【課題】設置する場合に、建物内での設置の高さ制限が緩和された、またメンテナンスが簡単である成膜装置および気化器の設置方法を提供する。
【解決手段】成膜用液体材料供給系と、前記液体材料をキャリアガスと混合して気化させる気化器３０ａと、前記気化器３０ａから出る材料気化ガスを基板に流して膜を成膜させる成膜室４０ａと、前記気化器３０ａからのガスを、前記成膜室に供給する材料気化ガス供給配管５０ａとで構成される成膜装置であって、前記成膜室４０ａの側面と並行に、前記気化器４０ａが配置されことを特徴とする成膜装置とする。 （もっと読む）

【課題】簡素かつ安価な構成により、放電室と変換器との相互の位置決めを容易かつ正確に行うとともに、放電室の熱膨張による悪影響を排除し、高品質な真空処理を効率良く行う。
【解決手段】減圧容器４の内部に収容されたリッジ導波管からなるプロセス室２と、減圧容器４の外部から、減圧容器４に設けられた真空窓１５を介してプロセス室２に接続される変換器３Ａ，３Ｂとを有する製膜装置１であって、真空窓１５の両面に、プロセス室２の容器と変換器３Ａ，３Ｂの容器を、真空窓１５に対して定位置に位置決めするガイド板５１，５２を設けた。このガイド板５１，５２は、真空窓１５の両面に、プロセス室２と真空窓１５との間、および変換器３Ａ，３Ｂと真空窓１５との間におけるインピーダンスの急変を緩和させる、導電性のある反射波低減部材としても共用されている。 （もっと読む）

【課題】 多段に積層された基板の中心付近への処理ガスの供給を促進させる。
【解決手段】 積層された複数の基板を収容して処理する処理室と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、を備え、処理ガス供給系は、基板の積層方向に沿って延在し、内部を処理ガスが流れるノズル軸と、上流端がノズル軸の長手方向に沿って配列するようにノズル軸の胴部にそれぞれ接続され、下流側にノズル軸内を流れた処理ガスを分散させて供給するガス供給口がそれぞれ設けられ、上流端と前記ガス供給口との間の距離が、ノズル軸と基板の外縁との間の距離よりもそれぞれ長く構成されている複数のノズルと、を備える。 （もっと読む）

【課題】改良されたプラズマ均一性制御のための電気的な、ガス流の、及び熱的な対称性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理領域１０２を囲む蓋アセンブリ１１０及びチャンバ本体アセンブリ１４０と、チャンバ本体アセンブリ１４０内に配置された基板支持アセンブリ１６０と、チャンバ本体アセンブリ１４０によって排気領域１０４を画定する排気アセンブリ１９０であって、チャンバ本体アセンブリ１４０は処理領域１０２を排気領域１０４と流体接続する基板支持アセンブリ１６０の中心軸ＣＡの周りに対称的に配置された複数のアクセスチューブ１８０を含む。 （もっと読む）

【課題】基板へのダスト付着を抑制または防止して、高歩留まりで高品質な化合物半導体デバイスを製造する。
【解決手段】グローブボックス室内部にリアクタ３が内蔵された開閉自在なチャンバ５が設けられ、チャンバ５内のリアクタ３で基板４の表面に所定の材料膜を成膜する気相成長装置１において、グローブボックス室上部よりパージガスを導入してグローブボックス室下部のダストトラップ部８を介してその下部よりパージガスが排気されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】反応チャンバにおいて反応体メモリーを防止しながら、複数工程複数チャンバ化学気相堆積を行う方法を提供する。
【解決手段】第一気相堆積チャンバ２４において気相堆積を用いて基板上に半導体材料の層を堆積させる工程、次いで、堆積成長後及び前記チャンバ２４を開ける前に、前記第一堆積チャンバ２４中に残留している気相堆積原料ガスを減少させるために成長チャンバ２４から排気する工程を含む。第二堆積チャンバ２６から第一堆積チャンバ２４を分離して第一堆積チャンバ２４中に存在する反応体が第二堆積チャンバ２６における堆積に影響を及ぼさないようにしながら、また、成長停止効果を最小限に抑えるか又は排除する環境を維持しながら、基板を第二堆積チャンバ２６へと搬送する。搬送工程の後、異なる半導体材料の追加の層を、第二チャンバ２６において、気相堆積によって第一堆積層の上に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】排気口の周辺に生成物が付着し難い成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置は、反応ガスが供給されて成膜処理が行われる反応室と、反応室を構成するベースプレート１０１と、ベースプレート１０１の上に設置されてベースプレート１０１の全面を被覆するベースプレートカバー１０３とを有する。ベースプレート１０１には、反応室から余剰の反応ガスを排出する排気口６が設けられており、ベースプレートカバー１０３には、排気口６に勘合する形状と大きさを備えた貫通孔１０７が設けられている。反応ガスの下流側における貫通孔１０７の端面１０９は、排気口６の端面１１０より突出している。ベースプレートカバー１０３は、ベースプレート１０１と対向する面に突起部１０８を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高品質なエピタキシャル層をウェハの面上に安定して堆積成長させることが可能なエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に原料ガスを供給しながら、加熱されたウェハＷの面上にエピタキシャル層を堆積成長させるエピタキシャルウェハの製造装置１であって、天板３の下面に堆積物が堆積するのを阻止するように、天板３の下面に近接して配置された遮蔽板１２は、チャンバ内に着脱自在に取り付けられると共に、ガス導入口９を反応空間Ｋの内側に臨ませる開口部１２を中央部に有して、この開口部１２を中心に同心円状に複数のリング板１６，１７，１８に分割された構造を有する。 （もっと読む）

【課題】高品質なエピタキシャル層をウェハの面上に安定して堆積成長させることが可能なエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に着脱自在に取り付けられると共に、天板３の下面に堆積物が堆積するのを阻止するように、天板３の下面に近接して配置された遮蔽板１２は、ガス導入口９を反応空間Ｋの内側に臨ませる開口部１３を中央部に有する基材１２ａと、この基材１２ａの下面を被覆する薄膜１２ｂとを有し、薄膜１２ｂの表面は、基材１２ａの下面に形成された微細な凹凸を反映した凹凸形状を有し、加熱手段８により加熱されて遮蔽板１２が熱変形したときに、凹凸形状によって遮蔽板１２の下面に堆積した堆積物の脱落が抑制される。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が低いＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びにＳｉＣエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を有するＳｉＣエピタキシャルウェハであって、前記ＳｉＣエピタキシャル層に存在する、チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が０．５個／ｃｍ^２以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】内部チャンバ内へのパージガスの流入を抑制し、半導体基板上にエピタキシャル層を安定して形成できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】原料ガス及びパージガスを供給して、半導体基板上に原料ガスを主成分とする結晶を成長させる半導体製造装置であって、半導体基板を搬入搬出するための第１の開口が形成された外部チャンバと、第１の開口を開閉自在に閉塞する弁体と、半導体基板を搬入搬出するための第２の開口が形成された部材を含む複数の部材から構成され、複数の部材のうち、互いに隣り合う部材間の隙間の少なくとも一部が覆われた状態で外部チャンバ内に配置された内部チャンバと、内部チャンバ内に配置され、半導体基板を上面に載置して温調するサセプタと、原料ガスを内部チャンバ内へ供給し、パージガスを外部チャンバと内部チャンバとの間に供給するガス供給部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高温処理においても、サセプタ変形を抑制することができる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板が載置された載置体と、前記載置体が複数支持された載置体支持具と、前記載置体支持具が収容される反応管と、前記反応管の外側に設けられ、前記反応管内に収容された基板を加熱する加熱部とを備え、前記載置体の、前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面が、同じ粗さに表面加工されるように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】断熱材の断熱性能を向上させるとともに断熱材の厚みの増加を抑える。
【解決手段】熱処理炉２は被処理体Ｗを収容して熱処理するための処理容器３と、該処理容器３の周囲を覆う断熱材１６と、断熱材１６の内周面に設けられ被処理体Ｗを加熱するヒータ５とを備えている。断熱材１６は通常の断熱材料からなる内側断熱材１６ａと、圧縮された微粉シリカ材からなる外側断熱材１６ｂとを有し、外側断熱材１６ｂの外面は飛散防止材１６ｃにより覆われている。 （もっと読む）

【課題】厚みと組成の均一な膜を形成しやすい成膜装置を提供する。
【解決手段】大気圧下においてプラズマＰを生成する。このプラズマＰを被処理物Ｗの表面に膜原料を付着させて成膜する成膜装置Ａに関する。前記膜原料を含有する成膜ガスＣＧを流通させる第１流路５。プラズマ生成ガスＰＧを流通させる第２流路９。前記プラズマ生成ガスＣＧに電界Ｅを印加してプラズマＰを生成させるための電極３。前記第１流路５と前記第２流路９とを合流させるための合流部１４。前記合流部１４から前記膜原料を放出させるための放出口１１とを備える。前記第１流路５から前記合流部１４への前記成膜ガスＣＧの流入方向と、前記合流部１４での前記プラズマＰの流通方向とが略平行となるように前記第１流路５が前記第２流路９内に形成され、前記第１流路５から前記合流部１４への前記成膜ガスＣＧの流入速度が、前記合流部１４での前記プラズマＰの流速よりも高速である。 （もっと読む）

【課題】発生したプラズマ励起ガスを効率的に取り出すことができる、簡易な構成のプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置は、電極セルと、当該電極セルに交流電圧を印加する電源部１７と、前記電極セルを囲繞する筐体と、当該筺体外部から前記電極セルの外周部へと原料ガスを供給する原料ガス供給部とを、備えている。前記電極セルは、低圧電極１と高圧電極３と誘電体２ａ，２ｂとを備え、誘電体バリア放電空間６を有し、貫通口ＰＨを有するドーナツ形状である。また、プラズマ発生装置は、貫通口ＰＨの内部に配設されている円筒形状の側面部に噴出孔２１ｘを有する絶縁筒部２１と、絶縁筒部２１の空洞部２１Ａ内の圧力を減圧する、減圧装置とをさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】膜上に付着し又は膜中に埋没したＳｉＣパーティクル等が低減されたＳｉＣエピタキシャル膜を作製することができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＶＤ装置は、ウェハを水平に載置するウェハ載置部材と、該ウェハ載置部材に対向してその上方に配置する加熱部材と、該加熱部材の材料よりも膜材料の付着性が高い材料からなり、前記加熱部材と前記ウェハ載置部材との間に前記加熱部材に近接して配置して気相中から前記加熱部材へのガスの堆積を遮る遮蔽部材と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】異なる処理を含む一連の処理工程において他の処理からの影響を抑制することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハを載置する載置部を四つ備え移動する回転トレーと、ウエハを処理する第一のガスを供給する第一のシャワーヘッドと、ウエハを処理する第二のガスを供給する第二のシャワーヘッドと、回転トレーの移動を抑制する制御部と、を有し、制御部は、第一のシャワーヘッドと載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第一の処理室と、第二のシャワーヘッドと載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第二の処理室と、を形成するように制御する。 （もっと読む）

【課題】ＣＩＳ系太陽電池の光吸収層形成のためのセレン化又は硫化処理を行う基板処理装置において、ガラス基板の大型化に対応可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】銅−インジウム、銅−ガリウム、又は、銅−インジウム−ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数の基板を収納する処理室と、処理室を構成するように形成される反応管と、処理室にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入するガス供給管と、処理室内の雰囲気を排気する排気管と、反応管を囲うように設けられた加熱部と、複数のガラス基板の表面において、複数のガラス基板の短辺方向に前記処理室内の雰囲気を強制対流させるファンと、を具備する基板処理装置である。 （もっと読む）

【課題】隣接する装置の高さに拘らず装置間の隙間を充填可能とし、装置間の振動を緩和する振動緩和材を提供する。
【解決手段】直方体形状の頭部と、該頭部の一面より突出する突出部とを有する振動緩和材１であって、隣接する装置２，間に形成される間隙３に前記突出部又は前記頭部の一縁部を挿入可能とした。 （もっと読む）