【課題】露光装置とレチクルとの組み合わせに起因するロット滞留を削減し、リソグラフィ工程のＴＡＴを短縮できる生産管理装置および生産管理方法を提供する。
【解決手段】データ収集部２は、露光装置とレチクルとの組み合わせに起因する、各露光装置の稼動ロスを示す情報を収集する。ロス時間算出部３は、データ収集部２が収集した各情報を用いて、レチクルと露光装置との組み合わせごとに、露光装置とレチクルとの組み合わせに起因する稼動ロス時間を算出する。優先順位決定部４は、ロス時間算出部３が算出した、レチクルと露光装置との組み合わせごとの稼動ロス時間に基づいて、レチクルと露光装置との組み合わせの優先順位を決定する。そして、ディスパッチ部５は、優先順位決定部４が決定した結果にしたがって、レチクルおよび対応するロットを各露光装置に割り当てる。 （もっと読む）

【課題】
光の斜入射角、角度分布、及び、強度分布の測定が可能な測定装置を提供する。
【解決手段】
照明光の入射角、角度分布、及び、強度分布を測定する測定装置であって、測定装置は、入射角及び角度分布を測定する第１測定部（測定装置１０００ａ）、及び、強度分布を測定する第２測定部（測定装置１０００ａ’）を有し、第１測定部は、照明光のレチクル面３０５に配置されるピンホール１０１０を通過した照明光を受けて照明光の波長を変換する蛍光板１０２０、及び、蛍光板１０２０からの光を測定する測定光学系１０４０を有し、第２測定部は、照明光のレチクル面３０５に配置されて照明光の波長を変換する蛍光板１０２５、及び、蛍光板１０２５からの光を測定する測定光学系１０５０を有する。 （もっと読む）

【課題】投影光学系の光学特性を精度良く計測する。
【解決手段】ステップ４１７において、ステップ４０６の露光処理によってウエハ上の複数の領域に形成された計測用パターンの像の形成状態の検出結果に基づいて、投影光学系の光学特性計測のための前記パターンの露光の最適ドーズ量が仮に決定される。そして、ステップ４２４で、目標ドーズ量を、上記最適ドーズ量を中心としてより細かいステップピッチで複数段階で変化させて、ステップ４０６と同様の露光処理により前記パターンが投影光学系を介してウエハ上の複数の領域に転写される。従って、投影光学系の光学特性計測のための露光条件の一部が微調整される。そして、その微調整された露光条件の下での露光によってウエハ上の各領域に形成された前記パターンの像の形成状態の検出結果に基づいて、投影光学系の光学特性が求められる（ステップ４３６、４３８）。 （もっと読む）

【課題】
基板上に液残りが生じる液浸液を用いる場合に、基板上の液浸液の膜厚を計測できる。
【解決手段】
液浸液を介して基板（５）を露光する露光装置において、前記基板（５）を移動可能な基板ステージ（１３）と、前記液浸液を前記間隙に供給する液浸液供給手段（６）と、前記間隙から前記液浸液を回収する液浸液回収手段（７）と、露光後に前記基板上（５）に形成された前記液浸液の膜厚を計測する膜厚計測手段（２２，２３）と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)、半導体等の製造に用いるマスクレス露光装置に関し、基板の所定部位を容易に観察することを目的とする。
【解決手段】 基板を支持するステージと、前記基板に投影する露光パターンを生成するパターン生成部と、前記パターン生成部で生成された露光パターンを前記基板に投影する対物レンズと、前記対物レンズを介して前記基板を観察する観察光学系と、前記基板を露光するための制御を行う露光モードと、前記露光モードで露光された前記基板を観察するための制御を行う観察モードとを備えた制御手段とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＭＥＭＳ、半導体等の製造に用いるマスクレス露光観察装置に関し、基板への露光および基板の観察を行うことができるマスクレス露光観察装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板を支持するステージと、前記基板に投影する露光パターンを生成するパターン生成部と、前記パターン生成部で生成された露光パターンを前記基板に縮小投影する対物レンズと、前記対物レンズを介して前記基板を観察する観察光学系と、前記観察に際して観察対象である前記基板に応じて前記パターン生成部を制御する制御部とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、スリットシステムとレチクルのパターンの両方を簡単に交換でき、マスクのパターンを正確に形成することができる露光装置を提供する。
【解決手段】 露光装置は、露光光を発する光源と、該露光光を反射する反射部材とを有する露光照射部と、マスクを支えるマスクステージと、露光照射部で照射されたマスクのパターンを被露光体の表面に結像する結像光学系と、被露光体を二次元平面上に載置する被露光体ステージと、露光照射部とマスクステージと結像光学系とを保持し、被露光体ステージに対して移動可能な保持部と、被露光体ステージを支えると共に保持部を移動可能に支えるベース部と、を備える。露光照射部の光源から反射部材までの光軸は二次元平面と平行に配置され、結像光学系は二次元平面と交差する方向に配置され、該交差する方向に沿って保持部がベース部に対して移動可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】描画データのデータ量を軽減させ、描画データの作成時間や描画時間を短縮し、スループットの向上を図ることができる描画データ作成プログラム、描画データ作成方法、描画データ作成装置、描画システムを提供することである。
【解決手段】設計データＤａのパターン図形Ｚを描画単位の図形の単位に分解し、複数の線分と複数の頂点とで定義された閉図形の各線分に対して、閉図形の外側又は内側に、線分に対して垂直方向に所定の幅を有する幅付けを行い、その幅付けの領域より内側の領域を内側部又は第１パターン領域として設定し、閉図形の各線分が、隣接する他の閉図形と重複する重複線分であるか、重複しない非重複線分であるか判定して、その線分が重複線分であるか非重複線分であるかに応じて、その線分の垂直方向に幅付けを行うか否かに関する情報を付与して、輪郭部又は第２パターン領域を設定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジスト開口寸法を、許容範囲内にすることができ、レジスト開口寸法のバラツキを、少なくすることができる。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下地膜を形成した後、その上に所定の開口を有するレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクとして、下地膜を加工する工程を含み、下地膜の膜厚を考慮してレジスト膜の膜厚を決定するものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、極めて微細な加工を簡易な制御により行う。
【解決手段】光ディスク用原盤製造装置２０は遷移金属の不完全酸化物からなる無機レジスト材料を基板１００上に成膜してレジスト層１０２を形成しレジスト基板１０３を得て、当該レジスト層１０２に特異出力光ＬＥを照射し所望の凹凸パターンと対応した選択的な露光を施し感光させる。その後光ディスク用原盤製造装置２０は、当該パターンが露光されたレジスト基板１０３を現像し光ディスク用原盤を得る。これにより露光部２６は、レジスト層１０２にレーザ光を照射し発生させる熱の拡散を抑え、微細なパターンの露光ができる。かくして光ディスク用原盤製造装置２０は極めて微細な加工を簡易な制御により行うことができる。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置における格子変形の処理レシピを修正するための格子モデルの選択方法を提供すること。
【解決手段】複数の格子モデルのセットが提供される。多数の基板上の複数のアライメント・マークに対するアライメント測定を実行することによってアライメント・データが取得される。取得したアライメント・データが格子モデルを解くために適しているかどうか、格子モデル毎にチェックされる。取得したアライメント・データが格子モデルを解くために適している場合、その格子モデルが複数の格子モデルのサブセットに追加される。余剰が最も少ない格子モデルが選択される。アライメント・データの他に、前記多数の基板上の複数のオーバレイ・マークに対するオーバレイ測定を実行することによって度量衡学データを取得することができる。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ露光装置内の汚染を低減するとともに、スループットの向上を可能とする、レジスト塗布現像装置とＥＵＶ露光装置との間に好適なインターフェイス装置及び基板搬送方法を提供する。
【解決手段】インターフェイス装置３０は、開閉可能な第１搬送口１Ｖ３を通して露光装置との間で基板を受け渡す減圧可能な第１搬送室１ｂ；第２搬送口４Ｖ１を通して第１搬送室１ｂとの間で基板を受け渡し、第３搬送口４Ｖ１３を通して塗布現像装置２０との間で基板を受け渡す複数のロードロック室４ａ〜４ｄ；第４搬送口１Ｖ１を通して第１搬送室１との間で基板を受け渡す、第２搬送室１ａ；第２搬送室１ａと連通する第５搬送口を通して基板を受け渡す、基板を加熱する複数の加熱モジュール２ａ〜２ｃ；第２搬送室１ａと連通する第６搬送口を通して基板を受け渡す、基板を冷却する複数の冷却モジュール３ａ〜３ｃを含む。 （もっと読む）

【課題】複数のショット領域において同一の計測箇所で表面位置を計測するために好適な技術を提供する。
【解決手段】露光装置は、投影光学系と、基板を保持して移動するステージと、前記投影光学系の光軸の方向に関して前記基板の表面の位置を計測する計測器と、前記ステージおよび前記計測器を制御する制御部を備え、前記制御部は、前記走査の方向に沿うようにショット領域の中心に対して対称に所定ピッチで配置された計測箇所のリストである第１計測箇所リストを生成し、前記計測器の制御には、前記第１計測箇所リストに含まれる計測箇所で前記計測器に前記表面の位置を計測させる第１の制御と、ショット領域において最後に計測される計測箇所及び／又はその次のショット領域において最初に計測される計測箇所を前記第１計測箇所リストから除いた第２計測箇所リストに含まれる計測箇所で前記計測器に前記表面の位置を計測させる第２の制御と、が含まれる。 （もっと読む）

【課題】ステージ装置の位置制御をより精密に行うことが可能な露光装置及び露光方法を提供すること。
【解決手段】マスクを用いて基板に露光処理を行う露光装置であって、前記マスクを移動可能に保持するステージ装置と、前記ステージ装置に光を照射し、前記光の反射光を用いて前記ステージ装置の位置に関する情報を検出する光干渉装置と、前記光の光路周辺の空間の光屈折率を検出し、検出結果を用いて前記情報の補正を行う補正装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】露光部分または露光ビームに関するパラメータを検出するために使用されるシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】システム２００は、基板ステージ１０６および計量ステージ１１６を有する。基板ステージは、リソグラフィシステムの露光部分からの露光ビームを受け取るために基板を位置決めするように構成される。計量システムは、露光システムまたは露光ビームのパラメータを検出するように構成されたセンサシステムを自身上に有する。一例では、システムはリソグラフィシステム内にあり、これはさらに照明システム２１２、パターニングデバイス２１４、および投影システム２１６を有する。パターニングデバイスは、照明システムからの放射線のビームにパターンを形成する。露光部分内に配置された投影システムは、パターン形成したビームを基板１１２またはセンサシステムに投影する。 （もっと読む）

【課題】改善された応答時間したがって改善された帯域幅をもったガス計器近接センサを実現する装置および方法を提供する。
【解決手段】注入チャンバ２２０から測定チャンバ２１０へ逆流方向にガスを供給するガス計器近接センサ２００である。逆流方向にガスを供給することで、センサの過渡挙動がいっそう高速で安定するようになり、結果として帯域幅の増大が生じる。場合によって、スカベンジャチャンバ２５５を使用して、スカベンジャチャンバ２５５のスカベンジャ開口２６０を注入チャンバ２２０の出口開口２２５の直ぐ近くに位置付けすることによって余分なガスを除去することができる。コモンモード誤差を減少させるために、注入チャンバ２２０の出口開口２２５に近い位置からガス流を受け取る基準チャンバを備えるブリッジ近接センサを使用することができる。 （もっと読む）

【課題】実際に基板の露光を行うことなく、その基板の感光層に形成される像の断面形状等の状態を効率的に評価する。
【解決手段】ウエハＷ上の感光層に現像後に形成される像の断面形状を評価する投影像評価装置を備えた露光装置であって、照明光の感光層の表面に沿った方向の強度分布のコントラスト情報を求める第１演算部２２ａと、ウエハＷの感光層の下地の反射率から感光層における定在波情報を求める第２演算部２２ｂと、第１演算部２２ａで求められるコントラスト情報と第２演算部２２ｂで求められる定在波情報とを用いて、感光層に現像後に形成される像の線幅情報を求める第３演算部２２ｃとを備える。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で高精度に被検光学系の波面収差を測定することができる測定装置を提供する。
【解決手段】 被検光学系の波面収差を測定する測定装置が、マスク及び被検光学系を透過した光を反射して被検光学系に入射させる反射光学素子と、ピンホール、開口を透過した光の干渉縞を検出する検出器とを有する。マスクは、１つのピンホールとピンホールよりも大きな径の１つの開口とが点対称に配置された組を少なくとも３つ有し、各組の対称の中心が共通である。３つの組のうち、２組においてそれぞれ形成された被検光と、他の組において形成せれた参照光とを干渉させるか、３つの組のうち、１組において形成された被検光と、他の２組においてそれぞれ形成された参照光とを干渉させる。 （もっと読む）

【課題】レベルセンサのプロセス依存型オフセット誤差を正確に修正する費用有効性の高い方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗ（たとえば基板を支持するための基板テーブルを備えたリソグラフィ装置内の基板）を露光する方法には、第１及び第２のセンサ１０,１１を使用して少なくとも１つの基板Ｗの一部の第１及び第２の高さ測定を実行するステップと、測値の差に基づいてオフセット誤差マップを作成し、且つ、記憶するステップと、第１のセンサ１０を使用して高さ測定を実行することによって、前記基板Ｗ（又は前記部分と類似した処理が施された他の基板）の複数の部分のハイト・マップを作成して記憶し、且つ、オフセット誤差マップによってこのハイト・マップを修正するステップと、前記基板Ｗ（又は他の基板）を露光するステップが含まれている。 （もっと読む）

【課題】撮像センサを含む計測器をそれが露光装置に搭載された状態で校正する技術を提供する。
【解決手段】原版を照明して該原版のパターンを基板に投影することにより該基板を露光するための光学系を有する露光装置は、撮像センサ２５０を含み前記光学系を通して前記撮像センサの撮像面に形成される光強度分布に基づいて前記光学系の特性を計測する計測器２００と、前記撮像面に既知の形状を有する光強度分布を形成する校正パターンと、前記校正パターンによって前記撮像面に実際に形成された光強度分布と前記校正パターンによって前記撮像面に形成されうる計算上の光強度分布とに基づいて前記計測器を校正する制御部１９０とを備える。 （もっと読む）