【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、多重の渦形のスパイラルコイル３が第一石英板４に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。第二石英板５及び第三石英板６に囲まれた長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、スパイラルコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】成膜ガスの加熱効率を向上させ、成膜ガスを処理基板と同等の温度まで加熱することができるガス導入路を提供することを課題とする。
【解決手段】ガス供給管３４０を流れてきたガスは、ガス予備加熱筒３６０のガス導入口３４２からガス予備加熱筒３６０内のガス流路３７４に流入する。ガス流路３７４を流れるガスが、ガス予備加熱筒３６０のガス導出口３６４へ到達するまでの間に、電磁誘導コイル２０７が誘導加熱したインナーチューブ３５０が、ガス予備加熱筒３６０を加熱し、ガス流路３７４を流れるガスは均一に加熱される。 （もっと読む）

【課題】 製品コストを低減でき、かつ、メンテナンスの省力化、短時間化を促進できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板に対して処理を施す処理室と、複数のガスを処理室内に導入するガス導入部と、処理室上に配置され、複数のガスをガス供給機構からガス導入部に導く複数のガス流路と、これらガス流路のうちの少なくとも一本を流れるガスを加熱するヒーターとを内部に有するインレットブロック１３と、を具備し、ヒーターがロッドヒーター２３であり、インレットブロック１３がロッドヒーター挿入用孔１３ｃを有し、ロッドヒーター２３が、ロッドヒーター挿入用孔１３ｃに挿入されている。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッドの反りを防止することが可能な結晶成長装置および結晶成長方法を提供する。
【解決手段】結晶成長装置１において、シャワーヘッド２０は、前面部２１と、冷却層２３と、ガス供給層２５とを含む。前面部２１は、基板ＳＵＢに対向して設けられ、原料ガスを基板ＳＵＢに吐出する複数の吐出孔を有する。冷却層２３は、前面部２１の上に積層して設けられ、冷媒が流れる冷媒通路を有する。ガス供給層２５は、冷却層２３の上に積層して設けられ、導入された原料ガスを充満させるバッファ空間が形成される。バッファ空間は複数の吐出孔の各々と冷却層２３を貫通するガス供給管を介して連通する。予熱器５３は、結晶成長時にガス供給層２５に供給する原料ガスを予熱する。 （もっと読む）

【課題】一度に成膜する多数のウエハの面内・面間の膜厚均一性向上を可能にする。
【解決手段】複数枚配置される基板を処理可能な処理室を内部に有する反応管と、反応管の外周を囲うように設けられる加熱装置と、を備え、反応管の側面には、少なくとも加熱装置の外側まで達するガス導入管と、少なくとも加熱装置の外側まで達するガス排気管と、がそれぞれ設けられ、ガス導入管は、垂直方向に区画された複数のガス導入区画部と、複数枚の基板に跨るような大きさで設けられて処理室内にガスを噴出するガス噴出口と、を有し、ガス排気管は、垂直方向に区画された複数のガス排出区画部と、複数枚の基板に跨るような大きさで設けられて処理室内からガスを排気するガス排出口と、を有し、各ガス導入区画部と各ガス排気区画部とがそれぞれ同じ高さに配置され、反応管を挟んで水平に対向している。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、成膜の生成効率を向上できる光ＣＶＤ法を用いた基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、真空室である処理室に処理用ガスを導入し、前真空室である処理室に処理用ガスを導入し、前記処理用ガスに第１の光を、前記第１の光を透過する第１の透過窓を介して第１の照射をし、前記第１の照射によって発生した第１の成膜ガスを前記処理室内の基板に堆積させて成膜する際に、前記処理室に前記処理用ガスを導入する前に、前記処理用ガスを所定の温度まで加熱し、前記加熱された処理用ガスに第２の光を、前記第２の光を透過する第２の透過窓を介して第２の照射をし、前記第２の照射によって第２の成膜ガスを発生させ、前記第２の成膜ガスと第２の照射によって未反応である前記処理用ガスとを前記処理室に導入し、前記第１の成膜ガスと第２の成膜ガスとを前記基板に堆積させて成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、加熱機構に起因して発生するベース基板のそりを低減し、かつ、速い結晶成長速度を達成できるような高温度を両立できるような装置を提供する。
【解決手段】少なくともハロゲン化アルミニウムガスを含むＩＩＩ族原料ガスと窒素源ガスの原料ガスをベース基板１６表面に沿った流れで供給し、アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物層を該ベース基板表面に成長させるアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物製造装置において、反応部へ供給するまでの原料ガスの温度を該ガスの反応温度未満とし、かつアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物層が成長するベース基板表面に対向する反応部内の面に加熱面を有する第二加熱手段１９を設置したことを特徴とするアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物製造装置である。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスに一酸化窒素ガスを添加して処理室内のドライクリーニングを行う際、その取り扱いを容易にし、制御性よくクリーニングの性能を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理容器２０１と、該処理容器内にフッ素原子を含むガスと一酸化窒素ガスとを事前に混合させて供給する第１のクリーニングガス供給系２３２ｈと、第１のクリーニングガス供給系とは別に設けられ、処理容器内にフッ素原子を含むガスを供給する第２のクリーニングガス供給系２３２ｅと、を有する基板処理装置として、前記第１のクリーニングガスと、前記第２のクリーニングガスと、を処理容器２０１内で混合してドライクリーニングを行う。 （もっと読む）

【課題】原料ガスと反応ガスとの反応が低下するのを抑制しつつ、成膜速度を向上させることができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板の上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、内部が真空に維持される成膜室と、薄膜の原料である原料ガスを成膜室に供給する原料ガス供給部と、加熱触媒体を備える容器と、容器の圧力を計測する圧力計と、原料ガスと反応して薄膜を形成するための反応ガスを容器に供給する反応ガス供給部と、圧力計が計測した圧力に基づいて、反応ガス供給部が反応ガスを供給するタイミングを制御する制御部と、を備えることを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】低エネルギー消費で硫黄ドープシリコン膜を製造する。
【解決手段】光重合性のケイ素化合物と環状硫黄を混合した混合物を用意する工程と、混合物に光照射処理を行ってケイ素化合物をラジカル化するとともに第１の加熱処理を行って環状硫黄をラジカル化し、ラジカル化したケイ素化合物を、ラジカル化した硫黄と結合させる工程と、を行って硫黄変成ケイ素化合物を製造する。混合物の環状硫黄とケイ素化合物の混合比は、混合物に含まれる硫黄原子の数がケイ素原子の数に対して１／１０００００以上１／３以下となる混合比にする。硫黄変性ケイ素化合物を含んだ溶液を不活性雰囲気で基板上に塗布した後に第２の加熱処理を行って、硫黄変性ケイ素化合物を分解するとともに硫黄変性ケイ素化合物に含まれるケイ素原子を他のケイ素原子または硫黄原子と結合させて硫黄ドープシリコン膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】 積層された基板へ供給されるガスの流量と流速とを均一化することで、前記積載された基板に対してガスを均一に供給する。
【解決手段】 複数の基板を収容する反応室を形成する反応管と、反応管の内部に設けられたバッファ室と、反応室内に第１の処理ガスを導入する第１のガス導入部と、バッファ室内に第２の処理ガスを導入する第２のガス導入部と、を備え、第１のガス導入部は第１のガス供給口を有し、第２のガス導入部はガス導入口を有し、バッファ室は、第２の処理ガスを反応室内に供給する複数の第２のガス供給口を有し、第２のガス導入部にリモートプラズマユニットが設けられ、第２の処理ガスが活性化され、活性化された第２の処理ガスが複数の第２のガス供給口から反応室内に供給され、第１の処理ガスと活性化された第２の処理ガスとが交互に複数回供給されて基板の表面に薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】加熱室内の圧力調整を容易とし、薄膜の膜質や膜厚分布の均一性を改善する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、ガス供給手段に設けられるガス加熱部と、を備え、ガス加熱部は、処理室内に供給する処理ガスを予め所定温度に加熱する加熱室と、加熱室内の圧力を検出する圧力検出手段と、圧力検出手段の検出する圧力情報に基づき加熱室内の圧力を調整する圧力調整手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】動く基板を一定温度に維持したまま、基板上の膜を高温アニール等の熱処理をする、または熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成するときに必要な高温のガスを短時間に短い流路で、作り出す流体加熱装置が必要であった。
【解決手段】ガスを多数の小さな流れに分割し、分割した流路を狭めて、流速を早めてビーム状にする。それを加熱された器壁に垂直に当たるように正面に器壁を配置する。再び一つに合流させたガス流をまた多数の小さな流れに分割し、再び器壁と熱交換させる。これを複数回繰り返す構造を加熱された板の二つ表面に作り、その両面に板を押し付けることにより、板の両面に流路を作ることで簡便に作製可能である。 （もっと読む）

ＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体を組み込んでいる電子デバイスを形成するための基板を準備するための方法および装置が提供される。元素状ハロゲンガス、ハロゲン化水素ガス、または他のハロゲンガスもしくはハロゲン化物ガスが、液体または固体のＩＩＩ族金属と接触して、窒素ソースと反応して基板上に窒化物バッファ層を堆積させる前駆物質を形成する。移行層とすることができるバッファ層は、複数のＩＩＩ族金属を取り込むことができ、非晶質形態または結晶質形態で堆積させることができる。非晶質層を、熱処理によって部分的にまたは完全に再結晶化させることができる。層の代わりに、複数の分離した核形成サイトを形成することができ、そのサイズ、密度、および分布を制御することができる。窒素ソースは、反応性窒素化合物ならびに遠隔プラズマソースからの活性窒素を含むことができる。バッファ層または移行層の組成は、所望のプロファイルに従う深さによっても変更可能である。
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【課題】プラズマ処理装置において、ガス供給部材の面内温度の均一性を向上させた装置を提供する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化して基板を処理するプラズマ処理装置１は、基板３１を収容する処理容器３と、処理容器３内に配置され、処理室２に処理ガスを供給するシャワープレート２１と、ガス供給配管２２とを備えている。ガス供給配管２２は、シャワープレート２１の熱エネルギーを処理ガスに伝達する。これによって、処理ガスとシャワープレート２１との温度差が抑えられ、シャワープレート２１の面内温度の均一性が向上する。 （もっと読む）

本発明は、ガスをＣＶＤ（化学気相成長）チャンバに注入する前に熱化する、ＣＶＤシステムと共に使用するための改善されたガスインジェクタを提供する。提供されるインジェクタは、加熱されたゾーンを通るガスの流動時間を増加させるように構成され、加熱されたゾーンにおけるガスの滞留時間を長くするガス伝導管路を含む。提供されるインジェクタは、選択された流れパターンでガスを注入するように大きさを決められ、成形され、配置された出口ポートも有する。本発明は、提供される熱化ガスインジェクタを用いたＣＶＤシステムも提供する。本発明は、ＧａＮ基板の大量生産に対する特定の用途を有する。
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【課題】基板を低温に維持したまま、膜の高温アニール等の熱処理をし、または熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成することができる安価な膜形成方法および膜形成装置を提供する。
【解決手段】支持台４上に支持された基板１の表面上に、複数の高温ガスビーム２ｂ，２ｃを相互に所要の間隔を置いてほぼ垂直に吹き付けると基板表面１ａ上の膜のみをアニールできる。これと共に、これら高温ガスビーム２ｂ，２ｃと前記基板１の表面とにより画成された高温空間６に、堆積性を有する膜形成用の熱分解ガス７を供給し、それを熱分解させて活性種を生成させ基板１の表面に吹き付けることにより、熱ＣＶＤ膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化剤の供給量や供給時間を増大させることなく酸化膜の被覆性やローディング効果を改善する。
【解決手段】少なくとも１枚の基板を処理室内に搬入する基板搬入工程と、前記基板を加熱しながら第１の反応物質と酸素原子を含む第２の反応物質とを前記処理室内に交互に供給して前記基板上に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、前記基板を前記処理室内から搬出する基板搬出工程と、備え、前記酸化膜形成工程では、基板温度が前記第１の反応物質の自己分解温度以下であり、前記第２の反応物質に紫外領域の光を照射することを特徴とする半導体デバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）