【課題】金属電極の表面に電界が集中することを防止する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、処理容器１００と、マイクロ波を出力するマイクロ波源９００と、マイクロ波を伝送させる同軸管の内部導体３１５ａと、貫通穴３０５ａを有し、内部導体３１５ａを伝送したマイクロ波を透過させて処理容器１００の内部に放出する誘電体板３０５と、貫通穴３０５ａを介して内部導体３１５ａに連結され、少なくとも一部が誘電体板３０５の基板側の面に隣接した状態にて誘電体板３０５の基板側の面から露出した金属電極３１０とを有する。金属電極３１０の露出面のうち一面が誘電体カバー３２０にて覆われている。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長工程後のウェーハ基板の降温時間を短縮させ、エピタキシャル層の成膜における高スループット化を容易にする気相成長装置及び成長方法を提供する。
【解決手段】処理炉１１頂部にガス供給口１２、内部にガス整流板１３、底部に排気口１４、ガス整流板１３に対向して半導体ウェーハＷを載置する環状ホルダー１５、環状ホルダー１５を回転する回転ユニット１６、半導体ウェーハＷを加熱するヒーター１７を備える。回転ユニット１６は中空の回転軸１６ａと一体であり、ヒーター１７は回転軸１６ａの内部に貫設された支持軸１８の支持台１９上に固設してある。そして、ガス整流板１３と環状ホルダー１５の離間距離は、ガス供給口１２からガス整流板１３を通り流下する降温のための冷却用ガスが半導体ウェーハＷ面上あるいは環状ホルダー１５面上で整流状態になるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】状況に応じて択一的使用が可能な被処理体の支持機構を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗを移載するための被処理体の支持機構において、複数の昇降アクチュエータ４６、４８の昇降ロッド５０、５２に個別に連結されて昇降可能になされた複数の昇降ベース３８、４０と、各昇降ベースより起立されてその先端が被処理体を支持する複数のリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ、４０Ａ〜４０Ｃと、昇降アクチュエータを独立して制御する昇降制御部６８とを備え、各昇降ベースのリフトピンは水平座標における実質的に同一領域にある被処理体を支持可能であり、昇降制御部は各昇降ベースのリフトピンが択一的に被処理体を支持するように昇降アクチュエータを制御する。これにより、リフトピンをグループ毎に状況に応じて択一的使用が可能とする。 （もっと読む）

【課題】一つの処理単位の処理が終了していなくても、半導体基板の処理中に異常を検知することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置１は、ガスを導入するガス導入ライン１２８と、ウエハＷが載置されるカソード電極１３０と、高周波電力を供給する高周波発振器１３２とを有し、高周波発振器１３２が供給する高周波電力で生成されたプラズマを利用して、ウエハＷに所定の処理を施し、ウエハＷを処理する際に、カソード電極１３０に発生する自己バイアス電圧のデータを所定時間蓄積して格納する記憶手段１４２と、記憶手段１４２に格納された自己バイアス電圧のデータから自己バイアス電圧の変化量を求め、算出された変化量があらかじめ設定された許容量より小さくなるかどうかにより自己バイアス電圧が安定しているか判定するコントローラ１１８とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを生成するための電極間のギャップを安定した放電間隔としながら処理室に配置するウエハの枚数の減少を防止できるようにする。
【解決手段】基板を処理する反応室１と、前記反応室１内に多段に配置されたリング状の支持板２１８と、前記支持板２１８にそれぞれ支持された複数の電極板２２０と、プラズマを生成するための電力を隣接する電極板２２０に印加して各電極板２２０及び各基板２００に支持された基板間にプラズマを発生させるプラズマ発生装置とを備えた縦型基板処理装置であって、前記各電極板２２０がそれぞれ前記基板２００と同材質の材料で構成されると共に、前記支持板が石英で構成され、前記各電極板２２０が前記各支持板２１８にそれぞれ固定される。 （もっと読む）

【課題】酸化性ガスと還元性ガスとを用いることによって、設備コストの大幅な上昇を招来することなく、石英製の構成部材の表面から不純物金属、特に銅を除去することが可能なクリーニング方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４と、処理容器内で被処理体を支持するための支持手段６と、被処理体を加熱する加熱手段２４と、処理容器内へ所定のガスを供給するガス供給手段２８とを有すると共に、各構成部材の内の少なくとも１つが石英製になされて被処理体に対して所定の処理を施すようにした処理装置のクリーニング方法において、処理容器内に酸化性ガスと還元性ガスとを供給して両ガスを反応させることによって石英製の構成部材をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】マルチチャンバ型基板処理装置のスループットの低下を防止する。
【解決手段】複数枚のウエハ１を収納したカセット２からウエハ１を第一ＣＶＤモジュール４０に搬送装置１３によって搬入し、第一ＣＶＤモジュール４０および搬送装置１３を制御するメインコントローラ６１が、操作ユニット８０がウエハ１毎に割り当てたプロセスレシピをＣＶＤモジュールにおいて実施する際に、操作ユニット８０は搬送装置１３がウエハ１を搬送している間に、プロセスレシピ情報をメインコントローラ６１にダウンロードする。プロセスレシピに関する情報量の増加に伴うダウンロード待ち時間の増加に影響されないので、スループットの低下を防止できる。
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【課題】超臨界流体を媒体としてウエハ上に形成された微細構造表面に均一な膜を形成する成膜処理装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜処理容器と、前記成膜処理容器内の上面にウエハを保持する保持具と、前記成膜処理容器内の上面に保持されたウエハを加熱する、前記成膜処理容器の上部に埋設されたヒーターと、前記成膜処理容器内を攪拌する攪拌器と、膜原料の少なくとも１つを超臨界流体に溶解した原料溶液を調製する調合器と、前記成膜処理容器内に前記原料溶液を導入する原料溶液導入ポートとを有する成膜処理装置を用いて成膜する。 （もっと読む）

【課題】Ｏリングの劣化を防止しつつ金属汚染を防止する。
【解決手段】冷却媒体通路５０を形成する通路部材５１をマニホールド１９上のアウタチューブ１４とインナチューブ１５の間に敷設する。冷却媒体通路５０はアウタチューブ１４とマニホールド１９の間に設けられたＯリング１８よりヒータ１２側に配置する。通路部材５１は透明または半透明の石英を使用してチャンネル型鋼形状の円形環状に形成し、マニホールド１９表面に伏せて敷設する。マニホールド１９に冷却媒体導入通路５２および冷却媒体排出通路５３を開設し、冷却媒体通路５０に連通させる。マニホールドと通路部材を石英で形成することにより、金属汚染の原因になるのを防止できる。マニホールドを冷却媒体通路を流通する冷却媒体で冷却できるので、Ｏリングが溶融したり劣化したりするのを防止できる。
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【課題】排気配管及び反応装置内に反応生成物が析出しにくい半導体製造装置を提供すること。
【解決手段】減圧雰囲気中で半導体基板の処理を行う反応装置７０と、前記反応装置内のガスを排気する真空ポンプ８０と、前記反応装置７０と真空ポンプ８０とを接続する排気管部とを有する半導体製造装置１０において、前記配管部を外部から加熱する被覆加熱手段１３と、シール部材１５を内部から加熱するシール部材加熱手段と、排気配管１１及びシール部材１５の温度を検出する温度センサ１４，１６を設ける。温度コントローラ１７及び１８により、排気配管１１とシール部材１５の内面を反応生成物よりも高い温度であって、かつ等しい温度とする。これにより排気管内の温度が均一となり、反応生成物の析出を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】座屈やクラックのような僅かな異常をも検知でき、かつ、僅かな異常を、処理装置を停止させずに検知することが可能な同軸ケーブルの異常検知システムを提供すること。
【解決手段】一端をＲＦジェネレータ１の出力１１に接続し、他端を整合器４の入力４１に接続した同軸ケーブル３と、同軸ケーブル３のＲＦジェネレータ１の出力１１における反射波Ｒを検出する第１の反射波検出手段１２と、同軸ケーブル３の整合器４の入力における反射波ｒを検出する第２の反射波検出手段４３と、反射波Ｒと反射波ｒとを比較し、反射波Ｒと反射波ｒとの関係がＲ＞ｒであり、反射波Ｒと反射波ｒとの差分が規定値を超えたときに同軸ケーブル３中の異常発生を検知する検知器６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】波長２５０〜２７０ｎｍの深紫外域で発光する光源として使用可能な高機能性Ｇａ₂Ｏ₃単結晶薄膜を、簡便な手段で作製する。
【解決手段】光学式浮遊帯域溶融法を用いて作製したβ‐Ｇａ₂Ｏ₃単結晶ウエハを基板とし、この基板の（１００）面上に分子線エピタキシー法を用いて８００℃以上の温度でβ‐Ｇａ₂Ｏ₃単結晶膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】異種材料が埋め込まれた３−５族窒化物半導体を含む化合物半導体結晶を、厚さを大きくすることなしに結晶性よく基板上に成長させる、化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】成長基板１１上に、成長基板１１及び３−５族窒化物半導体を含む化合物半導体のいずれとも異なる異種材料が埋め込まれた窒化物半導体を含む窒化物半導体層１３を設けて化合物半導体基板を製造する場合、異種材料としてタンタル、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、プラチナ、バナジウム、パラジウム、またはそれらのいずれかを含む合金からなる金属材料を選択し、該金属材料による埋め込み部１２Ａを成長基板１１上に形成し、埋め込み部１２Ａによって横方向成長を促進させつつ３−５族窒化物半導体を含む化合物半導体をエピタキシャル結晶成長させ、これにより、成長基板１１の上に３−５族窒化物半導体を含む化合物半導体エピタキシャル結晶を積層する。 （もっと読む）

【課題】２以上のガスを用いる成膜装置において、均一な膜を形成できるシャワーヘッドを提供する。
【解決手段】 シャワーヘッドは、原料ガス拡散室１８及び反応ガス拡散室１６を備え、前記原料ガス拡散室と原料ガス導入管とを接続するガス通路は、１段以上の多段に構成され、各段は、２^ｎ−１（ｎは段数）で表されるガス通路１７を有し、１段目のガス通路は、前記原料ガス導入管１１１に接続され、２段目以降の各ガス通路は、前段のガス通路と連通し、最終段の各ガス通路は、原料ガス拡散室に接続されている。 （もっと読む）

【課題】スループットおよび歩留りが高く、パーティクルの少ない基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１を載置するサセプタ電極５０を複数段、処理室内に所定の間隔を置いて配置し、各段のサセプタ電極５０に電力をそれぞれ供給してプラズマを生成し、各段のサセプタ電極５０に載置したウエハ１をプラズマ処理するバッチ式プラズマ処理装置において、ウエハ１を搬送するツィーザ２５に中央が長く両脇が短い３本の支持バー２６、２７、２８を設け、３本の支持バーはウエハ１の外周縁部下面の３点を支持するように構成する。各段のサセプタ電極５０には３本の支持バーが挿入する３本の逃げ溝５２、５３、５４を開設する。複数段のサセプタ電極に複数枚のウエハを同時に移載できるので、スループットを向上できる。ツィーザが逃げ溝に接触するのを防止することで、パーティクルを発生させるのを防止できるので、歩留りを向上できる。 （もっと読む）

【課題】汚染物質の発生を抑制することができる薄膜形成装置、薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】熱処理装置１の反応管２内に処理ガスを供給して半導体ウエハ上にシリコン窒化膜を成膜した後、反応管２内にクリーニングガスを供給して熱処理装置１の内部に付着した窒化珪素を除去する。そして、反応管２内を所定の温度に昇温し、昇温した反応管２内にパージアウトガスを供給する。これにより、反応管２を構成する石英中に含まれる汚染物質がパージアウトされる。 （もっと読む）

【課題】装置内部の材料に入り込んだフッ素を除去することができる薄膜形成装置、薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】熱処理装置１の反応管２内に成膜用ガスを供給して半導体ウエハ上にシリコン窒化膜を成膜した後、反応管２内にクリーニングガスを供給して熱処理装置１の内部に付着した窒化珪素を除去する。そして、反応管２内を所定の温度に昇温し、昇温した反応管２内に排気用ガスを供給する。これにより、排気用ガスが活性化してラジカルを生成する。この生成されたラジカルにより、反応管２の石英中に含まれるフッ素が、反応管２の石英中から除去される。 （もっと読む）

【課題】加工対象においてレーザ加工を精度よく行なうことが可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】加工用レーザを照射するためのレーザ光源と、加工用レーザをＸＹ方向に走査させるガルバノミラーと、加工対象物をＸＹ方向に移動させるＸＹステージとを備えたレーザ加工装置によって、ガルバノミラーの走査可能範囲よりも大きな図形を加工する。加工対象において、ガルバノミラーの走査可能範囲を超える図形を、ガルバノミラーの走査可能範囲内に収まる図形によって複数に分割し、ＸＹステージを移動することにより、ガルバノミラーの走査可能範囲内に複数に分割した図形を移動し、ガルバノミラーにより加工用レーザを走査し、分割した図形に対し加工用レーザを照射することによりレーザ加工を行う。 （もっと読む）

【課題】薄膜を形成する前に清浄な被形成面にする薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】フッ化物ガスを用いたガスプラズマエッチングによって、プラズマＣＶＤ装置の反応容器のクリーニングを行った後、反応室内にフッ化物ガスが残留した状態で、反応容器に基板を搬入し、薄膜形成用のプロセスガスを反応室に導入し、基板上に薄膜を形成する。プロセスガスがプラズマ励起することでフッ素ラジカルが生成し、フッ素ラジカルにより薄膜を形成する面、薄膜が形成される面の有機物や酸化物が除去される。エッチング反応の進行によりフッ素ラジカルの濃度は減少し、やがて、薄膜形成用プロセスガスに反応容器内の雰囲気が置換されて、堆積反応が開始し、基板の被形成面に膜が成長する。 （もっと読む）

【課題】誘電部材に凹条及び凸条が設けられたプラズマ処理装置において、組み立て作業の容易化及びパーティクルの発生防止を図る。
【解決手段】プラズマ処理装置１の第１電極２１の第２電極２２を向く面２１ａを第１誘電部材３１で覆い、第２電極２２の第１電極２１を向く面２２ａを第２誘電部材３２で覆う。第１誘電部材３１の第２誘電部材３２との対向面に凸条３１ａ及び凹条３１ｂを形成する一方、第２誘電部材３２の第１誘電部材３１との対向面における少なくとも凸条３１ａ及び凹条３１ｂと対応する部分３２４を平坦にする。この平坦部分３２４を凸条３１ａに当接させるとともに凹条３１ｂの第２誘電部材３２側の開口を塞ぐ。 （もっと読む）