【課題】適正に脱ガス処理を行うことができる真空処理装置の脱ガス装置、真空処理装置の脱ガス方法および真空処理装置を提供することである。
【解決手段】ワークＷを処理する真空チャンバ２が真空配管３２を介して真空吸引装置３１に接続された真空処理装置１に組み込まれ、真空吸引装置３１と協働して、真空処理装置１の装置内部に吸着した吸着ガスを除去する真空処理装置１の脱ガス装置であって、吸着ガスを除去するためのキャリアガスのキャリアガス源１６に連通し、キャリアガスを加熱して真空チャンバ２に供給する加熱ガス供給装置１２と、真空吸引装置３１の上流側近傍の真空配管３２に介設され、真空吸引装置３１に吸引されるキャリアガスを冷却するガス冷却装置３３と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】濾過面積を高め得るフィルター組立体とその為の金属製濾過体を提供する。
【解決手段】金属多孔体で構成され、軸方向に任意の長さを持つ少なくとも２以上の筒状濾過体２をベース部材３に離間配置して、ハウジング容器５に被包され、前記金属濾過体２は、その外形を描く外形線の一部がその全周長（Ｌ０）の５〜４８％の幅寸法（Ｌ１）で平坦化した扁平面６を持つ横断面非円形状の筒体でなり、該扁平面６と他方の筒状濾過体２の扁平面６を所定間隔（Ｓ）で対向して配置したことを特徴とするフィルター組立体１であり、該濾過体は、更にその外周面上に複数の突起を具え、該突起の平均高さ（１／２Ｈ）の点を結ぶ仮想平均線の一部が前記扁平面となるものを含むフィルター組立体であり、金属濾過体は、ステンレス鋼繊維及び／又はステンレス鋼粉末材料による層状焼結多孔体で形成されている。 （もっと読む）

【課題】１×１０^１６ｃｍ^−３以下のキャリア濃度の領域でキャリア補償の影響を低減可能なエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】エピタキシャル基板Ｅは、窒化ガリウム基板１１及び窒化ガリウムエピタキシャル膜１３を備える。窒化ガリウム基板１１の主面１１ａにおいて、転位密度が１×１０^８ｃｍ^−２以下であるとき、窒化ガリウムエピタキシャル膜１３中の電子トラップの密度が低減される。窒化ガリウム基板主面１１ａのオフ角が０．３度以上であるとき、窒化ガリウムエピタキシャル膜１３は低い電子トラップの密度を有する。窒化ガリウムエピタキシャル膜１３が１×１０^１６ｃｍ^−３以下のドナー濃度及び３×１０^１５ｃｍ^−３以下のアクセプタ濃度を有するので、窒化ガリウムエピタキシャル膜１３における補償が低く、窒化ガリウムエピタキシャル膜に１×１０^１６ｃｍ^−３以下のキャリア濃度が提供される。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層に発生するＳＦを防止するとともに、基板内部のＣｕ濃度を効果的に低減することによって、後工程での歩留まりを向上することができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン単結晶基板に拡散熱処理を行い、拡散熱処理を行ったシリコン単結晶基板の表面上にエピタキシャル層を成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、拡散熱処理を行ったシリコン単結晶基板を常温で７日間以上保持した後に、シリコン単結晶基板の表面をエッチングし、その後エピタキシャル層を成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素製の部材に形成される酸化膜の剥がれが原因で発生する異物を低減する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素製の反応管内に基板を搬入する工程と、前記反応管内に酸化性ガスを供給して熱酸化により基板表面に酸化膜を形成する処理を行う工程と、前記反応管内から処理済基板を搬出する工程と、前記反応管内から処理済基板を搬出した状態で、前記反応管内の温度を、一旦、前記熱酸化により前記反応管の内壁面に形成された酸化膜の温度が少なくともひずみ点に相当する温度に到達するまで昇温させた後、前記処理済基板を前記反応管内から搬出する時の温度よりも低い温度まで降温させる工程とを有する。 （もっと読む）

物理的蒸着装置は、側壁を有する真空チャンバと、陰極と、無線周波数電源と、基板支持体と、陽極と、シールドと、を含む。陰極は、真空チャンバ内にあり、ターゲットを含むように構成される。無線周波数電源は、陰極に電力を印加するように構成される。基板支持体は、真空チャンバの側壁の内側にあり、側壁から電気的に絶縁される。陽極は、真空チャンバの側壁の内側にあり、側壁と電気的に接続される。シールドは、真空チャンバの側壁の内側にあり、側壁と電気的に接続され、環状体と環状体から延びる複数の同心環状突起とを含む。
（もっと読む）

【課題】 金属汚染を効果的に防ぎ、白傷の発生が少ない高品質のエピタキシャルウェーハを製造することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも、チャンバーと、該チャンバー内にガスを導入するためのガス導入管と、該チャンバー内からガスを排出するガス排出管と、前記チャンバー内に配置され、ウェーハを載置するサセプタと、前記サセプタを回転させるためのサセプタ回転機構とを有し、前記ガス導入管から反応ガスを前記チャンバー内に導入しながら前記ウェーハ上に気相成長を行い、反応後のガスを前記ガス排出管から排出する気相成長装置において、前記ガスに接触し、かつ金属を含む材料からなる部位が、全て非金属の保護膜で覆ったものであり、前記気相成長装置を構成する部材の接合部に用いられるＯ−リングは、少なくとも、Ｔｉを含まないものである気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】反応炉への副生成物の付着を効果的に低減することのできる技術を提供する。
【解決手段】反応炉１内に処理対象のウェーハＷを収容し、ウェーハＷにエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハをするエピタキシャルウェーハ製造方法において、ウェーハＷにエピタキシャル層を形成するためのトリクロロシラン（ＴＣＳ）を供給して気相成長させる気相成長工程において、トリクロロシランと共に塩化水素を供給するようにする。これにより、気相成長工程中に炉内に付着する副生成物を低減することができる。このため、気相成長工程後において副生成物の除去を行う必要性を低下させることや、副生成物を除去する頻度を低減させることができ、生産性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に向けて電子ビームを照射して所定の基板処理を行う際に発生する物質による基板の汚染を防止して清浄な基板処理を低コストで実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射を行っている間、電子ビーム照射領域ＩＲにはアルゴンガスが供給される一方、電子ビーム照射領域ＩＲの周囲は排気している。このため、基板Ｗへの電子ビーム照射によって発生する汚染物質がアルゴンガスと一緒に排気ガスとして処理空間４１ａの外側空間に排気され、基板表面への汚染物質の再付着や処理空間４１ａ全体への汚染物質の拡散が防止される。また、排気ガスから汚染物質を除去することで処理ガス（一度使用されたアルゴンガス）が生成され、処理空間４１ａに供給される。このように処理空間４１ａが処理ガスによりパージされる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に向けて電子ビームを照射して所定の基板処理を行う際に発生する物質による基板の汚染を防止して清浄な基板処理を低コストで実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射領域に対して基板ＷがＸ方向に移動する。これにより電子ビーム照射領域が基板表面全体に走査される。電子ビーム照射領域では、電子ビーム照射が基板表面に向けて照射されて未硬化状態の層間絶縁膜に対して硬化処理が施される。ここでは、基板移動範囲ＭＲに渡って基板表面Ｗを覆うようにパージボックス４７が配置されて基板表面側雰囲気ＡＰが形成される。そして、その基板表面側雰囲気ＡＰのうち電子ビーム照射領域の周囲から雰囲気管理されている。このため、電子ビーム照射によって発生する汚染物質は直ちに電子ビーム照射領域から排出される。 （もっと読む）

【課題】多種多様な基板に対して適切なドーズ量で、しかも均一に電子ビームを照射して短時間で良好な基板処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム発生ユニット４０Ａ，４０Ｂの出射窓４０ｇから電子ビームＥＢがスキャン方向（第１方向）Ｙに走査されながら基板表面に照射されるとともに、当該基板Ｗが水平移動方向（第２方向）Ｘに移動して基板表面Ｗｆに対して電子ビームＥＢが２次元的に照射される。ここで、出射窓４０ｇと基板Ｗとの距離Ｄについては、基板Ｗに対応した値に調整される。また、基板Ｗの移動速度、電子銃４０ｂに与える電流および電子銃４０ｂに与える加速電圧についても、基板Ｗに応じた値に調整される。このように距離Ｄ、移動速度および電流値が基板Ｗに対応して調整された状態で電子ビーム照射が基板Ｗ上の層間絶縁膜Ｆに対して行われる。 （もっと読む）

【課題】清浄な表面処理を実行可能な基板処理システムおよび基板処理方法を提供する。
【解決手段】搬送ロボット室１１、第１ロードロック室２１、予熱チャンバ３１、処理チャンバ４１、冷却チャンバ５１および第２ロードロック室６１のいずれにおいても、その内部圧力が大気圧以上に調整される。また、予熱チャンバ３１内の圧力が搬送ロボット室１１内の圧力よりも低くなるように圧力調整が実行される。したがって、プリベーク処理時に発生した酸素や水分などが予熱チャンバ３１から搬送ロボット室１１に流入するのを効果的に防止することができ、プリベーク処理後の基板Ｗに対する酸素や水分の再付着が抑制される。その結果、酸素や水分が処理チャンバ４１に入り込むのを抑制することができ、各電子ビームキュアユニット４Ａ、４Ｂにおいて清浄なキュア処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】成膜工程における金属汚染を抑え、ウェーハ上に均一に成膜することができ、歩留の低下を抑えるとともに、半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能なサセプタ、半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のサセプタ１１は、外径がウェーハｗの径より小さく、ウェーハｗの中心部を保持する第１のサセプタパーツ１２と、ウェーハｗの最外周を保持するスペーサ１４と、第１のサセプタパーツ１２とスペーサ１４を保持する第２のサセプタパーツ１３を備え、スペーサ１４の熱伝導率は、第１および第２のサセプタパーツ１２、１３の熱伝導率より低い。 （もっと読む）

【課題】流路壁面に固形膜が形成されるのを防止して清掃についての負担を大幅に軽減し、稼働率を向上させた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】弁箱２等の固定部と弁体９等の可動部とを有する弁装置を反応室と排気ポンプとの間に設けた半導体製造装置であって、前記弁装置の前記固定部に固定部用ヒータを設けた半導体製造装置とする。これにより、流路壁面に固形膜が形成されるのを防止し、半導体製造装置の稼働率を向上させる。 （もっと読む）

本発明は、金属又は非金属基材における熱スプレーコーティングに関する。熱スプレーコーティングは、部分的又は完全に安定化されたセラミックコーティング、例えば、イットリア安定化ジルコニアコーティングを含み、基材に耐腐食性及び／又は耐浸食性を付与するのに十分に高い熱力学的相安定性を有する。本発明はまた、熱スプレーコーティングを適用することによって、金属又は非金属基材を保護する方法にも関する。コーティングは、例えば、集積回路製造装置や内部チャンバ構成要素の保護、及び静電チャックの製造に有用である。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の成膜有効面積の減少を回避し、サセプタへの反応ガスの侵入による膜厚の均一性を損なわず、かつサセプタのメンテナンスの頻度を低減し得るトレイ、気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】被処理基板２４を載置した状態で搬送され、サセプタ７上に載置される。表面に少なくとも一つの凹部２１ｃを有し、その凹部２１ｃ内に上記被処理基板２４が載置した状態で収納する基板載置プレート２１と、基板載置プレート２１を搬送するときに基板載置プレート２１の外周張出部２１ａを下側から保持する段差部２２ｂを備えたプレート搬送保持部材２２と、基板載置プレート２１の周辺部とプレート搬送保持部材２２における、基板載置プレート２１の周辺部からのはみ出し部分とを上から覆うカバープレート２３とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内の膜厚均一性を高める装置と方法を提供する。
【解決手段】処理ガスをウエハ１に供給してウエハ１の上に膜をＣＶＤ法によって形成する成膜装置は、複数のウエハ１を互いに上下方向に離間して保持するボート２と、ウエハ１およびボート２を収容する処理室１２と、ウエハ１を加熱するホットウオール形構造のヒータ１４と、処理室１２内に処理ガスを供給するガス供給管２１と、処理室１２内の雰囲気を排気する排気管１６と、ウエハ１の処理中にウエハを回転させるためにボート２を回転させる回転軸１９とを有する。 （もっと読む）

【課題】不活性ガスによる移載室のパージが自動的になされるようにする。
【解決手段】基板の処理を行う処理室２０２に連接される移載室１０２をガスでパージするレシピを操作画面で作成するよう構成されている基板処理装置であって、操作画面には、移載室１０２内のガスの流れを一方向に排気させる機能と、移載室１０２内に不活性雰囲気でガスを循環させる機能と、を切替える切替手段が備えられ、切替手段は、移載室１０２内のガスの流れを一方向に排気させる機能を具備したレシピと、移載室１０２を不活性ガス雰囲気でガスを循環させる機能を具備したレシピと、を操作画面上で選択する。 （もっと読む）

【課題】屈曲した貫通孔を簡単に製作することができる電極板を提供する。
【解決手段】厚さ方向に沿う複数の貫通孔３２を有するプラズマ処理装置用電極板２１において、厚さ方向に貫通する複数の取り付け孔２２を有する電極板本体２３と、電極板本体２３の各取り付け孔２２に緊密に嵌合するガス孔部材２４とを備えるとともに、ガス孔部材２４に貫通孔３２がそれぞれ形成され、ガス孔部材２４は貫通孔３２を介して縦割状に複数に分割可能とされ、各分割パーツの縦割り面に溝が形成され、これら分割パーツが縦割り面で合わせられることにより、厚さ方向の途中に屈曲部が少なくとも２個以上有する貫通孔３２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板上にプラズマによって活性化させたガスを供給する際に、処理室内に発生したＮａ^＋イオンによる基板の汚染を抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室２０１と、処理室２０１内に反応ガスを供給するガス供給ラインと、処理室２０１内を排気するガス排気ラインと、処理室２０１内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、処理室２０１内に収容された基板２００の電位を調整可能な基板電位調整機構と、ガス供給ライン、ガス排気ライン、プラズマ発生機構、及び基板電位調整機構をそれぞれ制御する制御部１２１と、を備え、プラズマ発生機構によるプラズマ発生領域２２４近傍には石英部材２１０が設けられており、制御部１２１は、処理室２０１内に反応ガスを供給させると共にプラズマを発生させ、プラズマにより活性化させた反応ガスを基板２００上に供給して基板２００を処理する間又は処理後、基板２００の電位を正電位とする。 （もっと読む）