【課題】 簡易な構成で高精度に被検光学系の波面収差を測定することができる測定装置を提供する。
【解決手段】 被検光学系の波面収差を測定する測定装置が、マスク及び被検光学系を透過した光を反射して被検光学系に入射させる反射光学素子と、ピンホール、開口を透過した光の干渉縞を検出する検出器とを有する。マスクは、１つのピンホールとピンホールよりも大きな径の１つの開口とが点対称に配置された組を少なくとも３つ有し、各組の対称の中心が共通である。３つの組のうち、２組においてそれぞれ形成された被検光と、他の組において形成せれた参照光とを干渉させるか、３つの組のうち、１組において形成された被検光と、他の２組においてそれぞれ形成された参照光とを干渉させる。 （もっと読む）

【課題】レベルセンサのプロセス依存型オフセット誤差を正確に修正する費用有効性の高い方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗ（たとえば基板を支持するための基板テーブルを備えたリソグラフィ装置内の基板）を露光する方法には、第１及び第２のセンサ１０,１１を使用して少なくとも１つの基板Ｗの一部の第１及び第２の高さ測定を実行するステップと、測値の差に基づいてオフセット誤差マップを作成し、且つ、記憶するステップと、第１のセンサ１０を使用して高さ測定を実行することによって、前記基板Ｗ（又は前記部分と類似した処理が施された他の基板）の複数の部分のハイト・マップを作成して記憶し、且つ、オフセット誤差マップによってこのハイト・マップを修正するステップと、前記基板Ｗ（又は他の基板）を露光するステップが含まれている。 （もっと読む）

【課題】パターン付き基板全体にわたるクリティカルディメンジョン（ＣＤ）のばらつきなどを軽減し、あるいは除去することができるリソグラフィ装置および／または方法を提供する。
【解決手段】化学増幅型レジストがコーティングされた試験基板上の異なるロケーションについて、露光後ベークステップの中の、時間の関数としての温度を得るステップが含まれている。化学増幅型レジスト上の放射線量とレジスト層中に生成される促進剤の露光後濃度との間の関係が取得される。ＣＤを促進剤の露光後濃度に関連付ける、かつロケーション全体にわたる、時間の関数としての温度に関連付けるモデルを使用して、指定されたＣＤを得るための放射線量を計算する。基板上の異なるロケーション毎に計算された放射線量を使用して、試験基板と同一基板をパターニングする。この方法を使用して、パターン付き基板全体にわたるＣＤの均一性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】 リソース不足によるアプリケーションの途中停止が起きる可能性を小さくし、また、リソース不足が解消された際には処理の継続を実現できるようにする。
【解決手段】 アプリケーション１１０が確保したリソースに係るリソース量を含むリソース情報を保持するリソース情報管理テーブル１３２と、アプリケーション１１０を監視し、リソース情報管理テーブル１３２の更新を行うとともにアプリケーションごとの最大使用リソース量を得る処理を行う監視部１３１と、リソース情報管理テーブル１３２のリソース情報及びアプリケーションごとの最大使用リソース量に基づいて、利用可能なリソース量を算出する算出部１３３と、算出された利用可能なリソース量と実行対象のアプリケーションにおける最大使用リソース量とに基づいて、アプリケーション１１０の実行を制御する制御部１３４を具備する。 （もっと読む）

【課題】スループット速度が改善された基板の特性を測定するための方法および装置を提供する。
【解決手段】基板の特性を測定するための方法および装置である。ターゲットが基板上に存在しており、基板の走査移動の間に測定が実行される。基板の走査移動は、リニアな移動であり、測定は、パルス光源を用いてターゲットの反射像を取得することを含む。１つの光パルスの持続時間は１００ｐｓｅｃである。リソグラフィ装置は、このような測定装置を含み、デバイス製造方法は、このような測定方法を含む。 （もっと読む）

【課題】大型で高精度な計測用の光学系を用いることなく、被検光学系の光学特性を高精度に計測する。
【解決手段】投影光学系の波面収差の計測方法において、投影光学系を通過した光束を、ガラス球１９中の入射角に応じて全反射を起こす選択的反射面１９Ａａに照射し、ガラス球１９を回転しつつ、選択的反射面１９Ａａを透過した光束をコリメータレンズ２０を介して撮像素子２１で受光し、撮像素子２１で得られる画像データから投影光学系の波面収差を求める。 （もっと読む）

【課題】露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、露光光で基板を露光する。露光装置は、プロセスガスより生成されたプラズマを供給可能な第１供給口を有し、第１供給口から供給されたプラズマと洗浄対象部材とを接触させて、洗浄対象部材をクリーニングするクリーニング装置を備えている。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、ダブルパターニングによって形成される第１パターンと第２パターン間のずれ、重なり領域の評価を適正に行い得る方法，装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、第１パターンに関する情報と、ダブルパターニングの第２の露光によって形成される第２パターンの設計情報とを結合した結合情報と、第１パターンと第２パターンが表示された画像との間で、２段階のマッチングを行い、第２のパターンの設計情報の移動量に基づいて、第１パターンと第２パターンとの間のずれ量を求める方法、及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 温度調整部と脱気処理部の両方の性能を容易に確保できる液体供給ユニットを備える液浸露光装置を提供すること。
【解決手段】 液体Ｌを介して基板１３０を露光する露光装置は、投影光学系１１０と、供給ユニット１６０を備える。供給ユニット１６０は、液体Ｌを蓄えるタンク１８０と、タンク１８０に蓄えられた液体Ｌが循環する循環流路２２０と、循環流路２２０の分岐部２１０から供給ノズル１４０へ液体Ｌが流れる供給流路２３０と、循環流路２２０に設けられ循環流路２２０を流れる液体Ｌの温度を調整する温度調整部１９０と、供給流路２３０に設けられ供給流路２３０を流れる液体Ｌを脱気する脱気処理部２００を有する。 （もっと読む）

【課題】球状色収差補正によって、低費用で波長ずれの影響を最小化するための半導体検査システムおよび方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係る半導体検査システム４００は、所与の波長で光を伝送するように構成された照明システム４１０と、その照明システム４１０から光を受けて表面へ所与の波長で光を伝送するように構成された光学システム４２０，４３０とを含む。この光学システムは、半導体検査システムの球状色収差がユーザ定義の許容範囲を満たすように、半導体検査システムの公称波長を変化させて照明システムの照明波長と一致させるように移動可能な少なくとも１枚のレンズ４２２（例えばズーミング可能なレンズ）を含む。 （もっと読む）

【課題】データ量の多い高密度の描画パターンに対しても、データ処理スピードを落とすことなく高精度のパターンを形成する。
【解決手段】描画パターンＰＷから描画パターンに繰り返し現れる定形パターンＣＰを抽出し、一連の露光用定形ラスタデータを貼付番号と関連づけながらメモリに格納する。露光動作のとき、露光エリアの相対位置に応じて固有パターンＰＢのベクタデータをラスタデータに変換するとともに、露光エリアの相対位置に応じた露光用定形ラスタデータをメモリから読み出す。そして、読み出された露光用定形ラスタデータと固有ラスタデータとを合成し、全体の露光ラスタデータを生成する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー解像限界以下の寸法のパターンと任意の寸法のパターンとが混在するパターン形成工程を改良すること。
【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、被エッチング部材上に第１の層を形成し、前記第1の層に第１のハードマスクパターンを有する第1のハードマスクを形成し、前記第１のハードマスク上および露出した前記被エッチング部材上に第２の層を形成し、前記第２の層を選択的エッチング除去してコアパターンを有するサイドウオールコアを形成し、前記サイドウオールコアの側壁に側壁スペーサを形成し、前記側壁スペーサおよび前記第１のハードマスクを用いて前記被エチング部材をエッチング除去することを含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ウェハ面内のパタン寸法の均一性を向上させ、半導体装置の特性のばらつきを抑えることが可能な半導体製造方法と半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ウェハ上にマスクパタンを複数の露光ショットにより露光する際に、予め測定されたエッチング後の各露光ショット内のパタン寸法分布に基づき、各露光ショット内の補正露光量を求め、各露光ショットにおいて、それぞれの補正露光量で露光し、露光されたウェハをエッチングすることにより、ウェハにパタンを形成する。 （もっと読む）

【課題】被検光学系の開口数をより正確に求める。
【解決手段】被検光学系の開口数を測定する測定装置は、前記被検光学系を通過する被検光を反射する反射鏡と、撮像センサを含み、参照光と前記反射鏡によって反射された被検光とによって前記撮像センサの撮像面に干渉縞を形成する干渉計ユニットと、前記干渉計ユニットを制御するとともに、前記撮像センサによって撮像された干渉縞に基づいて前記被検光学系の開口数を計算する制御部とを備える。前記制御部は、前記撮像面における前記被検光学系の瞳の半径（Ｒ）の変化（ΔＲ）に対する前記被検光学系の開口数（ＮＡ）の変化（ΔＮＡ）を示す係数（ΔＮＡ／ΔＲ）に対して前記撮像面における前記被検光学系の瞳の半径（Ｒ）を乗じることによって、前記被検光学系の開口数（ＮＡ）を計算する。 （もっと読む）

【課題】
クリーニング機能付パネルを基板処理装置に通過させるクリーニング方法であって、異物の捕集性と前記クリーニング機能付パネルの良好な搬送性とを両立させた、クリーニング方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
基板処理装置のクリーニング方法であって、
該基板処理装置に、
支持体と、
該支持体の少なくとも一方の表面上に部分的に貼付された、粘着力（該粘着力は、試験法ＪＩＳ Ｚ０２３７に準じ、対シリコンミラーウエハ、剥離速度：３００ｍｍ／分、剥離角度：９０°の条件で測定される。）が０．１０Ｎ／２０ｍｍ以上であるクリーニング部材と、
該クリーニング部材が貼付されている表面の残りの部分上に貼付された、非粘着性ないし微粘着性部材と、
を有するクリーニング機能付パネルを、
通過させることを特徴とするクリーニング方法。 （もっと読む）

【課題】基板を搬送する搬送アームを自動で洗浄することができ、これにより基板の汚染を低減できる塗布、現像装置を提供すること。
【解決手段】洗浄液または薬液をウェハＷに供給して処理を行う、ベベル部洗浄ノズル７２が設けられた洗浄モジュール１００と、ＩＦアームＡ５の基板載置部材切片５５ａ、５５ｂ、５５ｃにベベル部が保持され当該基板載置部材切片５５ａ、５５ｂ、５５ｃに付着している汚染物を転写させる、洗浄冶具載置棚Ｃ２に格納された洗浄用ウェハ６と、洗浄モジュール１００にてベベル部が洗浄された洗浄用ウェハ６をＩＦアームＡ５に保持させるように制御する制御部１１０とを備え、洗浄用ウェハ６に基板載置部材切片５５ａ、５５ｂ、５５ｃの汚染物を転写させることにより、ウェハＷ用の洗浄モジュール１００で自動的にＩＦアームＡ５を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置、クリーニング・システム、及びリソグラフィ装置の部品から、その場で汚染物を取り除くクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】リソグラフィ装置が開示される。装置は、リソグラフィ装置内の部品をその場でクリーニングするためのクリーニング・システムを含む。クリーニング・システムは、クリーニングすべき部品上の所定の位置の隣接部に、クリーニング環境を提供するように構成される。システムはまた、所定の位置に存在する汚染物のタイプには実質的に無関係に、前記クリーニング環境を提供するように構成される。 （もっと読む）

【課題】バックアップデータの現状を分かりやすく提示し、この提示を用いたデータバックアップにおいて、バックアップデータを記憶するストレージの負荷を軽減する。
【解決手段】
本発明に係るシステムは、基板処理装置及び集中管理装置が通信回線を介して接続される基板処理システムであって、前記基板処理装置は、前記集中管理装置に対して、基板処理装置に関する装置情報を送信する送信手段を有し、前記集中管理装置は、前記基板処理装置から装置情報を受信する受信手段と、前記装置情報及び装置情報のバックアップデータを記憶する記憶手段と、前記装置情報及び装置情報のバックアップデータを、あらかじめ決められた単位で分類し、ツリー形式で表示する表示手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板及びリソグラフィ装置の性能に関する物理的特性を迅速に検出する。
【解決手段】概ね第一方向に延在する少なくとも１本の線によって形成された延在パターンの特性を検出する。延在パターンは、基板又は基板テーブル上に形成され、好ましくは線の幅の少なくとも５０倍の長さにわたって延在する。検出方法は、基板テーブルを第一方向に移動させ、その第一方向ｘに沿って延在パターンの特性を測定することを含む。特性は、第一方向に対して直角の第二方向ｙにおける延在パターンの物理的特性の結果である。次のステップでは、延在パターンの測定位置から基板テーブル位置の較正を導出することができる。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ露光装置中でパターン付き放射ビームを測定する、より正確なセンサを提供する。
【解決手段】リソグラフィ露光装置中でパターン付き放射ビームを測定するセンサは、パターン付き放射ビームを受け取る受容部分と、受容部分を介してパターン付き放射ビームの少なくとも一部分を受け取るように配置された処理部分とを含む。センサの受容部分は、基板を保持するための基板テーブル中に一体化されている。 （もっと読む）