ポリシリコン膜の形成方法
【課題】微細な結晶粒を有する、リンまたはボロンがドープされたポリシリコンを形成すること。
【解決手段】反応管10内に複数のウエハWを搭載したウエハボート20を搬入し、ウエハWを減圧雰囲気下で加熱しながら、シリコン成膜用ガスと、リンまたはボロンを膜中にドープするためのガスと、ポリシリコン結晶の柱状化を妨げてポリシリコン結晶の微細化を促進する成分を含む粒径調整用ガスとを反応管10内に導入し、ウエハ上にリンまたはボロンがドープされたアモルファスシリコン膜を成膜し、その後、アモルファスシリコン膜を熱処理して、リンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を形成する。
【解決手段】反応管10内に複数のウエハWを搭載したウエハボート20を搬入し、ウエハWを減圧雰囲気下で加熱しながら、シリコン成膜用ガスと、リンまたはボロンを膜中にドープするためのガスと、ポリシリコン結晶の柱状化を妨げてポリシリコン結晶の微細化を促進する成分を含む粒径調整用ガスとを反応管10内に導入し、ウエハ上にリンまたはボロンがドープされたアモルファスシリコン膜を成膜し、その後、アモルファスシリコン膜を熱処理して、リンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理基板上にリンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を形成するポリシリコン膜の形成方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイスは種々の薄膜が積層されて構成されており、そのような薄膜としてリン(P)やボロン(B)をドープしたポリシリコン膜が用いられている。このようなドープされたポリシリコン膜は抵抗素子、ゲート、配線などとして用いられている。
【0003】
このようなドープされたポリシリコンは、制御性に優れ、またイオン打ち込みのような基板の損傷がないことから、減圧CVD(Chemical Vapor Deposition)が広く利用されている。
【0004】
減圧CVDによるリンドープポリシリコン膜の成膜には、従来、縦型熱処理装置が多用されている。この縦型熱処理装置によるリンドープポリシリコンの成膜は、ウエハボートに多数枚の半導体ウエハ(以下単にウエハと記す)を載せて反応管内に搬入し、反応管内の温度を例えば590℃以上に設定するとともに、例えばモノシラン(SiH4 )ガスおよびフォスフィン(PH3 )ガスを反応管内に導入し、反応管内を所定の真空度に維持しながら行われる(例えば特許文献1)。また成膜ガスとしてモノシランガスの代りにジシラン(Si2 H6 )ガスを用い、例えば580℃以下の温度でリンをドープしたアモルファスシリコン膜を成膜し、この薄膜を例えば600〜1000℃程度の温度でアニールしてポリ化する方法も用いられている(例えば特許文献2)。
【0005】
ところで、近時、半導体デバイスのデザインルールは益々微細化されており、パターンを形成する際に極めて高い加工精度が要求されている。しかしながら、上記技術により成膜されたリンドープポリシリコン膜の場合、結晶粒径が300nm程度が限界であり、要求される微細加工に対応することが困難になりつつある。
【特許文献1】特開平9−129562号公報
【特許文献2】特開平7−86173号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、微細な結晶粒を有する、リンまたはボロンがドープされたポリシリコンを形成することができるポリシリコン膜の形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記課題を解決するため、本発明の第1の観点では、リンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を形成するポリシリコン膜の形成方法であって、反応容器内に被処理基板を配置し、被処理基板を減圧雰囲気下で加熱しながら、シリコン成膜用ガスと、リンまたはボロンを膜中にドープするためのガスと、ポリシリコン結晶の柱状化を妨げてポリシリコン結晶の微細化を促進する成分を含む粒径調整用ガスとを前記反応容器内に導入し、被処理基板上にリンまたはボロンがドープされたアモルファスシリコン膜を成膜し、その後、前記アモルファスシリコン膜を熱処理して、リンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を形成することを特徴とするポリシリコン膜の形成方法を提供する。
【0008】
本発明の第2の観点では、リンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を形成するポリシリコン膜の形成方法であって、反応容器内に被処理基板を配置し、被処理基板を減圧雰囲気下で加熱しながら、シリコン成膜用ガスと、リンまたはボロンを膜中にドープするためのガスと、ポリシリコン結晶の柱状化を妨げてポリシリコン結晶の微細化を促進する成分を含む粒径調整用ガスとを前記反応容器内に導入し、被処理基板上にリンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を成膜することを特徴とするポリシリコン膜の形成方法を提供する。
【0009】
上記第1、第2の観点において、前記シリコン成膜用ガスは、シラン系ガスを用いることができる。また、前記粒径調整用ガスのポリシリコン結晶の微細化を促進する成分は炭素(C)、窒素(N)、酸素(O)から選択される少なくとも1種であることが好ましく、前記粒径調整用ガスは、C含有ガス、N含有ガス、O含有ガスのいずれかを用いることができる。これらの中ではC含有ガスが好ましい。前記粒径調整用ガスは、C2H4ガス、N2Oガス、NOガス、NH3ガスの1種以上であることが好ましく。これらの中ではC含有ガスであるC2H4ガスが最も好ましい。さらに、形成されたポリシリコン膜のポリシリコン結晶の粒径が平均粒径で、100nm以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、ポリシリコン結晶の柱状化を妨げてポリシリコン結晶の微細化を促進する成分を含む粒径調整用ガスを導入しながら成膜を行うので、微細な結晶粒を有する、リンまたはボロンがドープされたポリシリコンを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0011】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。
【0012】
図1は本発明の成膜方法を実施するための成膜装置の一例を示す縦断面図である。成膜装置1は、天井部を備えた筒状の断熱体3と、断熱体3の内周面に設けられたヒータ4とを有する加熱炉2を備えている。加熱炉2は、ベースプレート5上に設置されている。
【0013】
加熱炉2内には、例えば石英からなる、上端が閉じている外管11と、この外管11内に同心状に設置された例えば石英からなる内管12とを有する2重管構造をなす反応容器である反応管10が挿入されている。そして、上記ヒータ4は反応管10の外側を囲繞するように設けられている。
【0014】
上記外管11および内管12は、各々その下端にてステンレス等からなる筒状のマニホールド13に保持されており、このマニホールド13の下端開口部には、当該開口を気密に封止するためのキャップ部14が開閉自在に設けられている。
【0015】
キャップ部14の中心部には、例えば磁気シールにより気密な状態で回転可能な回転軸15が挿通されており、回転軸15の下端は昇降台16の回転機構17に接続され、上端はターンテーブル18に固定されている。ターンテーブル18には、保温筒19を介してウエハ保持具である例えば石英製のウエハボート20が搭載され、このウエハボート20は、例えば50〜150枚のウエハWを所定間隔のピッチで積み重ねて収容できるように構成されている。そして、昇降機構(図示せず)により昇降台16を昇降させることにより、ウエハボート20を反応管10内へ搬入搬出可能となっている。ウエハボート20を反応管10内に搬入した際に、上記キャップ部14がマニホールド13に密接し、その間が気密にシールされる。
【0016】
また、成膜装置1は、反応管10内へ成膜ガスを導入する成膜ガス供給機構21と、反応管10内へドープ用ガスを導入するドープ用ガス供給機構22と、成膜されるドープされたポリシリコンの結晶粒径を調整するためのガスを導入する粒径調整用ガス供給機構23とを有している。
【0017】
成膜ガス供給機構21は、成膜ガス供給源25と、成膜ガス供給源25から成膜ガスを導き、マニホールド13の側壁下部を貫通して設けられた成膜ガス配管26とを有している。成膜ガス配管26には、開閉弁27およびマスフローコントローラのような流量制御器28が設けられており、成膜ガスを流量制御しつつ供給することができるようになっている。成膜ガスとしては、モノシラン(SiH4)ガス、ジシラン(Si2H6)ガス等のシラン系ガスを用いることができる。
【0018】
ドープ用ガス供給機構22は、ドープ用ガス供給源29と、ドープ用ガス供給源29からドープ用ガスを導き、マニホールド13の側壁下部を貫通して設けられたドープ用ガス配管30とを有している。ドープ用ガス配管30には、開閉弁31およびマスフローコントローラのような流量制御器32が設けられており、ドープ用ガスを流量制御しつつ供給することができるようになっている。ドープ用ガスとしては、リン(P)をドープするためのリンドープ用ガスとボロン(B)をドープするためのボロンドープ用ガスを適用することができる。リンドープ用ガスとしてはフォスフィン(PH3)ガスを挙げることができ、ボロンドープ用ガスとしてはフッ化ボロン(BF3)ガスを挙げることができる。
【0019】
粒径調整用ガス供給機構23は、粒径調整用ガス供給源33と、粒径調整用ガス供給源33から粒径調整用ガスを導き、マニホールド13の側壁下部を貫通して設けられた粒径調整用ガス配管34とを有している。粒径用ガス配管34には、開閉弁35およびマスフローコントローラのような流量制御器36が設けられており、粒径調整用ガスを流量制御しつつ供給することができるようになっている。粒径調整用ガスは、ポリシリコン中のSiと結合することによりポリシリコン結晶の柱状化を妨げてポリシリコン結晶の微細化を促進する成分を供給するものである。このような成分としては、炭素(C)、窒素(N)、酸素(O)を挙げることができ、これらのうち少なくとも1種を含むものを用いることが好ましい。粒径調整用ガスとしては、これら成分を含有するC含有ガス、N含有ガス、O含有ガスを用いることができる。具体的なガスとしては、C2H4ガス、N2Oガス、NOガス、NH3ガス等を挙げることができ、これら単独でも、複合化して用いてもよい。これらの中では安定性、制御性、効果の点で、C含有ガスであるC2H4ガスが好ましい。
【0020】
またマニホールド13の側壁上部には、外管11と内管12との間隙から処理ガスを排出するための排気管38が接続されている。この排気管38は反応管10内を排気するための真空ポンプ39に連結されており、また排気管38には圧力調整バルブ等を含む圧力調整機構40が設けられている。そして、真空ポンプ39で反応管10内を排気しつつ圧力調整機構40で反応管10内を所定の圧力に調整するようになっている。
【0021】
この成膜装置1は、その各構成部、例えばバルブ類、マスフローコントローラ、ヒータ電源、昇降機構等の駆動機構を制御するコンピュータを有する制御部50を備えている。この制御部50は、成膜装置1における処理の処理パラメータおよび処理手順を記載したレシピおよびこのレシピの読み出しなどを行うプログラムを記憶した記憶部を備えている。
【0022】
次に、以上の成膜装置を用いて行われる成膜方法について説明する。
まず、ヒータ4によりウエハボート20のセンター部(上下方向の中央部)の温度が好ましくは400〜650℃、例えば525℃となるように反応管10内を加熱しておき、例えば150枚のウエハWを保持したウエハボート20を反応管10内に下方開口部から昇降台16により搬入する。
【0023】
次いで、反応管10内を0.133〜26.6Pa、例えば0.399Paの真空度まで真空引きした後、成膜ガス供給源25から成膜ガス配管26を介して内管12内に成膜ガス、例えばモノシランガスを 100〜3000mL/min(sccm)の流量で供給し、ドープ用ガス供給源29からドープ用ガス配管30を介して内管12内にリンドープ用ガス、例えばフォスフィンガスを1〜500mL/min(sccm)の流量で供給し、粒径調整用ガス供給源33から粒径調整用ガス配管34を介して粒径調整用ガスを供給する。粒径調整用ガスはそのガスの種類によって、適正流量が異なり、C2H4ガスの場合には、1〜100mL/min(sccm)の流量、N2Oガスの場合には、50mL/min(sccm)以下、NOガスの場合には、1〜5mL/min(sccm)、NH3ガスの場合には、1〜100mL/min(sccm)が例示される。
【0024】
そして、反応管10内を好ましくは26.6〜266.6Pa、例えば53.3Paの圧力となるように排気し、ウエハボート20を例えば 1〜10rpmの回転数で回転させながら30分間成膜を行う。
【0025】
このような成膜処理を行うことによりリンをドープしたアモルファスシリコン膜が得られる。ボロンをドープしたアモルファスシリコン膜もフォスフィンガスの代わりにフッ化ボロンガスを用いることにより同様に得られる。
【0026】
このような成膜処理の後、図示しないパージガス配管から反応管10内にパージガス、例えばN2ガスを導入して反応管10内のガスを排出し、好ましくは550〜1100℃、例えば950℃の温度で所定のアニールガス、例えばN2ガスを供給しつつアニール処理を行う。なお、このようなアニール処理は別の熱処理装置で行ってもよい。
【0027】
このようなアニール処理により、アモルファスシリコン膜が結晶化してポリシリコン膜となる。このようにして得られたリンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜は、結晶粒径が微細化され、半導体デバイス形成の際の微細加工性が極めて良好となる。
【0028】
すなわち、従来のリンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜は、粒径が300nm程度であり、要求される微細加工に対応することが困難となってきているが、本発明では、粒径調整用ガスを用いて、膜中にポリシリコン中のSiと結合することによりポリシリコン結晶の柱状化を妨げてポリシリコン結晶の微細化を促進する成分、具体的には炭素(C)、窒素(N)、酸素(O)を含有する、C含有ガス、N含有ガス、O含有ガスを用いるので、シリコン結晶を100nm以下に微細化することができ、所望の微細加工が可能となる。
【0029】
これは、ポリシリコン膜に炭素(C)、窒素(N)、酸素(O)が導入されると、Si−C結合、Si−N結合、Si−O結合が形成されることによる。つまり、ポリシリコン結晶は柱状晶であり、結晶化が進むにつれて柱状に成長して大きな結晶となるが、Si−C結合、Si−N結合、Si−O結合が形成されると、これらの結合がこのような柱状晶の成長を妨げ、ランダムで微細な結晶とすることができる。
【0030】
C含有ガス、N含有ガス、O含有ガスとしては、成膜温度以下の温度で分解してC,N,Oが膜中に拡散し得るガスであることが必要であり、そのようなガスとして、上述したC2H4ガス、N2Oガス、NOガス、NH3ガスを挙げることができる。
【0031】
次に、粒径調整用ガスを用いて実際に成膜した実験結果について説明する。
ここでは、図1の装置を用い、50枚のウエハを搭載したウエハボートを搬入し、成膜ガスとしてSiH4ガスを用い、ドープ用ガスとしてPH3ガスを用いてリンドープポリシリコン膜を成膜する際に、粒径調整用ガスとしてC2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて実験を行った。基本条件を以下に示す。
(1)成膜処理
温度:525℃
反応管内の圧力:53.3Pa
SiH4ガス流量:500mL/min(sccm)
PH3ガス流量:56.3mL/min(sccm)
(2)アニール処理
温度:950℃
反応管内の圧力:96000Pa
アニールガス(N2ガス)流量:10000mL/min(sccm)
【0032】
まず、C2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて、これらの流量を変化させて上記成膜処理を行い、SIMS(二次イオン質量分析計)による膜中の各元素の密度を求めた。その際の測定条件は、以下のようにした。
一次イオン種:Cs+
一次加速電圧:3.0kV
検出領域:180mm×180mm
測定機:PHI ADEPT1010
その結果を図2に示す。(a)はC2H4ガス、(b)はN2Oガス、(c)はNOガスの結果である。これらから、C2H4ガスを用いることにより、膜中にCが導入され、N2Oガスを用いることにより、主にOが導入され(ただしNも導入される)、NOガスを用いることにより、主にNが導入され(ただしOも導入される)、その導入量は流量にほぼ比例することがわかる。
【0033】
次に、上記条件でC2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った際のウエハボートのトップ、センター、ボトムのウエハにおける成膜レートを把握した。その結果を図3に示す。図3に示すように、ガスの種類により成膜レートは大きく異なり、C2H4ガスが流量による成膜レートの変化が最も小さいことがわかる。NOガスとN2Oガスを比較すると、NOガスのほうが添加量の増加にしたがって成膜レートが急激に低下しているが、これはNOのドープ量に依存していると考えられる。また、C2H4ガス、N2Oガスの場合には、流量によらず面間の成膜レートが一定であるのに対し、NOを用いた場合には、僅か3mL/min(sccm)の流量でも面間の成膜レートのばらつきが極めて大きいものとなった。
【0034】
次に、上記条件でC2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った際のウエハボートのトップ、センター、ボトムのウエハにおける膜厚の面内均一性を把握した。その結果を図4に示す。図4に示すように、C2H4ガス、N2Oガスの場合には流量およびウエハの位置により面内均一性は安定しているのに対し、NOガスの場合には、流量依存性が強く出ており、3mL/min(sccm)で面内均一性がボトム側から悪化していく傾向にある。
【0035】
以上の図3、図4の結果を考慮すると、成膜レートに対する安定性は、CドープガスであるC2H4ガスが最も高いことが確認された。
【0036】
次に、上記条件でC2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った際のウエハボートのトップ、センター、ボトムのウエハのリン濃度を把握した。その結果を図5に示す。この図に示すように、C2H4ガスの場合には流量によるリン濃度の変化はほとんど生じず、また、面間のリン濃度も安定していた。これに対し、N2Oガス、NOガスを用いた場合には、流量の増加にともなってリン濃度が減少した。また、NOガスの場合には、3mL/min(sccm)において面間のリン濃度のばらつきが大きいものとなった。上記条件でアニールした後もほぼ同様の傾向が得られた。以上の点を考慮すると、リン濃度に対する安定性は、CドープガスであるC2H4ガスが最も高いことが確認された。
【0037】
次に、上記条件でC2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った際のウエハボートのトップ、センター、ボトムのウエハのHazeを把握した。Hazeは、暗視野検査でレーザー光の散乱によって生成される低周波信号により、ウエハ処理による表面の均一性や粗さ、微細なばらつきを求めたものであり、表面状態(表面あれ)を表す指標であって、低いほど表面状態が良好である。その結果を図6に示す。この図に示すように、C2H4ガス、N2Oガスは、流量を増加させると表面状態が改善する傾向が見られるが、NOガスの場合には流量を増加させても表面状態の大きな改善傾向は見られない。
【0038】
次に、上記条件でC2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った後、上記条件でアニールを行ってポリシリコン膜を形成した際の粒径の大きさを把握した。粒径は、透過型顕微鏡(TEM)による撮影画像を用いた粒径解析により求めた。この際の流量と粒径の関係を図7に示す。この図に示すように、いずれのガスも粒径を小さくする効果が見られ、目標とする100nm以下の粒径が得られることが確認された。これらの中でNOガスを用いた場合には小流量で急激に粒径が減少する傾向にあり、C2H4ガスは最も流量に対する粒径の減少率が低く、N2Oガスはその中間であるが、到達粒径に大きな差は見られない。制御性を考慮すると流量に対して緩やかに粒径が変化するC2H4が所望の粒径に制御しやすいことから最も良好であると言える。図8には、各元素濃度と粒径の関係を示した。図8の横軸の元素濃度は、図2のSIMSの結果から、N2Oガスでは膜中O濃度でプロットし、NOガスについては膜中N濃度でプロットし、C2H4ガスでは膜中C濃度でプロットした。この図から、C2H4ガスでは、C濃度の変化に対して粒径変化の直線性が良好であることが確認され、このことからもC2H4ガスを用いた場合の粒径制御性が最も良いことがわかる。
【0039】
次に、上記条件でC2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った後、上記条件でアニールを行ってポリシリコン膜を形成した際の比抵抗について把握した。その際の流量と比抵抗との関係を図9に示す。この図に示すように、ガスの種類により、比抵抗が大きく異なるが、ガス流量が増加するに従って比抵抗が上昇する傾向が見られるが、C2H4ガスが最も比抵抗が低い傾向を示す。また、図10は、各元素濃度と比抵抗の関係を示す図である。図10の横軸の元素濃度は、図2のSIMSの結果から、N2Oガスでは膜中O濃度でプロットし、NOガスについては膜中N濃度でプロットし、C2H4ガスでは膜中C濃度でプロットした。比抵抗は膜中リン濃度にも関係してくるので、一概には言えないが、Cが最も低い傾向を示している。
【0040】
図11には、横軸に粒径をとり、縦軸に比抵抗をとってプロットした結果であるが、粒径が小さくなるほど抵抗が上昇する傾向が見られる。
【0041】
以上の結果から、粒径調整用ガスとしては、N含有ガスであるNOガス、O含有ガスであるN2Oガス、C含有ガスであるC2H4ガスのいずれも用いることができるが、安定性、制御性および比抵抗値からトータル的に判断して、C含有ガスであるC2H4ガスが最も適していることが把握された。また、比抵抗は粒径が小さくなるに従って高くなるので、比抵抗が許容される範囲内の粒径が得られるように粒径調整用ガスの流量を決定する必要がある。
【0042】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変更が可能である。例えば、上記実施形態ではアモルファスシリコン膜を成膜した後、アニールしてポリ化する場合について説明したが、これに限らず、ポリシリコン生成温度である600℃以上で成膜して直接ポリシリコン膜を得る場合にも適用可能である。また、上記実施形態では、複数の基板を一括して処理するバッチ式処理に適用した場合について説明したが、枚葉式であってもよい。
【0043】
粒径調整用ガスとしては、ポリシリコン中のSiと結合することによりポリシリコン結晶の柱状化を妨げてポリシリコン結晶の微細化を促進する成分を含むものであればよく、上記実施形態に記載したものに限るものではない。また、被処理基板としては半導体ウエハに限らず、FPD(フラットパネルディスプレイ)用のガラス基板等、他の基板であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【0044】
【図1】本発明の成膜方法を実施するための成膜装置の一例を示す縦断面図。
【図2】C2H4ガス、N2Oガス、NOガスそれぞれを用いて、これらの流量を変化させてリンドープアモルファスシリコン膜の成膜処理を行った際のSIMS(二次イオン質量分析計)による膜中の各元素の密度を示す図。
【図3】C2H4ガス、N2Oガス、NOガスそれぞれを用いて、これらの流量を変化させてリンドープアモルファスシリコン膜の成膜処理を行った際の流量と成膜レートとの関係を示す図。
【図4】C2H4ガス、N2Oガス、NOガスそれぞれを用いて、これらの流量を変化させてリンドープアモルファスシリコン膜の成膜処理を行った際のウエハボートのトップ、センター、ボトムのウエハにおける膜厚の面内均一性を把握した結果を示す図。
【図5】C2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った際のウエハボートのトップ、センター、ボトムのウエハのリン濃度を把握した結果を示す図。
【図6】C2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った際のウエハボートのトップ、センター、ボトムのウエハのHazeを示す図。
【図7】C2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った後、アニールを行ってポリシリコン膜を形成した際の流量と粒径の関係を示す図。
【図8】C2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った後、アニールを行ってポリシリコン膜を形成した際の各元素濃度と粒径の関係を示す図。
【図9】C2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った後、アニールを行ってポリシリコン膜を形成した際の流量と比抵抗との関係を示す図。
【図10】C2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った後、アニールを行ってポリシリコン膜を形成した際の各元素濃度と比抵抗との関係を示す図。
【図11】C2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて成膜処理を行った後、アニールを行ってポリシリコン膜を形成した際の粒径と比抵抗との関係を示す図。
【符号の説明】
【0045】
1;成膜装置
2;加熱炉
3;断熱体
4;ヒータ
10;反応管
13;マニホールド
14;キャップ部
20;ウエハボート
21;成膜ガス供給機構
22;ドープ用ガス供給機構
23;粒径調整用ガス供給機構
38;排気管
39;真空ポンプ
50;制御部
W;半導体ウエハ(被処理体)
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理基板上にリンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を形成するポリシリコン膜の形成方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイスは種々の薄膜が積層されて構成されており、そのような薄膜としてリン(P)やボロン(B)をドープしたポリシリコン膜が用いられている。このようなドープされたポリシリコン膜は抵抗素子、ゲート、配線などとして用いられている。
【0003】
このようなドープされたポリシリコンは、制御性に優れ、またイオン打ち込みのような基板の損傷がないことから、減圧CVD(Chemical Vapor Deposition)が広く利用されている。
【0004】
減圧CVDによるリンドープポリシリコン膜の成膜には、従来、縦型熱処理装置が多用されている。この縦型熱処理装置によるリンドープポリシリコンの成膜は、ウエハボートに多数枚の半導体ウエハ(以下単にウエハと記す)を載せて反応管内に搬入し、反応管内の温度を例えば590℃以上に設定するとともに、例えばモノシラン(SiH4 )ガスおよびフォスフィン(PH3 )ガスを反応管内に導入し、反応管内を所定の真空度に維持しながら行われる(例えば特許文献1)。また成膜ガスとしてモノシランガスの代りにジシラン(Si2 H6 )ガスを用い、例えば580℃以下の温度でリンをドープしたアモルファスシリコン膜を成膜し、この薄膜を例えば600〜1000℃程度の温度でアニールしてポリ化する方法も用いられている(例えば特許文献2)。
【0005】
ところで、近時、半導体デバイスのデザインルールは益々微細化されており、パターンを形成する際に極めて高い加工精度が要求されている。しかしながら、上記技術により成膜されたリンドープポリシリコン膜の場合、結晶粒径が300nm程度が限界であり、要求される微細加工に対応することが困難になりつつある。
【特許文献1】特開平9−129562号公報
【特許文献2】特開平7−86173号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、微細な結晶粒を有する、リンまたはボロンがドープされたポリシリコンを形成することができるポリシリコン膜の形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記課題を解決するため、本発明の第1の観点では、リンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を形成するポリシリコン膜の形成方法であって、反応容器内に被処理基板を配置し、被処理基板を減圧雰囲気下で加熱しながら、シリコン成膜用ガスと、リンまたはボロンを膜中にドープするためのガスと、ポリシリコン結晶の柱状化を妨げてポリシリコン結晶の微細化を促進する成分を含む粒径調整用ガスとを前記反応容器内に導入し、被処理基板上にリンまたはボロンがドープされたアモルファスシリコン膜を成膜し、その後、前記アモルファスシリコン膜を熱処理して、リンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を形成することを特徴とするポリシリコン膜の形成方法を提供する。
【0008】
本発明の第2の観点では、リンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を形成するポリシリコン膜の形成方法であって、反応容器内に被処理基板を配置し、被処理基板を減圧雰囲気下で加熱しながら、シリコン成膜用ガスと、リンまたはボロンを膜中にドープするためのガスと、ポリシリコン結晶の柱状化を妨げてポリシリコン結晶の微細化を促進する成分を含む粒径調整用ガスとを前記反応容器内に導入し、被処理基板上にリンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を成膜することを特徴とするポリシリコン膜の形成方法を提供する。
【0009】
上記第1、第2の観点において、前記シリコン成膜用ガスは、シラン系ガスを用いることができる。また、前記粒径調整用ガスのポリシリコン結晶の微細化を促進する成分は炭素(C)、窒素(N)、酸素(O)から選択される少なくとも1種であることが好ましく、前記粒径調整用ガスは、C含有ガス、N含有ガス、O含有ガスのいずれかを用いることができる。これらの中ではC含有ガスが好ましい。前記粒径調整用ガスは、C2H4ガス、N2Oガス、NOガス、NH3ガスの1種以上であることが好ましく。これらの中ではC含有ガスであるC2H4ガスが最も好ましい。さらに、形成されたポリシリコン膜のポリシリコン結晶の粒径が平均粒径で、100nm以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、ポリシリコン結晶の柱状化を妨げてポリシリコン結晶の微細化を促進する成分を含む粒径調整用ガスを導入しながら成膜を行うので、微細な結晶粒を有する、リンまたはボロンがドープされたポリシリコンを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0011】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。
【0012】
図1は本発明の成膜方法を実施するための成膜装置の一例を示す縦断面図である。成膜装置1は、天井部を備えた筒状の断熱体3と、断熱体3の内周面に設けられたヒータ4とを有する加熱炉2を備えている。加熱炉2は、ベースプレート5上に設置されている。
【0013】
加熱炉2内には、例えば石英からなる、上端が閉じている外管11と、この外管11内に同心状に設置された例えば石英からなる内管12とを有する2重管構造をなす反応容器である反応管10が挿入されている。そして、上記ヒータ4は反応管10の外側を囲繞するように設けられている。
【0014】
上記外管11および内管12は、各々その下端にてステンレス等からなる筒状のマニホールド13に保持されており、このマニホールド13の下端開口部には、当該開口を気密に封止するためのキャップ部14が開閉自在に設けられている。
【0015】
キャップ部14の中心部には、例えば磁気シールにより気密な状態で回転可能な回転軸15が挿通されており、回転軸15の下端は昇降台16の回転機構17に接続され、上端はターンテーブル18に固定されている。ターンテーブル18には、保温筒19を介してウエハ保持具である例えば石英製のウエハボート20が搭載され、このウエハボート20は、例えば50〜150枚のウエハWを所定間隔のピッチで積み重ねて収容できるように構成されている。そして、昇降機構(図示せず)により昇降台16を昇降させることにより、ウエハボート20を反応管10内へ搬入搬出可能となっている。ウエハボート20を反応管10内に搬入した際に、上記キャップ部14がマニホールド13に密接し、その間が気密にシールされる。
【0016】
また、成膜装置1は、反応管10内へ成膜ガスを導入する成膜ガス供給機構21と、反応管10内へドープ用ガスを導入するドープ用ガス供給機構22と、成膜されるドープされたポリシリコンの結晶粒径を調整するためのガスを導入する粒径調整用ガス供給機構23とを有している。
【0017】
成膜ガス供給機構21は、成膜ガス供給源25と、成膜ガス供給源25から成膜ガスを導き、マニホールド13の側壁下部を貫通して設けられた成膜ガス配管26とを有している。成膜ガス配管26には、開閉弁27およびマスフローコントローラのような流量制御器28が設けられており、成膜ガスを流量制御しつつ供給することができるようになっている。成膜ガスとしては、モノシラン(SiH4)ガス、ジシラン(Si2H6)ガス等のシラン系ガスを用いることができる。
【0018】
ドープ用ガス供給機構22は、ドープ用ガス供給源29と、ドープ用ガス供給源29からドープ用ガスを導き、マニホールド13の側壁下部を貫通して設けられたドープ用ガス配管30とを有している。ドープ用ガス配管30には、開閉弁31およびマスフローコントローラのような流量制御器32が設けられており、ドープ用ガスを流量制御しつつ供給することができるようになっている。ドープ用ガスとしては、リン(P)をドープするためのリンドープ用ガスとボロン(B)をドープするためのボロンドープ用ガスを適用することができる。リンドープ用ガスとしてはフォスフィン(PH3)ガスを挙げることができ、ボロンドープ用ガスとしてはフッ化ボロン(BF3)ガスを挙げることができる。
【0019】
粒径調整用ガス供給機構23は、粒径調整用ガス供給源33と、粒径調整用ガス供給源33から粒径調整用ガスを導き、マニホールド13の側壁下部を貫通して設けられた粒径調整用ガス配管34とを有している。粒径用ガス配管34には、開閉弁35およびマスフローコントローラのような流量制御器36が設けられており、粒径調整用ガスを流量制御しつつ供給することができるようになっている。粒径調整用ガスは、ポリシリコン中のSiと結合することによりポリシリコン結晶の柱状化を妨げてポリシリコン結晶の微細化を促進する成分を供給するものである。このような成分としては、炭素(C)、窒素(N)、酸素(O)を挙げることができ、これらのうち少なくとも1種を含むものを用いることが好ましい。粒径調整用ガスとしては、これら成分を含有するC含有ガス、N含有ガス、O含有ガスを用いることができる。具体的なガスとしては、C2H4ガス、N2Oガス、NOガス、NH3ガス等を挙げることができ、これら単独でも、複合化して用いてもよい。これらの中では安定性、制御性、効果の点で、C含有ガスであるC2H4ガスが好ましい。
【0020】
またマニホールド13の側壁上部には、外管11と内管12との間隙から処理ガスを排出するための排気管38が接続されている。この排気管38は反応管10内を排気するための真空ポンプ39に連結されており、また排気管38には圧力調整バルブ等を含む圧力調整機構40が設けられている。そして、真空ポンプ39で反応管10内を排気しつつ圧力調整機構40で反応管10内を所定の圧力に調整するようになっている。
【0021】
この成膜装置1は、その各構成部、例えばバルブ類、マスフローコントローラ、ヒータ電源、昇降機構等の駆動機構を制御するコンピュータを有する制御部50を備えている。この制御部50は、成膜装置1における処理の処理パラメータおよび処理手順を記載したレシピおよびこのレシピの読み出しなどを行うプログラムを記憶した記憶部を備えている。
【0022】
次に、以上の成膜装置を用いて行われる成膜方法について説明する。
まず、ヒータ4によりウエハボート20のセンター部(上下方向の中央部)の温度が好ましくは400〜650℃、例えば525℃となるように反応管10内を加熱しておき、例えば150枚のウエハWを保持したウエハボート20を反応管10内に下方開口部から昇降台16により搬入する。
【0023】
次いで、反応管10内を0.133〜26.6Pa、例えば0.399Paの真空度まで真空引きした後、成膜ガス供給源25から成膜ガス配管26を介して内管12内に成膜ガス、例えばモノシランガスを 100〜3000mL/min(sccm)の流量で供給し、ドープ用ガス供給源29からドープ用ガス配管30を介して内管12内にリンドープ用ガス、例えばフォスフィンガスを1〜500mL/min(sccm)の流量で供給し、粒径調整用ガス供給源33から粒径調整用ガス配管34を介して粒径調整用ガスを供給する。粒径調整用ガスはそのガスの種類によって、適正流量が異なり、C2H4ガスの場合には、1〜100mL/min(sccm)の流量、N2Oガスの場合には、50mL/min(sccm)以下、NOガスの場合には、1〜5mL/min(sccm)、NH3ガスの場合には、1〜100mL/min(sccm)が例示される。
【0024】
そして、反応管10内を好ましくは26.6〜266.6Pa、例えば53.3Paの圧力となるように排気し、ウエハボート20を例えば 1〜10rpmの回転数で回転させながら30分間成膜を行う。
【0025】
このような成膜処理を行うことによりリンをドープしたアモルファスシリコン膜が得られる。ボロンをドープしたアモルファスシリコン膜もフォスフィンガスの代わりにフッ化ボロンガスを用いることにより同様に得られる。
【0026】
このような成膜処理の後、図示しないパージガス配管から反応管10内にパージガス、例えばN2ガスを導入して反応管10内のガスを排出し、好ましくは550〜1100℃、例えば950℃の温度で所定のアニールガス、例えばN2ガスを供給しつつアニール処理を行う。なお、このようなアニール処理は別の熱処理装置で行ってもよい。
【0027】
このようなアニール処理により、アモルファスシリコン膜が結晶化してポリシリコン膜となる。このようにして得られたリンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜は、結晶粒径が微細化され、半導体デバイス形成の際の微細加工性が極めて良好となる。
【0028】
すなわち、従来のリンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜は、粒径が300nm程度であり、要求される微細加工に対応することが困難となってきているが、本発明では、粒径調整用ガスを用いて、膜中にポリシリコン中のSiと結合することによりポリシリコン結晶の柱状化を妨げてポリシリコン結晶の微細化を促進する成分、具体的には炭素(C)、窒素(N)、酸素(O)を含有する、C含有ガス、N含有ガス、O含有ガスを用いるので、シリコン結晶を100nm以下に微細化することができ、所望の微細加工が可能となる。
【0029】
これは、ポリシリコン膜に炭素(C)、窒素(N)、酸素(O)が導入されると、Si−C結合、Si−N結合、Si−O結合が形成されることによる。つまり、ポリシリコン結晶は柱状晶であり、結晶化が進むにつれて柱状に成長して大きな結晶となるが、Si−C結合、Si−N結合、Si−O結合が形成されると、これらの結合がこのような柱状晶の成長を妨げ、ランダムで微細な結晶とすることができる。
【0030】
C含有ガス、N含有ガス、O含有ガスとしては、成膜温度以下の温度で分解してC,N,Oが膜中に拡散し得るガスであることが必要であり、そのようなガスとして、上述したC2H4ガス、N2Oガス、NOガス、NH3ガスを挙げることができる。
【0031】
次に、粒径調整用ガスを用いて実際に成膜した実験結果について説明する。
ここでは、図1の装置を用い、50枚のウエハを搭載したウエハボートを搬入し、成膜ガスとしてSiH4ガスを用い、ドープ用ガスとしてPH3ガスを用いてリンドープポリシリコン膜を成膜する際に、粒径調整用ガスとしてC2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて実験を行った。基本条件を以下に示す。
(1)成膜処理
温度:525℃
反応管内の圧力:53.3Pa
SiH4ガス流量:500mL/min(sccm)
PH3ガス流量:56.3mL/min(sccm)
(2)アニール処理
温度:950℃
反応管内の圧力:96000Pa
アニールガス(N2ガス)流量:10000mL/min(sccm)
【0032】
まず、C2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて、これらの流量を変化させて上記成膜処理を行い、SIMS(二次イオン質量分析計)による膜中の各元素の密度を求めた。その際の測定条件は、以下のようにした。
一次イオン種:Cs+
一次加速電圧:3.0kV
検出領域:180mm×180mm
測定機:PHI ADEPT1010
その結果を図2に示す。(a)はC2H4ガス、(b)はN2Oガス、(c)はNOガスの結果である。これらから、C2H4ガスを用いることにより、膜中にCが導入され、N2Oガスを用いることにより、主にOが導入され(ただしNも導入される)、NOガスを用いることにより、主にNが導入され(ただしOも導入される)、その導入量は流量にほぼ比例することがわかる。
【0033】
次に、上記条件でC2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った際のウエハボートのトップ、センター、ボトムのウエハにおける成膜レートを把握した。その結果を図3に示す。図3に示すように、ガスの種類により成膜レートは大きく異なり、C2H4ガスが流量による成膜レートの変化が最も小さいことがわかる。NOガスとN2Oガスを比較すると、NOガスのほうが添加量の増加にしたがって成膜レートが急激に低下しているが、これはNOのドープ量に依存していると考えられる。また、C2H4ガス、N2Oガスの場合には、流量によらず面間の成膜レートが一定であるのに対し、NOを用いた場合には、僅か3mL/min(sccm)の流量でも面間の成膜レートのばらつきが極めて大きいものとなった。
【0034】
次に、上記条件でC2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った際のウエハボートのトップ、センター、ボトムのウエハにおける膜厚の面内均一性を把握した。その結果を図4に示す。図4に示すように、C2H4ガス、N2Oガスの場合には流量およびウエハの位置により面内均一性は安定しているのに対し、NOガスの場合には、流量依存性が強く出ており、3mL/min(sccm)で面内均一性がボトム側から悪化していく傾向にある。
【0035】
以上の図3、図4の結果を考慮すると、成膜レートに対する安定性は、CドープガスであるC2H4ガスが最も高いことが確認された。
【0036】
次に、上記条件でC2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った際のウエハボートのトップ、センター、ボトムのウエハのリン濃度を把握した。その結果を図5に示す。この図に示すように、C2H4ガスの場合には流量によるリン濃度の変化はほとんど生じず、また、面間のリン濃度も安定していた。これに対し、N2Oガス、NOガスを用いた場合には、流量の増加にともなってリン濃度が減少した。また、NOガスの場合には、3mL/min(sccm)において面間のリン濃度のばらつきが大きいものとなった。上記条件でアニールした後もほぼ同様の傾向が得られた。以上の点を考慮すると、リン濃度に対する安定性は、CドープガスであるC2H4ガスが最も高いことが確認された。
【0037】
次に、上記条件でC2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った際のウエハボートのトップ、センター、ボトムのウエハのHazeを把握した。Hazeは、暗視野検査でレーザー光の散乱によって生成される低周波信号により、ウエハ処理による表面の均一性や粗さ、微細なばらつきを求めたものであり、表面状態(表面あれ)を表す指標であって、低いほど表面状態が良好である。その結果を図6に示す。この図に示すように、C2H4ガス、N2Oガスは、流量を増加させると表面状態が改善する傾向が見られるが、NOガスの場合には流量を増加させても表面状態の大きな改善傾向は見られない。
【0038】
次に、上記条件でC2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った後、上記条件でアニールを行ってポリシリコン膜を形成した際の粒径の大きさを把握した。粒径は、透過型顕微鏡(TEM)による撮影画像を用いた粒径解析により求めた。この際の流量と粒径の関係を図7に示す。この図に示すように、いずれのガスも粒径を小さくする効果が見られ、目標とする100nm以下の粒径が得られることが確認された。これらの中でNOガスを用いた場合には小流量で急激に粒径が減少する傾向にあり、C2H4ガスは最も流量に対する粒径の減少率が低く、N2Oガスはその中間であるが、到達粒径に大きな差は見られない。制御性を考慮すると流量に対して緩やかに粒径が変化するC2H4が所望の粒径に制御しやすいことから最も良好であると言える。図8には、各元素濃度と粒径の関係を示した。図8の横軸の元素濃度は、図2のSIMSの結果から、N2Oガスでは膜中O濃度でプロットし、NOガスについては膜中N濃度でプロットし、C2H4ガスでは膜中C濃度でプロットした。この図から、C2H4ガスでは、C濃度の変化に対して粒径変化の直線性が良好であることが確認され、このことからもC2H4ガスを用いた場合の粒径制御性が最も良いことがわかる。
【0039】
次に、上記条件でC2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った後、上記条件でアニールを行ってポリシリコン膜を形成した際の比抵抗について把握した。その際の流量と比抵抗との関係を図9に示す。この図に示すように、ガスの種類により、比抵抗が大きく異なるが、ガス流量が増加するに従って比抵抗が上昇する傾向が見られるが、C2H4ガスが最も比抵抗が低い傾向を示す。また、図10は、各元素濃度と比抵抗の関係を示す図である。図10の横軸の元素濃度は、図2のSIMSの結果から、N2Oガスでは膜中O濃度でプロットし、NOガスについては膜中N濃度でプロットし、C2H4ガスでは膜中C濃度でプロットした。比抵抗は膜中リン濃度にも関係してくるので、一概には言えないが、Cが最も低い傾向を示している。
【0040】
図11には、横軸に粒径をとり、縦軸に比抵抗をとってプロットした結果であるが、粒径が小さくなるほど抵抗が上昇する傾向が見られる。
【0041】
以上の結果から、粒径調整用ガスとしては、N含有ガスであるNOガス、O含有ガスであるN2Oガス、C含有ガスであるC2H4ガスのいずれも用いることができるが、安定性、制御性および比抵抗値からトータル的に判断して、C含有ガスであるC2H4ガスが最も適していることが把握された。また、比抵抗は粒径が小さくなるに従って高くなるので、比抵抗が許容される範囲内の粒径が得られるように粒径調整用ガスの流量を決定する必要がある。
【0042】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変更が可能である。例えば、上記実施形態ではアモルファスシリコン膜を成膜した後、アニールしてポリ化する場合について説明したが、これに限らず、ポリシリコン生成温度である600℃以上で成膜して直接ポリシリコン膜を得る場合にも適用可能である。また、上記実施形態では、複数の基板を一括して処理するバッチ式処理に適用した場合について説明したが、枚葉式であってもよい。
【0043】
粒径調整用ガスとしては、ポリシリコン中のSiと結合することによりポリシリコン結晶の柱状化を妨げてポリシリコン結晶の微細化を促進する成分を含むものであればよく、上記実施形態に記載したものに限るものではない。また、被処理基板としては半導体ウエハに限らず、FPD(フラットパネルディスプレイ)用のガラス基板等、他の基板であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【0044】
【図1】本発明の成膜方法を実施するための成膜装置の一例を示す縦断面図。
【図2】C2H4ガス、N2Oガス、NOガスそれぞれを用いて、これらの流量を変化させてリンドープアモルファスシリコン膜の成膜処理を行った際のSIMS(二次イオン質量分析計)による膜中の各元素の密度を示す図。
【図3】C2H4ガス、N2Oガス、NOガスそれぞれを用いて、これらの流量を変化させてリンドープアモルファスシリコン膜の成膜処理を行った際の流量と成膜レートとの関係を示す図。
【図4】C2H4ガス、N2Oガス、NOガスそれぞれを用いて、これらの流量を変化させてリンドープアモルファスシリコン膜の成膜処理を行った際のウエハボートのトップ、センター、ボトムのウエハにおける膜厚の面内均一性を把握した結果を示す図。
【図5】C2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った際のウエハボートのトップ、センター、ボトムのウエハのリン濃度を把握した結果を示す図。
【図6】C2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った際のウエハボートのトップ、センター、ボトムのウエハのHazeを示す図。
【図7】C2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った後、アニールを行ってポリシリコン膜を形成した際の流量と粒径の関係を示す図。
【図8】C2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った後、アニールを行ってポリシリコン膜を形成した際の各元素濃度と粒径の関係を示す図。
【図9】C2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った後、アニールを行ってポリシリコン膜を形成した際の流量と比抵抗との関係を示す図。
【図10】C2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて流量を変化させて成膜処理を行った後、アニールを行ってポリシリコン膜を形成した際の各元素濃度と比抵抗との関係を示す図。
【図11】C2H4ガス、N2Oガス、NOガスを用いて成膜処理を行った後、アニールを行ってポリシリコン膜を形成した際の粒径と比抵抗との関係を示す図。
【符号の説明】
【0045】
1;成膜装置
2;加熱炉
3;断熱体
4;ヒータ
10;反応管
13;マニホールド
14;キャップ部
20;ウエハボート
21;成膜ガス供給機構
22;ドープ用ガス供給機構
23;粒径調整用ガス供給機構
38;排気管
39;真空ポンプ
50;制御部
W;半導体ウエハ(被処理体)
【特許請求の範囲】
【請求項1】
リンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を形成するポリシリコン膜の形成方法であって、
反応容器内に被処理基板を配置し、被処理基板を減圧雰囲気下で加熱しながら、シリコン成膜用ガスと、リンまたはボロンを膜中にドープするためのガスと、ポリシリコン結晶の柱状化を妨げてポリシリコン結晶の微細化を促進する成分を含む粒径調整用ガスとを前記反応容器内に導入し、被処理基板上にリンまたはボロンがドープされたアモルファスシリコン膜を成膜し、その後、前記アモルファスシリコン膜を熱処理して、リンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を形成することを特徴とするポリシリコン膜の形成方法。
【請求項2】
リンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を形成するポリシリコン膜の形成方法であって、
反応容器内に被処理基板を配置し、被処理基板を減圧雰囲気下で加熱しながら、シリコン成膜用ガスと、リンまたはボロンを膜中にドープするためのガスと、ポリシリコン結晶の柱状化を妨げてポリシリコン結晶の微細化を促進する成分を含む粒径調整用ガスとを前記反応容器内に導入し、被処理基板上にリンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を成膜することを特徴とするポリシリコン膜の形成方法。
【請求項3】
前記シリコン成膜用ガスは、シラン系ガスであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のポリシリコン膜の形成方法。
【請求項4】
前記粒径調整用ガスのポリシリコン結晶の微細化を促進する成分は炭素(C)、窒素(N)、酸素(O)から選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のポリシリコン膜の形成方法。
【請求項5】
前記粒径調整用ガスは、C含有ガス、N含有ガス、O含有ガスのいずれかであることを特徴とする請求項4に記載のポリシリコン膜の形成方法。
【請求項6】
前記粒径調整用ガスは、C2H4ガス、N2Oガス、NOガス、NH3ガスの1種以上であることを特徴とする請求項5に記載のポリシリコン膜の形成方法。
【請求項7】
前記粒径調整用ガスは、C含有ガスであることを特徴とする請求項4に記載のポリシリコン膜の形成方法。
【請求項8】
前記粒径調整用ガスは、C2H4ガスであることを特徴とする請求項7に記載のポリシリコン膜の形成方法。
【請求項9】
形成されたポリシリコン膜のポリシリコン結晶の粒径が平均粒径で、100nm以下であることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載のポリシリコン膜の形成方法。
【請求項1】
リンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を形成するポリシリコン膜の形成方法であって、
反応容器内に被処理基板を配置し、被処理基板を減圧雰囲気下で加熱しながら、シリコン成膜用ガスと、リンまたはボロンを膜中にドープするためのガスと、ポリシリコン結晶の柱状化を妨げてポリシリコン結晶の微細化を促進する成分を含む粒径調整用ガスとを前記反応容器内に導入し、被処理基板上にリンまたはボロンがドープされたアモルファスシリコン膜を成膜し、その後、前記アモルファスシリコン膜を熱処理して、リンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を形成することを特徴とするポリシリコン膜の形成方法。
【請求項2】
リンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を形成するポリシリコン膜の形成方法であって、
反応容器内に被処理基板を配置し、被処理基板を減圧雰囲気下で加熱しながら、シリコン成膜用ガスと、リンまたはボロンを膜中にドープするためのガスと、ポリシリコン結晶の柱状化を妨げてポリシリコン結晶の微細化を促進する成分を含む粒径調整用ガスとを前記反応容器内に導入し、被処理基板上にリンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を成膜することを特徴とするポリシリコン膜の形成方法。
【請求項3】
前記シリコン成膜用ガスは、シラン系ガスであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のポリシリコン膜の形成方法。
【請求項4】
前記粒径調整用ガスのポリシリコン結晶の微細化を促進する成分は炭素(C)、窒素(N)、酸素(O)から選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のポリシリコン膜の形成方法。
【請求項5】
前記粒径調整用ガスは、C含有ガス、N含有ガス、O含有ガスのいずれかであることを特徴とする請求項4に記載のポリシリコン膜の形成方法。
【請求項6】
前記粒径調整用ガスは、C2H4ガス、N2Oガス、NOガス、NH3ガスの1種以上であることを特徴とする請求項5に記載のポリシリコン膜の形成方法。
【請求項7】
前記粒径調整用ガスは、C含有ガスであることを特徴とする請求項4に記載のポリシリコン膜の形成方法。
【請求項8】
前記粒径調整用ガスは、C2H4ガスであることを特徴とする請求項7に記載のポリシリコン膜の形成方法。
【請求項9】
形成されたポリシリコン膜のポリシリコン結晶の粒径が平均粒径で、100nm以下であることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載のポリシリコン膜の形成方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【公開番号】特開2009−99582(P2009−99582A)
【公開日】平成21年5月7日(2009.5.7)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−266558(P2007−266558)
【出願日】平成19年10月12日(2007.10.12)
【出願人】(000219967)東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成21年5月7日(2009.5.7)
【国際特許分類】
【出願日】平成19年10月12日(2007.10.12)
【出願人】(000219967)東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Fターム(参考)】
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