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Fターム[5F046AA17]の内容

半導体の露光(電子、イオン線露光を除く) (57,085) | 半導体の露光の共通事項 (5,194) | 他の処理機能との組合せ (756)

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【課題】コンタミネーション膜が成長する環境下でも、より高精度に露光量の制御を行うことができる反射型フォトマスクの露光量制御方法及び露光装置を提供する。
【解決手段】反射型フォトマスクの吸収膜が反射率測定領域を有して、複数の波長を反射率測定領域に照射する露光量制御方法であって、反射率測定領域に照射する複数の波長λにおける露光前の初期反射率R0(λ)と反射型フォトマスクを用いて、露光を繰り返した後の反射率測定領域に照射する複数の波長λにおける露光後の反射率R(λ)との少なくとも2つの波長について取得する反射率取得工程を備えることを特徴とする露光量制御方法。 (もっと読む)


【課題】テンプレートと基板との間において、気泡を発生させずに塗布液を適切に塗布する。
【解決手段】テンプレートTをウェハW側に下降させて所定の位置に配置する(図6(a))。第1の距離Hは、第1の端部EとウェハWとの間にレジスト液の毛細管現象を発生させる距離である。第2の距離Hは、第2の端部EとウェハWとの間にレジスト液の毛細管現象を発生させない距離である。その後、第1の端部Eの外側からレジスト液Rを供給する(図6(b))。このとき、レジスト液Rは、毛細管現象によってテンプレートTの内側を第1の端部Eに沿って拡散する。その後、第2の距離Hを第1の距離Hに等しくするように、第2の端部EをウェハW側に移動させる(図6(c))。このとき、レジスト液Rは、毛細管現象によって第2の端部E側に拡散し、テンプレートTとウェハWとの間に塗布される。 (もっと読む)


【課題】計測用の光学系を大型化することなく、マスクの面形状の情報を効率的にかつ高精度に計測する。
【解決手段】レチクルの形状情報を計測する計測装置において、投影光学系PLの物体面側に配置され、複数の位相マーク20が形成されたパターン面を有するレチクルRと、投影光学系PLの像面側に配置され、位相マーク20に対応して複数の周期パターン39が形成された蛍光膜35と、位相マーク20、投影光学系PL、及び周期パターン39を通過した照明光ILから生成される検出光DLを検出するFOP37及び撮像素子38と、撮像素子38の検出信号からそのパターン面の形状情報を求める演算装置とを備える。 (もっと読む)


【課題】ユーザが本来行うべき優先度の高い操作を確実に行わせることが可能であり、かつ、不要な情報は非通知とする仕組みを提供する。
【解決手段】管理対象機器100で発生した機器イベントを検出する機器イベント検出部212と、当該機器管理装置200に対するユーザの操作状態を取得する操作状態取得部213と、機器イベント検出部212で検出した機器イベントと操作状態取得部213で取得した操作状態とを検索キー情報として、前記操作状態ごとに前記機器イベントが発生した際の振る舞いを定義した操作状態・機器イベント関連情報を記憶する操作状態・機器イベント関連情報記憶部219から操作状態・機器イベント関連情報を取得し、当該取得した操作状態・機器イベント関連情報に基づいてモニタにメッセージウィンドウを出力する制御を行う制御部220,211を備える。 (もっと読む)


【課題】パターニングデバイスの高次歪みの結果として生じるオーバーレイエラーが低減されたリソグラフィ装置を提供することが望ましい。
【解決手段】本発明は、パターンをパターニングデバイスから基板上に転写するように構成されたリソグラフィ装置に関連し、パターニングデバイスの高次歪みおよび/または像面偏差を測定するように動作可能であり、透過イメージ検出用デバイスと、透過イメージ検出用デバイスから受け取った信号を使用してパターニングデバイスの高次歪みをモデル化するように構成され配置されたプロセッサとを備え、前記パターニングデバイスが主結像フィールドおよび外辺部を有し、前記装置が、前記外辺部および/または結像フィールド内に備えられた位置合わせ構造物から生じた信号を使用して前記高次歪みをモデル化するように動作可能である。 (もっと読む)


【課題】マスクに付着した異物の除去に有利な異物除去装置を提供する。
【解決手段】本発明の異物除去装置8aは、マスク1のパターン面に付着した異物2a、2bを除去する異物除去装置であって、マスク1のパターン面に対向配置される電極5、6と、マスク1のパターン面と電極5、6との間に正及び負の電圧を交互に印加する電源3を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェハ単位でAPCを行う場合の運用性を向上可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】例えば、今回ロット(#1)を対象として露光処理後にレジストパターン寸法の計測が行われ、この計測値を反映して次回ロット(#2)における各半導体ウェハ単位の露光条件が算出される際に、今回ロット(#1)の露光着工枚数が足りないような状況や、今回ロット(#1)内の計測枚数が不足するような状況が生じる。そこで、露光着工枚数が足りない状況(例えば、スロット1〜12内の11,12が存在しない状況)では、近似式による外挿計算を利用して12枚分の計測値を導出し、計測枚数が不足する状況(例えば、スロット1〜12内の1,6,12の分しか得られない状況)では、近似式による内挿計算を用いて12枚分の計測値を導出する。 (もっと読む)


【課題】リソグラフィ装置内でパターン付けされた基板のパラメータを測定する高速メトロロジーツールを提供する。
【解決手段】メトロロジーツールは、リソグラフィ装置内でパターン付けされた基板9のパラメータを測定するように構成されている。メトロロジーツールは、ベースフレーム5と、基板を保持するように構成された基板テーブル6と、基板のパラメータを測定するように構成された少なくとも1つのセンサと、基板テーブルおよびセンサのどちらか一方を他方に対して、少なくとも第1方向において変位させるための変位システム25と、第1バランスマスと、基板テーブルおよびセンサのどちらか一方の第1方向における変位を相殺するため、第1方向の反対方向へ実質的に自由に移動するように第1バランスマス20を移動可能に支持する第1ベアリング21と、を備える。 (もっと読む)


【課題】複数のラスタ変換処理回路のそれぞれを効率よく動作させることにより露光能率を向上させる。
【解決手段】プリント基板に描画する配線パターンを単位図形データから構成されるベクタデータとして生成し、予め指定した領域単位でプリント基板上の配置座標に基づいてソートして第二のベクタデータを生成する。第二のベクタデータをプリント基板の歪みに応じて補正して第三のベクタデータとし、第三のベクタデータをプリント基板上の配置座標の座標値をもとに単位図形データ毎に振り分けて第四のベクタデータを生成し、処理を行う処理領域を定め、第四のベクタデータに含まれる単位図形データが定めた処理領域に含まれる場合は第五のベクタデータとし、定めた処理領域と他の領域に跨る場合は、前者を分割し第五のベクタデータとし、残りを第六のベクタデータとして予め定めた処理領域内の第五のベクタデータをラスタデータに変換することを繰り返す。 (もっと読む)


【課題】プリント基板毎に異なる識別パターンを含んだ露光パターンを速やかに作成することができる描画装置を提供する。
【解決手段】配線パターンをビットマップ画像に変換する処理と、識別パターンの描画命令から露光に使用するすべての組み合わせの文字もしくは図形をそれぞれビットマップ画像に変換し、配線パターンと識別パターンの解像度の比によって圧縮する処理とを事前に実施しておく。そして、識別パターンの描画命令に従って、圧縮しておいた文字もしくは図形のビットマップ画像を用いて識別パターンのビットマップ画像を生成する処理と、識別パターンのビットマップ画像を伸長する処理と、前記配線パターンのビットマップ画像と前記識別パターンのビットマップ画像とを合成する処理とをプリント基板1枚毎に実施する。 (もっと読む)


【課題】ペリクル膜の劣化具合によらず、容易にペリクル膜の傷や破れを検知することが可能なペリクル検査装置を提供する。
【解決手段】原版3に設置されたペリクル膜2の損傷を検知するペリクル検査装置1であって、ペリクル膜2の固有振動数を計測する計測手段5、6を有し、該計測手段5、6が計測した固有振動数の値に基づいて、ペリクル膜2の損傷を検知する。 (もっと読む)


【課題】 テンプレートを用いることなく基板に凹凸状のパターンを形成することができるパターン形成装置を提供することを目的とする。
【解決装置】 基板(FB)の表面に凹凸状のパターンを形成するパターン形成装置(10)において、パターンに対応するパターン情報に基づいて、基板(FB)の表面に供給された硬化性材料(R)を押圧する押圧部(11)と、押圧部(11)によって押圧された硬化性材料(R)に所定のエネルギーを付与し、該硬化性材料(R)を硬化させる硬化部(16)とを備える。 (もっと読む)


【課題】周期性のあるパターンをもつ被検査体のムラ検査をする検査装置の、ムラ欠陥検出能力やムラ欠陥の周期性を検出・解析する能力を評価することが可能な、評価用パターンおよびその評価用パターンを形成したフォトマスクを提供することを目的とする。
【解決手段】所定形状の単位パターンが2次元配列状に配置された周期性パターンであって、所定の複数の列の前記単位パターンが、サイズずれまたは/および位置ずれを起こし、かつ、そのサイズずれまたは/および位置ずれの量は同一で、前記サイズずれまたは/および位置ずれを起こしている単位パターンの列は所定数が隣接して一つの領域として形成されており、さらに、このサイズずれまたは/および位置ずれを起こしている単位パターンのある領域は、正常な単位パターンが形成されている領域を挟んで所定の周期長で配置されていることを特徴とする評価用パターン。 (もっと読む)


【課題】露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、第1液体を介して露光光で基板を露光する。露光装置は、露光光を射出する射出面を有する光学部材と、所定部材と、所定部材の表面にクリーニング用の第2液体を供給可能な供給口と、所定部材の表面から第2液体を回収する回収口と、供給口からの第2液体の非供給時に、供給口と対向する位置に配置されるシャッタ部材とを備え、供給口と回収口とは異なる。 (もっと読む)


【課題】アライメントマークを用いて基板とフォトマスクとの位置合わせを行う時の検出精度を向上させることができる位置検出方法を提供する。
【解決手段】内側が段差によって外側と区切られたアライメントマークが形成された基板上に、レジストを塗布し、基板にアライメント検出光を照射し、アライメントマークの内側の中央部と端部との、レジストの塗布膜厚の差異に起因する反射光の強度変化を観察することにより、アライメントマークの位置を検出する方法において、反射光の強度が、アライメントマークの内側の端部に比較してアライメントマークの内側の中央部の方が強くなる様に、レジストの塗布膜厚を調整する。 (もっと読む)


【課題】液浸領域の液体に接触する部材の汚染に起因する露光精度及び計測精度の劣化を防止できる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置EXSは、投影光学系PLの像面側に液体LQの液浸領域AR2を形成し、投影光学系PLと液浸領域AR2の液体LQとを介して基板Pを露光するものであって、液浸領域AR2を形成するための液体LQに接触する基板ステージPSTの上面31などに対して、光洗浄効果を有する所定の照射光Luを照射する光洗浄装置80を備えている。 (もっと読む)


【課題】偏光状態に依存する計測誤差を低減する。
【解決手段】原版を照明する照明系110および原版のパターンを基板に投影する投影光学系140を有する露光装置において、前記照明系および前記投影光学系の少なくとも一方の光学特性を計測する計測器200と、前記照明系に設定されている照明モードに対応する補正テーブルに基づいて、前記計測器によって計測された計測結果に含まれる前記照明モードに依存する誤差を補正する制御部190とを備える。 (もっと読む)


【課題】生産性を向上させることができる基板処理方法及びインプリント装置を提供する。
【解決手段】第1のテンプレートに形成されたパターンを、半導体基板上に配置された流動性材料としてのレジスト150に転写する第1のインプリント処理と、第1のインプリント処理とは異なるインプリント処理対象の第2の半導体基板の検査処理、第2のテンプレートに形成されたパターンの表面への剥離材140の塗布処理、及び、第1のインプリント処理前に実施された第3のテンプレートに形成されたパターンを半導体基板上に配置されたレジスト150に転写するインプリント処理において用いられた前記第3のテンプレートの検査と第3のテンプレートの検査により再利用可能と判定された場合に行う第3のテンプレートの洗浄を実施する検査・洗浄処理、の少なくともいずれか一つの処理と、を同一の処理チャンバ内で並行して行う。 (もっと読む)


【課題】高スループッドで高精度の検査を行う。
【解決手段】表面にレジスト膜が形成されたウェハのエッジ周辺に照明光を照射してその反射光を撮影し、エッジ周辺の明視野画像を取得する明視野画像取得工程S1と、ウェハのエッジ周辺に照明光を2つの光路に分けて照射してウェハ表面からの反射光とレジスト膜からの反射光とが合成された干渉光を撮影し、エッジ周辺の微分干渉画像を取得する微分干渉画像取得工程S2と、明視野画像に基づいてウェハ境界位置を検出するエッジ位置検出工程S11と、微分干渉画像に基づいてEBR境界位置Eを検出する境界位置検出工程S12と、ウェハ境界位置からEBR境界位置までの距離を判定する判定工程S13とを備える基板検査方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】 統一した基準でかつ1番目のショットからモールドによる成形の良否を判定できるインプリント装置を提供する。
【解決手段】 インプリント装置は、モールド10によって成形された樹脂を撮像する撮像部40と、前記撮像部により撮像された画像の少なくとも一部の領域を、前記撮像部による撮像に先立って予め設定された基準状態の画像と比較して、前記モールドによる成形の良否を判定する判定部である制御部100と、を備える。 (もっと読む)


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