【課題】デバイス特性に優れたＨＥＭＴ構造またはＭＩＳ（ＭＯＳ）型ＨＥＭＴ構造の半導体素子を提供する。
【解決手段】基板２の上に少なくともＡｌを含むIII族窒化物からなる下地層(バッファー層)３を設けた上で、III族窒化物、好ましくはＧａＮからなる第１の半導体層(チャネル層)４と、少なくともＡｌを含むIII族窒化物、好ましくはＡｌｘＧａ１−ｘＮであってｘ≧０．２である第２の半導体層（電子供給層）６が積層されてなる半導体層群を有する半導体積層構造において、バッファー層３と第１の半導体層４とをＭＯＣＶＤ法で形成し、第２の半導体層６をＭＢＥ法で形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体の製造に用いる装置の清浄度を、簡便かつ高感度で、局所的に解析出来る評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板に膜を形成する際に用いられるＣＶＤ炉の清浄度を評価する方法であって、少なくとも、ＣＶＤ炉にて基板に膜を形成し、該成膜後の基板を非酸化性雰囲気下にてアニールした後、該アニール後の基板上に生成するパーティクル状の異物の数及び分布を観察することによりＣＶＤ炉の清浄度を評価することを特徴とするＣＶＤ炉の清浄度評価方法。 （もっと読む）

【課題】発光層の結晶性低下や、ｐ型半導体層への不純物の混入に起因するｐ型半導体層の結晶性低下を防ぎ、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板１１上に第一ｎ型半導体層１２ａと第二ｎ型半導体層１２ｂと、井戸層と障壁層とを交互に繰返し積層し、最上面が前記障壁層となる発光層１３を形成する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記発光層の最上面の前記障壁層上に前記障壁層の再成長層１３ｃとｐ型半導体層１４とを順次積層する第二工程と、を具備してなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】性能を向上できるＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体装置の製造方法は、以下の工程を備える。少なくとも一部に不純物が注入された第１の表面を含むＳｉＣ半導体を準備する（ステップＳ１〜Ｓ３）。ＳｉＣ半導体の第１の表面を洗浄することにより、第２の表面を形成する（ステップＳ４）。第２の表面上にＳｉ元素を含む膜を形成する（ステップＳ５）。Ｓｉ元素を含む膜を酸化することにより、ＳｉＣ半導体装置を構成する酸化膜を形成する（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】基板裏面側に形成されるエピタキシャル層を低減するエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２と、該チャンバー内に配置され、エピタキシャル成長させる基板Ｗを載置する、複数の貫通孔を有するサセプタ３と、該サセプタを支持するサポートシャフト７と、前記チャンバー２内の前記サセプタ３上に載置された基板Ｗに反応ガス供給源からの反応ガスを供給する反応ガス供給手段４と、反応後のガスを前記チャンバー２外に排出する反応ガス排出手段５と、を具備するエピタキシャル成長装置１において、前記サセプタ３の裏面側を覆うカバー９１を配設する。 （もっと読む）

【課題】全表面でイエロー発光が少なく、導電性を有するＧａＮ結晶自立基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶自立基板は、ＨＶＰＥ法により、結晶側面を除く結晶成長面として、（０００１）面と｛１０−１１｝面および｛１１−２２｝面の少なくともいずれかの面とが混在する状態で成長させたものであり、（０００１）面成長結晶領域において炭素濃度が５×１０¹⁶個／ｃｍ³以下かつ珪素濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以上２×１０¹⁸個／ｃｍ³以下かつ酸素濃度が１×１０¹⁷個／ｃｍ³以下であり、｛１０−１１｝面および｛１１−２２｝面の少なくともいずれかの面を結晶成長面として成長したファセット結晶領域において炭素濃度が３×１０¹⁶個／ｃｍ³以下かつＳｉ濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以下かつ酸素濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以上５×１０¹⁸個／ｃｍ³以下である。 （もっと読む）

【課題】膜応力の制御が可能なシリコン元素を有する薄膜の作製方法を提供することを目的の一とする。さらに、このシリコン元素を有する薄膜の作製方法を用いて、歩留まりを向上させることができるトランジスタの作製方法を提供することである。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置内の反応室の内壁を加熱して、反応室内壁に吸着している不純物を放出させる。次いで、反応室の内壁を加熱し続けしながらフッ素化合物ガスを用いたプラズマまたは反応室内の排気によって、反応室内壁に吸着している不純物および反応室内に残留している不純物を除去した後、反応室の内壁を加熱し続けしながらシリコン元素を有する薄膜を形成する。また、前記シリコン元素を有する薄膜を用いてトランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】薄膜形成の再現性を向上させる。
【解決手段】薄膜形成装置は、第１のサセプタに支持された被処理基板を搬送する搬送アームが設置された搬送室と、前記搬送室に連結され、前記搬送アームによって搬送された前記被処理基板に処理を施すことが可能な複数の処理室と、前記搬送室に連結され、前記第１のサセプタの表出面を覆う第２のサセプタを前記第１のサセプタに着脱することが可能なサセプタ交換室と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ｐ型層を形成する際に混入するＳｉによって発生する順方向電圧（Ｖｆ）の不良を従来より低減させ、順方向電圧が良好なエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、化合物半導体からなる基板上に、ハイドライド気相成長法によってｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記ｐ型層をエピタキシャル成長を開始する前の前記基板の昇温時に、ｐ型ドーパントガスを前記ｐ型層のエピタキシャル成長時より多く流すことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ｐ型層を形成する際に混入するＳｉによって発生する順方向電圧（Ｖｆ）の不良を従来より低減させ、順方向電圧が良好なエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、化合物半導体からなる基板上に、ハイドライド気相成長法によってｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記ｐ型層のエピタキシャル成長を開始する前の前記基板の昇温時に、ＨＶＰＥ炉内に窒素ガスを流すことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】バイアスパワーを印加して成膜した窒化珪素膜から離脱する水素を適正に制御する半導体素子の窒化珪素膜、窒化珪素膜の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理により基板１９上に形成され、半導体素子に用いる窒化珪素膜において、当該窒化珪素膜が、水素の供給を遮断したい膜４１と接する場合、当該窒化珪素膜を、基板１９にバイアスを印加して形成したバイアス窒化珪素膜３１と基板１９にバイアスを印加しないで形成したアンバイアス窒化珪素膜３２とを積層して構成すると共に、アンバイアス窒化珪素膜３２を膜４１に接する側に配置する。 （もっと読む）

【課題】Ｈａｚｅ、表面粗さなどの表面品質が改善された、（１１０）基板を用いたシリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン単結晶ウェーハの表面にシリコンホモエピタキシャル層を成長させたシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、少なくとも、（１１０）面を＜１１２＞方向に０．１°以上、８°以下の範囲で傾斜させた面方位を持つシリコン単結晶ウェーハを準備する工程と、該準備したシリコン単結晶ウェーハの表面にシリコンホモエピタキシャル層を成長させる工程とを有することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡便にＡｌＮ半導体を製造することができると共に、ＡｌＮの成長速度をより広い範囲で制御することが可能であり、尚且つ、不純物の混入のおそれを可及的に排除して、結晶性に優れた電子デバイス用のＡｌＮ半導体が得られるＡｌＮ半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】III族元素以外の不純物成分の合計が０．００１重量％以下である無水塩化アルミニウムを加熱して昇華又は気化させた塩化アルミニウムガスとＮＨ₃ガスとをハイドライド気相成長法により反応させ、基板上にＡｌＮを結晶成長させる電子デバイス用のＡｌＮ半導体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】太陽電池基板の自然酸化膜除去処理を、太陽電池の製造工程の中で高いスループットで行うことができる方法を提供する。
【解決手段】平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いて太陽電池基板の表面に反射防止膜を成膜する方法であって、処理用ガス供給装置から第１処理用ガスを供給するとともに高周波電力源から高周波電極に第１周波数の高周波電力を印加し、高周波電極と基板電極との間に窒素イオンを含むプラズマを発生させ、この窒素イオンによって太陽電池基板の酸化膜を除去する除去工程と、処理用ガス供給装置から第２処理用ガスを供給するとともに高周波電力源から高周波電極に第２周波数（＞第１周波数）の高周波電力を印加し、高周波電極と基板電極との間に太陽電池基板表面に反射防止膜を成膜するプラズマを発生させ、このプラズマによって太陽電池基板表面に反射防止膜を成膜する成膜工程とを連続して行う。 （もっと読む）

【課題】凝固しやすい金属材料をシャワーヘッドや配管の壁面に付着させることなく効果的に反応炉へ導入し、効果的なドーピングを行うことのできる気相成長装置、気相成長方法、および半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｖ族原料ガス導入配管４２の内径（Ｗ１）をＩＩＩ族原料ガス導入配管４４の外径（Ｗ２）より大きくし、Ｖ族原料ガス導入配管４２の内部に、ＩＩＩ族原料ガス導入配管４４が１対１で挿入されている構造とすることで、ＩＩＩ族原料ガス導入配管４４が冷却機構から冷却されることを防ぎ、配管壁面への金属材料の凝固を抑制している。 （もっと読む）

【課題】不純物汚染を十分に抑制しながら、低コストで、生産性良く気相成長を行うことができる気相成長装置及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置１０の反応チャンバー１２内に配設されたサセプタ１７のウェーハＷの載置面が、原料ガスから生成された厚さ６〜２０μｍのポリシリコン膜で被覆され、かつ、前記気相成長装置１０を構成する部材のうち前記反応チャンバー１２内に露出した金属部材の表面が、原料ガスから生成された反応副生成物からなる膜で被覆された反応チャンバーを具備する気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】処理室内の雰囲気を排気する真空ポンプが動作する際に、排気管内に存在する大気が、処理室内に拡散や逆流することを抑制し、処理室内を汚染することを抑制することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容し処理する処理室と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給管と、処理室内から処理ガスを排気する排気管と、基板処理を制御する制御部とを備えた基板処理装置であって、前記排気管には、処理ガスの排気される方向において、上流側より順に、開閉弁と、排気管内の圧力を検出する圧力計と、処理室内の雰囲気を排気する排気装置とが設けられ、前記制御部は、前記圧力計の検出値が所定の閾値以下であり、かつ、排気装置が動作中である場合に、前記開閉弁を開放可能とするよう制御する。 （もっと読む）

【課題】チャネル層のキャリア濃度が増大することを避けてリークを低減できる構造を有する、窒化物電子デバイスを提供する。
【解決手段】半導体積層１５の斜面１５ａ及び主面１５ｃは、それぞれ、第１及び第２の基準面Ｒ１、Ｒ２に対して延在する。半導体積層１５の主面１５ｃは六方晶系III族窒化物のｃ軸方向を示す基準軸Ｃｘに対して５度以上４０度以下の範囲内の角度で傾斜すると共に、第１の基準面Ｒ１の法線と基準軸Ｃｘとの成す角度は第２の基準面Ｒ２の法線と基準軸Ｃｘとの成す角度より小さいので、チャネル層１９の酸素濃度を１×１０^１７ｃｍ^−３未満にすることができる。これ故に、チャネル層１９において、酸素添加によりキャリア濃度が増加することを避けることができ、チャネル層を介したトランジスタのリーク電流を低減できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ge含有ガスを供給してEpi−SiGe等の成膜処理をする場合に、基板界面の酸素濃度上昇を抑え、良好な膜を形成することができる基板処理装置を提供することを課題としている。
【解決手段】基板に成膜処理をする際に、ステップＳ１８においてEpi−SiGe成膜処理を行う前に、ステップＳ１３においてSiコーティング処理を行う。 これにより基板支持体に付着したGeO等の酸化物をコーティングで封じ込めることができ、GeOから脱離した酸素がEpi−SiGe膜のＳｉ基板との界面に取り込まれるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマの回り込みを効果的に抑制して被処理基板の意図しない部分に膜が成膜されることを防止することのできるインライン型プラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】インライン型プラズマ成膜装置１Ａは、搬送路４上において被処理基板１００を搬送する複数の搬送ローラ３と、被処理基板１００の上面に面するようにプラズマを生成することで被処理基板１００の上面に膜を成膜するプラズマ生成部と、被処理基板１００の下面に膜が成膜されることを防止する成膜防止部材５とを備えている。成膜防止部材５は、プラズマが生成される領域に搬送路４を挟んで対面する領域でかつ搬送ローラ３が位置する部分を除く領域を上方から見て実質的に満たすように配置され、被処理基板１００の下面に対面するように設けられた平面状の成膜防止面５ａを含み、当該成膜防止面５ａの幅は、被処理基板１００の幅よりも大きく構成されている。 （もっと読む）