【課題】照明光源の形状を必要な形状に容易に調整できるようにする。
【解決手段】光源調整方法は、照明光源の目標とする形状に対する実際の形状の変化を表す画像変調パラメータＺ_jを設定するステップ１０２と、照明系変調パラメータｆＢｊに基づいて照明光源の形状が調整される第１の照明光学系に関して、画像変調パラメータＺ_jと照明系変調パラメータｆＢｊとの変換の行列Ｂを求めるステップ１１３，１１４と、その行列Ｂを用いて、画像変調パラメータＺ_jの第１組の値ＺＶ_jに対応する照明系変調パラメータｆＢｊの第２組の値ｆＢＶｊを求めるステップ１１６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】露光後ベーク処理時における酸の拡散長を短く抑制することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】パターン露光処理が行われた基板ＷがフラッシュベークユニットＦＬＢに搬送される。冷却プレート８１の上面に保持された基板Ｗの表面にフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射して瞬間的に加熱し、パターン露光時の光化学反応によってレジスト膜中に生じた活性種を酸触媒としてレジスト樹脂の架橋・重合等を進行させ、レジスト膜の現像液に対する溶解度を露光部分のみ局所的に変化させる露光後ベーク処理を行う。フラッシュ光照射によるフラッシュ加熱処理は処理時間が１秒以下の極めて短時間の処理であるため、露光後ベーク処理時における酸の拡散長を短く抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】露光機内のマスクステージにマスクを装着した状態で、ペリクル上の透明性異物の検査を行うことができるペリクル及び露光装置を提供する。
【解決手段】ペリクル５０のペリクルフレーム５２に、ペリクル膜５１の表面上を伝搬する弾性表面波を発生させる弾性表面波素子２０Ａと、弾性表面波を受信する弾性表面波素子２０Ｂとを設け、当該弾性表面波によってペリクル膜５１上の異物の有無を検出する。このとき、ペリクル５０を装着したフォトマスク１を、露光機１００のマスクステージ１０３に載置した状態で異物検査を行う。また、弾性表面波素子２０Ａ，２０Ｂをペリクルフレーム５２に複数組設ければ、ペリクル膜５１上の異物の位置を特定できる。 （もっと読む）

【課題】露光を行なうことによりフォトマスクに生じる、フォトマスクのパターン寸法の変動による影響を低減する。
【解決手段】フォトマスクに照射される露光量に応じて定期的にフォトマスクのクリーニング処理を行なう。具体的には真空チャンバ１内のステージ３上に試料２としてのフォトマスク基板を載置し、作業用ガスとして還元性ガスを真空チャンバ１内に導入する。プラズマ生成用のＲＦ電源７及びプラズマイオンの入射エネルギ調整用のＲＦ電源２４に高周波電力を印加してプラズマを発生させ、還元性ガスをラジカル化し、露光によりフォトマスクの遮光層に取り込まれた酸素原子を、酸化還元反応によって引き出すことにより、酸化層を除去する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ投影露光装置に備わる投影光学系の瞳面内の透過率分布を高精度に計測することのできる技術を提供する。
【解決手段】ＥＵＶ投影露光装置において、反射光に位相差を与える複数のライン状の位相差パターンＭＰを有する検査用マスクを用いて、ウエハの主面上に位相差パターンＭＰの投影像を形成し、位相差パターンＭＰの一方のエッジ部に対応する投影像光強度の低下量と、位相差パターンＭＰの他方のエッジ部に対応する投影像光強度の低下量とを比較することにより、ＥＵＶ投影露光装置の瞳面内の透過率分布を把握する。 （もっと読む）

【課題】位置合わせ測定の精度を向上する。
【解決手段】１つの実施形態によれば、位置合わせ測定方法では、測定光学系の測定領域内が２次元的に分割された複数の部分領域のそれぞれに位置合わせ測定用マークが位置するように前記位置合わせ測定用マークに対する前記測定領域の相対的な位置を順次にシフトさせながら前記位置合わせ測定用マークの位置合わせずれ量を予め測定して、前記測定光学系の特性ずれに関する装置要因誤差を前記複数の部分領域のそれぞれごとに求め、前記複数の部分領域ごとに求められた前記装置要因誤差に基づいて前記複数の部分領域のうち使用すべき部分領域を決定し、前記決定された前記使用すべき部分領域に前記位置合わせ測定用マークが位置するように前記位置合わせ測定用マークに対する前記測定領域の相対的な位置をシフトさせた状態で前記位置合わせ測定用マークの位置合わせずれ量を測定する。 （もっと読む）

【課題】近似関数にて算出したショット端でのドーズ量が発散するのを防止する。
【解決手段】計測領域Ｒ１の寸法計測データＣＤをショット端ＳＴより外側のショット外領域にミラーリングすることにより仮想データを生成し、計測領域Ｒ１の寸法計測データＣＤおよび仮想計測領域Ｖ１〜Ｖ８の仮想データに基づいて計測領域Ｒ１および仮想計測領域Ｖ１〜Ｖ８のドーズデータを算出し、ドーズデータが算出された計測領域Ｒ１および仮想計測領域Ｖ１〜Ｖ８からショット領域Ｋ１を切り出す。 （もっと読む）

【課題】パーティクルや結晶欠陥などの不良を含む半導体素子を容易に検知する技術の提供。
【解決手段】半導体素子の製造方法では、複数の半導体素子部アレイを基板上に形成（Ｓ１）し、半導体素子部の外観検査（Ｓ２）を行う。外観検査後、半導体素子部上に絶縁膜を形成（Ｓ３）し、絶縁膜上に第一レジスト膜を形成（Ｓ４）する。第一レジスト膜をパターニングして開口のアレイを有する第一レジストマスクを形成（Ｓ５）する。第二レジストを第一レジストマスクの第一レジスト開口に形成して、第二レジストマスクを形成（Ｓ６）する。第二レジストは、外観検査の結果によって示されるアレイ内の第一レジスト開口に形成される。第一レジストマスク及び第二レジストマスクを用いたエッチングにより絶縁膜から保護膜を形成（Ｓ７）する。保護膜及び半導体素子部上に電極を形成（Ｓ８）し、電気特性の検査（Ｓ９）を行う。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造の変種変量生産に柔軟に対応すること。
【解決手段】０．５インチサイズのウェハによる枚葉処理方式でのデバイス製造方法及び装置であって、可搬とされ、望ましくは規格化された外形を有し、製造プロセスの内の１つの処理プロセスを処理する密閉型の単位処理装置１を多数配置して製造ラインを形成し、当該デバイスの製造単位数が単位処理装置の数より多い場合には、当該デバイスの処理プロセスの順序に対応させて該単位処理装置をフローショップ方式により配置し、当該デバイスの製造単位数が単位処理装置の数と同等の場合には、該単位処理装置を工程の順序の大分類ごとにクラス分け配置したクラスショップ方式により配置し、さらに製造単位数が工程数を大きく下回る場合には、プロセス種１種類に１台程度の単位製造装置を１つのセル内に配置し、そのセルが複数で構成されるマルチセルショップ方式により配置する。 （もっと読む）

【課題】塗布、現像装置のスループットの低下を抑えると共に装置の設置面積を抑えること。
【解決手段】処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備え、液処理系の単位ブロック群は、第１の単位ブロックと第２の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、この積層体に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックを互いに上下に積層した積層体と、から構成され、前記第１の単位ブロックは、反射防止膜モジュールと、レジストモジュールと、を基板の搬送路の左右に備え、前記第２の単位ブロックは、上層膜モジュールと、硬化モジュールと、を基板の搬送路の左右に備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、得られたパターン画像等に基づいて、正確なプロセスモニタ可能とする半導体製造装置の管理装置、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、複数の位置のパターンの形状情報と、露光装置の露光条件との関連を記憶するライブラリと、画像情報から抽出された複数の位置の形状情報と、ライブラリに記憶された形状情報を比較し、画像情報から抽出された複数のパターンの形状情報に相当する複数の露光条件の範囲の論理積に基づいて、前記露光条件を抽出する演算装置を備えた半導体製造装置の管理装置、及び上記処理を実行するコンピュータプログラムを提案する。 （もっと読む）

【課題】トリメチルシラノール等のシラノール化合物を高い除去率で除去可能な空気浄化システムを提供する。
【解決手段】本発明に係る空気浄化システムは、除湿装置１３、内部ケミカルフィルタ１４、及び調温調湿装置１５を備える。シラノール化合物を含む空気は、除湿装置１３で相対湿度３３％以下とされたうえで、内部ケミカルフィルタ１４でろ過される。シラノール化合物は、低湿環境下で二量化されて、内部ケミカルフィルタ１４によって高い除去率で除去される。調温調湿装置１５は、内部ケミカルフィルタ１４を通過した空気を通常の相対湿度に戻す。 （もっと読む）

【課題】周辺露光処理後の基板の検査を行う基板処理において、当該基板処理のスループットを向上させる。
【解決手段】ウェハ処理装置４２は、周辺露光処理を行う周辺露光室１１１、１１２と、周辺露光処理後のウェハＷの欠陥を検査する検査室１１３と、ウェハＷを鉛直方向に搬送する搬送アーム１３０を備えた搬送室１１４とを有している。周辺露光室１１１、１１２は、ウェハＷを保持する第１の保持部１４０と、搬送室１１４との間で第１の保持部１４０を移動させる駆動部１４２と、ウェハＷの周縁部を露光する露光部１５０と、ウェハＷの周縁部の位置を検出する位置検出センサ１５２とを有している。検査室１１３は、ウェハＷを保持する第２の保持部１６０と、搬送室１１４との間で第２の保持部１６０を移動させる駆動部１６２と、ウェハＷを撮像する撮像部１７０とを有している。 （もっと読む）

【課題】周辺露光処理後の基板の検査を適切に行いつつ、当該検査を含む基板処理のスループットを向上させる。
【解決手段】ウェハ処理装置４２は、ウェハＷを保持する保持部１２０と、保持部１２０を回転させると共に、受渡位置Ｐ１と周辺露光位置Ｐ２との間で保持部１２０を移動させる駆動部１２１と、周辺露光位置Ｐ２においてウェハＷの周縁部を露光する露光部１４０と、露光部１４０の上方に設けられ、ウェハＷを撮像する撮像部１５０と、保持部１２０に保持されたウェハＷと撮像部１５０との間で形成される光路の方向を変更させる方向変換部１５３とを有している。方向変換部１５３は、第１の反射鏡１５４、第２の反射鏡１５５及び第３の反射鏡１５６を有し、第２の反射鏡１５５及び第３の反射鏡１５６によってウェハＷと撮像部１５０との間で形成される光路が折り返される。 （もっと読む）

【課題】処理ブロックの設置面積を抑えると共に装置の稼働効率の低下を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、後続の基板の搬送モードを、モードＭ１及びＭ２から選択するためのモード選択部を備えるように塗布、現像装置を構成する。前記モードＭ１は、現像処理用の単位ブロックにおける基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送するように単位ブロック用の搬送機構の動作を制御するモードであり、前記モードＭ２は、基板が処理された現像処理用の単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された現像処理用の単位ブロック以外の現像処理用の単位ブロックに搬送するように受け渡し機構の動作を制御するモードである。 （もっと読む）

【課題】使用時の投影光学系の光学特性を計測することができる計測用光学部材、マスク、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】計測用光学部材２３は、計測用パターン４６が形成されるパターン形成領域４４及び該パターン形成領域４４とは異なる位置に配置される非パターン形成領域４５ａ，４５ｂ，４５ｃを有する複数の計測用パターンユニット４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃを備えている。非パターン形成領域４５ａ，４５ｂ，４５ｃは、計測用パターンユニット４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃ毎に互いに異なる形成条件で形成されている。 （もっと読む）

【課題】安価にパターンを形成可能なパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】基体２００上にブロックコポリマー含有膜、グラフトコポリマー含有膜またはポリマー混合膜を形成し、このブロックコポリマー含有膜、グラフトコポリマー含有膜またはポリマー混合膜を自己組織化する。つぎに、自己組織化された前記ブロックコポリマー含有膜、グラフトコポリマー含有膜またはポリマー混合膜に含有される複数種のポリマーを、少なくとも１種類のポリマーを残すように選択的に除去することにより、第１パターン２１０を前記基体２００上に形成する。つぎに、被処理基板１００上に形成された被加工膜上のパターン形成領域１０２ａに前記第１パターン２１０を貼付する。 （もっと読む）

【課題】光学部材の反射面を洗浄できる洗浄方法、洗浄装置、露光方法、露光装置およびデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】照明光学系２および投影光学系ＰＬが備える光学部材の少なくとも一つに設けられ、光学部材の反射面に対して複数の方向から、洗浄光ＣＬを射出する洗浄用光源ＣＳを備える露光装置１００を提供する。洗浄用光源ＣＳは、コンデンサーミラー１９ａの反射面の前方に、開口部３１を有する環状部材で形成されている。 （もっと読む）

【目的】描画装置の計算機の過負荷状態を引き起こさない、或いは緩和することが可能な装置を提供することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、第１のモジュールと、実行周期で動作を実行する第２のモジュールとを並行して実行するＣＰＵ１１２と、ＣＰＵ使用率を監視し、使用率に応じて増減する新たな実行周期を演算し、出力する負荷制御部１１６と、第１のモジュールの実行によって制御される、試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備え、ＣＰＵ１１２は、新たな実行周期が出力された際に、以降は当該新たな実行周期で第２のモジュールを実行することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明ではフォトリソグラフィー技術解像限界付近のパターン形成を安定して形成すると共に、コンタクトプラグなどの構造物における目合わせずれや接触面積の縮小による接触電気抵抗の増大や接続不良を解決する。
【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁材料層１００に、第１の方向に延在し、底部の幅Ｗ１より上部の幅Ｗ２が広い第１の溝１０１を形成する工程と、第１の溝１０１内に、溝の上端より低い位置まで埋め込み層１０２を形成する工程と、埋め込み層１０２上に露出している第１の溝１０１の側壁を覆うサイドウォール１０３を形成する工程と、サイドウォール１０３をマスクとして埋め込み層１０２をエッチングして第１の方向に分離する工程と、
を含むことを特徴とする。 （もっと読む）