【課題】一の基板上の各部において、処理条件を変えることができる処理装置を提供する。また、一の基板上の各部において、処理条件を変えることができる処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る処理装置は、天井部(105a)と、側壁部(105b)と、前記天井部と側壁部とで構成される処理空間を複数の処理室に分割する仕切り壁(105c)と、前記側壁部に設けられた排出孔(110)と、前記複数の処理室にそれぞれ接続された複数の第１のガスライン(107)と、を有するカバー(105)で、基板(100)の処理領域(E)を覆い、前記基板上に吐出された複数の吐出液(d)を前記処理室毎に処理する。かかる構成(方法）によれば、複数の処理室毎に処理条件を変化させることができ、成膜条件の最適化を容易に行うことができる。また、各処理室において、処理条件を変化させることで異なる膜を形成することができる。よって、半導体装置などの製造工程において、工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】触媒体を高温時でもたわむことなく張架することができる触媒ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】触媒ＣＶＤ装置は、錘体８が設けられて張架された触媒体４を反応室１の内部に備えている。 （もっと読む）

【課題】減圧下でウォールデポを生じさせることなくサセプタを大径化できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】水平な円板状のサセプタ１１と、サセプタ１１を内部空間１３ａに収容する反応容器１３と、内部空間１３ａにガス流を形成するガス給排手段と、サセプタ１１に載置された半導体ウェーハ１２を加熱する加熱手段１７と、反応容器１３を外部から空冷する冷却手段とを備え、反応容器１３は中央が上方に膨出してサセプタ１１を覆う窓部１４ａを有する。サセプタ１１の外径Ｗが４９０ｍｍ以上７００ｍｍ以下であり、窓部１４ａの厚みｔが４ｍｍ以上７ｍｍ以下であり、窓部１４ａの曲率半径Ｒが５８０ｍｍ以上６２０ｍｍ以下であり、サセプタ１１の上面から窓部１４ａ内面までの高さの最大値Ｈが２００ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】筐体内で発生したパーティクルの筐体外への流出を防止することができ、筐体内で安定したダウンフローを生成することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理炉５１を有するウエハ処理領域と、ウエハを収納するポッド２を搬送するポッド搬送装置３５を有するポッド保管室１１ｂと、ウエハ処理領域とポッド保管室１１ｂとを内部に有するメイン筐体１１とを備えたバッチ式ＣＶＤ装置において、メイン筐体１１の正面壁１１ａに開設されたポッド搬入口１２とエアインテーク２６を開閉する第一シャッタ１３と第二シャッタ２８とを両側ロッドシリンダ装置２９によって連動させる。ポッド２の搬入搬出時にはポッド搬入口１２を第一シャッタ１３で開き、エアインテーク２６を第二シャッタ２８で閉じる。ポッド保管室１１ｂ内でのポッド搬送時にはポッド搬入口１２を第一シャッタ１３で閉じ、エアインテーク２６を第二シャッタ２８で開く。 （もっと読む）

【課題】処理ガス供給管とパージガス供給管とが合流する部分でのデッドスペースを解消し、パーティクルの発生を防止し、パージガス供給管の圧力が大きくなり、気化器の気化性能を低下させることを回避できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収納する処理室と、前記処理室にガスを供給するガス供給手段とを有し、前記ガス供給手段は、液体原料を気化する気化器と、前記気化器からの気化ガスを前記処理室に供給する第１のガス供給管４７ａ，bと、不活性ガスを前記処理室に供給する第２のガス供給管５３と、前記第１のガス供給管４７ａ，bと前記第２のガス供給管とが接続される合流部７１とを備え、該合流部７１は拡散室７３を有し、前記第２のガス供給管５３の下流側の先端部分には前記拡散室７３の方向に向かって内径を絞る絞り部７７を有し、該拡散室７３には前記気化器からの気化ガスが流入すると共に絞り部７７を通して不活性ガスが流入する。 （もっと読む）

【課題】温度変更を迅速に行なうことが可能な気相成長装置および当該気相成長装置を用いた半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】気相処理装置１は、処理室４と、サセプタ２と、ヒータ５と、壁部冷却部材５２と、反応ガス供給部材９とを備える。サセプタ２は、処理室４の内部に表面が露出し、当該表面に基板８を搭載する。ヒータ５は、サセプタ２を加熱する。壁部冷却部材５２は、処理室４の壁面を冷却する。反応ガス供給部材９は、処理室４の内部に反応ガスを供給する。ヒータ５の昇温速度は１００℃／分以上であり、かつ、投入可能最大熱量は１０ｋＷ以上である。壁部冷却部材５２の冷却能力はヒータ５の投入可能最大熱量より大きい。反応ガス供給部材９は、水素ガスおよび窒素ガスの少なくともいずれか一方を含むガスを処理室４の内部に１００ｓｃｃｍ以上の流量で供給可能である。サセプタ２の熱容量は５０Ｊ／Ｋ以上５００Ｊ／Ｋ以下である。ヒータ５の熱容量は１０Ｊ／Ｋ以上１００Ｊ／Ｋ以下である。 （もっと読む）

【課題】電極を縮みにくくし、処理される基板の品質を均一なものとすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、処理室に処理ガスを供給するガス供給管２３２a、２３２bと、処理室内の雰囲気を排気するガス排気管２３１と、処理ガスを活性な状態とするため、高周波電力が印加される第１の電極２６９及び２の電極２７０とを有する。第１の電極２６９及び第２の電極２７０は、金属からなる芯線と、芯線に折曲可能であるように複数個が連結され、芯線よりも熱による変形が少ない短管とから構成される。 （もっと読む）

【課題】搬送アーム表面の異物を除去する手段を有する基板処理装置であって、装置構成を簡素化すると共に異物除去によって装置のスループットが低下しない基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１１は、半導体ウェハＷに処理を施す少なくとも１つの処理室２１と、処理室２１に隣接する搬送室１４と、搬送室１４の内部を減圧する真空ポンプ１６と、搬送室１４および処理室２１の間で半導体ウェハＷを搬送する搬送装置１５と、搬送装置１５に付着した異物を、搬送室１４内で除去する異物除去手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】外周部の腐食を抑制可能なセラミックスヒータを提供する。
【解決手段】セラミックスヒータは、プレート１０と、シャフト３６とを備える。プレート１０は、第１基体１２と、第１基体に接合される第２基体１４とを備える。第１基体１２の載置面１２ｂには、載置された基板と接触する表面を有する第１領域２２と、基板５０により覆われる位置に、第１領域を囲むよう設けられたパージ溝２０と、パージ溝２０を囲む表面を有する第２領域２３とが定義される。第１基体１２は、載置された基板を第１領域の表面上に吸着する手段と、パージ溝２０の底面から第１基体１２の下面まで貫通する複数のパージ孔２４とを有する。パージ溝２０には、複数のパージ孔２４を介してパージガスが供給される。第２領域２３の表面は、第１領域２２の表面よりも低い。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセス装置内においてハロゲン含有化学種に晒されたアルミニウム物品の腐食を避ける手段を提供する。
【解決手段】最適なマグネシウム含有量を有するアルミニウム−マグネシウム合金をハロゲン含有化学種に晒した際には、該物品の表面下にハロゲン化マグネシウムの保護層５１２が形成される。該保護層は、ハロゲンが基部アルミニウムに浸透するのを防止し、腐食および「ひび割れ」から保護する。ハロゲン化マグネシウム層を摩耗から保護するには、ハロゲン化マグネシウム層の上に、硬い凝集性のコーティング５１４を有していることが好ましい。好ましいコーティングは、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムである。アルミニウム物品のマグネシウム含有量は、該物品全体で、あるいは少なくとも耐腐食性とされるべき表面下の領域で、約０．１重量％〜１．５重量％である。該アルミニウムの不純物含有量は、０．２％未満であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
新たな結晶構造をもったＢＮ薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】
ＢＮ薄膜は、Ｓｐ^３−結合性６Ｈ−ＢＮとｓｐ^３−結合性１０Ｈ−ＢＮを含有することを特徴とするものであり、その製造方法は、ｓｐ^３−結合性ＢＮ高密度相を有するＢＮ薄膜の製造方法であって、基材上に形成したアモルファスＢＮ薄膜（又は、sp2結合性BN薄膜）にレーザ照射して、相変化を生じさせ、照射箇所に高密度相を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高温での熱処理条件下においても高い温度均一性および熱効率を保つことができ、破損することなく且つ充分な耐食性を有する基板支持部材を提供する。
【解決手段】 半導体製造装置４０Ａの反応容器４１内部に設置されて基板Ｗの熱処理に使用される基板支持部材４２Ａであって、その内部には通電加熱される発熱体４４Ａを有する空間が設けられており、この基板支持部材４２Ａはニッケルを９５重量％以上含む材料からなる。この基板支持部材４２Ａの表面のうち、少なくとも反応容器内部に露出している表面にはフッ化ニッケルから成る耐食膜４５が形成されても良い。 （もっと読む）

【課題】モジュールの種別を操作画面で識別可能のインテグレート装置を提供する。
【解決手段】インテグレート装置はウエハを処理する複数の処理モジュールと、ウエハを複数の処理モジュールに搬送する負圧移載装置および正圧移載装置と、これらを制御する制御システムとを備えている。制御システムは操作画面の稼働状況表示欄ＰＭ１には第一処理モジュールの種別である枚葉式ＣＶＤ装置、稼働状況表示欄ＰＭ２には第二処理モジュールの種別であるＭＭＴ装置、稼働状況表示欄ＰＭ３には第三処理モジュールの種別である第一クーリング装置、稼働状況表示欄ＰＭ４には第四処理モジュールの種別である第二クーリング装置、稼働状況表示欄ＴＭには負圧移載装置、稼働状況表示欄ＬＭには正圧移載装置を表示する。 （もっと読む）

【課題】上面が平坦でありながら減圧したとしても爆縮の虞がない反応管、及びこの反応管を用いることにより均一性の高い熱処理を行うことのできる熱処理装置を提供する。
【解決手段】閉塞部３０の面状部３１において上面の周縁領域に環状溝部３４を形成しているため、反応管内を減圧した際に面状部３１に対して反応管の軸方向と交差する外側から内側に作用する応力が分散され、環状溝部３４における周縁側の底面角部の肉厚を環状溝部３４内における他の部位の肉厚よりも大きくしているため、環状溝部３４の周縁側の角部に加わる応力が分散される。この結果反応管の閉塞部３０の面状部３１を平坦にしても、反応管内を減圧した際に爆縮することを防止することができる。そしてこの反応管を用いることにより、特に上部側のウェハに対して均一性の高い熱処理を行うことができ、また装置の高さを抑えることができるといった効果がある。 （もっと読む）

【課題】 ２重にシール部材を配備した真空装置のリーク判定を、Ｈｅガスを用いることなく簡易に行う。
【解決手段】 真空装置のリーク判定方法は、連通溝内の圧力Ｐ１を大気圧よりも高く設定し、処理容器内の圧力Ｐ２を真空に設定した状態で、圧力Ｐ１，Ｐ２に共に変化がない場合に内側シール部材および外側シール部材のいずれもリークは無いと判定し、圧力Ｐ１が下降し、かつ圧力Ｐ２に変化がない場合に外側シール部材からのリークが有る、と判定し、圧力１が下降し、かつ圧力Ｐ２が上昇した場合に、少なくとも内側シール部材からのリークが有る、と判定する。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高いLED構造の作製可能なエピタキシャル成長用基板を提供する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル成長用基板2は、凹凸形状の主表面3aを有する単結晶基板3と、単結晶基板3上に、エピタキシャル成長により形成された、凹凸形状の第１表面4aを有する第１のIII族窒化物結晶からなる下地層4と、下地層4上に、エピタキシャル成長により形成された、第２のIII族窒化物結晶からなる中間層5とを少なくとも有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透光性を有する被処理部材を急速昇降温させる場合であっても、加熱・冷却効率が高く、被処理部材の温度分布に生ずるバラツキを抑えることができる誘導加熱装置を提供する。
【解決手段】導電性の管状部材により構成された誘導加熱コイル１８と、誘導加熱コイル１８に密着された第１の断熱部材２０と、第１の断熱部材２０に密着された第１の断熱部材２０よりも耐熱温度の高い第２の断熱部材２２と、第２の断熱部材２２に密着され、誘導加熱コイル１８に投入された電力に基づいて誘導加熱されるグラファイト２４と、グラファイト２４に密着されて、ウェハ３０を熱処理するプロセス室５０とコイル室５２とを隔離する隔離板２６とを有し、第１の断熱部材２０は第２の断熱部材２２における一方の主面と他方の主面との温度差を緩和する役割を担い、隔離板２６とウェハ３０との間には熱媒体として作用する気体層２９を介在させる構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】誘電体とスロットとの位置関係を規定することにより、よりプラズマ着火性および着火安定性に優れたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１１は、上部開口を有する処理容器１２と、下面に厚み寸法が連続的に変化するように傾斜する傾斜面１６ａ，１６ｂを有し、処理容器１２の上部開口を閉鎖するように配置される誘電体１５と、誘電体１５の上面に配置され、誘電体１５にマイクロ波を供給して誘電体１５の下面にプラズマを発生させるアンテナ２４とを備える。そして、アンテナ２４は、傾斜面１６ａ，１６ｂの鉛直上方に位置する複数のスロット２５を有する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュランプによる基板の熱処理状況を、簡便、かつ、良好に把握できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】第１計測部７８は、基板の非熱処理時に保持部７に載置可能とされている。第２計測部８８は、非熱処理時だけでなく、保持部７に基板が保持されて熱処理が実行される熱処理時においても、光照射部５から出射されて導光部８９により導かれた閃光のエネルギーを計測可能とされている。減少率演算部９３ａは、第２計測部８８の計測結果に基づいて求められる減少率ＤＲ２ｎを、第１計測部７８の減少率ＤＲ１ｎとして演算する。補正演算部９３ｂは、第１計測部７８で計測される閃光エネルギーの初期値Ｅ１０と、減少率演算部９３ａで求められた減少率ＤＲ１ｎと、に基づいて、第ｎ回目の発光時に基板に到達する閃光エネルギーＥ１ｎを演算する。 （もっと読む）

【課題】気化器の気化効率低下を防止し、また気化器の閉塞を防止する基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】気化器３１は２ノードのペリトロコイド曲線のまゆ型であり、内部に３葉の内包絡線で形成された三角おむすび型の回転子４０を有している。回転子４０は芯のずれた軸に取り付けられて気化器３１内で回転する。気化器３１には、気化器３１にキャリアガス４２を供給する配管３７と、気化器３１に液体ソース４３を供給する配管３６と、反応室１１に反応ガス４４を供給する配管３８とが接続されている。 （もっと読む）