガス供給口と、処理室内に反応ガスを供給するための反応ガス供給口と、少なくとも一組以上の対向するくし型電極により構成され、くし型電極に高周波電圧を加えることにより反応ガスをプラズマ化するためのプラズマ生成部と、を有し、プラズマ生成部は、基板と反応ガス供給口との間に配置されており、プラズマ生成部を構成するくし型電極は、先端が球形状に封止された絶縁管にそれぞれ覆われており、絶縁管は、Ｏリングを介してトランスとの接続側が片持ちに支持されており、絶縁管の支持部分の周辺は不活性ガスによりパージされている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮに格子定数の近い基板を用い，大型で良質のＧａＮエピタキシャの結晶を得る。
【解決手段】素子基板は、遷移金属二ホウ化物のホウ素面にアルミニウム含有膜を介して窒化物半導体膜をエピタキシャル成長させて形成されてなることを特徴とする構成。素子基板の製造方法であって、遷移金属二ホウ化物のホウ素面に、アルミニウム膜をエピタキシャル成長させ、次に、窒化物半導体膜をエピタキシャル成長させることを特徴とする構成。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、処理炉に於ける炉口部からの放熱を抑制し、処理室の均熱長を増大させると共に基板面内の温度分布の均一性を向上して、処理品質、歩留りの向上を図る。
【解決手段】
処理室４６と、該処理室内で所要数の基板１７を保持する基板保持手段３２と、前記処理室内に所要のガスを供給・排気するガス供給・排気手段５２，５５と、前記基板保持手段を回転させる回転手段６２と、前記基板保持手段に設けられ、該基板保持手段に保持されるそれぞれの基板の少なくとも上面に対向する様に設けられる加熱手段８０と、該加熱手段に電磁気結合により非接触で電力を供給する電力供給手段とを具備する。
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【課題】少なくとも固体原料を用いて超臨界成膜法により膜を形成するにあたり、その固体原料を一定速度で成膜チャンバ内に導入可能な成膜装置、並びにその原料の導入方法及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜チャンバと、前記固体原料を超臨界二酸化炭素に溶解させた固体原料溶液を調製する調合器と、前記調合器内に超臨界二酸化炭素を供給する第一の超臨界二酸化炭素供給ラインと、前記固体原料溶液における固体原料の濃度をモニタリングする検出器と、前記検出器で得られた固体原料の濃度をフィードバックして、前記成膜チャンバ内に導入される固体原料の導入速度が一定になるように、前記調合器から排出される固体原料溶液の流速を制御する流速調整手段と、前記調合器から排出される固体原料溶液を前記成膜チャンバ内に導入する固体原料導入ラインと、を有する成膜装置を使用する。 （もっと読む）