【課題】例えばシアリング干渉方式で波面計測を行う場合の計測誤差を求める。
【解決手段】投影光学系ＰＯを通過した照明光ＥＬを回折格子１０を介して分割し、分割した照明光ＥＬを干渉させて得られる干渉縞２２の強度分布を撮像素子１４で計測し、この計測結果に基づいて投影光学系ＰＯの波面収差を計測する波面計測装置８の校正方法であって、干渉縞２２の周期を変化させるために回折格子１０と投影光学系ＰＯの像面１８との距離Ｌｇを変えて投影光学系ＰＯの波面収差を複数回計測し、この計測結果に基づいて計測誤差を求める。 （もっと読む）

【課題】露光装置の光学系のフレアをより効率的に管理することが可能な露光装置のフレア評価方法を提供する。
【解決手段】露光装置のフレア評価方法は、単位基準積算露光量を第１の基準積算露光量で除算することにより第１の評価値を算出するとともに、単位基準積算露光量を第２の基準積算露光量で除算することにより第２の評価値を算出する工程と、第１の評価値と第１の管理限界値とを比較し、第１の評価値が第１の管理限界値を超えている場合には、照明光学系および投影光学系の全体としてのフレア量が第１の規定値を超えていると判断する工程と、第２の評価値と第２の管理限界値とを比較し、第２の評価値が第２の管理限界値を超えている場合には、照明光学系のフレア量が第２の規定値を超えていると判断する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な処理にて基板の変形に応じた描画データの補正処理を行える直接描画装置を提供する。
【解決手段】ベクター形式のパターンデータから変換されたラスター形式の初期描画データが表現する描画対象画像を含む描画領域を、複数のメッシュ領域に仮想的に分割し、複数のメッシュ領域の各々について、描画領域における配置位置と当該配置位置における描画内容とを関連づけた分割描画データを生成しておく。描画時には、描画対象とされる基板を撮像することにより得られる撮像画像から特定される、基板に設けられたアライメントマークの位置に基づいて、複数のメッシュ領域を基板の形状に応じて再配置する際の配置位置を特定し、複数のメッシュ領域を特定された配置位置に再配置させた状態で、分割描画データにおいて複数のメッシュ領域と関連づけられている描画内容を合成し、一の描画データを生成する。 （もっと読む）

【課題】例えばシアリング干渉方式で波面計測を行う場合の計測誤差を求める。
【解決手段】計測用パターン及び投影光学系ＰＯを通過した照明光ＥＬを回折格子１０を介して分割し、分割した光束を干渉させて得られる干渉縞２２に基づいて投影光学系ＰＯの波面収差を計測する波面計測装置８の校正方法であって、投影光学系ＰＯの物体面側に校正用パターン７を配置し、投影光学系ＰＯの像面側にその計測用パターンに対応するパターンが形成された校正用格子１１を配置し、校正用パターン７及び投影光学系ＰＯを通過した光束を校正用格子１１及び回折格子１０を介して受光し、この受光結果に基づいて計測誤差を求める。 （もっと読む）

【課題】長距離フレアのように広い範囲にわたるフレアの情報を正確に計測する。
【解決手段】投影光学系のフレア情報を計測する方法において、その投影光学系を介して、Ｌ＆Ｓパターンの像２Ｐをレジストが塗布されたウエハＷ２に露光する工程と、その投影光学系を介して、照明領域の形状のパターンの像２７ＲＰをウエハＷ２上に重ね合わせて露光する工程と、露光後のウエハＷ２上のＬ＆Ｓパターンの像２Ｐの複数の位置におけるライン部又はスペース部の像の線幅を計測する工程と、その線幅の計測結果からそのフレア情報を求める工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】投影光学系の最良フォーカス位置を確実に計測する。
【解決手段】マークＰＭの像ＰＭ’が形成された区画領域ＤＡ_ｉと参照領域ＤＣ_ｉとを含む領域ＤＥ_ｉ（ｉ＝１〜Ｍ）について得られる撮像信号（ピクセルデータ）から、区画領域ＤＡ_ｉ（ｉ＝１〜Ｍ）のそれぞれに転写されたマークＰＭの像ＰＭ’のサイズＬＨ_ｉを求め、求めたサイズＬＨ_ｉ（ｉ＝１〜Ｍ）の中から撮像信号（ピクセルデータ）のＳ／Ｎ比に基づいて信頼性が高いサイズＬＨ_ｉを抽出し、抽出したサイズに基づいて投影光学系の最良フォーカス位置を求める。 （もっと読む）

【課題】一括して処理される複数のパターンに対するプロセス条件の余裕範囲を算出できるようにする。
【解決手段】差分算出部１７ａは、複数のパターンの寸法の目標値と、複数のパターンを一括して生成するプロセス後の寸法の実測値との差分を算出し、寸法バラツキ算出部１７ｃは、差分算出部１７ａにて算出された各パターンの寸法の目標値と実測値との差分の算出結果に基づいて、プロセス条件が変化された時の各パターンの寸法バラツキを算出し、プロセス余裕範囲算出部１７ｄは、寸法バラツキ算出部１７ｃにて算出された各パターンの寸法バラツキの算出結果に基づいて、複数のパターンについてのプロセス余裕範囲を算出する。 （もっと読む）

【課題】露光ステージを複数備えた露光装置を使用した場合であっても、形成されるパターンの寸法のずれを抑制することのできる、半導体装置の製造装置、その制御方法、及びその制御プログラムを提供する。
【解決手段】ウエハを載置する露光ステージを複数有する露光機から、加熱対象ウエハの露光時に用いられた前記露光ステージを特定する情報を、ステージ情報として取得するステージ情報取得部と、前記加熱対象ウエハの加熱を行う加熱装置の加熱温度を設定する温度設定部とを具備する。前記温度設定部は、前記ステージ情報に基づいて、前記複数の露光ステージそれぞれについて個別に、前記加熱温度の設定を行う。 （もっと読む）

【課題】プレート毎にオフセット管理して、パターンの重ね合わせ精度を向上させる。
【解決手段】露光装置の主制御装置は、Ｃ／Ｄから露光前のプレートが露光装置に搬送される度に、Ｃ／Ｄから搬入されたプレートの露光で用いられる像歪みの補正情報（オフセット）の識別情報であるオフセットＩＤを入手する（ステップ３０７）。そして、主制御装置は、入手したオフセットＩＤと設定中のオフセットＩＤとを比較して両者が異なる場合、設定中のオフセットを入手したオフセットＩＤに対応するオフセットに切り替える（ステップ３０８、３１０）。そして、ロット内のプレートのそれぞれに対して、ステップ２２０で露光を行う際に、適切なオフセットを用いてパターンの形成状態を補正して、そのパターンをプレート上に形成する。従って、ロット内の全てのプレートに対する露光において、高い重ね合わせ精度を達成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】複数種類のフォトレジスト層がそれぞれ設けられた複数の基板に対して、液浸露光を円滑に行うことができる露光方法を提供する。
【解決手段】投影光学系と液体とを介してパターンの像を基板上に投影することにより基板を露光する際、基板上の液体接触面に形成される膜部材に応じて、基板の液浸条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】浸漬式リソグラフィ装置内で基板を露光した後、例えば基板および／または基板テーブル上の残留液体の発生を防止するか、減少させる。
【解決手段】液侵式リソグラフィにおいて、基板の露光完了後に、前記基板および／または基板テーブルに残った残留液体を検出するために検出器を用いる。残留液体が検出された場合は、手動是正措置をとるようにオペレータに指示するために、警報信号を発出させてもよい。代替的に、一体化された自動乾燥系を起動するか、乾燥プロセスを既に実行している場合は、再起動する。露光後焼成、または、液体の存在で影響を受けやすいその他のプロセスの前に、スピン乾燥等の追加の乾燥ステップを実行するようにトラックユニットに命令するために、エラーコードフラグを付随させることもできる。 （もっと読む）

【課題】露光光の強度が大きいか又は露光時間が長い場合にも高い重ね合わせ精度を得る。
【解決手段】露光用の照明光ＩＬでレチクルＲのパターンを照明し、照明光ＩＬでそのパターン及び投影光学系ＰＬを介してウエハＷを露光する露光方法において、空間像計測系３４でレチクルＲのパターンの像の位置を計測し、そのパターンの像の位置の変動量をレチクルステージＲＳＴの温度情報から予測し、この予測結果に基づいてそのパターンの像とウエハＷとの位置合わせ情報を補正する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィの露光解像限界未満の寸法を有するパターンを形成するための工程数を削減し、また、歩留まりを向上させる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被加工材上に第１のレジスト材からなる第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジスト材が感光するエネルギー線を前記第１のレジストパターンに照射する工程と、前記エネルギー線を照射後に前記第１のレジストパターンのベーク処理を行う工程と、前記被加工材上に前記第１のレジストパターンを覆うように被覆膜を形成する工程と、前記ベーク処理後に前記被覆膜上に第２のレジスト材からなる第２のレジストパターンを形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】インプリントリソグラフィにおいて、パターンの充填不良欠陥を減少させ、かつ、スループットの低下を抑制する。
【解決手段】テンプレートの凹凸パターンにレジスト材料を充填するパターン形成方法に用いられる凹凸パターンの生成方法であって、凹凸パターンの寸法又は形状とレジスト材料の充填時間の関係に基づいて、テンプレートに形成する凹凸パターンの深さを調整する、又は、凹凸パターンを分割する。 （もっと読む）

【課題】インプリント用金型について、微細パターンが複数の段部をから構成されるような場合や微細パターンが曲面や曲線で構成されるような３次元構造パターンであった場合にインプリント用金型を安価で大量に提供できる方法を提供する。
【解決手段】基板１上に塗布した感光性樹脂へのパターン露光、及び現像処理によりパターン形成し、パターン形成後の加熱によってパターン層６形成する。その後、フォトマスクを用いてＵＶ光照射による露光をおこなう。前記の形成方法にて繰り返し、一層目６ａ、二層目６ｂ、三層目６ｃとパターン層６の形成を行い、微細パターンを形成した金型原版７を作製した。その後、微細電鋳法を用いて、前記金型原版７からパターン形状の金型８を製造する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上へのパターン形成時に生じる加工変換差のばらつきを抑えたフォトマスクのマスクデータを容易に作成することができるパターンデータ作成方法を得ること。
【解決手段】基板に加工を施した際に生じる加工前後のパターン寸法変動量を考慮して半導体装置に形成するパターンのマスクデータを作成するパターンデータ作成方法において、加工前後のパターン寸法変動量と、加工前の基板上のパターン総表面積と、の相関関係を算出する相関関係算出工程と、予め作成しておいたマスクデータ内に含まれる各パターンに対応するパターン寸法変動量を、相関関係を用いて算出する寸法変動量算出工程と、予め作成しておいた作成済みのマスクデータおよび算出したパターン寸法変動量に基づいて、新たなマスクデータを作成するマスクデータ作成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】
スループットの点で有利な露光装置を提供する。
【解決手段】
本発明の露光装置は、原版を介して基板を多重露光する露光装置であって、前記基板を保持して移動するステージと、前記ステージに保持された基板に対するフォーカス計測を行う計測手段と、記憶手段と、前記多重露光におけるｎ回目（ｎは１以上の整数）の露光において、前記基板上の各ショットに対する前記計測手段による計測値を前記記憶手段に記憶させ、前記多重露光におけるｍ回目（ｍはｎより大きい整数）の露光において、前記記憶手段に記憶された計測値に基づき前記基板上のショットに対してフォーカス合わせを行うように前記ステージの位置を制御する制御手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】露光装置の露光を中断して復帰動作を行った後で、露光装置の状態に大きい変化がない場合に、短時間に露光動作に移行できるようにする。
【解決手段】レチクルＲのパターンを介してウエハステージＷＳＴ上のウエハＷを露光する露光装置の管理方法において、ウエハステージＷＳＴのウエハホルダ２０の清掃後にその露光装置をリセットする際に、その清掃及びリセットの前後に、ウエハステージＷＳＴのレーザ干渉計用の移動鏡２２Ａ，２２Ｙの曲がりを簡易的な計測方法で計測し、この計測結果の変動量が許容範囲を超えたときに、移動鏡２２Ｘ，２２Ｙの曲がりをより詳細な計測方法で計測する。 （もっと読む）

【課題】遮光部の面積が光透過部の面積よりも大きいパターンを露光するような場合に、感光材料の現像後に得られるパターンの精度を向上する。
【解決手段】フォトレジストが塗布され、マスクＭのパターンを介して露光されるウエハＷを処理する処理装置３２であって、ウエハＷを保持して移動するウエハステージＷＳＴと、ウエハステージＷＳＴで保持されたウエハＷのフォトレジストの現像液に対する撥液性を低下させるために、ウエハＷの全面を露光用の照明光ＩＬで照明する調整用露光光学系３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】露光装置とレチクルとの組み合わせに起因するロット滞留を削減し、リソグラフィ工程のＴＡＴを短縮できる生産管理装置および生産管理方法を提供する。
【解決手段】データ収集部２は、露光装置とレチクルとの組み合わせに起因する、各露光装置の稼動ロスを示す情報を収集する。ロス時間算出部３は、データ収集部２が収集した各情報を用いて、レチクルと露光装置との組み合わせごとに、露光装置とレチクルとの組み合わせに起因する稼動ロス時間を算出する。優先順位決定部４は、ロス時間算出部３が算出した、レチクルと露光装置との組み合わせごとの稼動ロス時間に基づいて、レチクルと露光装置との組み合わせの優先順位を決定する。そして、ディスパッチ部５は、優先順位決定部４が決定した結果にしたがって、レチクルおよび対応するロットを各露光装置に割り当てる。 （もっと読む）