【課題】処理ガスを大量に活性化させ、かつ失活させずに供給することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを支持する基板支持体３と、触媒板５と、触媒板５に接触させて活性化させる第１処理ガスを供給する第１処理ガス供給部７０aと、触媒板５を誘導加熱する誘導加熱コイル６とを備え、基板支持体３は、触媒板５の一面側に配され、誘導加熱コイル６は、触媒板５の他面側に配され、触媒板５は、処理室１を、誘導加熱コイル６側の第１空間及び基板支持体３側の第２空間に隔てる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低エッチングレート、高絶縁性の特性を備える絶縁膜を形成する。
【解決手段】処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、酸素含有ガスとを供給することで、基板上に所定元素を含む所定厚さの酸化層を形成する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に、炭窒化層と酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス作業の手間を低減させ、プラズマＣＶＤ装置の稼動率を向上させながらも、被処理体の膜厚のばらつきを抑制できるノズルを提供する。
【解決手段】被処理体１の表面に成膜処理を施すプラズマＣＶＤ装置に取り付けられ、被処理体１が配置された放電空間に放電ガスおよび成膜ガスを供給し、放電ガスを供給する放電ガス流路１４と成膜ガスを供給する成膜ガス流路１６とを各別に設け、放電ガス流路１４の下流側の端部に、放電ガスを吐出する放電ガス吐出口１５を設けるとともに、成膜ガス流路１６の下流側の端部に、放電ガス吐出口１５から吐出される放電ガスを挟み込み又は包囲する領域に成膜ガスを吐出する成膜ガス吐出口１７を設けてある。 （もっと読む）

【課題】ノズルを縦型反応管に適正に取り付ける方法を提供する。
【解決手段】マニホールド２０９にノズル２０を取り付けるに際して、保持治具１０をノズル２０の上下両端部に取り付け、ノズル２０の水平部をマニホールド２０９の取付口２１０に処理室２０１側から挿入し、上下の保持治具１０の前端面を処理室２０１の内周面に当接させることでノズル２０と処理室２０１の内周面とのクリアランスおよび平行を自動的に保持する。ノズル２０を保持治具１０で位置決めした状態で、ノズル２０の水平部を取付口２１０に設置された継手２１１に固定し、その後、上下の保持治具１０をノズル２０９から取り外す。 （もっと読む）

【課題】基板（特にＳｉＣエピタキシャル膜が形成された基板）の生産効率を向上させると共にガス供給口への膜の形成を抑制する。
【解決手段】複数の基板１４が縦方向に並んで配置される反応室と、反応室を覆うように設けられ、処理室を加熱する加熱部と、反応室内に複数の基板１４に沿うように設けられ、複数の基板１４が配置される方向に向けて第１ガスを噴出する第１ガス供給口６８を有する第１ガス供給管６０と、反応室内に複数の基板１４に沿うように設けられ、複数の基板１４が配置される方向に向けて第２ガスを噴出する第２ガス供給口７２を有する第２ガス供給管７０と、少なくとも第２ガスが第１ガス供給口へ向かう流れを抑制する第１遮蔽部と、を具備する熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜成長を行う際に、基板表面へのエッチングダメージを軽減して、良質なエピタキシャル膜を得る技術を提供する。
【解決手段】表面に絶縁体面と半導体面とを有する基板を処理室内に搬送する工程と、前記処理室内に搬送された基板に対し、水素含有ガスと塩素含有ガスとを供給し、前記基板の前記半導体面をエッチングするエッチング工程と、前記エッチングされた基板に対し、水素含有ガスを供給して基板表面の残留塩素を除去する第１パージ工程と、前記残留塩素を除去された基板に対しシリコン含有ガスを供給し、前記基板の半導体面にシリコン含有膜を形成する成膜工程とを備え、前記エッチング工程と第１パージ工程とを含む工程を連続して２回以上実施するよう半導体装置の製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスの精度をさらに改善でき、進展するコンタクトホールやラインなどの微細化に対応可能なアモルファスシリコンを成膜できる成膜装置を提供すること。
【解決手段】下地を有した被処理体１を収容する処理室１０１と、処理に使用するガスを供給する処理ガス供給機構１１４と、加熱装置１３３と、排気機構１３２と、コントローラ１５０とを具備し、処理室１０１に、被処理体１を複数収容するとともに、コントローラ１５０が、下地を加熱し、加熱した下地にアミノシラン系ガスを流し、下地の表面にシード層を形成する工程と、下地を加熱し、加熱した下地の表面のシード層にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、アミノ基を含まないシラン系ガスを熱分解させることで、シード層上にアモルファスシリコン膜を形成する工程とが実施されるように処理ガス供給機構１１４、加熱装置１３３及び排気機構１３２を制御する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの供給量の変動を防止し、原料ガスの重合反応により成膜されるポリイミド膜を連続して安定に成膜できる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板にポリイミド膜を成膜する成膜装置において、第１の原料ガスを基板に供給するための第１の気化器２１と、第２の原料ガスを基板に供給するための第２の気化器４１と、第１の気化器の内部の圧力を測定するための第１の圧力計側部Ｍ１と、第２の気化器の内部の圧力を測定するための第２の圧力計側部Ｍ１１と、第１の圧力計側部Ｍ１により測定した第１のデータに基づいて第１の原料ガスの供給量を算出し、第２の圧力計側部Ｍ１１により測定した第２のデータに基づいて第２の原料ガスの供給量を算出し、算出した第１の原料ガスの供給量と算出した第２の原料ガスの供給量とがそれぞれ一定になるように、第１の気化器２１及び第２の気化器４１を制御する制御部６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】中性粒子ビームと平行に原料ガスをウェハに導入でき、ウェハ上に形成される膜の面内均一性を向上することが可能な中性粒子照射型ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】コイル１８によって希ガスを励起してプラズマを発生させるプラズマ発生部１２から中性粒子を取り出して反応室１０内のウェハ１４に向けて導入できる複数の開口２２ａを有するカソード電極２２と、ウェハ１４の直上から前記中性粒子と平行に原料ガスをウェハに供給するガス供給部３１と、を具備するＣＶＤ装置とする。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＮ膜の上部に形成するＴｉＯ膜の少なくとも一部の結晶構造をブルッカイト型構造又はルチル型構造とし、ＴｉＯ膜の誘電率を高める。
【解決手段】ジルコニウム酸化膜の膜厚を制御することにより、ジルコニウム酸化膜の少なくとも一部の結晶構造を立方晶系構造又は正方晶系構造とし、これにより、チタン酸化膜の少なくとも一部の結晶構造をブルッカイト型構造又はルチル型構造とする。 （もっと読む）

【課題】成膜種を効率よく生成することができ、高品質の薄膜を成膜することができるプラズマ処理方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体３を収納して被処理体３上に薄膜を成膜する反応チャンバー１と、反応チャンバー１内に配置され、被処理体３を保持するステージ４と、反応チャンバー１内に第１のガスを供給する第１のガス供給部１０と、反応チャンバー１内に第１のガスとは異なる第２のガスを供給する第２のガス供給部１４と、反応チャンバー１内に高周波放電を発生させる高周波プラズマ源７とを備えるプラズマ処理装置を用い、反応チャンバー１内において、高周波放電によってプラズマ化された第１のガスと、プラズマ化が抑制された第２のガスとを接触させて分解反応を起こさせ、該分解反応に基づいて、ステージ４に保持された被処理体３上に薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】成膜温度が１８０℃以下で形成される絶縁膜の絶縁性を高めることの可能な絶縁膜の形成方法及び該絶縁膜を形成する成膜装置を提供する。
【解決手段】
マスフローコントローラＭＦＣ１から原料タンクＴＫにＡｒガスを供給することによって押し出されたＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスと、マイクロ波プラズマ源ＰＬで励起することによって活性状態にされた酸素原子を含むガスとを、シャワープレート３６に設けられた複数の孔から別々に基板Ｓ表面の空間に供給する。この際、活性状態にされた酸素原子を含むガスの供給を連続的に行う間に、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４昇華ガスの供給を間欠的に複数回行ってもよい。これにより、ジルコニウムと、ホウ素と、酸素とを含む絶縁膜であるＺｒＢＯ膜を基板Ｓの表面及び該基板Ｓの有する貫通孔の内面に形成する。 （もっと読む）

【課題】積層欠陥が少なくて大型のIII族窒化物半導体基板を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】半極性面を主面とする複数のIII族窒化物シード１１０を同一平面上に各シード１１０間の主面の面方位の分布が±０．５°以内となるように配置し、半極性面上にホモエピタキシャル成長を行ってIII族窒化物半導体結晶を得る第１工程、および、III族窒化物半導体結晶から、半極性面とは異なる面を主面とするIII族窒化物半導体基板を取得する第２工程を含むIII族窒化物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板の面内における原料ガスの供給量を均一にし、成膜される膜の膜質を一定にすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器６０内で基板を水平面内で回転可能に保持する基板保持部４４と、供給孔７５が形成された供給管７３ａを含み、供給孔７５を介して成膜容器６０内に原料ガスを供給する供給機構７０と、排気孔８３が形成された排気管８２を含み、排気孔８３を介して成膜容器６０内からガスを排気する排気機構８０と、基板保持部４４と供給機構７０と排気機構８０とを制御する制御部９０とを有する。供給孔７５と排気孔８３とは、基板保持部４４に保持されている基板を挟んで互いに対向するように形成されている。制御部９０は、基板保持部４４に保持されている基板を回転させた状態で、供給機構７０により原料ガスを供給するとともに排気機構８０によりガスを排気することによって、基板に膜を成膜するように制御する。 （もっと読む）

【課題】一度に処理する基板の枚数を増大させ、ＧａＮのエピタキシャル膜の生産性を向上させることができる膜の形成方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する搬入工程と、前記処理室内にガリウム塩化物ガスを供給する第１ステップと、前記処理室から前記ガリウム塩化物ガスをパージする第１パージステップと、前記第１パージステップの後に前記処理室内にアンモニアガスを供給する第２ステップと、前記処理室から前記アンモニアガスをパージする第２パージステップとを有する初期膜形成工程と、前記初期膜形成工程の後に、前記処理室内に前記ガリウム塩化物ガスと前記アンモニアガスを同時に供給し、エピタキシャル膜を形成するエピ膜形成工程とによりＧａＮ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ウィンドウ特性の向上とリテンション特性の向上とを同時に図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に、トンネル酸化膜、チャージトラップ膜、ブロッキング酸化膜、ゲート電極が、下側からこの順で形成された積層構造を有する半導体装置を製造する方法であって、前記ブロッキング酸化膜を形成する工程が、前記チャージトラップ膜上に結晶質膜を形成する結晶質膜形成工程と、前記結晶質膜の上層にアモルファス膜を形成するアモルファス膜形成工程とを具備し、前記結晶質膜形成工程と、前記アモルファス膜形成工程とを同一の処理容器内で連続的に行う。 （もっと読む）

【課題】電極を縮みにくくし、パーティクルの発生を抑制して、処理される基板の品質を均一なものとすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を積層して収容する処理室と、前記処理室の外周に設けられ、前記基板が積層された高さ領域を加熱する加熱ユニットと、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給ユニットと、前記処理室内の雰囲気を排気するガス排気ユニットと、前記処理ガスを活性な状態とするため、高周波電力が印加される少なくとも一対の電極と、前記一対の電極のそれぞれを、少なくとも一箇所が曲がった状態で収納する収納管と、を備え、前記電極は、金属からなる芯線と、該芯線により折曲可能であるように複数個が連結され、前記基板が積層された高さ領域に対応する位置に設けられた第一の管体と、前記芯線により折曲可能であるように複数個が連結され、前記基板が積層された高さ領域より低い位置に設けられた石英からなる第二の管体と、から構成される。 （もっと読む）

【課題】副次的問題を発生させることなく、膜品質を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を収容する処理室と、前記基板を積層して支持する基板支持具と、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記ガス供給手段を制御する制御部と、を有し、前記ガス供給手段は、前記複数の基板間に開口する複数のガス供給孔と、前記処理ガスを紫外線光により活性化する紫外線照射部を有する前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って立設するノズルであって、前記制御部は、前記ガス供給孔から紫外線光とともに前記処理ガスを前記複数の基板間に供給して該処理ガスを励起するよう前記ガス供給手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】レンズの反射を抑制することが可能な酸化膜を低温下で形成する。
【解決手段】基板に形成されたレンズの上に、第１元素を含む第１原料、第２元素を含む第２原料、酸化剤および触媒を用いて空気の屈折率より大きく、レンズの屈折率より小さい屈折率を有する下層酸化膜を形成する下層酸化膜形成工程と、下層酸化膜の上に、第１原料、酸化剤および触媒を用いて空気の屈折率より大きく、下層酸化膜の屈折率より小さい屈折率を有する上層酸化膜を形成する上層酸化膜形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】石英製の反応炉の損傷を抑制することができ、副生成物の生成を抑制できるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物テンプレートの製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶及びＩＩＩ族窒化物テンプレートを提供する。
【解決手段】本発明に係るＩＩＩ族窒化物結晶は、ＩＩＩ族窒化物結晶中に１×１０^１６ｃｍ^−３以上１×１０^２０ｃｍ^−３未満の炭素を含み、前記炭素がＶ族サイトを置換しており、かつ、前記ＩＩＩ族窒化物結晶内でアクセプタとして働く他の不純物を含まないものである。 （もっと読む）