【課題】リソグラフィ装置の真空チャンバ内にコンポーネントを収容するためのシステムを提供する。
【解決手段】リソグラフィ装置内で使用されるコンテナが提供される。コンテナは、複数のガス気泡を含む充填材料で少なくとも部分的に満たされた内部空間に、リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネントを収容するように構成される。 （もっと読む）

【課題】周期構造の電磁散乱特性の正確な数値計算を迅速に実行する。
【解決手段】構造の電磁散乱特性を計算する体積積分法（ＶＩＭ）の改良型収束は、電場ではなく、ベクトル場の体積積分方程式を数値的に解くことによって達成される。ベクトル場は、基底変換によって電場に関連付けることができ、電場が不連続部を有する材料の境界で連続することができる。ベクトル場の畳み込みは、有限離散畳み込みに従って畳み込み演算子を使用して実行する。可逆畳み込み及び基底変換演算子は、周期構造の材料及び幾何学的特性に従って基底変換を実行することにより、ベクトル場を電場に変換する。ベクトル場について体積積分を解いた後、追加の後処理ステップを使用して、ベクトル場から電場を得ることができる。ベクトル場は、連続的な成分をフィルタリングするために法線ベクトル場を使用することにより、電場の場の成分と電束密度の組合せから構築することができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ上におけるフレアや３Ｄ効果による影響を無くすことができ、ウエハ上の露光量を精度良く検出する。
【解決手段】ＥＵＶ光でマスク上のパターンをウエハ上に転写したときの露光量をモニタするための露光量モニタ方法であって、露光量に応じてウエハ上に転写されるパターンの寸法が変化するモニタパターンを有する反射型マスクを用い、ＥＵＶ光の照射によりマスク上のモニタパターンをウエハ上に転写し（Ｓ１）、ウエハ上に転写されたモニタパターンの線幅を実測し（Ｓ２）、マスク上でのＥＵＶ光の入射角度に応じたウエハ上でのモニタパターンの線幅を予め計算しておき（Ｓ３）、実測されたモニタパターンの線幅を計算された入射角度に応じた線幅に基づいて補正し（Ｓ４）、補正された線幅からウエハ上のモニタパターンの露光量を求める（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】インプリントリソグラフィを用いて所望のパターン形成を行うパターン生成方法を提供すること。
【解決手段】テンプレートを用いたインプリントプロセスを実施してウェハ上にパターンを形成する際の、ウェハ上パターンの設計レイアウトを用意する工程と、設計パターンに基づいて、ウェハ上パターンを形成するためのプロセスをシミュレーションまたは実験により実施して、ウェハ上での仕上がり形状を取得する工程と、設計パターンと取得したウェハ上での仕上がり形状とを比較して、所定の条件を満たしているか否かを判定する工程と、所定の条件を満たしている場合は設計パターンを採用し、所定の条件を満たしていない場合は設計パターンを補正する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】疎液性コーティングを表面に形成する方法を提供する。
【解決手段】疎液性コーティングを酸化基を有する表面に形成する方法が開示される。この方法は、化学式SiX₄をもつシランまたはシロキサンを前記表面に接触させることを含み、ここでＸのそれぞれは同一または異なるものであり、少なくとも１つのＸは離脱基であり、少なくとも１つのＸは疎液性の基である。 （もっと読む）

【課題】
露光不良を抑制できる監視装置、露光装置、監視方法、及びデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】
露光装置ＥＸは、マスクステージ１、投影光学系ＰＬ及び基板ステージ２を覆う、内部空間Ｎ１を形成するチャンバ装置Ｃを備える。内部空間Ｎ１に気体を供給する供給装置３には、内部空間Ｎ１に供給される気体を監視する監視装置1Ｋ、2Ｋを備える。内部空間Ｎ１の気体を回収する回収装置４には、内部空間Ｎ１の気体を監視する監視装置3Ｋを備える。 （もっと読む）

【課題】異物の飛散を低減化すること。
【解決手段】基板を保持する基板保持部上を清掃する清掃部材と、基板保持部上の異物が清掃部材に付着するように当該清掃部材に静電力を付与する静電力付与装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】露光装置のフットプリントの狭小化を図る。
【解決手段】投影光学系ＰＬ等を備える露光ステーション２００とアライメント装置９９等を備える計測ステーション３００とが、それぞれの基準軸ＬＶ，ＬＨが直交するように、配置されている。さらに、露光ステーション２００と計測ステーション３００とのそれぞれから離間する基準軸ＬＶ，ＬＨの交点上に、粗動ステージＷＣＳ１，ＷＣＳ２間で微動ステージＷＦＳ１，ＷＦＳ２をリレーするためのセンターテーブル１３０が設置されている。 （もっと読む）

【課題】マスクエラーモデルと組み合わせ、デバイス設計の共通プロセス窓や露光ツールを最適化する方法、及びシステムを提供する。
【解決手段】ポストＯＰＣマスクレイアウトに従ってマスクが製造される（工程２１０）。マスクを検査しマスク検査データを生成、分析し、系統的マスクエラーパラメータを決定する（工程２１２）。検査されたマスクについて個別マスクエラーモデルが作成される（工程２１４）。個別マスクエラーモデルを使用してリソグラフィプロセスをシミュレートし、シミュレートパターンを生成する（工程２１６）。シミュレートパターンを工程２１８で得られたプレＯＰＣ設計レイアウトと比較し（工程２２０）、所望のパターニング性能を発揮するかどうかを判定する（工程２２２）。発揮できると判定された場合、工程２２８に進む。そうでない場合は工程２２４に進み、修復可能または作り直し可能かどうかを判定する。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送に用いる基板トレイ上に基板を平面度良く載置する。
【解決手段】複数の第１支持ピン６２上に載置された基板Ｐは、複数の第２支持ピン６３によりその下面が押圧されることにより、その撓みが抑制される。そして、撓みの抑制された基板Ｐが、基板トレイ９０上に載置されるので、基板を基板トレイ９０上に基板を平面度良く載置できる。基板Ｐは，基板Ｐの端部を下方から支持する基板搬送ロボットにより複数の第１支持ピン６２上に載置されるために、複数の第１支持ピン６２は、基板Ｐの端部を支持することができず、基板Ｐは、複数の第１支持ピン６２に載置された状態で、その端部が自重により垂れ下がっているが、複数の第２支持ピン６３によりその垂れ下がりが抑制される。 （もっと読む）

【課題】縮小投影露光方法で形成するレジストパターンの線幅の変動を小さくすること。
【解決手段】密集パターンに対応する、帯状レジストパターンの最大線幅と基板表面位置の関係を示す第１の最大線幅位置特性と、孤立パターンに対応する、前記最大線幅と基板表面位置の関係を示す第２の最大線幅位置特性を導出し、前記第１の最大線幅位置特性における、所望の最大線幅に対応する第１の基板表面位置と、前記第２の最大線幅位置特性における、前記所望の最大線幅に対応する第２の基板表面位置の中間の基板表面位置を、露光時の基板表面位置として定める第１の工程と、基板表面を前記露光時の基板表面位置に配置し、前記基板表面に形成したレジ膜に縮小投影露光を施した後、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する第２の工程とを有すること。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置およびプロセスで使用するために照明源およびマスクを最適化するためのツールを提供する。
【解決手段】いくつかの態様によれば、本発明は、フルチップパターンのカバーを可能にし、一方、光源およびマスク最適化で使用しようとするクリップの完全な集合３０２から重要な設計パターンの小さな集合３０６をインテリジェントに選択することによって、計算コストを低減する。最適化は、最適化された光源を得るために、これらの選択されたパターンに対してのみ実施される。次いで、最適化された光源を使用し、（たとえばＯＰＣおよび製造可能性検証３２０を使用して）フルチップに合わせてマスクを最適化し、プロセスウィンドウ性能結果が比較される（３２２）。結果が従来のフルチップＳＭＯに匹敵する場合、プロセスが終了し、そうでない場合には、繰り返して好結果に収束するように、様々な方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ効果的にクリーニングできるリソグラフィ装置を提供し、さらに液浸リソグラフィ装置を効果的にクリーニングする方法を提供する。
【解決手段】液浸リソグラフィ装置の液体封じ込めシステムの表面をクリーニングするクリーニングツールが開示され、液体封じ込めシステムは、液浸リソグラフィ装置の液体封じ込めシステムを放射ビームが通過できる開口を有する。クリーニングツールは、音響変換器と、音響変換器とクリーニングすべき表面の間に液体を保持するリザーバと、使用時に音波に対するシールドを形成するためにリザーバ内で開口の下に配置されたバリアとを含む。 （もっと読む）

【課題】マスクブランクを大気に曝すことなく描画から熱処理までを行うことができるフォトマスクの製造装置を提供する。
【解決手段】描画手段１００の真空状態にある描画チャンバ１００ａ内でフォトレジスト塗布後のマスクブランク上にパターン像を描画する。描画後のマスクブランクを真空状態に保持された真空搬送路１０５内を通して熱処理手段１１０の真空状態にある熱処理チャンバ１１０ａ内に搬送する。そして、熱処理チャンバ１１０ａ内に搬送された描画後のフォトレジストを加熱しベーキングする。これにより素子精度・安定性およびパターン荒さを向上させ、抜け不良を低減させ、孤立スペースパターンの解像度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】使用済みスチームを拡散させることなく効率よく回収することができる半導体製造装置の洗浄装置を提供する。
【解決手段】純水スチーム生成容器１２と、スチーム供給管１７及びスチーム回収管１８からなる洗浄ノズル１６を有する半導体製造装置の洗浄装置１０のスチーム供給管１７の先端部に、スチーム供給口１９から噴射され、洗浄対象物３０に衝突した使用済み純水スチームが、スチーム供給管１７の先端部の外形表面に沿った流れを形成するような凸状の湾曲面１７ａが形成される。 （もっと読む）

【課題】一つまたはそれ以上の従来の不都合を克服できる、または少なくとも改善できる、ナノスケールの大きさで基材を製造する方法を提供する。
【解決手段】(ａ)無機部分と該無機部分の融点よりも低い気化温度を有するポリマー部分を含む無機−有機化合物から形成されるインプリント構造物２１ａを表面上に少なくとも一つ有する基材３０を提供する工程；および（ｂ）無機部分の少なくとも一部分が前記インプリント構造物中に実質的に連続な無機相を形成できるようにしながらポリマー部分の少なくとも一部分を選択的に除去して、ポリマー部分の少なくとも一部分をインプリント構造物２１ａから除去することによりインプリント構造物の大きさを減少させる工程；を含むことを特徴とする基材上のインプリント構造物の大きさを減少させる方法。 （もっと読む）

【課題】加熱にともなうアウトガスの発生を防止しつつ、マスクの洗浄処理を行うことができるマスク洗浄方法及びマスク洗浄装置を提供する。
【解決手段】マスク洗浄方法は、基板３０の主面３０ａ上に形成されたマスクパターンを有するマスク膜３２に、マスク膜３２側からエネルギー線を照射して基板３０よりもマスク膜３２の温度を高温とすることによりマスク膜３２の表面を洗浄する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】液浸露光後、現像処理前において、基板の最上層の膜の表面、例えばレジスト膜の表面に吸着した異物を十分に除去できるようにする。
【解決手段】まず、基板にレジスト膜を形成する（ステップＳ２０）。その後、レジスト膜を液浸露光する（ステップＳ４０）。その後、基板を傾けて回転させながら、基板に洗浄液を、基板の表面に対して斜め方向又は水平方向から供給する（ステップＳ５０）。その後、レジスト膜を現像する（ステップＳ７０）。この方法によれば洗浄液を、基板の表面に対して斜め方向又は水平方向から供給することができる。このため、基板の最上層の膜に異物が吸着していた場合、この異物に対して洗浄液は、斜め方向又は水平方向にあたる。このため、異物は基板の最上層の膜表面から浮き上がりやすくなり、除去されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】露光不良を抑制することができる露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】ステージに保持される基板の表面の一部と第１液体とが接触した状態で当該第１液体を介して基板に露光光を照射する露光装置であって、このステージは、第２液体に対して親液性を有しかつ基板を囲むように配置される１つ以上の親液領域を備え、当該親液領域に第２液体を供給する供給系を備える。 （もっと読む）

【課題】コンタミネーション膜が成長する環境下でも、より高精度に露光量の制御を行うことができる反射型フォトマスクの露光量制御方法及び露光装置を提供する。
【解決手段】反射型フォトマスクの吸収膜が反射率測定領域を有して、複数の波長を反射率測定領域に照射する露光量制御方法であって、反射率測定領域に照射する複数の波長λにおける露光前の初期反射率Ｒ０（λ）と反射型フォトマスクを用いて、露光を繰り返した後の反射率測定領域に照射する複数の波長λにおける露光後の反射率Ｒ（λ）との少なくとも２つの波長について取得する反射率取得工程を備えることを特徴とする露光量制御方法。 （もっと読む）