【課題】高度の結晶性を有し、特に直径100mm以上の大型基板を用いる場合でも全面均一に平坦なAｌN結晶膜シード層を用いることにより、結晶性の良いＧａＮ系薄膜を得、信頼性の高い高輝度のＬＥＤ素子等を得る。
【解決手段】サファイア基板上にシード層としてスパッター法で堆積されたＡｌＮ結晶膜を有し、該シード層上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体において、該シード層のＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量が０．１原子％以上５原子％以下であり、ＡｌＮ結晶膜は結晶粒界の間隔が２００ｎｍ以上であり、かつ最終ｐ型半導体層であるｐ−コンタクト層のロッキングカーブ半値幅が（０００２）面と（１０−１０）面でそれぞれ６０arcsec以下および２５０arcsec以下であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。 （もっと読む）

【課題】真空容器のベーキング時間を短縮させたベーキング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】真空容器の排気を行う工程と、真空容器に不活性ガスを導入する工程と、を繰り返すサイクルを有する真空容器のベーキング方法であって、
前記真空容器の排気は、前記真空容器に設けた排気コンダクタンス可変のスロー排気バルブを介して行い、前記スロー排気バルブの排気コンダクタンスを、前記サイクルの直前のサイクルにおける排気コンダクタンスより大きく設定することを特徴とする。 （もっと読む）

半導体、光電地、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイおよび微小電気機械システムのプラズマによって補助された製造のために、およびチャンバの清浄化のために、Ｆ_２またはＣＯＦ_２がエッチング剤として適用される。１５ＭＨｚ以上の周波数を有するマイクロ波を提供するプラズマエミッターがプラズマを非常に有効に提供することが見出された。 （もっと読む）

【課題】電磁波を処理室へ導入するための誘電体を備えたマイクロ波プラズマ処理装置において成膜された薄膜の不純物濃度を低く抑え、良質な膜を得ることが可能なプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理室に基板を収納し、電磁波源から前記処理室の内部に露出している１または２以上の誘電体を透過させて前記処理室内に電磁波を供給し、前記処理室内にプラズマを励起させて基板を処理するプラズマ処理方法であって、
前記基板の処理に先立ち前記処理室の内部に露出する前記誘電体の表面を膜で被覆するプリコート工程を有する、プラズマ処理方法が提供される。 （もっと読む）

キャリア体上に材料を蒸着するための製造装置、および当該製造装置と共に使用される電極。製造装置はチャンバを画定するハウジングを備える。ハウジングは、気体をチャンバ内に導入するための入口、および気体をチャンバから排出するための出口を画定する。少なくとも１つの電極がハウジングを貫通して配設され、該電極は少なくとも部分的にハウジング内に配設される。電極は外面を有する。外面は、ソケットと接触するように適合されたコンタクト領域を有する。電極のコンタクト領域上には、電極とソケットとの間の導電性を維持するためのコンタクト領域コーティングが配設される。コンタクト領域コーティングは、室温下で少なくとも７×１０^６ジーメンス／メートルの導電率を有し、ニッケルより大きい耐摩耗性（測定単位：ｍｍ^３／Ｎ・ｍ）を有する。
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【課題】基板であるシリコンウェハの加熱時にヒータに給電する電極の接合部近傍の領域を覆ってその汚染を防止することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００を、シリコンウェハ１０１をサセプタ１１０上に載置する昇降ユニット１３３と、シリコンウェハ１０１を加熱するヒータ１２１と、ヒータ１２１を支持する導電性のブースバー１２３と、ブースバー１２３に固設されてヒータ１２１への給電を可能とする電極１０７と、電極１０７とともにパージガスを供給可能なパージガス導入管１３５を収容して支持する中空の支柱１０５とを用いて構成し、昇降ユニット１３３を下降させて、昇降ユニット１３３の板状の昇降ベース１３１でブースバー１２３と電極１０７の接合部分を覆いながらその周囲にパージガス導入管１３５からパージガスを供給し、その周囲領域をガスパージしながらヒータ１２１加熱を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】装置内部の部品の劣化を抑制しつつ、装置内部に付着した付着物を除去することができる薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】熱処理装置１の制御部１００は、反応室内を、水が液膜として存在し得る温度、例えば、室温に維持する。また、制御部１００は、反応室内を５３２００Ｐａに設定する。反応管２内が所定の圧力及び温度で安定すると、制御部１００は、処理ガス導入管１７からフッ化水素と窒素とからなるクリーニングガスを反応管２内に導入し、装置内部に付着した反応生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム単結晶基板の表面にエピタキシャル成長させる際に裏面に成長させない。
【解決手段】窒化ガリウム単結晶基板１０は、ガリウム極性面１０_Gaが凹となり、−ｃ面である窒素極性面１０_Nが凸となる向きに反っている（１．Ａ）。窒素極性面１０_Nを、ＳｉＯ₂から成る被膜３０で覆う（１．Ｂ）。エピタキシャル成長装置（有機金属気相成長装置）に搬入し、ガリウム極性面１０_Gaに窒化ガリウムエピタキシャル層を形成する。原料ガスであるＴＭＧとＮＨ₃は、ＳｉＯ₂から成る被膜３０の表面３０ｆ全体に到達しうるが、表面３０ｆにはIII族窒化物系化合物半導体はエピタキシャル成長せず、表面３０ｆは清浄なままとなる（１．Ｃ、１．Ｄ）。ＳｉＯ₂から成る被膜３０をフッ酸で除去すると、清浄な窒素極性面１０_Nが露出する（１．Ｅ）。 （もっと読む）

【課題】薄膜中への不純物の取り込みを抑制し、膜質を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室内にハロゲン含有ガスを供給するハロゲン含有ガス供給工程と、処理室内にハロゲン含有ガスとは異なる原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、処理室内に電子ビームを供給して基板近傍で原料ガスの活性種を生成する原料ガス活性種生成工程と、を有し、原料ガスの活性種とハロゲン含有ガスとを反応させて基板上に薄膜を形成する薄膜形成工程と、処理室内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス工程と、処理室内に電子ビームを供給して基板近傍で水素含有ガスの活性種を生成する水素活性種生成工程と、を有し、水素含有ガスの活性種と、基板上に形成した薄膜中のハロゲン元素と、を反応させて基板上に形成した薄膜を改質する薄膜改質工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板であるシリコンウェハの加熱時にヒータを支持するブースバーと電極の接合面への反応ガスの侵入を抑えることのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、シリコンウェハ１０１を加熱するヒータ１２１と、ヒータ１２１を支持する導電性のブースバー１２３と、ヒータ１２１への給電をする、上部および下部に開口部を有する中空円筒状の電極棒１０８と、ブースバー１２３に固設されてブースバー１２３と電極棒１０８とを接続し、電極棒１０８とともに電極１０７を構成する連結部材１２４とを有し、電極棒１０８の下部開口部からパージガス１１７を供給して、電極棒１０８上部開口部と、それに連続するブースバー１２３と連結部材１２４との接合面間にある隙間構造１３１にパージガス１１７を通しながらヒータ１２１加熱を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】基板であるシリコンウェハの加熱時にヒータに給電する電極の高温化を抑制してその汚染を防止することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００を、シリコンウェハ１０１を加熱するヒータ１２１と、ヒータ１２１を支持する導電性のブースバー１２３と、ブースバー１２３に固設されてヒータ１２１への給電を可能とする、上部および下部に開口部を有する中空円筒状の電極棒１０８を有する電極１０７と、電極１０７の電極棒１０８を支持する支柱１０５とを用いて構成し、電極棒１０８の下部開口部からパージガスを供給して電極棒１０８内部を通過させ、電極１０７の高温化を抑制しながらヒータ１２１加熱を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来のＣＶＤ装置で用いることの出来なかった材料により成膜を可能にし、さらに不純物が混じらない高品質の成膜を可能とした薄膜堆積方法および装置を提供することを目的とする。
【解決手段】非平衡プラズマにより原料ガス１４に与えるエネルギーと、原料ガス１４より生成する目的の反応生成物固有のポテンシャルエネルギーとの差分のエネルギーを求め、ポテンシャルエネルギーが不足の場合、前記差分のエネルギーを補充するレーザ光１９の波長を求め、ポテンシャルエネルギーが余剰の場合、差分のエネルギーを誘導放出により放出するレーザ光１９の波長を求め、非平衡プラズマ化された原料ガス１４に、求めた波長のレーザ光１９を照射して、原料ガス１４の基底準位を前記ポテンシャルエネルギーに遷移し、原料物質より目的の反応生成物を解離または分解し、被成膜物質１２に堆積して成膜する。 （もっと読む）

【課題】板状のサファイア単結晶であるサファイア基板に付着した異物の除去を行う。
【解決手段】サファイア基板１０を加熱装置２の炉室２１内に設けられる積載台２２に設置する。そして、大気中よりも酸素の濃度が高められた雰囲気ガスをヒータ２３によって加熱し、その雰囲気ガスを介してサファイア基板１０を加熱する。そして、サファイア基板１０の加熱によって、サファイア基板１０に付着している異物（有機物、無機物）が酸化することで、異物が気化する、あるいは異物とサファイア基板１０との密着性が低下する。その結果、サファイア基板１０に付着する異物が除去される。 （もっと読む）

基板（３）に上の多層コーティング及び多層コーティングを製造するための方法が提供される。前記コーティングは前記コーティングを通る原子の拡散を最小化するように構成され、前記方法は、基板を反応空間に導入し、前記基板上に第１の材料（１）の層を堆積し、及び前記第１の材料（１）の層上に第２の材料（２）の層を堆積することを含む。前記第１の材料（１）及び第２の材料（２）のの層の堆積は、前記反応空間に前駆体を交互に導入することを含み、続いてそれぞれの前駆体導入後にパージングすることを含む。前記第１の材料は、酸化チタン及び酸化アルミニウムを含む群から選択される前駆体、前記第２の材料は、酸化チタン及び酸化アルミニウムを含む群から選択される他の前駆体である。境界領域が、酸化チタン及び酸化アルミニウムの間に形成される。
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堆積処理中に、材料が基板上だけでなく他のチャンバ構成要素の上にも堆積することがある。ＭＯＣＶＤチャンバでは、これらの構成要素の１つはガス分配シャワーヘッドである。シャワーヘッドは、不活性ガスおよび塩素を含むプラズマで発生させたラジカルでシャワーヘッドをボンバードすることによって洗浄することができる。プラズマを発生させるために、シャワーヘッドを基板支持体に対して負にバイアスするか、またはフローティングさせることができる。シャワーヘッドはステンレス鋼を含み、セラミックコーティングでコーティングすることができる。
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【課題】 プラズマがガス噴出孔を通じて電極のさらに内部に入り込み、電極支持部材をスパッタすることによる金属汚染を防止し、かつ寿命の長い電極を提供すること。
【解決手段】 本発明の電極は、一以上のガス通路孔２３ａを有する上部板２２ａと、一以上のガス噴出孔２３ｂを有する下部板２２ｂとを有し、かつ上部板２２ａと下部板２２ｂを上下に分割可能な構成とすると共に、上部板２２ａのガス通路孔２３ａ及び下部板２２ｂのガス噴出孔２３ｂの一方又は両方を、その一部又は全部を電極面２２ｓに対して斜めに設けるか、又はその一部を電極面２２ｓに対して平行に設ける。 （もっと読む）

【課題】長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、ＣＶＤによる成膜を含む複数の処理を連続的に行なう成膜装置であって、各室が、隣接する室の圧力による悪影響を受けることなく、また、反応ガスによる装置内の汚染も抑制できる成膜装置を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ成膜室と上流もしくは下流の処理室との間に排気手段を有する差圧室を設けて、この差圧室に、不活性ガスおよび／または両室に供給されるガスを導入することにより、成膜室および処理室の高圧な方よりも高い圧力とすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】シール材および窒素ガスの使用の増加を防止しつつ、外気の侵入を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１が待機する待機室１２を形成した筐体１１と、待機室１２内に形成されて窒素ガス３０が循環する循環路３１と、循環路３１の途中に設けられて窒素ガス３０を循環させる送風機４３を有するクリーンユニット４１とを備えた熱処理装置１０において、筐体１１内の送風機４３の吸込側空間５５に隔離室５１を形成する仕切板５０を設け、隔離室５１を排気する排気ダクト５２を設ける。窒素ガスが循環路を循環する際に、筐体の隙間から酸素を含む外気が送風機の吸込側空間に侵入する現象を防止する。 （もっと読む）

【課題】緻密で且つ不純物が少なく、更には基板の面内において膜厚及び膜質が均質な薄膜を形成すること。
【解決手段】回転テーブル２を回転させてウエハＷ上にＢＴＢＡＳガスを吸着させ、次いでウエハＷの表面にＯ3ガスを供給してウエハＷの表面に吸着したＢＴＢＡＳガスを反応させてシリコン酸化膜を成膜するにあたって、シリコン酸化膜を成膜した後、活性化ガスインジェクター２２０からウエハＷ上のシリコン酸化膜に対してＡｒガスのプラズマを供給して、成膜サイクル毎に改質処理を行う。この時、Ａｒガスと共にＯ2ガスを供給してＡｒガスのプラズマ化の連鎖を抑制する。 （もっと読む）

【課題】最適なメンテナンス時期を通知する膜厚検知器を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気において被処理体の上に薄膜を形成しまたは前記被処理体をエッチングする真空処理装置内に設けられる膜厚検知器であり、第１の導電性端子と、前記第１の導電性端子に隣接する第２の導電性端子と、を備え、前記被処理体以外の部分に堆積する被膜の厚みを、前記第１の導電性端子と前記第２の導電性端子との間に堆積する被膜の厚みに応じた前記第１及び前記第２の導電性端子の間の電気特性の変化として検知可能としたことを特徴とする膜厚検知器が提供される。 （もっと読む）