【課題】基板に生じるクラックの発生を防止した薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】薄膜形成方法は、基板を準備する基板準備工程と、基板上に第１薄膜を形成する第１薄膜形成工程と、第１薄膜に対して光線を相対走査して照射することにより、第１薄膜を結晶化する結晶化工程と、結晶化工程において第１薄膜に生じる熱の基板への伝導量を低下させる緩和層を、結晶化工程の前に、基板の端部領域及び基板を切断する際に切断線が通る領域の少なくとも一方を含む領域に形成する緩和層形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、スパイラルコイル３が第一石英板４、第二石英板５、及び、冷媒ケース１６によって囲まれた冷媒流路内に配置され、最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。第二石英板５と冷媒ケース１６とは、ボルト１９をタップ１８にねじ込むことにより、固定される。第二石英板５及び第三石英板６に囲まれた長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、スパイラルコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】汚染物質がマイクロレンズに付着することを防止することができると共に、マイクロレンズアレイの下面に配置する保護膜の寿命を延長することができるマイクロレンズアレイを使用したレーザ処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】マイクロレンズアレイ２を４個の領域に分割し、各領域のマイクロレンズ４ａ〜４ｄを交互に使用して、基板を移動させつつ、レーザアニールする。使用するマイクロレンズ４ａ〜４ｄの順番を、往復移動方向（第１及び第２の方向）の外側のものから２個づつ耐用回数を超えるまで、順次使用していくようにすることにより、アニール時の蒸散物質を基板移動時の空気流により外部に排出することができ、保護膜に付着する量を可及的に低減する。 （もっと読む）

【課題】 結晶化に用いた触媒材料は結晶性珪素膜にとって好ましくない材料であるので、結晶化後はできるだけ濃度にしたい要求がある。珪素中に欠陥準位が多い場合、光生成キャリアは欠陥準位にトラップされ消滅し、光電変換特性が低下させる。本発明の目的は触媒材料による珪素の結晶化と、結晶化した後に不要となった触媒材料を除去して光電変換装置の特性向上を目的とする。
【解決手段】 結晶化した後に第１の半導体膜に残存する触媒元素は、その上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成し、第２の加熱処理を行うことで該第２の半導体膜に移動させ濃集させる。即ち、第２に半導体膜に希ガス元素を含ませることで歪み場を形成し、ゲッタリングサイトとする。希ガス元素は基本的に他の原子と結合を形成しないため、半導体膜中で格子間に挿入されて、それにより歪み場を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】レーザビームの照射エネルギーの維持管理が容易で、且つ照射パターンの形状乱れを抑制する。
【解決手段】ＴＦＴ基板１０上に形成されたアモルファスシリコン膜に複数のレーザビームＬｂを照射してアニール処理するレーザアニール装置であって、ＴＦＴ基板１０上の被アニール領域の形状に相似形の複数の開口を形成したマスク３と、マスク３の複数の開口を夫々通過した複数のレーザビームＬｂを、一面に形成した複数のマイクロレンズを介してＴＦＴ基板１０上に集め、アモルファスシリコン膜に一定の光エネルギーを付与するマイクロレンズ基板４と、半円柱状の形状を成し、マイクロレンズ基板４を挟んでその両縁部の位置に軸心を略平行にして対向配置され、頂部がマイクロレンズの頂部の位置よりもＴＦＴ基板１０側に突出した一対のガイド２５と、一対のガイド２５間に移動可能に張設されレーザビームＬｂを透過するフィルム２２と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】本願発明で開示する発明は、従来と比較して、さらに結晶成長に要する熱処理時間を短縮してプロセス簡略化を図る。
【解決手段】
一つの活性層２０４を挟んで二つの触媒元素導入領域２０１、２０２を配置して結晶化を行い、触媒元素導入領域２０１からの結晶成長と、触媒元素導入領域２０２からの結晶成長とがぶつかる境界部２０５をソース領域またはドレイン領域となる領域２０４ｂに形成する。 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体を用いた半導体素子の作製に用いる連続成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続するロードロック室と、基板を加熱する第１の加熱手段が設けられた基板保持部と、少なくとも基板保持部周辺の壁面を加熱する第２の加熱手段と、スパッタリング用ターゲットを固定するターゲット保持部とが備えられ、それぞれが１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する複数の成膜室と、１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する加熱室と、ロードロック室、加熱室、及び成膜室のそれぞれとゲートバルブを介して連結され、１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する搬送室とを少なくとも有し、ロードロック室、加熱室、成膜室及び搬送室のそれぞれと接続する真空排気する手段は、吸着型のポンプである成膜装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】大型の重たい基板を大気から遮断して加熱処理またはその上に膜を形成したい製造工程がある。そのためには、大型の真空装置を必要とし、基板の搬送移動は大掛かりになり、デバイス製造のコストを押し上げていた。
【解決手段】加熱した高温の加圧ガスを加熱したプレートから基板に向けて吹き付けて基板を支持しながら加熱する。基板とプレートの隙間を流れる当該ガスは大気進入を阻止する。この構造は１ｍを超える重たい基板であっても、それを１）浮上させて支持し、２）気体断熱し、３）ガスで加熱し、４）大気から遮断して熱処理または成膜処理を真空ではなく常圧で行うことを可能にし、製造コストを押し下げる。 （もっと読む）

【課題】最大発振周波数ｆ_ｍａｘを高くしてダイヤモンド電界効果トランジスタの特性を大きく向上させ、かつ電圧降下を小さく抑えることにより実用レベルに到達させること。
【解決手段】「ソース・ゲート電極間隔ｄ_ＳＧ、ゲート・ドレイン電極間隔ｄ_ＧＤを狭くすること」と「ソース電極の厚さｔ_Ｓ、ドレイン電極の厚さｔ_Ｄを厚くすること」とを両立させるために、ソース電極およびドレイン電極を、エッチング溶液を用いてエッチングする層とレジストを用いてリフトオフする層とに分けて形成する。これにより電極の逆メサ部を小さくすることができるため、ソース電極とゲート電極との間隔を小さくして最大発振周波数ｆ_ｍａｘを上げ、かつソース電極およびドレイン電極の厚みを厚くして電圧降下を小さく抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド薄膜内に存在する結晶欠陥、不純物等を減少させ、高品質なダイヤモンド薄膜を作製可能なダイヤモンド薄膜作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンドが安定な高圧力下でアニールを行う。これにより、結晶中に含まれる格子欠陥等が回復、除去され、ダイヤモンド結晶薄膜を高品質化する事ができる。「（ダイヤモンドが）安定な、安定に」とは、ダイヤモンドがグラファイト化せずにダイヤモンドの状態を保つ状態を指す。ダイヤモンドが安定にアニール出来る領域内でアニールを行う温度（アニール温度、とも呼ぶ）Ｔおよびアニールを行う圧力（アニール圧力、とも呼ぶ）Ｐが決定される。この領域は、図２１に示される、Ｐ＞０．７１＋０．００２７ＴまたはＰ＝０．７１＋０．００２７Ｔを満たし、なおかつＰ≧１．５ＧＰａの領域である。このような領域は、図２１中の斜線部分である。 （もっと読む）

【課題】
汚染物やパーティクルがシリコン膜等を有する基板に混入することにより基板の品質や半導体装置の性能が劣化することを抑制し、表面粗さの小さいシリコン膜を形成する。
【解決する手段】
基板にシリコン膜を形成する膜形成工程と、前記シリコン膜に酸化種を供給し、前記シリコン膜を熱処理し前記シリコン膜の表層を酸化シリコン膜に改質する改質工程と、前記酸化シリコン膜を除去する除去工程と、を有する半導体装置の製造方法を提供することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多結晶シリコン層の製造方法を開示する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る多結晶シリコン層（２２）の製造方法は、非晶質シリコン層（２０）と金属混入層（３０）とをコンタクトした後、非晶質シリコン層（２０）を結晶化熱処理して多結晶シリコン層（２２）を製造することを特徴とする。本発明によれば、金属触媒の量を少なく導入しながらも、結晶化温度を低くすることができる多結晶シリコン層の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン層の製造方法、薄膜トランジスタ、それを含む有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１００を提供する工程と、上記基板１００上にバッファ層１１０を形成する工程と、上記バッファ層１１０上に金属触媒層１１５を形成する工程と、上記金属触媒層１１５の金属触媒をバッファ層１１０に拡散する工程と、上記金属触媒層１１５を除去する工程と、上記バッファ層１１０上に非晶質シリコン層１２０Ａを形成する工程と、上記基板１００を熱処理して上記非晶質シリコン層１２０Ａを多結晶シリコン層に結晶化する工程とを含むことを特徴とする多結晶シリコン層の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】非晶質シリコンを安定的に結晶化させることができるレーザー結晶化装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態によるレーザー結晶化装置は、ボックス本体と、前記ボックス本体の内部を第１作業室及び第２作業室に区分して、前記第１作業室及び前記第２作業室を互いに連結する通過孔を有する隔壁と、前記第１作業室の一側に形成されたガス流入ポートと、前記隔壁に隣接するように前記第２作業室に形成された複数の流動制御パネルとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の結晶性若しくは表面の平坦性、又は結晶性及び表面の平坦性を高めることのできるレーザ照射装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】レーザ発振器と、レーザ発振器から射出されたレーザ光を線状に成形する光学系と、光学系によって成形された線状のレーザ光が照射される被照射物を載置するステージと、を有し、ステージは、支持台上に、ヒータ、不純物吸着材及び被照射物を載置する載置台が順に固定されているレーザ照射装置を用いて、絶縁表面上に設けられた半導体膜にレーザ光を照射し、半導体膜を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】連続発振レーザー光を用いた結晶化において基板ステージを駆動することによってスキャン照射を行う場合に、照射制御の不良に伴うレーザー光の照射の不均一性や、結晶化領域外へのレーザー光の照射による損傷や発生した微粒子による汚染を抑制する。
【解決手段】レーザー光の照射制御を、光路上に設けた光路切り換え機構４で行うと共に、基板２０を結晶化する結晶化領域の外側にマージン部分を設け、光路切り換え機構４の動作をこのマージン部分で行うことによって、照射制御の不良に伴うレーザー光の照射の不均一性や、結晶化領域外へのレーザー光の照射による損傷や汚染を抑制する。 （もっと読む）

【課題】有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】画素領域と非画素領域を備える基板と、前記基板上に位置するバッファ層と、前記バッファ層上に位置し、チャネル領域及びソース／ドレイン領域を備える半導体層と、前記半導体層のチャネル領域に対応するように位置するゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極とを絶縁させるゲート絶縁膜と、前記半導体層のソース／ドレイン領域に電気的に接続するソース／ドレイン電極と、前記ゲート電極と前記ソース／ドレイン電極とを絶縁させる層間絶縁膜とを含み、前記バッファ層、ゲート絶縁膜、及び層間絶縁膜は、非画素領域上の一部が除去された形態で位置し、前記除去された面積はパネル面積の８〜４０％であることを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】結晶核形成を促進する触媒物質をα−Ｓｉに点状に付着させるための結晶核マスクを形成する場合に、単結晶シリコン基板を用いて、結晶面に沿って突起状の構造を形成し、その先端に触媒物質を付着させる工程を用いて製造した場合、直径３０ｃｍ程度が限度の単結晶シリコン基板以上の面積を有する、α−Ｓｉ層に、この転写用基板を用いて押圧転写することは困難であるという課題がある。
【解決手段】ガラス基板１０上のα−Ｓｉ層にエキシマレーザー光を照射して、規則的配列を備える突起部１３を配置し、突起部１３を覆うように触媒金属層を配置して結晶核マスク１を構成する。ガラス基板１０は対角１ｍ以上の基板が容易に入手できることから、大型（対角１ｍ程度）の被転写基板２１に対しても結晶核形成を促進する触媒物質をα−Ｓｉに点状に付着させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層にレーザー光を照射する場合において、レーザー光の照射時に単結晶半導体層中に不純物元素が取り込まれるのを抑制することを目的の一とする。
【解決手段】ＳＯＩ基板の作製方法において、単結晶半導体基板と、ベース基板とを用意し、単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、単結晶半導体基板とベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、単結晶半導体基板を加熱し、脆化領域を境として分離することにより、ベース基板上に絶縁層を介して単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層上に形成された酸化膜を除去し、酸化膜を除去した後に単結晶半導体層の表面にレーザー光を照射して単結晶半導体層の少なくとも表面を溶融させ、レーザー光の照射による単結晶半導体層の溶融回数は１回とする。 （もっと読む）

【課題】 フルメルト法による結晶化とパーシャルメルト法による結晶化を１回のレーザ照射によって簡単に実現することが可能なレーザアニール装置を提供する。
【解決手段】 光透過性を有する基板１上に形成された被結晶化薄膜（アモルファスシリコン薄膜３）に対してレーザ光（固体レーザの高調波）を照射して結晶化を行うレーザアニール装置である。被結晶化薄膜が形成された基板１を支持するステージ４１を有し、ステージ４１の表面は、基板１上に形成される回路のレイアウトに応じてレーザ光に対する反射率が変更されている。例えば、液晶表示パネルの作製において、ステージ４１表面の反射率は、パネル領域２１の画素部分３１と周辺回路部分３２とで異なる。 （もっと読む）