【課題】輸送管内壁への酸化物の付着を低減できる洗浄装置を提供する。
【解決手段】対象物１１に水素ラジカルを供給することによって前記対象物１１を洗浄する洗浄装置２７であって、加熱された触媒１に気体を供給することによって水素ラジカルを生成する生成手段と、前記生成手段から前記対象物１１への気体の供給を制限可能な制限手段と、前記制限手段により気体の供給が制限された状態で、前記触媒１の周囲の気体を前記対象物１１を介さずに排気可能な排気手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】設計パターン寸法に応じた寸法のパターンを基板面内の全面で一様に形成すること。
【解決手段】実施の形態によれば、光学条件補正関数を作成する補正関数作成ステップと、照明パラメータ補正量を算出する補正量算出ステップと、第１の基板を露光する露光ステップと、を含んでいる。補正関数作成ステップでは、第１の基板上への露光処理に用いる露光量以外の照明パラメータを前記第１の基板面内の露光座標に基づいて補正する光学条件補正関数を、第２の基板上に形成したパターンの基板面内寸法分布に基づいて作成する。補正量算出ステップでは、前記光学条件補正関数および前記第１の基板上に設定される各露光ショットの露光座標を用いて、前記照明パラメータの補正量を前記露光ショット毎に少なくとも１つずつ算出する。露光ステップでは、前記照明パラメータの補正量で前記照明パラメータを補正しながら、前記第１の基板を露光する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ処理装置の稼動率を向上させる。
【解決手段】ウェハ処理システム１００を用いた半導体装置の製造方法は、ウェハの供給順番が定められたロットの識別子と、ウェハ処理部に最初に供給される第１のウェハを処理するウェハ処理部を示すウェハ処理部識別子とが関連付けられて記憶部１２に記憶され、ウェハローダ／アンローダ３０が、第１のウェハを、ウェハ処理部識別子に対応するウェハ処理部に供給する第１の過程と、ウェハローダ／アンローダ３０が、第１のウェハに続いて供給するウェハを、供給順番に従い複数のウェハ処理部（２１〜２Ｎ）のいずれかに順次供給する第２の過程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＳＷＰの手法により微細なマスクパターンを形成するときに、酸化シリコン膜を成膜する際、及びエッチバック処理する際に、レジスト膜よりなる芯材が変形することを防止できるマスクパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】レジスト膜よりなる第１のライン部をマスクとして反射防止膜をエッチングすることによって、第２のライン部を含むパターンを形成する第１のパターン形成工程Ｓ１３と、レジスト膜に電子を照射する照射工程Ｓ１４と、酸化シリコン膜を成膜する酸化シリコン膜成膜工程Ｓ１５と、第２のライン部の側壁部として残存するように、酸化シリコン膜をエッチバック処理するエッチバック処理工程Ｓ１６と、第２のライン部をアッシング処理することによって、酸化シリコン膜よりなり、側壁部として残存する第３のライン部を含むマスクパターンを形成する第２のパターン形成工程Ｓ１８とを有する。 （もっと読む）

【課題】システム全体の生産性を低下させず、各リソグラフィー装置の維持管理コストを削減し、特性及び精度を均一にする。
【解決手段】少なくとも２台のリソグラフィー装置と、該リソグラフィー装置に対して基板若しくは原版を搬送する搬送ユニットと、リソグラフィー装置と搬送ユニットとの動作を制御する制御モジュールとを備えるリソグラフィーシステムであって、少なくとも２台のリソグラフィー装置のいずれかが調整処理を実施する場合、制御モジュールは、調整処理を実施する際の基準となる基準部材を少なくとも２台のリソグラフィー装置で共用し、搬送ユニットにより、基準部材をリソグラフィー装置に対して搬送させる（ステップＳ５０９）。 （もっと読む）

【課題】マスクの光学特性を変化させるイベントが発生した場合でも簡易に露光量マップを生成し、精度よく露光を行うことができる露光方法および露光システムを提供する。
【解決手段】露光システムは、露光装置１と、イベント情報取得部２と、記憶部（ＤＢ）３と、露光量マップ生成部４と、を備えている。イベントに起因して生じる露光量マップＹ（ｘ，ｙ）の変化を示す変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）を予め取得しておく。そして、マスク１１にイベントが発生すると、変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）に基づいてイベント前の露光量マップ生成関数を更新し、イベント後の露光量マップを生成する。そのため、イベントが発生する度に露光量マップＹ（ｘ，ｙ）を測定により取得する必要がなく、簡易に短時間でイベント後の露光量マップＹ（ｘ，ｙ）を生成でき、これにより精度よく露光できる。 （もっと読む）

【課題】汚染物質を効果的に減少させることができる反射型マスク、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法を提供すること。
【解決手段】反射パターンが設けられたパターン領域（Ｒａ）を有する反射型マスク（Ｒ）であって、入射した光をパターン領域（Ｒａ）が反射する反射方向とは異なる方向に反射又は散乱させる非パターン領域（Ｒｂ）を有する。 （もっと読む）

【課題】ネットワークを介してホストコンピュータと露光装置とがネットワーク接続されるシステムおよび同システムで使用される露光装置において、露光処理の効率化を図る。
【解決手段】電源投入直後にサーバータスクを起動してホストコンピュータから接続要求を待ってホストコンピュータとのネットワーク接続を確立している。そして、ネットワーク接続の確立後において、ネットワーク接続が切断されていることを検出した場合にも、立ち上げ処理を実行することなく、ホストコンピュータから次の接続要求を待ってホストコンピュータとのネットワーク接続を確立している。したがって、ホストコンピュータとのネットワーク接続の再確立毎に立ち上げ処理を行っていた従来技術に比べてトータルの露光処理を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】形成されたレジストパターンで加工対象を所望の形状に加工することができるか否かを精度良く評価することができる評価装置を提供する。
【解決手段】加工対象上に形成したレジストパターン中のホール形成用パターンについて測定された所定の信号スレショールドでのホール径、縦横比および複数の信号スレショールドでのホール径の差分のうちの少なくとも２つを含む複数の特徴量を有するレジストパターンデータを取得するレジストパターンデータ取得部３３と、複数の特徴量をパラメータとして含み、ホール形成用パターンを用いて加工対象に形成されるホールパターンが未開口となる虞の有無を評価する評価関数のパラメータに、取得したレジストパターンデータを代入してホール形成用パターンについて評価値を演算し、評価値に基づいて加工対象に形成されるホールパターンの未開口の虞の有無を評価する評価部３４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】合わせずれ検査のサンプリングの精度を保持したままで合わせずれ補正係数を適正化する。
【解決手段】測定値の許容範囲を決定する工程と、第１サンプリングプランと第１合格判定値の算出条件を決定する工程と、第１測定値を取得する工程と、第１分布関数、合わせずれ誤差要因、第１合格率および第１補正係数精度を求める工程と、第２サンプリングプランを上記合わせずれ誤差要因に基づいて決定し、第２合格判定値の算出条件を決定する工程と、第２測定値を取得する工程と、第２分布関数、第２合格率および第２補正係数精度を求める工程と、上記許容範囲を用いて、上記第１分布関数、上記第１合格率および上記第１補正係数精度、並びに、上記第２分布関数、上記第２合格率および上記第２補正係数精度を比較することにより、上記第１サンプリングプランおよび第２サンプリングプランのいずれが適切かを評価する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体露光装置において、アプリケーションソフトのプロセスが異常状態になった場合に、装置全体を再起動せずに装置のダウンタイムを最低限にし生産量への影響を軽減する。
【解決手段】アプリケーションソフトのプロセスが異常状態になった場合に、生産処理状況を考慮して局所的なプロセスの再起動を行う。更に、処理の実行単位であるジョブにプロセスを関連させて対応情報を持つことによって、プロセス構成が可変のシステムにも対応する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセス変動に依らず、高精度な測定，検査条件の設定を可能とする測定，検査条件設定方法、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、異なる製造条件にて形成された複数のパターンについて、荷電粒子線装置を用いた測定を行い、当該複数のパターンの基準寸法と、当該測定結果との差異、或いはばらつきが相対的に小さくなる測定条件を選択する測定条件設定方法、及びコンピュータプログラムを提案する。複数パターンの基準寸法は、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）によって、上記複数のパターンを測定することによって得るようにしても良いし、半導体パターンの設計データにシミュレーションを施すことによって得られるパターンの断面形状等に基づいて求めるようにしても良い。 （もっと読む）

【課題】使用した配線用マスクを簡単かつ確実に判別でき、確認工数を削減する。
【解決手段】所定の配線パターンと共に両端に端子を備えた抵抗素子の複数４１、４２、４３、を含む抵抗素子領域を形成するための所定配線用マスクを用いたリソグラフィステップと、半導体ウエハ特有の配線パターンと共に特有の配線パターンに応じて抵抗素子の端子間にて直列およびまたは並列接続された接続配線を含む識別領域５０を形成するための識別配線５１用マスクを用いたリソグラフィステップと、接続配線に接続され露出したパッド１９を形成するためのパッド配線用マスクを用いたリソグラフィステップと、を含む。第１配線層および第２配線層の抵抗素子領域および識別領域の組がＴＥＧチップまたはスクライブラインに形成されている。露出したパッドを介して抵抗素子の直列およびまたは並列接続された接続配線の抵抗値を測定するステップを更に含む。 （もっと読む）

【課題】光学素子の洗浄に有利な露光装置の提供。
【解決手段】光源２０と、複数の光学素子１５ａ、１５ｂを収容する真空容器３４、３５とを有する露光装置は、複数の光学素子のうち予め決められた値未満の照度で光が照射されている光学素子に酸素ガスＡ２を供給する酸素ガス供給手段と、記複数の光学素子のうち前記値以上の照度で光が照射されている光学素子に水蒸気Ａ１を供給する水蒸気供給手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】転写ショット毎に合わせずれ検査を行うための検査方法、検査プログラム、及び検査装置、並びに、検査の所要時間を短縮するための検査装置選択方法、検査装置選択プログラム、及び検査装置選択システムを提供する。
【解決手段】転写ショットＴＳ毎に異なる配置の複数の検査マークＭを用いて、ウェハＷとレチクルとの合わせずれを検査する方法は、転写ショットＴＳ上の複数の検査マークＭを計数し（Ｓ４０１）、その結果に基づいて、転写ショットＴＳの線形補正をする第１補正パラメータｋ_ｉを算出するための複数の第１補正式の中から１つを選択し（Ｓ４０２）、第１補正パラメータｋ_ｉを算出し（Ｓ４０３）、ウェハＷの線形補正をする第２補正パラメータＰ_ｉｍｎを第２補正式に第１補正パラメータｋ_ｉを代入することによって算出し（Ｓ４０４）、第１補正パラメータｋ_ｉ及び第２補正パラメータＰ_ｉｍｎをアライメント補正値として出力する。（Ｓ４０５） （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィ装置において、液浸フードおよび／または液浸流体の汚染を除去方法を提供する。
【解決手段】剛性支持層および剛性支持層上に設けられた変形可能層を備えるクリーニング基板ＣＷ１を装置内に装填すること、クリーニング基板ＣＷ１の変形可能層２を汚染がそこから除去される装置の表面に接触させること、変形可能層２と汚染がそこから除去される装置の表面との間の相対運動を導入することにより、液浸フード表面から分離した汚染を除去する。 （もっと読む）

【課題】
露光不良の発生を抑制できる、洗浄方法、露光装置、及びデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】
基板保持部５に保持される板状部材Ｂを介した露光光ＥＬが、基板保持部５に照射され、基板保持部５の少なくとも一部を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】プラズマクリーニング装置におけるプラズマクリーニング処理に適したオブジェクトを提供する。
【解決手段】プラズマクリーニング装置におけるプラズマクリーニング処理に適したオブジェクトを提供する。このオブジェクトは、第１外表面領域と、第２外表面領域とを含む。オブジェクトは、第２外表面領域を覆うように該オブジェクトと接続可能な取り外し可能カバーと協働するように構成および配置される。取り外し可能カバーと接続されたオブジェクトは、プラズマクリーニング装置内でクリーニングされるよう適合されている。クリーニングの際、プラズマクリーニング装置は第２外表面領域に存在する粒子にさらされず、プラズマクリーニング装置内で第１外表面領域がクリーニングされる。 （もっと読む）

【課題】撮像されたデバイス・パターンを使用して、ダブル・パターニング・プロセス等の、半導体製造技術における異なる層間のオーバレイを測定するシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】パターン特徴の画像が走査型電子顕微鏡法により取得される（７００）。画像内のパターン化層に対するパターン特徴の位置を使用してパターン化層の位置が決定される（７０４）。他のパターン特徴またはパターン化層に関するパターン化層の相対的位置が、決定されたパターン位置に基づいてベクトル形式で決定される（７０８）。相対的位置とデザインまたはシミュレーションからの基準値との比較に基づいてオーバレイ・エラーが決定される。オーバレイはパターン対称性を利用して高い精度および正確さで測定することができる（７１２）。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置の真空チャンバ内にコンポーネントを収容するためのシステムを提供する。
【解決手段】リソグラフィ装置内で使用されるコンテナが提供される。コンテナは、複数のガス気泡を含む充填材料で少なくとも部分的に満たされた内部空間に、リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネントを収容するように構成される。 （もっと読む）