【課題】本発明は、ウェーハの汚染を抑え、半導体装置の高性能化や信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハが導入される反応炉と、反応炉にプロセスガスを供給するためのガス供給機構と、反応炉よりガスを排出するためのガス排出機構と、ウェーハを載置するウェーハ支持部材と、ウェーハを所定の温度に加熱するためのヒータエレメントと、このヒータエレメントと一体成型されたヒータ電極部とを有するヒータと、ヒータ電極部と接続され、ヒータ電極部に電圧を印加するための電極部品と、電極部品を固定するためのベースと、ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構と、を備え、ヒータ電極部と電極部品との接続部の少なくとも一部が、ベースの上面より下部に配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容器が加熱された場合でも、装置内の雰囲気の気密性を保持することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器２の容器突出部２ａと蓋体３の蓋体突出部３ａとの接触面には、Ｏリング４、５が環状に二重に設けられている。容器突出部２ａには、Ｏリング４、５の間に形成された隙間６に、不活性ガスを流入させるためのガス流入口７と、その不活性ガスを隙間６から流出させるためのガス流出口８が形成されている。ガス流入口７とガス流出口８は、対向して形成されている。ガス流入口７から流入した不活性ガスは流出口８に向かって流れ、隙間６内に充満する。この隙間６内に充満した不活性ガスの層によって、処理容器２内の気密性が保持される。 （もっと読む）

【課題】何らかの処理を行う処理装置のチャンバ内部で、機械的な駆動機構を用いることなく物体を回転させることができる新規なチャンバ内基体回転装置と方法を提供すること。
【解決手段】内部が所定の処理雰囲気に保持されるチャンバ４と、チャンバ４内部に回転自在に配置されるサセプタ８と、チャンバ４の外部に配置され、サセプタ８に対して高周波の電磁場を作用させて、サセプタ８を回転させるモーメントを発生させる高周波コイル２０と、を有する。サセプタ８は、基体本体１６と、その表面を覆う被膜１８とを有する。 （もっと読む）

【課題】製造装置内の気密性の低下を抑制した単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶体の製造方法は、気相成長法による単結晶の製造方法であって、窒素含有ガスとＩＩＩＢ族元素のハロゲン化水素とを種基板上３ａに供給して、前記窒素含有ガスと前記ＩＩＩＢ族元素のハロゲン化水素とを種基板上３ａで反応させる工程と、前記工程の後に流されたガスを排気管１４に導入し、前記窒素含有ガスとハロゲン化水素ガスとが反応することで発生する化合物の気化温度よりも高い温度にて、前記ガスを前記排気管の内部に設けたヒータ１６で加熱させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】薄膜への不純物の混入をできるだけ防止し得る薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内に設けられて薄膜を形成するための基板Ｋを水平面内で回転させる回転ステージ２と、真空容器１内の基板に２種類の原料ガスの超音速分子線Ｍを略９０度の交差角でもって供給する第１及び第２分子線発生装置4A，4Bと、超音速分子線Ｍにそれぞれ励起用のレーザ光Ｒ１を照射する第１及び第２レーザ照射装置5A，5Bと、回転ステージ２の基板Ｋ表面の前方位置に配置されて各超音速分子線Ｍの交差領域に生成した反応生成物を選択し通過させるためのピンホール3aが形成された生成物選択部材３とから構成すると共に、予め検出されている反応生成物の散乱角を入力して反応生成物が生成物選択部材３のピンホール3aを通過するように回転ステージ２の回転位置を制御するようにしたもの。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長において、裏面デポジションの成長を抑えることにより、得られるエピタキシャルウェーハの平坦度を向上させるエピタキシャルウェーハ用サセプタ、およびその製造方法、並びにそれを用いたエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長に用いられ、その表面にポリシリコンコートが０．５〜２．０μｍの膜厚で形成されたサセプタ３であって、前記ポリシリコンコートのグレーンサイズが０．７μｍ〜０．３μｍであることを特徴とするエピタキシャルウェーハ用サセプタ３、およびそれを用いたエピタキシャル成長装置。また、エピタキシャルウェーハ用サセプタの製造方法であって、表面を洗浄した後、シリコンソースガスとしてトリクロロシランを用い、１１４０℃〜１２００℃の加熱雰囲気中でポリシリコンコートを形成することを特徴とするエピタキシャルウェーハ用サセプタ３の製造方法。 （もっと読む）

【課題】吸着面に付着した不純物に起因して吸着力が低下した静電チャックを、簡単な構成により不純物を除去して吸着力を再生することができ、安定して真空処理を行うことが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の真空処理装置１は、真空チャンバ３と、前記真空チャンバの内部に配され、基板Ｓを静電気によって吸着する静電チャック用の電極、及び該基板を加熱する加熱機構を有する基板保持手段４と、前記基板保持手段の吸着面に対してＵＶ光を照射し、該吸着面に付着した不純物を除去するＵＶ照射手段９０と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高品質なエピタキシャルウェハの製造が可能な表面に保護膜が形成された窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板を空気または酸素を含む雰囲気中で熱処理するか、あるいは、窒化物半導体基板の表面を酸素プラズマに暴露することにより、窒化物半導体基板表面に、主成分が酸化ガリウムおよび/または酸化インジウムで、表面粗さの２乗平均値が5nm以下である保護膜が形成される。前記保護膜は基板表面への汚染物質の付着を防ぐとともに、水素雰囲気中1200℃以下の温度に保持するだけで簡単に除去できるので、汚染物質に起因するエピタキシャル成長膜の異常成長や結晶欠陥の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の不純物による汚染を防止するために基板の搬送環境を整える。
【解決手段】基板を予備室１から搬送室３を介して処理室２に搬送する工程と、処理室内で基板を処理する工程と、処理済基板を処理室２から搬送室３を介して予備室１に搬送する工程とを有し、基板を搬送する各工程では、基板の存在する室に連通する室の全てに対して、不活性ガスを供給しつつそれぞれの室に接続された排気系の全てより真空ポンプを用いて排気する。 （もっと読む）

【課題】弾性シール部材を透過して処理容器内に侵入する酸素や水素成分を減らすことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２００を処理する処理容器２０３と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内を排気する排気部と、前記処理容器内でプラズマを生成させるプラズマ生成部と、を有し、前記処理容器は複数の部材で構成されると共に、前記各部材間は弾性シール部材３０２で密閉されており、前記処理容器の外部には、前記弾性シール部材による密閉部の外周側を不活性ガス２７６雰囲気に保つ不活性ガス雰囲気形成部２７５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】リアクタの金属汚染を低減し、歩留まりを向上させる半導体基板処理方法を提供する。
【解決手段】リアクタ２、その内部に設けられた支持体４、及び支持体４と対向して平行に設けられたシャワープレート６を備える基板処理装置１を用いて、半導体基板３を処理する方法は、リアクタ２の内壁面、支持体４の露出面及びシャワープレート６の露出面にプリコート膜を形成する工程と、プリコートした支持体４上に半導体基板３を載置する工程と、半導体基板上に低誘電率の薄膜を形成する工程とを含み、プリコート膜の弾性係数は少なくとも３０ＧＰａである。 （もっと読む）

【課題】炉口部を非金属製とし、基板処理中の基板の金属汚染を防止すると共に、シール部に設けられる密閉部材の温度上昇を抑制、特にウェーハチャージ時に於ける前記密閉部材の温度上昇を抑制し、又該密閉部材の劣化、焼損を防止し、長寿命化を図る。
【解決手段】少なくとも下端であって外側に突出た鍔部４４と筒状に形成された筒部４３とを有し基板を内部で処理する反応管と、該反応管を加熱する加熱装置と、前記鍔部に連設され非金属部材で構成されるマニホールド１２と、前記鍔部と前記マニホールドとの間に設けられる密閉部材５５と、前記反応管を前記鍔部にて支持しつつ前記反応管の前記筒部の外周面に迄延在した支持部４６，４７，４８，４９と、該支持部に設けられ前記密閉部材を冷却する冷却部５１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】純物濃度が均一な半導体膜を化学気相成長により基板上に形成する化学気相成長半導体膜形成装置を提供する
【解決手段】サセプタ１は、ウェハ載置部１１及び固定突起１３により構成されている。ウェハ載置部１１の上面は、平面状に構成されている。ウェハ載置部１１の上面は、ＳｉＣウェハを載置するための載置面Ｐ１として機能する。固定突起１３は、各ＳｉＣウェハの外周面ＳＰ１〜３に沿うように３カ所に配置されている。これにより、サセプタ１では、従来のサセプタのようなザグリを設けなくとも、固定突起１３によって各ＳｉＣウェハを所定の位置に固定できる。従って、ザグリとＳｉＣウェハとの間に隙間が形成され、当該隙間によって原料ガスの流れが乱されるということがなくなる。よって、不純物濃度が均一な炭化珪素膜をＳｉＣウェハ上に形成できる。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された塗布膜を減圧雰囲気下で熱処理するにあたり、処理室内へのパージガスの供給量が少ない場合でも基板への昇華物の付着を抑制することができる熱処理装置を提供すること。
【解決手段】処理室２１の天井の中央部に、基板載置台３１と対向するように当該処理室２１にパージガスを導入するためのガス供給ノズル５１を設けて、処理室２１の底部に当該処理室２１内を減圧雰囲気とするための排気口６４ａ、６４ｂを設ける。また、処理室２１の中央部にウエハＷを水平に載置するための基板載置台３１を設けると共に、この基板載置台３１を加熱するヒータ３３を設けて、前記基板載置台３１の外縁から外方に突出し、当該基板載置台３１の周方向に沿って形成されると共に処理室２１の底面との間に空間を形成する整流部３４を設ける。 （もっと読む）

一般式：（Ｒ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｒ_４Ｒ_５Ｃｐ）_３＊Ｍ（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、及びＲ_５は、Ｈ、又は炭化水素Ｃ_ｎＨ_ｍ（ｎ＝１〜１０；ｍ＝１〜２ｎ＋１）であり；Ｃｐはシクロペンタジエニルであり；Ｍはランタニド系列又は第ＩＩＩ族材料からの元素である）を有する酸素を含まないシクロペンタジエニルの溶媒ベースの前駆体配合物。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対して処理を行う処理容器を備えた処理装置において、処理容器及び被処理体の金属汚染を防ぐこと。
【解決手段】被処理体に対して処理を行うための処理容器を備えた処理装置において、少なくとも一部が金属により構成され、ハロゲンを含む腐食性ガスを前記処理容器に供給するためのガス供給流路と、前記ガス供給流路における金属部分を通流した前記腐食性のガスに光エネルギー、熱エネルギー及び衝突エネルギーの少なくとも一つを供給して、前記腐食性ガス中のハロゲンと前記金属とを含む化合物を安定化させるためのエネルギー供給部と、このエネルギー供給部によりエネルギーが供給されて安定化した化合物を捕捉する捕捉手段と、を備えるように処理装置を構成し、前記化合物が処理容器に供給されることを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】雰囲気ガスの渦流を原因とするシリコンウェーハの外周部の不純物汚染を低減可能なシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハが支持リングを介して載置される遮蔽板の直径が、シリコンウェーハの直径より２０ｍｍ以上大径化し、各遮蔽板の上下間隔を５〜５０ｍｍとした。よって、シリコンウェーハの直径方向の外方で各遮蔽板の隙間に渦流緩衝空間が形成される。これにより、雰囲気ガスの渦流を原因とした炉壁から発生したニッケルなどの不純物によるシリコンウェーハの外周部の汚染を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で不純物の不活性化を抑制することの可能な半導体層の製造方法、不純物の不活性化が抑制された半導体層、簡易な方法で不純物の不活性化を抑制することの可能な半導体レーザの製造方法、および不純物の不活性化が抑制された半導体層を備えた半導体レーザを提供する。
【解決手段】上部ＤＢＲ層を形成したのち、結晶成長を完了した段階（時刻ｔ₁）で、ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＤＭＺの供給を停止すると共に、プロセス温度の降下を開始する。ＡｓＨ₃については、プロセス温度が５００℃以上となっている時に供給を停止する。このとき、ＡｓＨ₃に代わる新たなガス、例えば、有機Ａｓや窒素などを別途供給しない。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低くかつエッチング耐性に優れた窒化シリコン系絶縁膜を形成する。
【解決手段】基材上にシラン系ガス（ＤＣＳ）、窒化性ガス（ＮＨ３）及びホウ素含有ガス（ＢＣｌ３）を、Ｎ２パージを逐次行いながらこの順で供給してホウ素含有窒化シリコン層を形成する工程と、このホウ素含有窒化シリコン層に、プラズマにより活性化された窒化性ガス（活性化ＮＨ３）を供給する工程とを含み、これらの工程をこの順で繰り返し行う成膜方法。 （もっと読む）

【課題】新規な成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る成膜装置は、原料ガスの噴出口が設けられたガス導入管と、前記原料ガス中の原料を堆積させる基板が配置される基板配置場所と、前記噴出口と前記基板配置場所との間に設置された、前記原料ガス中に含まれる不純物の少なくとも一部を堆積させる堆積部材とを、処理室内に備えている。本実施形態に係る成膜方法は、処理室内に原料ガスを導入し、前記原料ガス中に含まれる不純物の少なくとも一部を基板に到達する前に堆積部材に堆積させ、前記基板上に前記原料ガス中の原料を堆積させる。 （もっと読む）