基板処理装置
【課題】 製品コストを低減でき、かつ、メンテナンスの省力化、短時間化を促進できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板に対して処理を施す処理室と、複数のガスを処理室内に導入するガス導入部と、処理室上に配置され、複数のガスをガス供給機構からガス導入部に導く複数のガス流路と、これらガス流路のうちの少なくとも一本を流れるガスを加熱するヒーターとを内部に有するインレットブロック１３と、を具備し、ヒーターがロッドヒーター２３であり、インレットブロック１３がロッドヒーター挿入用孔１３ｃを有し、ロッドヒーター２３が、ロッドヒーター挿入用孔１３ｃに挿入されている。
【解決手段】 被処理基板に対して処理を施す処理室と、複数のガスを処理室内に導入するガス導入部と、処理室上に配置され、複数のガスをガス供給機構からガス導入部に導く複数のガス流路と、これらガス流路のうちの少なくとも一本を流れるガスを加熱するヒーターとを内部に有するインレットブロック１３と、を具備し、ヒーターがロッドヒーター２３であり、インレットブロック１３がロッドヒーター挿入用孔１３ｃを有し、ロッドヒーター２３が、ロッドヒーター挿入用孔１３ｃに挿入されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ等の被処理基板に処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板である半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）上に集積回路を形成するために、絶縁膜、金属膜、及び金属化合物膜等の薄膜を成膜するプロセスが行われる。成膜処理は基板処理装置として、ＣＶＤ装置、ＰＶＤ装置、ＡＬＤ装置等の成膜装置を用いて行われる。
【０００３】
成膜装置は、薄膜形成のために、複数のプロセスガスを使用する。例えば、ゲート絶縁膜等に使用される高誘電率絶縁膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）にあっては、プロセスガスとして、プリカーサー、還元剤、プラズマ用ガス、添加剤等が使用される。プロセスガスは、例えば、特許文献１に記載されているように、プロセスガス供給源から基板処理装置のプロセスガス導入部へガス配管を介して供給される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００７−５３０７９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板処理装置へのプロセスガスの供給はガス配管を介して行われるが、ガス配管には、パイプやチューブだけでなく、例えば、方向変換のためのアングルやエルボ、分岐のためのティーやクロス等、様々な継手を多数必要とする。これらの継手とパイプやチューブとは自動溶接を用いて接続され、組み立て加工される。
【０００６】
このように、ガス配管は必要とする部品が多数に及ぶ。しかも、多数の部品を組み立て加工することから構造が複雑となり、例えば、配管カバー等も複雑な形状に加工成型しなければならない。また、ガス配管には、プロセスガスを加熱するマントルヒーターが取り付けられることもあるが、配管構造によっては、特別な形状のマントルヒーターを用意しなければならないこともある。
【０００７】
これらのような要因から、基板処理装置、例えば、成膜装置は、製品コストが高くなりがち、という事情がある。
【０００８】
また、ガス配管には多数の部品が使用されていることから、例えば、メンテナンスに際しては、分解、部品の点検、再組み立てに多大な労力、及び時間を要してしまう。このため、メンテナンスの省力化、短時間化も妨げられている。
【０００９】
この発明は、製品コストを低減でき、かつ、メンテナンスの省力化、短時間化を促進できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、この発明の一態様に係る基板処理装置は、被処理基板に対し、複数のガスを用いて処理を施す処理室と、前記処理室に設けられ、前記複数のガスを前記処理室内に導入するガス導入部と、前記処理室上に配置され、前記複数のガスをガス供給機構から前記ガス導入部に導く複数のガス流路と、これらガス流路のうちの少なくとも一本を流れるガスを加熱するヒーターとを内部に有するインレットブロックと、を具備し、前記ヒーターがロッドヒーターであり、前記インレットブロックがロッドヒーター挿入用孔を有し、前記ロッドヒーターが、前記ロッドヒーター挿入用孔に挿入されている。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、製品コストを低減でき、かつ、メンテナンスの省力化、短時間化を促進できる基板処理装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す平面図
【図２】図１中２−２線に沿う断面図
【図３】図１中の３−３線に沿う断面図
【図４】図４Ａはインレットブロックの一例を示す断面図、図４Ｂは参考例に係るガス配管を示す断面図
【図５】参考例に係る配管カバーを示す断面図
【図６】インレットブロックの一形成例を示す断面図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、この発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。参照する図面全てにわたり、同一の部分については同一の参照符号を付す。この説明においては、この発明を基板処理装置として、半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）上に薄膜を成膜する成膜装置に適用した場合について示す。成膜装置としての一例は、ウエハ上に高誘電率絶縁膜、例えば、ハフニウム系の高誘電率絶縁膜を成膜するＡＬＤ装置である。しかし、この発明は、ＡＬＤ装置に限って適用されるものではなく、ＣＶＤ装置、ＰＶＤ装置等、他の成膜装置にも適用できるし、成膜装置に限らず、エッチング装置等、他の基板処理装置にも適用できる。
【００１４】
図１はこの発明の一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す平面図、図２は図１中の２−２線に沿う断面図、図３は図１中の３−３線に沿う断面図である。
【００１５】
図１乃至図３に示すように、基板処理装置１０は、ウエハＷに対し、プロセスガスを用いて成膜処理を施す処理室１１と、この処理室１１に設けられ、プロセスガスを処理室１１内に導入するガス導入部１２と、上記処理室１１上に設けられ、上記ガス導入部１２に、プロセスガス供給機構１４からプロセスガスを導くインレットブロック１３とを具備する。
【００１６】
本例の処理室１１は、チャンバ１１ａと、チャンバ１１ａ上に設けられ、処理空間１５中のガスを排気する排気リング１１ｂと、排気リング上１１ｂ上に設けられた蓋体１１ｃとから主に構成される。
【００１７】
チャンバ１１ａの内部にはウエハＷを載置する載置台１６が設けられ、チャンバ１１ａの側壁にはウエハＷを処理室１１の内部に搬入出する搬入出部１７が設けられている。載置台１６はチャンバ１１ａ内において上下に動き、ウエハＷをチャンバ１１ａ側と処理空間１５側との間で上げ下げする。
【００１８】
排気リング１１ｂは排気経路１８を有する。排気経路１８は環状にチャンバ１１ａの上方に形成され、本例では円筒状となる処理空間１５の周囲を囲むように形成される。排気経路１８の少なくとも一つの箇所は、図示せぬ排気ポンプ等の排気機構に接続される。排気経路１８と処理空間１５との間には側壁状のバッフルリング１９が設けられている。バッフルリング１９には、処理空間１５に放出されたプロセスガスを排気する複数の排気孔１９ａが形成されている。
【００１９】
蓋体１１ｃは排気リング１１ｂ上に設けられている。処理空間１５は、蓋体１１ｃと、排気リング１１ｂ、本例では、バッフルリング１９と、バッフルリング１９の底部まで上昇してきた載置台１６とで囲まれることにより形成される。本例では、処理空間１５が上述の通りに形成されるが、処理空間１５の形成はこれに限られるものではない。排気リング１１ｂを有さず、チャンバ１１ａの下方からプロセスガスを排気し、チャンバ１１ａと蓋体１１ｃとで処理空間１５が形成されるようにする、一般的な構成とされても良い。
【００２０】
蓋体１１ｃの処理空間１５側には上側プレート２０ａ、及び下側プレート２０ｂが設けられている。下側プレート２０ｂの処理空間１５側の表面は皿状に窪んでおり、その中央部にはプロセスガスを放出するガス放出部２１が設けられている。本例のガス放出部２１は半球型であるが、ガス放出部２１は半球型に限られるものではなく、例えば、シャワーヘッド型等、如何なる形状であっても良い。
【００２１】
ガス導入部１２は、インレットブロック１３を介して導かれてきたプロセスガスを、ガス放出部２１に導入する部分である。本例では、ガス導入部１２は、蓋体１１ｃ、上側プレート２０ａ、及び下側プレート２０ｂにガス流路として形成される。
【００２２】
制御部５０は、基板処理装置１０の各構成部を制御する。制御部５０は、各構成部の制御を実行するマイクロプロセッサ（コンピュータ）からなるプロセスコントローラ５１と、オペレータが基板処理装置１０を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置１０の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース５２と、基板処理装置１０で実行される各種処理をプロセスコントローラ５１の制御にて実現するための制御プログラムや、各種データ、および処理条件に応じて処理装置の各構成部に処理を実行させるためのプログラム、即ちレシピを記憶する記憶部５３と、を備えている。ユーザーインターフェース５２、及び記憶部５３はプロセスコントローラ５１に接続されている。レシピは記憶部５３内の記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、ハードディスクであってもよいし、ＣＤ-ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば、専用回線を介して記憶媒体にレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。任意のレシピは、必要に応じてユーザーインターフェース５２からの指示にて記憶部５３から呼び出し、プロセスコントローラ５１に実行させることで、基板処理装置１０は、プロセスコントローラ５１の制御下で所望の基板処理を行う。
【００２３】
インレットブロック１３は、プロセスガスを、例えば、処理室１１に設けられ、プロセスガス供給部１４から供給されたプロセスガスを受けるガス供給部２２から上記ガス導入部１２まで処理室１１上を介して導く部分である。この部分は、従来ではガス配管を組み立て加工することで構成していたが、本例では一つのブロック（一体品）から構成するようにした。ブロックの一例は金属であり、金属の一例は伝熱性の良いアルミニウムである。これを本明細書ではインレットブロック１３と呼ぶ。インレットブロック１３の一例を図４Ａに示す。また、参考例としてガス配管の例を図４Ｂに示す。図４Ａ及び図４Ｂはそれぞれ断面図である。
【００２４】
図４Ａに示すように、インレットブロック１３は、例えば、金属製母材１３ａを備え、この金属製母材１３ａの内部に孔を開ける、例えば、金属製母材１３ａを中空にくりぬくことで形成したガス流路１３ｂを有している。本例では、ガス流路１３ｂを、例えば、四本有しており、プロセスガス供給機構１４において発生された四種類のプロセスガスを、ガス供給部２２からガス導入部１２まで導く。四本のガス流路１３ｂには、例えば、プロセスガスとして、プリカーサー、還元剤、プラズマ用ガス、添加剤等を流すことができる。これらのようなプロセスガスを使用して成膜される膜の例としては、高誘電率絶縁膜、例えば、ハフニウム系の絶縁膜を挙げることができる。
【００２５】
図４Ｂに示す参考例も同様に、四本のガス配管１１３を介して、四種類のプロセスガスを、ガス供給部２２からガス導入部１２まで導く。しかしながら、複数のガス配管１１３は、パイプ１１３ａ、及びパイプ１１３ａどうしを接続する継手１１３ｂを互いに接続していくことで形成される。このため、多数の部品が必要である。
【００２６】
対して、図４Ａに示す一例では、複数のガス流路１３ｂを、金属製母材１３ａの内部に孔を開けることで形成するので、部品は基本的に金属製母材１３ａだけで良い。従って、部品点数を削減でき、製品コストを低減できる。
【００２７】
さらに、部品点数が削減されるので、例えば、メンテナンスにおける分解、部品の点検、再組み立てが、部品点数が多い場合に比較して容易になる。よって、メンテナンスの省力化、短時間化も促進することができる。例えば、本例では、分解は、インレットブロック１３を処理室１１上から取り外すだけでよく、再組み立ては、インレットブロック１３を処理室１１上に取り付けるだけでよい。
【００２８】
また、図４Ｂに示す参考例では、パイプ１１３ａと継手１１３ｂとが自動溶接を用いて接続される。参考例では、四本のガス配管１１３が高さ方向に配置されているが、複数のガス配管１１３を高さ方向に配置した場合には、ガス配管１１３どうしを、自動溶接機が入るだけの間隔ｄをもって互いに離隔しなければならない。このため、ガス配管１１３の高さｈが高くなりやすく、基板処理装置の小型化を妨げる。
【００２９】
対して、図４Ａに示す一例においては、高さ方向に配置された複数のガス流路１３ｂを、金属製母材１３ａの内部に孔を開けることで形成するので、ガス流路１３ｂの形成のために自動溶接機を必要としない。このため、複数のガス流路１３ｂを高さ方向に配置しても、ガス流路１３ｂどうしの間隔ｄを、ガス配管１１３に比較して狭くすることができる。このため、ガス配管１１３を用いた基板処理装置に比較して、基板処理装置の小型化も可能となる。
【００３０】
このように、一実施形態によれば、インレットブロック１３を備えることで、ガス配管１１３を用いた基板処理装置に比較して、製品コストを低減でき、かつ、メンテナンスの省力化、短時間化を促進できる。
【００３１】
さらに、一実施形態によれば、複数のガス流路１３ｂを、高さ方向に多層に設ける場合に、ガス配管１１３を用いた基板処理装置に比較して、ガス流路１３ｂどうしの間隔ｄを狭めることもでき、基板処理装置を小型化できる。
【００３２】
ところで、プロセスガスの中には、例えば、プロセスガス供給機構１４において加熱し、液体を気化させることで発生されるものがあり、また、処理空間１５の内部における反応等のために適切な温度まで加熱される必要があるプロセスガスもある。これらのようプロセスガスについては、ガス配管を通過中に温度が下がらないように加熱しなければならない。このような観点から、例えば、ガス配管１１３を用いた装置では、ガス配管１１３をアルミニウム製の配管カバーで覆い、配管カバーの外にマントルヒーターを巻き、ガス配管１１３を加熱するようにしている。参考例として配管カバーを図５Ａ乃至図５Ｃに示す。図５Ａは断面図、図５Ｂは図５Ａ中の５Ｂ−５Ｂ線に沿う断面図、図５Ｃは配管カバーにマントルヒーターを巻き付けた状態を示した斜視図である。
【００３３】
図５Ａ乃至図５Ｃに示すように、配管カバー１１４には、パイプ１１３ａを通す部分１１４ａ、継手１１３ｂを収容する部分１１４ｂ等が形成されなければならない。このため、配管カバー１１４の形状が複雑となり加工が難しい。また、屈曲部分等、加工が困難な箇所においては、屈曲部分用の配管カバーを用意して直線部分用の配管カバーと接続したりする場合もある。このように配管カバーを用いることで、部品点数はさらに多くなり、製品コストを上昇させてしまう。
【００３４】
対して、図４Ａに示す一例においては、金属製母材１３ａ自体にガス流路１３ｂを形成するので、配管カバーが不要である。配管カバーが不要な分、配管カバーが必要な基板処理装置に比較して製品コストの上昇を抑制することができる。
【００３５】
さらに、一実施形態においては、ガス流路１３ｂを加熱する工夫として、インレットブロック１３の内部にヒーターを備えるようにした。本例では、図１乃至図３に示すように、形状がマントルヒーターに比較してシンプルであり、かつマントルヒーターに比較して安価なロッドヒーター２３を用いるようにした。ロッドヒーター２３の一例は、金属製シース（さや）の中に、加熱体として、例えば、ニクロム線を内蔵したものを使うことができる。ロッドヒーター２３をインレットブロック１３の内部に備えるために、本例では、例えば、図４Ａに示すように、金属製母材１３ａに、ロッドヒーター挿入用孔１３ｃを直線状に開孔し、ロッドヒーター挿入用孔１３ｃの中にロッドヒーター２３を挿入するようにした。
【００３６】
さらに、本例では、ガス流路１３ｂが、インレットブロック１３の高さ方向に形成された縦ガス流路１３ｂｖと、インレットブロック１３の平面方向に形成された横ガス流路１３ｂｈとの組み合わせで構成されている。このような構成におけるロッドヒーター挿入用孔１３ｃの形成例として、本例では、ロッドヒーター挿入用縦孔１３ｃｖと、ロッドヒーター挿入用横孔１３ｃｈとを形成するようにした。
【００３７】
ロッドヒーター挿入用縦孔１３ｃｖは、縦ガス流路１３ｂｖに沿ってインレットブロック１３の高さ方向に形成され、ロッドヒーター挿入用横孔１３ｃｈは、横ガス流路１３ｂｈに沿ってインレットブロックの平面方向に形成される。ロッドヒーター挿入用縦孔１３ｃｖを縦ガス流路１３ｂｖに沿って形成し、ロッドヒーター挿入用横孔１３ｃｈを横ガス流路１３ｂｈに沿って形成することで、縦ガス流路１３ｂｖを流れるプロセスガス、及び横ガス流路１３ｂｈを流れるプロセスガスの双方を、ロッドヒーターを用いた場合であっても、効率よく加熱することができる。さらに、効率よく加熱するために、金属製母材１３ａに熱伝導性の良い材料を選択することも良い。熱伝導性の良い材料の一例は、アルミニウム、又はアルミニウムを含む合金である。
【００３８】
また、横ガス流路１３ｂｈは、縦ガス流路１３ｂｖに比較して距離が長くなりやすい。距離が長い横ガス流路１３ｂｈについては、長さが長いロッドヒーターを用いて加熱するようにすることで、ロッドヒーター挿入用縦孔１３ｃｖのみを形成する場合に比較してロッドヒーターの本数を削減できる利点もある。
【００３９】
また、インレットブロック１３に、平面型ヒーター、例えば、マイカヒーターを貼り付けても良いが、平面型ヒーターはロッドヒーターに比較して高価である。この観点からも、ヒーターとしてロッドヒーターを用いることは製品コストの抑制に有益である。
【００４０】
このように、本例では、加熱する必要があるプロセスガスを用いた場合でも、加熱のために必要な構成を、ガス配管１１３を用いた基板処理装置に比較してシンプルに得ることができる。このため、例えば、ヒーターにかかる製品コストを抑制できる。
【００４１】
さらに、一実施形態では、インレットブロック１３の加工を容易とする工夫を施した。この工夫は、図１乃至図３に示すように、処理室１１上におけるインレットブロック１３が載置される載置面１１ｄ、本例では蓋体１１ｃの表面を平坦としたことである。載置面１１ｄ上に凹凸があると、この凹凸に合わせて、インレットブロック１３の下面を加工しなければならない。
【００４２】
対して、載置面１１ｄから凹凸を無くし、平坦とすれば、インレットブロック１３の下面は、平坦とする加工だけで済む。このような構成からも、製品コストの上昇を抑制できる。
【００４３】
また、載置面１１ｄを平坦とすることは、例えば、インレットブロック１３を通過中のプロセスガスを保温、もしくは断熱するために、載置面１１ｄと、インレットブロック１３の下面との間に断熱材を挿入する場合にも、断熱材の加工を容易にでき、製品コストの抑制に有利である。
【００４４】
なお、載置面１１ｄから凹凸を無くす場合には、蓋体１１ｃの表面全体を平坦にしなくても、蓋体１１ｃの表面のうち、少なくともインレットブロック１３が載置される部分が平坦とされれば良い。
【００４５】
次に、インレットブロック１３の一形成例を説明する。
【００４６】
図６Ａ乃至図６Ｄは、インレットブロック１３の一形成例を示す断面図である。
【００４７】
まず、図６Ａに示すように、インレットブロック１３となる金属製母材１３ａを用意する。金属製母材１３ａの一例はアルミニウム製、もしくはアルミニウムを含む合金製である。
【００４８】
次に、図６Ｂに示すように、金属製母材１３ａのガス導入部１２に接続される箇所、及びガス供給部２２に接続される箇所に対し、縦ガス流路１３ｂｖ−１、１３ｂｖ−２、及びロッドヒーター挿入用縦孔１３ｃｖー１を形成する。縦ガス流路１３ｂｖ−１、１３ｂｖ−２、及びロッドヒーター挿入用縦孔１３ｃｖー１は高さ方向に形成される。縦ガス流路１３ｂｖ−１、及び１３ｂｖ−２は、本例では金属製母材１３ａの下面から母材１３ａの途中まで形成され、ロッドヒーター挿入用縦孔１３ｃｖー１は、本例では金属製母材１３ａの上面から母材１３ａの途中まで形成される。
【００４９】
次に、図６Ｃに示すように、金属製母材１３ａの側面から、横ガス流路１３ｂｈと、ロッドヒーター挿入用横孔１３ｃｈを形成する。横ガス流路１３ｂｈ及び１３ｃｈは平面方向に形成される。横ガス流路１３ｂｈは、縦ガス流路１３ｂｖ−１及び１３ｂｖ−２の上端部を通る。横ガス流路１３ｂｈは金属製母材１３ａの側面から母材１３ａの途中まで、本例では縦ガス流路１３ｂｖ−１まで形成される。ロッドヒーター挿入用横孔１３ｃｈは、横ガス流路１３ｂｈに沿って、横ガス流路１３ｂｈと同様に、金属製母材１３ａの側面から母材１３ａの途中まで形成される。
【００５０】
次に、図６Ｄに示すように、横ガス流路１３ｂｈのインレットブロック１３の外部に通じる一端を封止材２４で埋め込み、横ガス流路ｂｈの一端を封止する。さらに、ロッドヒーター挿入用横孔１３ｃｈ、及びロッドヒーター挿入用縦孔１３ｃｖー１に、ロッドヒーター２３を挿入する。
【００５１】
このようにインレットブロック１３のガス流路１３ｂは、縦ガス流路１３ｂｖ−１、１３ｂｖ−２、及び横ガス流路１３ｂｈの組み合わせで構成することができる。
【００５２】
また、例えば、横ガス流路１３ｂｈの一端を封止材２４で封止することで、インレットブロック１３の下面において、一端をガス導入部１２に接続し、他端をガス供給部２２に接続できるガス流路１３ｂを備えたインレットブロック１３を形成することができる。本例では、縦ガス流路１３ｂｖ−１にガス導入部１２が接続され、縦ガス流路１３ｂｖ−２にガス供給部２２が接続される。例えば、このようにして、インレットブロック１３を形成することができる。
【００５３】
以上、この発明を一実施形態により説明したが、この発明は一実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。また、この発明の実施形態は、上記一実施形態が唯一の実施形態でもない。
【００５４】
例えば、上記一実施形態では、基板処理装置として、半導体ウエハを処理する基板処理装置を例示したが、例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ）用のガラス基板に代表されるフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用の基板等を処理する基板処理装置にも適用可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００５５】
１０…基板処理装置、１１…処理室、１２…ガス導入部、１３…インレットブロック、１４…プロセスガス供給機構、１５…処理空間、１６…載置台、２３…ヒーター（ロッドヒーター）、２４…封止材。
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ等の被処理基板に処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板である半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）上に集積回路を形成するために、絶縁膜、金属膜、及び金属化合物膜等の薄膜を成膜するプロセスが行われる。成膜処理は基板処理装置として、ＣＶＤ装置、ＰＶＤ装置、ＡＬＤ装置等の成膜装置を用いて行われる。
【０００３】
成膜装置は、薄膜形成のために、複数のプロセスガスを使用する。例えば、ゲート絶縁膜等に使用される高誘電率絶縁膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）にあっては、プロセスガスとして、プリカーサー、還元剤、プラズマ用ガス、添加剤等が使用される。プロセスガスは、例えば、特許文献１に記載されているように、プロセスガス供給源から基板処理装置のプロセスガス導入部へガス配管を介して供給される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００７−５３０７９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板処理装置へのプロセスガスの供給はガス配管を介して行われるが、ガス配管には、パイプやチューブだけでなく、例えば、方向変換のためのアングルやエルボ、分岐のためのティーやクロス等、様々な継手を多数必要とする。これらの継手とパイプやチューブとは自動溶接を用いて接続され、組み立て加工される。
【０００６】
このように、ガス配管は必要とする部品が多数に及ぶ。しかも、多数の部品を組み立て加工することから構造が複雑となり、例えば、配管カバー等も複雑な形状に加工成型しなければならない。また、ガス配管には、プロセスガスを加熱するマントルヒーターが取り付けられることもあるが、配管構造によっては、特別な形状のマントルヒーターを用意しなければならないこともある。
【０００７】
これらのような要因から、基板処理装置、例えば、成膜装置は、製品コストが高くなりがち、という事情がある。
【０００８】
また、ガス配管には多数の部品が使用されていることから、例えば、メンテナンスに際しては、分解、部品の点検、再組み立てに多大な労力、及び時間を要してしまう。このため、メンテナンスの省力化、短時間化も妨げられている。
【０００９】
この発明は、製品コストを低減でき、かつ、メンテナンスの省力化、短時間化を促進できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、この発明の一態様に係る基板処理装置は、被処理基板に対し、複数のガスを用いて処理を施す処理室と、前記処理室に設けられ、前記複数のガスを前記処理室内に導入するガス導入部と、前記処理室上に配置され、前記複数のガスをガス供給機構から前記ガス導入部に導く複数のガス流路と、これらガス流路のうちの少なくとも一本を流れるガスを加熱するヒーターとを内部に有するインレットブロックと、を具備し、前記ヒーターがロッドヒーターであり、前記インレットブロックがロッドヒーター挿入用孔を有し、前記ロッドヒーターが、前記ロッドヒーター挿入用孔に挿入されている。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、製品コストを低減でき、かつ、メンテナンスの省力化、短時間化を促進できる基板処理装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す平面図
【図２】図１中２−２線に沿う断面図
【図３】図１中の３−３線に沿う断面図
【図４】図４Ａはインレットブロックの一例を示す断面図、図４Ｂは参考例に係るガス配管を示す断面図
【図５】参考例に係る配管カバーを示す断面図
【図６】インレットブロックの一形成例を示す断面図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、この発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。参照する図面全てにわたり、同一の部分については同一の参照符号を付す。この説明においては、この発明を基板処理装置として、半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）上に薄膜を成膜する成膜装置に適用した場合について示す。成膜装置としての一例は、ウエハ上に高誘電率絶縁膜、例えば、ハフニウム系の高誘電率絶縁膜を成膜するＡＬＤ装置である。しかし、この発明は、ＡＬＤ装置に限って適用されるものではなく、ＣＶＤ装置、ＰＶＤ装置等、他の成膜装置にも適用できるし、成膜装置に限らず、エッチング装置等、他の基板処理装置にも適用できる。
【００１４】
図１はこの発明の一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す平面図、図２は図１中の２−２線に沿う断面図、図３は図１中の３−３線に沿う断面図である。
【００１５】
図１乃至図３に示すように、基板処理装置１０は、ウエハＷに対し、プロセスガスを用いて成膜処理を施す処理室１１と、この処理室１１に設けられ、プロセスガスを処理室１１内に導入するガス導入部１２と、上記処理室１１上に設けられ、上記ガス導入部１２に、プロセスガス供給機構１４からプロセスガスを導くインレットブロック１３とを具備する。
【００１６】
本例の処理室１１は、チャンバ１１ａと、チャンバ１１ａ上に設けられ、処理空間１５中のガスを排気する排気リング１１ｂと、排気リング上１１ｂ上に設けられた蓋体１１ｃとから主に構成される。
【００１７】
チャンバ１１ａの内部にはウエハＷを載置する載置台１６が設けられ、チャンバ１１ａの側壁にはウエハＷを処理室１１の内部に搬入出する搬入出部１７が設けられている。載置台１６はチャンバ１１ａ内において上下に動き、ウエハＷをチャンバ１１ａ側と処理空間１５側との間で上げ下げする。
【００１８】
排気リング１１ｂは排気経路１８を有する。排気経路１８は環状にチャンバ１１ａの上方に形成され、本例では円筒状となる処理空間１５の周囲を囲むように形成される。排気経路１８の少なくとも一つの箇所は、図示せぬ排気ポンプ等の排気機構に接続される。排気経路１８と処理空間１５との間には側壁状のバッフルリング１９が設けられている。バッフルリング１９には、処理空間１５に放出されたプロセスガスを排気する複数の排気孔１９ａが形成されている。
【００１９】
蓋体１１ｃは排気リング１１ｂ上に設けられている。処理空間１５は、蓋体１１ｃと、排気リング１１ｂ、本例では、バッフルリング１９と、バッフルリング１９の底部まで上昇してきた載置台１６とで囲まれることにより形成される。本例では、処理空間１５が上述の通りに形成されるが、処理空間１５の形成はこれに限られるものではない。排気リング１１ｂを有さず、チャンバ１１ａの下方からプロセスガスを排気し、チャンバ１１ａと蓋体１１ｃとで処理空間１５が形成されるようにする、一般的な構成とされても良い。
【００２０】
蓋体１１ｃの処理空間１５側には上側プレート２０ａ、及び下側プレート２０ｂが設けられている。下側プレート２０ｂの処理空間１５側の表面は皿状に窪んでおり、その中央部にはプロセスガスを放出するガス放出部２１が設けられている。本例のガス放出部２１は半球型であるが、ガス放出部２１は半球型に限られるものではなく、例えば、シャワーヘッド型等、如何なる形状であっても良い。
【００２１】
ガス導入部１２は、インレットブロック１３を介して導かれてきたプロセスガスを、ガス放出部２１に導入する部分である。本例では、ガス導入部１２は、蓋体１１ｃ、上側プレート２０ａ、及び下側プレート２０ｂにガス流路として形成される。
【００２２】
制御部５０は、基板処理装置１０の各構成部を制御する。制御部５０は、各構成部の制御を実行するマイクロプロセッサ（コンピュータ）からなるプロセスコントローラ５１と、オペレータが基板処理装置１０を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置１０の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース５２と、基板処理装置１０で実行される各種処理をプロセスコントローラ５１の制御にて実現するための制御プログラムや、各種データ、および処理条件に応じて処理装置の各構成部に処理を実行させるためのプログラム、即ちレシピを記憶する記憶部５３と、を備えている。ユーザーインターフェース５２、及び記憶部５３はプロセスコントローラ５１に接続されている。レシピは記憶部５３内の記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、ハードディスクであってもよいし、ＣＤ-ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば、専用回線を介して記憶媒体にレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。任意のレシピは、必要に応じてユーザーインターフェース５２からの指示にて記憶部５３から呼び出し、プロセスコントローラ５１に実行させることで、基板処理装置１０は、プロセスコントローラ５１の制御下で所望の基板処理を行う。
【００２３】
インレットブロック１３は、プロセスガスを、例えば、処理室１１に設けられ、プロセスガス供給部１４から供給されたプロセスガスを受けるガス供給部２２から上記ガス導入部１２まで処理室１１上を介して導く部分である。この部分は、従来ではガス配管を組み立て加工することで構成していたが、本例では一つのブロック（一体品）から構成するようにした。ブロックの一例は金属であり、金属の一例は伝熱性の良いアルミニウムである。これを本明細書ではインレットブロック１３と呼ぶ。インレットブロック１３の一例を図４Ａに示す。また、参考例としてガス配管の例を図４Ｂに示す。図４Ａ及び図４Ｂはそれぞれ断面図である。
【００２４】
図４Ａに示すように、インレットブロック１３は、例えば、金属製母材１３ａを備え、この金属製母材１３ａの内部に孔を開ける、例えば、金属製母材１３ａを中空にくりぬくことで形成したガス流路１３ｂを有している。本例では、ガス流路１３ｂを、例えば、四本有しており、プロセスガス供給機構１４において発生された四種類のプロセスガスを、ガス供給部２２からガス導入部１２まで導く。四本のガス流路１３ｂには、例えば、プロセスガスとして、プリカーサー、還元剤、プラズマ用ガス、添加剤等を流すことができる。これらのようなプロセスガスを使用して成膜される膜の例としては、高誘電率絶縁膜、例えば、ハフニウム系の絶縁膜を挙げることができる。
【００２５】
図４Ｂに示す参考例も同様に、四本のガス配管１１３を介して、四種類のプロセスガスを、ガス供給部２２からガス導入部１２まで導く。しかしながら、複数のガス配管１１３は、パイプ１１３ａ、及びパイプ１１３ａどうしを接続する継手１１３ｂを互いに接続していくことで形成される。このため、多数の部品が必要である。
【００２６】
対して、図４Ａに示す一例では、複数のガス流路１３ｂを、金属製母材１３ａの内部に孔を開けることで形成するので、部品は基本的に金属製母材１３ａだけで良い。従って、部品点数を削減でき、製品コストを低減できる。
【００２７】
さらに、部品点数が削減されるので、例えば、メンテナンスにおける分解、部品の点検、再組み立てが、部品点数が多い場合に比較して容易になる。よって、メンテナンスの省力化、短時間化も促進することができる。例えば、本例では、分解は、インレットブロック１３を処理室１１上から取り外すだけでよく、再組み立ては、インレットブロック１３を処理室１１上に取り付けるだけでよい。
【００２８】
また、図４Ｂに示す参考例では、パイプ１１３ａと継手１１３ｂとが自動溶接を用いて接続される。参考例では、四本のガス配管１１３が高さ方向に配置されているが、複数のガス配管１１３を高さ方向に配置した場合には、ガス配管１１３どうしを、自動溶接機が入るだけの間隔ｄをもって互いに離隔しなければならない。このため、ガス配管１１３の高さｈが高くなりやすく、基板処理装置の小型化を妨げる。
【００２９】
対して、図４Ａに示す一例においては、高さ方向に配置された複数のガス流路１３ｂを、金属製母材１３ａの内部に孔を開けることで形成するので、ガス流路１３ｂの形成のために自動溶接機を必要としない。このため、複数のガス流路１３ｂを高さ方向に配置しても、ガス流路１３ｂどうしの間隔ｄを、ガス配管１１３に比較して狭くすることができる。このため、ガス配管１１３を用いた基板処理装置に比較して、基板処理装置の小型化も可能となる。
【００３０】
このように、一実施形態によれば、インレットブロック１３を備えることで、ガス配管１１３を用いた基板処理装置に比較して、製品コストを低減でき、かつ、メンテナンスの省力化、短時間化を促進できる。
【００３１】
さらに、一実施形態によれば、複数のガス流路１３ｂを、高さ方向に多層に設ける場合に、ガス配管１１３を用いた基板処理装置に比較して、ガス流路１３ｂどうしの間隔ｄを狭めることもでき、基板処理装置を小型化できる。
【００３２】
ところで、プロセスガスの中には、例えば、プロセスガス供給機構１４において加熱し、液体を気化させることで発生されるものがあり、また、処理空間１５の内部における反応等のために適切な温度まで加熱される必要があるプロセスガスもある。これらのようプロセスガスについては、ガス配管を通過中に温度が下がらないように加熱しなければならない。このような観点から、例えば、ガス配管１１３を用いた装置では、ガス配管１１３をアルミニウム製の配管カバーで覆い、配管カバーの外にマントルヒーターを巻き、ガス配管１１３を加熱するようにしている。参考例として配管カバーを図５Ａ乃至図５Ｃに示す。図５Ａは断面図、図５Ｂは図５Ａ中の５Ｂ−５Ｂ線に沿う断面図、図５Ｃは配管カバーにマントルヒーターを巻き付けた状態を示した斜視図である。
【００３３】
図５Ａ乃至図５Ｃに示すように、配管カバー１１４には、パイプ１１３ａを通す部分１１４ａ、継手１１３ｂを収容する部分１１４ｂ等が形成されなければならない。このため、配管カバー１１４の形状が複雑となり加工が難しい。また、屈曲部分等、加工が困難な箇所においては、屈曲部分用の配管カバーを用意して直線部分用の配管カバーと接続したりする場合もある。このように配管カバーを用いることで、部品点数はさらに多くなり、製品コストを上昇させてしまう。
【００３４】
対して、図４Ａに示す一例においては、金属製母材１３ａ自体にガス流路１３ｂを形成するので、配管カバーが不要である。配管カバーが不要な分、配管カバーが必要な基板処理装置に比較して製品コストの上昇を抑制することができる。
【００３５】
さらに、一実施形態においては、ガス流路１３ｂを加熱する工夫として、インレットブロック１３の内部にヒーターを備えるようにした。本例では、図１乃至図３に示すように、形状がマントルヒーターに比較してシンプルであり、かつマントルヒーターに比較して安価なロッドヒーター２３を用いるようにした。ロッドヒーター２３の一例は、金属製シース（さや）の中に、加熱体として、例えば、ニクロム線を内蔵したものを使うことができる。ロッドヒーター２３をインレットブロック１３の内部に備えるために、本例では、例えば、図４Ａに示すように、金属製母材１３ａに、ロッドヒーター挿入用孔１３ｃを直線状に開孔し、ロッドヒーター挿入用孔１３ｃの中にロッドヒーター２３を挿入するようにした。
【００３６】
さらに、本例では、ガス流路１３ｂが、インレットブロック１３の高さ方向に形成された縦ガス流路１３ｂｖと、インレットブロック１３の平面方向に形成された横ガス流路１３ｂｈとの組み合わせで構成されている。このような構成におけるロッドヒーター挿入用孔１３ｃの形成例として、本例では、ロッドヒーター挿入用縦孔１３ｃｖと、ロッドヒーター挿入用横孔１３ｃｈとを形成するようにした。
【００３７】
ロッドヒーター挿入用縦孔１３ｃｖは、縦ガス流路１３ｂｖに沿ってインレットブロック１３の高さ方向に形成され、ロッドヒーター挿入用横孔１３ｃｈは、横ガス流路１３ｂｈに沿ってインレットブロックの平面方向に形成される。ロッドヒーター挿入用縦孔１３ｃｖを縦ガス流路１３ｂｖに沿って形成し、ロッドヒーター挿入用横孔１３ｃｈを横ガス流路１３ｂｈに沿って形成することで、縦ガス流路１３ｂｖを流れるプロセスガス、及び横ガス流路１３ｂｈを流れるプロセスガスの双方を、ロッドヒーターを用いた場合であっても、効率よく加熱することができる。さらに、効率よく加熱するために、金属製母材１３ａに熱伝導性の良い材料を選択することも良い。熱伝導性の良い材料の一例は、アルミニウム、又はアルミニウムを含む合金である。
【００３８】
また、横ガス流路１３ｂｈは、縦ガス流路１３ｂｖに比較して距離が長くなりやすい。距離が長い横ガス流路１３ｂｈについては、長さが長いロッドヒーターを用いて加熱するようにすることで、ロッドヒーター挿入用縦孔１３ｃｖのみを形成する場合に比較してロッドヒーターの本数を削減できる利点もある。
【００３９】
また、インレットブロック１３に、平面型ヒーター、例えば、マイカヒーターを貼り付けても良いが、平面型ヒーターはロッドヒーターに比較して高価である。この観点からも、ヒーターとしてロッドヒーターを用いることは製品コストの抑制に有益である。
【００４０】
このように、本例では、加熱する必要があるプロセスガスを用いた場合でも、加熱のために必要な構成を、ガス配管１１３を用いた基板処理装置に比較してシンプルに得ることができる。このため、例えば、ヒーターにかかる製品コストを抑制できる。
【００４１】
さらに、一実施形態では、インレットブロック１３の加工を容易とする工夫を施した。この工夫は、図１乃至図３に示すように、処理室１１上におけるインレットブロック１３が載置される載置面１１ｄ、本例では蓋体１１ｃの表面を平坦としたことである。載置面１１ｄ上に凹凸があると、この凹凸に合わせて、インレットブロック１３の下面を加工しなければならない。
【００４２】
対して、載置面１１ｄから凹凸を無くし、平坦とすれば、インレットブロック１３の下面は、平坦とする加工だけで済む。このような構成からも、製品コストの上昇を抑制できる。
【００４３】
また、載置面１１ｄを平坦とすることは、例えば、インレットブロック１３を通過中のプロセスガスを保温、もしくは断熱するために、載置面１１ｄと、インレットブロック１３の下面との間に断熱材を挿入する場合にも、断熱材の加工を容易にでき、製品コストの抑制に有利である。
【００４４】
なお、載置面１１ｄから凹凸を無くす場合には、蓋体１１ｃの表面全体を平坦にしなくても、蓋体１１ｃの表面のうち、少なくともインレットブロック１３が載置される部分が平坦とされれば良い。
【００４５】
次に、インレットブロック１３の一形成例を説明する。
【００４６】
図６Ａ乃至図６Ｄは、インレットブロック１３の一形成例を示す断面図である。
【００４７】
まず、図６Ａに示すように、インレットブロック１３となる金属製母材１３ａを用意する。金属製母材１３ａの一例はアルミニウム製、もしくはアルミニウムを含む合金製である。
【００４８】
次に、図６Ｂに示すように、金属製母材１３ａのガス導入部１２に接続される箇所、及びガス供給部２２に接続される箇所に対し、縦ガス流路１３ｂｖ−１、１３ｂｖ−２、及びロッドヒーター挿入用縦孔１３ｃｖー１を形成する。縦ガス流路１３ｂｖ−１、１３ｂｖ−２、及びロッドヒーター挿入用縦孔１３ｃｖー１は高さ方向に形成される。縦ガス流路１３ｂｖ−１、及び１３ｂｖ−２は、本例では金属製母材１３ａの下面から母材１３ａの途中まで形成され、ロッドヒーター挿入用縦孔１３ｃｖー１は、本例では金属製母材１３ａの上面から母材１３ａの途中まで形成される。
【００４９】
次に、図６Ｃに示すように、金属製母材１３ａの側面から、横ガス流路１３ｂｈと、ロッドヒーター挿入用横孔１３ｃｈを形成する。横ガス流路１３ｂｈ及び１３ｃｈは平面方向に形成される。横ガス流路１３ｂｈは、縦ガス流路１３ｂｖ−１及び１３ｂｖ−２の上端部を通る。横ガス流路１３ｂｈは金属製母材１３ａの側面から母材１３ａの途中まで、本例では縦ガス流路１３ｂｖ−１まで形成される。ロッドヒーター挿入用横孔１３ｃｈは、横ガス流路１３ｂｈに沿って、横ガス流路１３ｂｈと同様に、金属製母材１３ａの側面から母材１３ａの途中まで形成される。
【００５０】
次に、図６Ｄに示すように、横ガス流路１３ｂｈのインレットブロック１３の外部に通じる一端を封止材２４で埋め込み、横ガス流路ｂｈの一端を封止する。さらに、ロッドヒーター挿入用横孔１３ｃｈ、及びロッドヒーター挿入用縦孔１３ｃｖー１に、ロッドヒーター２３を挿入する。
【００５１】
このようにインレットブロック１３のガス流路１３ｂは、縦ガス流路１３ｂｖ−１、１３ｂｖ−２、及び横ガス流路１３ｂｈの組み合わせで構成することができる。
【００５２】
また、例えば、横ガス流路１３ｂｈの一端を封止材２４で封止することで、インレットブロック１３の下面において、一端をガス導入部１２に接続し、他端をガス供給部２２に接続できるガス流路１３ｂを備えたインレットブロック１３を形成することができる。本例では、縦ガス流路１３ｂｖ−１にガス導入部１２が接続され、縦ガス流路１３ｂｖ−２にガス供給部２２が接続される。例えば、このようにして、インレットブロック１３を形成することができる。
【００５３】
以上、この発明を一実施形態により説明したが、この発明は一実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。また、この発明の実施形態は、上記一実施形態が唯一の実施形態でもない。
【００５４】
例えば、上記一実施形態では、基板処理装置として、半導体ウエハを処理する基板処理装置を例示したが、例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ）用のガラス基板に代表されるフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用の基板等を処理する基板処理装置にも適用可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００５５】
１０…基板処理装置、１１…処理室、１２…ガス導入部、１３…インレットブロック、１４…プロセスガス供給機構、１５…処理空間、１６…載置台、２３…ヒーター（ロッドヒーター）、２４…封止材。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板に対し、複数のガスを用いて処理を施す処理室と、
前記処理室に設けられ、前記複数のガスを前記処理室内に導入するガス導入部と、
前記処理室上に配置され、前記複数のガスをガス供給機構から前記ガス導入部に導く複数のガス流路と、これらガス流路のうちの少なくとも一本を流れるガスを加熱するヒーターとを内部に有するインレットブロックと、
を具備し、
前記ヒーターがロッドヒーターであり、
前記インレットブロックがロッドヒーター挿入用孔を有し、
前記ロッドヒーターが、前記ロッドヒーター挿入用孔に挿入されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記ガス流路が、前記インレットブロックの高さ方向に多層に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記ガス流路が、前記インレットブロックの高さ方向に形成された縦ガス流路と、前記インレットブロックの平面方向に形成された横ガス流路との組み合わせで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記インレットブロックが、前記縦ガス流路に沿って前記インレットブロックの高さ方向に形成されたロッドヒーター挿入用縦孔と、前記横ガス流路に沿って前記インレットブロックの平面方向に形成されたロッドヒーター挿入用横孔と、を有し、
前記ロッドヒーターが、前記ロッドヒーター挿入用縦孔、及び前記ロッドヒーター挿入用横孔に挿入されていることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理室の前記インレットブロックを載置する載置面が平坦であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記インレットブロックが、アルミニウム製、もしくはアルミニウムを含む合金製であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記基板処理装置が、前記被処理基板上に薄膜を成膜する装置であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記薄膜を成膜する装置が、ＡＬＤ法を用いて前記薄膜を成膜する装置であることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記ガス流路が、前記インレットブロックの高さ方向に形成された少なくとも二本の第１、第２の縦ガス流路と、前記インレットブロックの平面方向に形成された少なくとも一本の横ガス流路との組み合わせで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記第１の縦ガス流路の一端が前記横ガス流路の一の箇所に通じ、前記第１の縦ガス流路の他端が前記インレットブロックの外部に通じ、前記第１の縦ガス流路の他端に前記ガス供給源からガスの供給を受け、
前記第２の縦ガス流路の一端が前記横ガス流路の他の箇所に通じ、前記第２の縦ガス流路の他端が前記インレットブロックの外部に通じ、前記第２の縦ガス流路の他端が前記ガス導入部に接続され、
前記横ガス流路の少なくとも一端が前記インレットブロックの外部に通じ、前記横ガス流路の一端が封止材で封止されていることを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１】
被処理基板に対し、複数のガスを用いて処理を施す処理室と、
前記処理室に設けられ、前記複数のガスを前記処理室内に導入するガス導入部と、
前記処理室上に配置され、前記複数のガスをガス供給機構から前記ガス導入部に導く複数のガス流路と、これらガス流路のうちの少なくとも一本を流れるガスを加熱するヒーターとを内部に有するインレットブロックと、
を具備し、
前記ヒーターがロッドヒーターであり、
前記インレットブロックがロッドヒーター挿入用孔を有し、
前記ロッドヒーターが、前記ロッドヒーター挿入用孔に挿入されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記ガス流路が、前記インレットブロックの高さ方向に多層に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記ガス流路が、前記インレットブロックの高さ方向に形成された縦ガス流路と、前記インレットブロックの平面方向に形成された横ガス流路との組み合わせで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記インレットブロックが、前記縦ガス流路に沿って前記インレットブロックの高さ方向に形成されたロッドヒーター挿入用縦孔と、前記横ガス流路に沿って前記インレットブロックの平面方向に形成されたロッドヒーター挿入用横孔と、を有し、
前記ロッドヒーターが、前記ロッドヒーター挿入用縦孔、及び前記ロッドヒーター挿入用横孔に挿入されていることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理室の前記インレットブロックを載置する載置面が平坦であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記インレットブロックが、アルミニウム製、もしくはアルミニウムを含む合金製であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記基板処理装置が、前記被処理基板上に薄膜を成膜する装置であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記薄膜を成膜する装置が、ＡＬＤ法を用いて前記薄膜を成膜する装置であることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記ガス流路が、前記インレットブロックの高さ方向に形成された少なくとも二本の第１、第２の縦ガス流路と、前記インレットブロックの平面方向に形成された少なくとも一本の横ガス流路との組み合わせで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記第１の縦ガス流路の一端が前記横ガス流路の一の箇所に通じ、前記第１の縦ガス流路の他端が前記インレットブロックの外部に通じ、前記第１の縦ガス流路の他端に前記ガス供給源からガスの供給を受け、
前記第２の縦ガス流路の一端が前記横ガス流路の他の箇所に通じ、前記第２の縦ガス流路の他端が前記インレットブロックの外部に通じ、前記第２の縦ガス流路の他端が前記ガス導入部に接続され、
前記横ガス流路の少なくとも一端が前記インレットブロックの外部に通じ、前記横ガス流路の一端が封止材で封止されていることを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１２−１４７０２７（Ｐ２０１２−１４７０２７Ａ）
【公開日】平成２４年８月２日（２０１２．８．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−９７４５４（Ｐ２０１２−９７４５４）
【出願日】平成２４年４月２３日（２０１２．４．２３）
【分割の表示】特願２００８−６７９９７（Ｐ２００８−６７９９７）の分割
【原出願日】平成２０年３月１７日（２００８．３．１７）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月２日（２０１２．８．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年４月２３日（２０１２．４．２３）
【分割の表示】特願２００８−６７９９７（Ｐ２００８−６７９９７）の分割
【原出願日】平成２０年３月１７日（２００８．３．１７）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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