【課題】高いＰＬ発光強度を安定して得ることが可能な窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体発光素子の製造方法では、ガス供給管２１およびリアクタ２２にＭｇが残留している状態下において、ガス供給管２１をベーキングして真空置換する工程、リアクタ２２をベーキングして真空置換する工程、および、リアクタ２２の内壁上にコート膜３１を形成する工程の全てを行うことによって、活性層４のエピタキシャル成長時に、活性層４にドープされてしまうＭｇの濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に回転テーブル上の基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成するにあたり、基板の表面に形成された凹部内に薄膜を良好に埋め込むこと。
【解決手段】ウェハＷを載置した回転テーブル２を鉛直軸回りに回転させることによって、ウェハＷの表面に第１の反応ガスを供給してこの反応ガスを吸着させ、次いでこの第１の反応ガスと反応して流動性を持つ中間生成物を生成する補助ガス及びこの中間生成物と反応して反応生成物を生成する第２のガスをこの順番でウェハＷの表面に供給し、その後ウェハＷを加熱ランプ２１０により加熱して反応生成物を緻密化する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザダイオード（ＬＤ）などのデバイスを製造するための基板の前処理のための装置および方法に関する。本発明の一実施形態は、酸化アルミニウム含有基板の面をアンモニア（ＮＨ_３）およびハロゲンガスを含む前処理ガス混合物に暴露することにより酸化アルミニウム含有基板を前処理することを含む。
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【課題】真空容器内にてテーブルの周方向に沿って複数の半導体ウェハを配置し、２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給して成膜するＡＬＤにおいて面内均一性高く成膜処理を行うこと。
【解決手段】ＡＬＤを行う成膜装置１０１と、アニール処理を行う熱処理装置１０２と、を真空搬送室１０３に気密に接続すると共に、真空搬送室１０３内に自転機構である回転ステージ１３２を設ける。そして、ウェハに対してＢＴＢＡＳガスを供給してこのガスを吸着させ、次いでＢＴＢＡＳガスと反応して流動性を持つシロキサン重合体を生成するエタノールガス及びこのシロキサン重合体を酸化するＯ3ガスをこの順番で供給して成膜処理を行うと共に、この成膜処理の途中で成膜装置１０１からウェハを取り出して、基板を回転させてその向きを変更し、またアニール処理を行って反応生成物を緻密化する。 （もっと読む）

【課題】導電層の形成を抑制することで特性悪化を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉからなる基板上に、構成元素としてＧａを含まず、かつＧａ不純物濃度が２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のＡｌＮ層を形成する第１工程と、前記第１工程を複数回繰り返した後、ＡｌＮ層の成長に使用した成長装置を用いて、ＡｌＮ層上に構成元素としてＧａを含む窒化物半導体からなるＧａＮ層を形成する第２工程と、を有する半導体装置の製造方法。また、第１工程と第２工程とを別の装置を用いて実施してもよい。 （もっと読む）

【課題】成膜ガス供給ノズル内壁におけるＳｉ薄膜の形成を抑制する。
【解決手段】処理室２０１内に設けられたコーティングガス供給ノズル２８０ｂによりコーティングガスを供給して処理室内の石英部材をコーティングし、処理室内に設けられた成膜ガス供給ノズル２８０ａにより成膜ガスを供給して基板上にエピタキシャル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の全表面にわたって均一な厚みを有しかつ品質の安定したＳｉ₃Ｎ₄へテロエピタキシャルバッファ層を容易にかつ安価に作製する作成方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板を表面再構成可能に清浄化処理し、次いで、前記清浄化処理したシリコン基板上に、誘導結合プラズマ方式のＲＦ（高周波）高輝度（ＨＢ）放電により生成した解離窒素原子フラックスおよび励起窒素分子フラックスを照射して表面界面反応によりＳｉ₃Ｎ₄単結晶膜をエピタキシャル成長させること。 （もっと読む）

【課題】基板への熱ダメージやサーマルバジェットの増大を防止しつつ基板と薄膜との間に低酸素・炭素密度で高品質な界面を形成する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板を反応炉内に搬入するステップと、前記反応炉内で前記基板に対して前処理を行うステップと、前記反応炉内で前記前処理がなされた前記基板に対して本処理を行うステップと、前記本処理後の前記基板を前記反応炉より搬出するステップとを有し、前記前処理ステップでは、前記反応炉内にシリコン原子を含むガスと、塩素原子を含むガスとを別々に供給する。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化したときにおいても、シャワープレートの付着物に起因するガス吐出孔の目詰まり、被処理基板の成長層への不純物混入を抑制するとともに、安価にカバープレートを作製する。
【解決手段】本発明のカバープレートユニット４０は、ガス通過孔Ｈ２を有する中心プレート４１と、中心プレート４１を載置するための載置部が形成された周辺プレート４２と、周辺プレート４２を保持するリング部材４４とを備え、周辺プレート４２は、中心プレート４１の周辺に配された複数のプレート片４２ａに分割されている。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリングシンクを短時間で容易に形成できるとともに、ゲッタリングシンクの形成時に重金属汚染の懸念がない固体撮像素子用エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】多光子吸収工程によってゲッタリングシンク４を形成した後で、シリコンウェーハ２を鏡面研磨する（ポリッシング工程：図４（ｂ）参照）。シリコンウェーハ２を鏡面研磨するポリッシング工程によって、前工程である多光子吸収工程においてレーザビームの照射により生じたシリコンウェーハ２の一面２ａの微細な傷（アブレーション）は完全に除去される（図４（ｂ）参照）。 （もっと読む）

【課題】効率的な製造工程を提供し、製造コストを低減することができる半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造装置１００は、ウェハカセット２，３，４と、ウェハの洗浄および表面改質を行う装置５と、ウェハの位置合わせを行う装置６と、ウェハ表面にパッシベーション膜となる材料を射出する装置７と、パッシベーション膜の外観検査を行う装置８と、パッシベーション膜に熱処理を行う装置９と、処理順にウェハを各装置に搬送する装置１０を備えている。製造装置１００では、インクジェット技術を用いて、洗浄後のウェハ表面に、選択的にパッシベーション膜のパターンを形成する。次いで、パッシベーション膜のパターンが、所望のパターン条件を有しているか否かを検査する。パッシベーション膜が所望のパターンで形成されている場合に、パッシベーション膜を硬化および焼成する熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１と、真空容器１１の壁の内面１１１Ａと外面１１１Ｂの間に配置された高周波アンテナ２１と、前記高周波アンテナ２１と前記真空容器１１の内部を仕切る誘電体製の仕切材１６と、を備える。これにより、外部アンテナ方式よりも強い誘導電磁界を真空容器１１内に形成することができる。また、仕切材１６により、真空容器１１内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ２１がスパッタされることや高周波アンテナ２１の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】より高い誘電率を有する高誘電率絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板上に高誘電率絶縁膜を形成する工程Ｓ１０６と、前記高誘電率絶縁膜に対し真空下で熱処理を施す工程Ｓ１１０と、熱処理後の前記高誘電率絶縁膜が室温となるまでの間、前記高誘電率絶縁膜が存在する空間の酸素分圧を、前記熱処理時に前記高誘電率絶縁膜が存在する空間の酸素分圧と同等もしくはそれ以下に保持する。 （もっと読む）

【課題】改良されたガス輸送装置を提供する。
【解決手段】ガス供給源を含むベッセル、始端と、使用のポイントへのガスの輸送に適合した終端とを有するピグテール導管、第一端と、ボディーセクションと、第二端とを有するサージチャンバーであって、前記第一端は前記ピグテール導管の始端と連絡されており、前記サージチャンバーの前記ボディーセクションは前記ピグテール導管の断面よりも大きい断面を有し、第二端は前記ガス供給源を含む前記ベッセルと連絡されている、サージチャンバー、前記ピグテール導管内で、前記終端からガス供給源を含むベッセルに向かう方向へのパージガスの輸送のためのパージガス供給源であって、前記パージガスでの前記ピグテールの加圧の交互サイクルの間に用いられるパージガス供給源、及び、前記ピグテール内に保持された不純物ガスの除去を可能にする、前記ピグテール導管内の脱圧源を含む、ガスを輸送するための装置。 （もっと読む）

【課題】処理室内壁等へのダメージを抑制しつつ、高誘電率膜中へのボロンの混入を抑制する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室２０１内に基板２００を搬入する工程と、処理室２０１内に処理ガス２３２ａ，ｂを供給して基板２００上に高誘電率膜を形成する処理を行う工程と、処理後の基板を処理室２０１内から搬出する工程と、処理室２０１内にボロンを含むハロゲン系ガス２３２ｃを供給して処理室２０１内に付着した高誘電率膜を含む堆積物を除去し処理室２０１内をクリーニングする工程と、処理室２０１内に酸素系ガス２３２ｄを供給してクリーニング後に処理室内に残留するボロンを除去もしくは固定する工程とを有する。 （もっと読む）

本明細書では、界面汚染を低減した層の堆積方法を開示する。発明の方法は、有利には、堆積させた層間の汚染、例えば堆積させた層とその下にある基板または膜との間の界面の汚染を減少させる。幾つかの実施形態では、層の堆積方法は、第１の層が上に配置されたシリコン含有層を還元性雰囲気中でアニールすることと、アニールの後で、シリコン含有層を露出させるエッチングプロセスを使用して第１の層を除去することと、露出したシリコン含有層の上に第２の層を堆積させることとを含むことができる。
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【課題】 少なくともＧａを含むｐ型の窒化物半導体層を有する発光素子において、個々の発光素子におけるｐ型の窒化物半導体層の電気抵抗にばらつきを生じ難くする。また、少なくともＧａを含むｐ型の窒化物半導体層をより低抵抗化することができる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る発光素子１は、少なくともガリウムを含む窒化物半導体で形成されたｐ型半導体領域を有しており、このｐ型半導体領域におけるコンタクト層１９内の水素原子濃度が略一定であることを特徴とする。また、本発明に係る発光素子１の製造方法は、少なくともガリウムを含む窒化物半導体で形成されたｐ型半導体領域を有する半導体積層部５を直流電界中に曝しつつ酸素プラズマ雰囲気中に曝すことによって、ｐ型半導体領域内の水素原子を引き抜く工程を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面洗浄を確実に行うことができる洗浄方法、塗布方法、現像方法及び回転処理装置を提供する。
【解決手段】一方面に基板１を周縁部が突出した状態で保持すると共に、前記一方面３の面内方向で回転される回転部材２１と、前記回転部材２１に設けられて洗浄液１００を前記基板１の前記回転部材２１に保持された保持面２側に供給する洗浄ノズル２６と、前記洗浄ノズル２６に前記洗浄液１００を供給する洗浄液供給部２７と、を具備する回転保持治具２０を用いて、前記基板１を回転させながら前記洗浄ノズル２６から前記基板１の前記保持面２ａに前記洗浄液１００を供給して、前記基板１の前記保持面２ａを洗浄する。 （もっと読む）

【課題】 量産に適した、コンタミの少ない、組成制御された、ち密で、欠陥、粒界の極めて少ない、深さ方向に構造制御された、良好な絶縁特性を持つ絶縁膜の提供。
【解決手段】 Ｏ、Ｎ及びＦから選ばれた少なくとも１種を含む気体状分子を該基板表面に供給し、吸着させた後排気する第１の工程の後に、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、又はＴｉを含む気体状分子を基板表面に供給し、吸着させた後排気する第２の工程を行い、その後にＡｒを導入した後排気する第３の工程を行い、前記第１〜第３の工程を１つのサイクルとして、このサイクルを複数回行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に複数のエピタキシャル層を備えたエピタキシャルシリコンウェーハであっても、半導体デバイスの形成後に汚染された重金属を確実にデバイスの形成領域から除去可能なエピタキシャルシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】第一エピタキシャル層１２には、ボロン（Ｂ）濃度が２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、５．５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の第一のゲッタリング領域１５を、第二エピタキシャル層１３には、カーボン（Ｃ）濃度が１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の第二のゲッタリング領域１４をそれぞれ形成した。 （もっと読む）