塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
【課題】塗布、現像装置のスループットの低下を抑えると共に装置の設置面積を抑えること。
【解決手段】処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備え、液処理系の単位ブロック群は、第１の単位ブロックと第２の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、この積層体に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックを互いに上下に積層した積層体と、から構成され、前記第１の単位ブロックは、反射防止膜モジュールと、レジストモジュールと、を基板の搬送路の左右に備え、前記第２の単位ブロックは、上層膜モジュールと、硬化モジュールと、を基板の搬送路の左右に備える。
【解決手段】処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備え、液処理系の単位ブロック群は、第１の単位ブロックと第２の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、この積層体に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックを互いに上下に積層した積層体と、から構成され、前記第１の単位ブロックは、反射防止膜モジュールと、レジストモジュールと、を基板の搬送路の左右に備え、前記第２の単位ブロックは、上層膜モジュールと、硬化モジュールと、を基板の搬送路の左右に備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にレジストを塗布し、現像を行う塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。前記レジストパターンを形成するための塗布、現像装置には、ウエハに各種の処理を行うための処理モジュールを備えた処理ブロックが設けられている。
【０００３】
処理ブロックは、例えば特許文献１に記載されるように、レジスト膜などの各種の塗布膜を形成する単位ブロック及び現像処理を行う単位ブロックを互いに積層することにより構成されている。各単位ブロックにはウエハの搬送機構が設けられ、当該搬送機構によりウエハは順番に各単位ブロックに設けられる処理モジュールに受け渡されて処理を受ける。
【０００４】
ところで、ウエハに形成するパターンの微細化が進んでいることから、前記塗布、現像装置に設けられる処理モジュールは多様化している。ウエハにレジストを供給してレジスト膜を形成するレジスト膜形成モジュールやウエハに現像液を供給して現像を行う現像モジュールなどの他に、例えば繰り返しフォトリソグラフィを行うためにレジストパターンを硬化させる硬化液を供給するモジュールや、ウエハの上層に液浸露光用の保護膜を形成するためのモジュールなどが搭載される場合がある。このように多種のモジュールを搭載した上で、どのように塗布、現像装置の設置面積を小さくするかが検討されている。
【０００５】
また、前記特許文献１の塗布、現像装置では、ウエハは順番に各層のモジュール間を搬送されるため、一つのモジュールについてウエハの処理が行えなくなると、後段のモジュールにウエハを搬送することが出来なくなり、処理効率が低下してしまうおそれがある。このように処理効率の低下を抑え、且つ設置面積を小さくすることができる塗布、現像装置が求められていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１１５８３１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、塗布、現像装置のスループットの低下を抑えると共に装置の設置面積を抑えることができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、第１の単位ブロックと第２の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、
この積層体に対して上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記第１の単位ブロックは、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜用の薬液を基板に供給するための反射防止膜モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜の上にレジスト液を供給するためのレジストモジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記第２の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、レジスト膜の上に上層膜を形成するための薬液を基板に供給するための上層膜モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置され、基板に対して１回目の現像処理がされて形成された第１のレジストパターンを硬化させるための硬化液を基板に供給する硬化モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールを備えると共に、これら現像モジュールは前記直線搬送路に沿って移動する主搬送機構により基板の受け渡しが行われることと、
ｆ）前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｇ）前記第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックの各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｈ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該第１の単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｉ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
前記塗布、現像装置は、次のように構成することができる。
（１）第１の単位ブロックに設けられたレジストモジュールに代えて硬化モジュールが設けられ、第２の単位ブロックに設けられた硬化モジュールに代えてレジストモジュールが設けられる。
（２）前記現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれる。
（３）第１回目のレジストパターン形成処理を行った後、前記硬化モジュールを使用し、その後に第２回目のレジストパターン形成処理を行うモードと、
ネガ型レジストを現像する現像モジュールを使用してレジストパターンを形成するモードと、
の一方を選択するためのモード選択部を設ける。
【００１０】
また、本発明の塗布、現像方法は、前記塗布、現像装置を用いて、
基板に対して１回目のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して１回目の現像処理を行い第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンに硬化液を供給して、第１のレジストパターンを硬化する工程と、
硬化された第１のレジストパターンに２回目のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して２回目の現像処理を行い第２のレジストパターンを形成する工程と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。
【００１１】
本発明の他の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、第１の単位ブロックと第２の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、
この積層体に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記第１の単位ブロックは、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜用の薬液を基板に供給するための反射防止膜モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記第２の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、レジスト膜の上に上層膜を形成するための薬液を基板に供給するための上層膜モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックの少なくとも一方の直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜の上にレジスト液を供給するためのレジストモジュールと、
ｆ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールを備えると共に、これら現像モジュール前記直線搬送路に沿って移動する主搬送機構により基板の受け渡しが行われることと、
ｇ）前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｈ）前記第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックの各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｉ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該第１の単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｊ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｋ）前記現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれること、
を備えたことを特徴とする。
【００１２】
例えば現像用の単位ブロックは複数設けられ、複数の現像用の単位ブロックの一つは、ポジ型レジストを現像する専用の単位ブロックであり、複数の現像用の単位ブロックの他の一つは、ネガ型レジストを現像する専用の単位ブロックである。
【００１３】
本発明の他の塗布、現像方法は、前記塗布、現像装置を用い、
レジストモジュールで基板にネガ型レジストまたはポジ型レジストを塗布する工程と、
ネガ型レジストが塗布された基板を、ネガ型レジストを現像する現像モジュールに搬送する工程と、
ポジ型レジストが塗布された基板を、ポジ型レジストを現像する現像モジュールに搬送する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の更に他の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、レジスト膜の上に上層膜を形成するための上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、塗布膜用の単位ブロック群の各単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｆ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
ｇ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
ｈ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｉ）下記の[ｉ−１]、[ｉ−２]、[ｉ−３]のいずれかの構成を備えたことと、
[ｉ−１] 基板に対して１回目の現像処理がされて形成された第１のレジストパターンを硬化させるための硬化液を基板に供給する硬化モジュールを設け、現像モジュールは全てポジレジスト用のレジストを現像するためのものである。
[ｉ−２] 前記硬化モジュールを設け、現像モジュールとしては、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれる。
[ｉ−３] 前記硬化モジュールは設けられず、現像モジュールとしては、ネガ型レジストを現像する現像モジュールが含まれる。
ｊ）前記[ｉ−１]、[ｉ−２]における硬化モジュールは、塗布膜用の単位ブロック群または現像用の単位ブロックに対して上下方向に積層された単位ブロックの中に配置され、当該単位ブロックには前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置された前記硬化モジュールと、これら硬化モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備え、
また前記[ｉ−２]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
前記[ｉ−３]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置されたネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
を備えたことを特徴とする。
【００１５】
前記塗布、現像装置において、[ｉ−２]の構成を採用し、
第１回目のレジストパターン形成処理を行った後、前記硬化モジュールを使用し、その後に第２回目のレジストパターン形成処理を行うモードと、
ネガ型レジストを現像する現像モジュールを使用してレジストパターンを形成するモードと、
の一方を選択するためのモード選択部を設けてもよい。
【００１６】
更に他の本発明の塗布、現像方法は、前記塗布、現像装置を用い以下の工程を行うことを特徴とする。
（４）基板に対して１回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して１回目の現像処理を行い第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンに硬化液を供給して、第１のレジストパターンを硬化する工程と、
硬化された第１のレジストパターンに２回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して２回目の現像処理を行い第２のレジストパターンを形成する工程と、
を備える。
（５）第１の基板に対してネガ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記第１の基板を現像処理する工程と、
を備える。
（６）（５）の各工程に加え、第２の基板に対して１回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記第２の基板を現像処理して１回目の現像処理を行い第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンに硬化液を供給して、第１のレジストパターンを硬化する工程と、
硬化された第１のレジストパターンに２回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記第１の基板を現像処理して２回目の現像処理を行い第２のレジストパターンを形成する工程と、
を備える。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の塗布、現像装置は、反射防止膜モジュール及びレジストモジュールを含んだ第１の単位ブロックと、上層膜を形成するモジュールとレジストパターンを硬化させるモジュールとを含んだ第２の単位ブロックとを積層した積層体に、さらに現像用の単位ブロックが積層され、これらの各モジュールは基板を搬送する直線搬送路の左右両側に配置されている。従って、装置の設置面積を抑えられるし、また一方のモジュールが使用不可の際に他方のモジュールで処理を行うことができるので、スループットの低下を抑えることができる。
本発明の他の塗布、現像装置についても、反射防止膜モジュール、レジストモジュール、上層膜を形成するモジュールを含む第１及び第２の単位ブロックからなる積層体に、ポジ用のレジスト、ネガ用のレジストを夫々現像する現像モジュールを含んだ現像用の単位ブロックが積層され、各モジュールは基板を搬送する搬送路の左右両側に配置されている。従って、装置の設置面積を抑えることができ、スループットの低下を抑えることができる。
本発明のさらに他の塗布、現像装置についても、反射防止膜用の単位ブロックと、レジスト膜用の単位ブロックと、上層膜用の単位ブロックと、現像用の単位ブロックとの積層体に、さらに硬化モジュールを含んだ単位ブロックが積層されるか、前記現像用単位ブロックは少なくともネガ用のレジストを現像する現像モジュールを備えるように構成され、各単位ブロックでモジュールが基板の搬送路の左右両側に配置されているので、装置の設置面積を抑えることができ、スループットの低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る塗布、現像装置の平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置の斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置の縦断側面図である。
【図４】前記塗布、現像装置の前方側ブロックの縦断側面図である。
【図５】前記塗布、現像装置の液処理ブロックの縦断正面図である。
【図６】前記塗布、現像装置の加熱処理ブロックの縦断正面図である。
【図７】前記塗布、現像装置の補助ブロックの縦断正面図である。
【図８】前記補助ブロックの平面図である。
【図９】前記塗布、現像装置のインターフェイスブロックの縦断正面図である。
【図１０】前記塗布、現像装置の制御部の構成図である。
【図１１】前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路を示すフロー図である。
【図１２】ウエハが露光される様子を示す説明図である。
【図１３】ウエハが露光される様子を示す説明図である。
【図１４】正常時におけるウエハの搬送経路を示すフロー図である。
【図１５】液処理モジュールの異常時におけるウエハの搬送経路を示すフロー図である。
【図１６】第２の実施の形態に係る塗布、現像装置の平面図である。
【図１７】前記塗布、現像装置の斜視図である。
【図１８】前記塗布、現像装置の縦断側面図である。
【図１９】前記塗布、現像装置の前方側ブロックの縦断側面図である。
【図２０】前記塗布、現像装置の液処理ブロックの平面図である。
【図２１】前記塗布、現像装置の液処理ブロックの平面図である。
【図２２】前記塗布、現像装置の液処理ブロックの平面図である。
【図２３】前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路を示すフロー図である。
【図２４】前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路を示すフロー図である。
【図２５】前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路を示すフロー図である。
【図２６】前記塗布、現像装置により処理されるウエハの表面図である。
【図２７】前記塗布、現像装置により処理されるウエハの表面図である。
【図２８】前記塗布、現像装置により処理されるウエハの表面図である。
【図２９】前記塗布、現像装置の変形例の液処理ブロックの平面図である。
【図３０】前記塗布、現像装置の変形例の液処理ブロックの平面図である。
【図３１】第１の実施形態に硬化モジュールを適用した概略図である。
【図３２】第１の実施形態に硬化モジュールを適用した概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
（第１の実施形態）
本発明に係る塗布、現像装置１について説明する。図１は、本発明の塗布、現像装置１をレジストパターン形成装置に適用した場合の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この塗布、現像装置１は、基板であるウエハＷが例えば２５枚密閉収納されたキャリアＣを搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、ウエハＷに対して処理を行うための処理ブロックＳ２０と、補助ブロックＳ５と、インターフェイスブロックＳ６と、を直線状に配列して構成されている。インターフェイスブロックＳ６には、液浸露光を行う露光装置Ｓ７が接続されている。
【００２０】
前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリアＣを載置する載置台１１と、この載置台１１から見て前方の壁面に設けられる開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリアＣからウエハＷを取り出すための受け渡しアーム１３とが設けられている。受け渡しアーム１３は、上下方向に５つのウエハ保持部１４を備え、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリアＣの配列方向に移動自在に構成されている。受け渡しアーム１３は、キャリアＣから５枚ずつウエハＷを処理ブロックＳ２０の受け渡しモジュールＢＵ１１に一括で受け渡す。なお、ウエハＷを載置できる場所をモジュールと記載し、このモジュールのうちウエハＷに対して加熱、液処理、ガス供給などの処理を行うモジュールを処理モジュールと記載する。また、処理モジュールのうち、ウエハＷに薬液や洗浄液を供給するモジュールを液処理モジュールと記載する。
【００２１】
処理ブロックＳ２０は、キャリアブロックＳ１側から補助ブロックＳ５側に向けて配列された前方側ブロックＳ２と、液処理ブロックＳ３と、加熱系のブロックである加熱処理ブロックＳ４とにより構成される。図４は、前方側ブロックＳ２の縦断側面図を示している。前方側ブロックＳ２には複数のモジュールが積層された棚ユニットＵ１、Ｕ２が設けられており、棚ユニットＵ１、Ｕ２はキャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ６に向かう方向と直交する方向に沿って配列されている。
【００２２】
棚ユニットＵ１、Ｕ２には疎水化処理モジュールＡＤＨが、例えば液処理ブロックＳ３を構成する後述の第１の液処理単位ブロックＢ１と同じ高さに配置されている。疎水化処理モジュールＡＤＨは、ウエハＷのベベル部（周端部）を含む表面に処理ガスを供給し、前記表面の疎水性を向上させ、液浸露光時に当該周端部から各膜の剥がれを抑えるためのモジュールである。
【００２３】
また、例えば棚ユニットＵ１には受け渡しモジュールＢＵ１１、ＢＵ１２が設けられており、これら受け渡しモジュールＢＵ１１、ＢＵ１２は、夫々キャリアＣからウエハＷが受け渡されるモジュール、キャリアＣへウエハＷを戻すためのモジュールである。受け渡しモジュールＢＵ１１は、既述の受け渡しアーム１３から搬送されたウエハＷを一括で受け取るために、上下方向に５つのウエハＷの保持部を備えている。受け渡しモジュールＢＵ１１に搬送されたウエハＷは、１枚ずつ受け渡しモジュールＢＵ１１から取り出されて処理を受ける。また、ＢＵと記載した受け渡しモジュールは、複数枚のウエハＷを夫々載置するステージを備え、載置したウエハＷを滞留させることができる。
【００２４】
棚ユニットＵ１、Ｕ２に挟まれるように、受け渡しアーム１５が設けられている。この受け渡しアーム１５は昇降自在、鉛直軸回りに回動自在且つ進退自在に構成されている。受け渡しアーム１５は、棚ユニットＵ１、Ｕ２及び後述のＵ３の各モジュール間でウエハＷを受け渡す。
【００２５】
液処理ブロックＳ３について、その縦断側面図である図５も参照しながら説明する。液処理ブロックＳ３は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第５の液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５が下から順に積層されて構成されており、各液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５は区画壁により仕切られている。各液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、略同様に構成されている。図１では第２の液処理単位ブロックＢ２について示しており、以下、代表してこの第２の液処理単位ブロックＢ２について説明する。キャリアブロックＳ１側を前方側、インターフェイスブロックＳ６側を後方側とすると、この第２の液処理単位ブロックＢ２の中央には、前後方向に向かう直線状の搬送路である搬送領域Ｒ１が形成されており、この搬送領域Ｒ１を左右から挟むようにレジスト膜形成モジュール（レジストモジュール）ＣＯＴ１、ＣＯＴ２が互いに対向して設けられている。
【００２６】
前記搬送領域Ｒ１には、主搬送機構であるメインアームＡ２が設けられている。このメインアームＡ２は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在及び前後方向に移動自在に構成されており、第２の液処理単位ブロックＢ２の各モジュール間で、ウエハＷの受け渡しを行うことができる。
【００２７】
レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１は、前後方向に２つのスピンチャック２２を備えており、スピンチャック２２は、ウエハＷの裏面中央部を吸着保持すると共に鉛直軸回りに回転自在に構成されている。図中２３は処理カップであり、上側が開口している。処理カップ２３は、スピンチャック２２の周囲を囲み、レジストの飛散を抑える。ウエハＷを処理するときには、当該処理カップ２３内にウエハＷが収容され、ウエハＷの裏面中央部はスピンチャック２２に保持される。
【００２８】
また、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１には、各処理カップ２３で共用されるノズル２４、２５が設けられている。ノズル２４はポジ型レジストを、ノズル２５はネガ型レジストをウエハＷに供給する。図中２６はノズル２４、２５を支持するアームであり、図中２７は駆動機構である。駆動機構２７は、アーム２６を介してノズル２４、２５を各処理カップ２３の配列方向に移動させると共にアーム２６を介してノズル２４、２５を昇降させる。駆動機構２７により、ノズル２４、２５はレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１の各処理カップ２３間を移動し、各スピンチャック２２に受け渡されたウエハＷの中心にネガ型レジストまたはポジ型レジストを吐出する。吐出されたレジストは、前記スピンチャック２２により鉛直軸回りに回転するウエハＷの遠心力により、ウエハＷの周縁へと展伸し、レジスト膜が成膜される。なお、図示は省略しているが、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１は、ウエハＷの周端部に溶剤を供給し、当該周端部の不要な膜を除去するノズルを備えている。レジスト膜形成モジュールＣＯＴ２は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１と同様に構成されている。
【００２９】
各液処理単位ブロックＢ１、Ｂ３〜Ｂ５について簡単に説明する。各液処理単位ブロックＢ１、Ｂ３〜Ｂ５は、液処理単位ブロックＢ２と同様のレイアウトで各モジュールが配置されている。つまり、既述の各液処理モジュールが、搬送領域Ｒ１を挟んで互いに対向している。また、各液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５に設けられるメインアームＡ１〜Ａ４は、互いに独立してモジュール間でウエハＷを搬送する。第１の液処理単位ブロックＢ１は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２の代わりに反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１、ＢＣＴ２を備えることを除いて、第２の液処理単位ブロックＢ２と同様に構成されている。反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１、ＢＣＴ２は、ノズル２４から反射防止膜形成用の薬液をウエハＷに供給して、当該ウエハＷに反射防止膜を形成することを除いて、レジスト膜形成モジュールと同様に構成されている。つまり、これら反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１、ＢＣＴ２は、各々ウエハＷを処理するための処理カップ２３及びスピンチャック２２を２つずつ備えており、２つの処理カップ２３及びスピンチャック２２に対してノズルが共有されている。
【００３０】
第３の液処理単位ブロックＢ３は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２の代わりに上層膜モジュールである保護膜形成モジュールＩＴＣ１、ＩＴＣ２を備えることを除いて、第２の液処理単位ブロックＢ２と同様に構成されている。保護膜形成モジュールＩＴＣ１、ＩＴＣ２は、ノズル２４から撥水性の保護膜を形成するための薬液をウエハＷに供給して、当該ウエハＷに前記保護膜を形成する。
【００３１】
第４の液処理単位ブロックＢ４は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２の代わりにネガ現像モジュールＮＤＥＶ１、ＮＤＥＶ２を備えることを除いて、第２の液処理単位ブロックＢ２と同様に構成されている。ネガ現像モジュールＮＤＥＶは、ネガ型のレジストを現像するモジュールであり、レジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に構成されている。ただし、現像モジュールＤＥＶ１、ＤＥＶ２の前記ノズル２４からは、レジストの代わりにネガ型のレジストを現像する現像液が供給される。
【００３２】
第５の液処理単位ブロックＢ５は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２の代わりにネガ現像モジュールＮＤＥＶ３、ＮＤＥＶ４を備えることを除いて、第２の液処理単位ブロックＢ２と同様に構成されている。第４の液処理単位ブロックＢ４の搬送領域Ｒ１と、第５の液処理単位ブロックＢ１の搬送領域Ｒ１とは互いに互いに接続されている。そして、液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５で共用のメインアームＡ４が設けられている。メインアームＡ４は、メインアームＡ２と同様に構成されているが、差異点として当該メインアームＡ４は液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５間を昇降することができ、これら液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５の各モジュールにウエハＷを受け渡すことができる。
【００３３】
液処理ブロックＳ３において、キャリアブロックＳ１側には、図１及び図３に示すように、各液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５に跨って棚ユニットＵ３が設けられている。棚ユニットＵ３は、多数の積層されたモジュールからなり、メインアームＡ１がアクセスできる高さ位置に受け渡しモジュールＣＰＬ１１が設けられ、メインアームＡ４がアクセスできる高さ位置に受け渡しモジュールＣＰＬ１２が設けられている。これら棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールを介して液処理ブロックＳ３と、前方側ブロックＳ２との間でウエハＷの受け渡しが行われる。なお、ＣＰＬと記載した受け渡しモジュールは、載置したウエハＷを冷却する冷却ステージを備えている。後述の受け渡しモジュールＴＲＳは、ウエハＷを載置するステージを備えている。
【００３４】
液処理ブロックＳ３において、インターフェイスブロックＳ６側には、図１及び図３に示すように、各液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５に跨って上下方向に棚ユニットＵ４が設けられている。棚ユニットＵ４は、複数の積層されたモジュールからなり、液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５の高さ位置には、夫々受け渡しモジュールＢＵ３１〜ＢＵ３４が設けられている。各液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５で、ウエハＷの搬送先の液処理モジュールが使用中であったり、メンテナンス中であり、速やかにウエハＷを各液処理モジュールに搬入できないときには、前記ウエハＷを各液処理モジュールに搬入する前に、この受け渡しモジュールＢＵ３１〜３４に一旦退避させる。
【００３５】
棚ユニットＵ４において、液処理単位ブロックＢ１の高さ位置には受け渡しモジュールＴＲＳ１１が設けられている。液処理単位ブロックＢ２の高さ位置には受け渡しモジュールＴＲＳ１２、ＴＲＳ１３が設けられている。液処理単位ブロックＢ３の高さ位置には受け渡しモジュールＴＲＳ１４、ＴＲＳ１５が設けられている。液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５の高さ位置には夫々受け渡しモジュールＴＲＳ１６、ＴＲＳ１７が設けられている。これら棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳを介して液処理ブロックＳ３と、加熱処理ブロックＳ４との間でウエハＷの受け渡しが行われる。
【００３６】
加熱処理ブロックＳ４について、縦断側面図である図６も参照しながら説明する。加熱処理ブロックＳ４は、ウエハＷに加熱処理を行う第１〜第４の加熱処理単位ブロックＣ１〜Ｃ４が下から順に積層されて構成されている。加熱処理単位ブロックＣ１〜Ｃ４は互いに区画壁により区画され、加熱処理単位ブロックＣ１は、液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ２に隣接して設けられている。加熱処理単位ブロックＣ２は、液処理単位ブロックＢ３に隣接して設けられている。また、加熱処理単位ブロックＣ３、Ｃ４は夫々液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５に夫々隣接している。これら加熱処理単位ブロックＣ１〜Ｃ４は、加熱モジュールと、単位ブロック用の搬送手段であるメインアームＤと、前記メインアームＤが移動する搬送領域Ｒ２と、を備えている。
【００３７】
第１〜第４の加熱処理単位ブロックＣ１〜Ｃ４は互いに略同様に構成されており、ここでは代表して図１に示した第１の加熱処理単位ブロックＣ１について説明する。第１の加熱処理単位ブロックＣ１の中央には、前記搬送領域Ｒ２が前後方向に形成されている。そして、この搬送領域Ｒ２に沿って棚ユニットＵ１１〜Ｕ１３及び棚ユニットＵ１４〜Ｕ１６が配列されている。棚ユニットＵ１１〜Ｕ１３及び棚ユニットＵ１４〜Ｕ１６は、搬送領域Ｒ２を挟むように互いに対向しており、各棚ユニットＵ１１〜Ｕ１６は、例えば４基積層された加熱モジュールを含んでいる。前記搬送領域Ｒ２には、メインアームＤ１が設けられている。このメインアームＤ１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、前後方向に移動自在に構成されている。このメインアームＤ１については後に詳しく説明する。
【００３８】
前記加熱モジュールは、載置されたウエハＷを加熱する熱板３１と、当該熱板３１と後述のメインアームＤ１との間でウエハＷを受け渡す冷却プレート３２とを備え、熱板３１で加熱されたウエハＷは、冷却プレート３２に受け渡されて、冷却された後、メインアームＤ１に受け渡される。図６では、第１の加熱処理単位ブロックＣ１において反射防止膜形成後にウエハＷを加熱する加熱モジュールをＣＨＰ、レジスト膜形成後にウエハＷを加熱する加熱モジュールをＰＡＢとして夫々示している。
【００３９】
次に第２の加熱処理単位ブロックＣ２について説明する。第２の加熱処理単位ブロックＣ２は、第１の加熱処理単位ブロックＣ１と略同様に構成されており、差異点として棚ユニットＵ１４〜Ｕ１６を構成する加熱モジュールが２段に設けられている。この加熱モジュールは、保護膜形成後のウエハＷを加熱するモジュールであり、図中ＣＨＰとして示している。また、この第２の加熱処理単位ブロックＣ２では、第１の加熱処理単位ブロックＣ１とメインアームＤ１を共有しており、前記メインアームＤ１は、加熱処理単位ブロックＣ１、Ｃ２に設けられる各モジュールと、前記棚ユニットＵ４において加熱処理単位ブロックＣ１、Ｃ２の高さに設けられる各モジュールと、後述の棚ユニットＵ５において加熱処理単位ブロックＣ１、Ｃ２の高さに設けられる各モジュールとの間でウエハＷを受け渡すことができる。
【００４０】
第３の加熱処理単位ブロックＣ３は、第２の加熱処理単位ブロックＣ２と同様に構成されており、差異点として固有のメインアームＤ２を備えている。メインアームＤ２は、加熱処理単位ブロックＣ３に設けられる各モジュールと、前記棚ユニットＵ４において加熱処理単位ブロックＣ３の高さに設けられる各モジュールと、棚ユニットＵ５において加熱処理単位ブロックＣ３の高さに設けられる各モジュールとの間でウエハＷを受け渡すことができる。また、各棚ユニットＵ１１〜Ｕ１６を構成する加熱モジュールは、露光後に加熱を行う加熱モジュール及び現像後に加熱を行う加熱モジュールであり、図中ＰＥＢ、ＰＯＳＴとして夫々記載している。第４の加熱処理単位ブロックＣ４は、第３の加熱処理単位ブロックＣ３と同様に構成されており、メインアームＤ２に対応するメインアームＤ３を備えている。メインアームＤ１〜Ｄ３は上下搬送機構を構成する。
【００４１】
続いて、補助用処理ブロックＳ５について、その縦断側面図である図７も参照しながら説明する。この補助処理用ブロックＳ５は、第１〜第５の補助単位ブロックＥ１〜Ｅ５が下から順に積層されて構成されている。各補助単位ブロックＥ１〜Ｅ５は、互いに区画壁により区画され、第１、第２の補助単位ブロックＥ１、Ｅ２は、前記加熱処理単位ブロックＣ１に隣接している。第３〜第５の補助単位ブロックＥ３〜Ｅ５は、第２〜第４の加熱処理単位ブロックＣ２〜Ｃ４に夫々隣接して設けられている。
【００４２】
図１に示した第２の補助単位ブロックＥ２について説明すると、第２の補助単位ブロックＥ２の中央には、搬送領域Ｒ３が前後に向かって形成されており、この搬送領域Ｒ３を挟むように裏面洗浄モジュールＢＳＴ１、ＢＳＴ２が互いに対向して設けられている。各裏面洗浄モジュールＢＳＴは、反射防止膜形成モジュールＢＣＴと同様に構成されており、２つの処理カップ２３及びスピンチャック２２を備えている。また、ノズル２４が設けられる代わりに、処理カップ２３毎にウエハＷの裏面及びベベル部に洗浄液を供給して洗浄を行う不図示のノズルを備えている。前記搬送領域Ｒ３にはメインアームＦ１が設けられ、進退自在、鉛直軸回りに回転自在、前後方向に移動自在及び昇降自在に構成されている。
【００４３】
第１の補助単位ブロックＥ１は第２の補助単位ブロックＥ２と同様に搬送領域Ｒ３を備えているが、液処理モジュールを備えていない。第３の補助単位ブロックＥ３は、第２の補助単位ブロックＥ２と同様に構成されており、裏面洗浄モジュールＢＳＴ１、ＢＳＴ２に対応する裏面洗浄モジュールＢＳＴ３、ＢＳＴ４を夫々備えている。また、第１〜第３の補助単位ブロックＥ１〜Ｅ３の搬送領域Ｒ３は互いに接続され、第１〜第３の補助単位ブロックＥ１〜Ｅ３は前記メインアームＦ１を共有している。そして、メインアームＦ１は、第１〜第３の補助単位ブロックＥ１〜Ｅ３に設けられる各モジュールと、後述の棚ユニットＵ５、Ｕ６において第１〜第３の補助単位ブロックＥ１〜Ｅ３と同じ高さ位置にある各モジュールとの間で、ウエハＷを受け渡す。
【００４４】
図８には第４の補助単位ブロックＥ４の平面図を示している。第４の補助単位ブロックＥ４は、第２の補助単位ブロックＥ２と同様に搬送領域Ｒ３を備えている。また、第２の補助単位ブロックＥ２との差異点として、裏面洗浄モジュールＢＳＴの代わりに現像モジュールＤＥＶ１及び露光後洗浄モジュールＰＩＲ１、ＰＩＲ２を備えている。露光後洗浄モジュールＰＩＲ１、ＰＩＲ２が搬送領域Ｒ３に臨むように前後方向に沿って配列され、現像モジュールＤＥＶ１は搬送領域Ｒ３を挟んで、これら露光後洗浄モジュールＰＩＲ１、ＰＩＲ２に対向するように設けられている。
【００４５】
露光後洗浄モジュールＰＩＲ１、ＰＩＲ２は、ウエハＷに保護膜除去または洗浄用の処理液を供給するモジュールであり、レジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に構成されているが、１つの処理カップ２３及びスピンチャック２２に対して１つのノズル２４が設けられている。現像モジュールＤＥＶ１は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１と同様に構成されている。つまり２つの処理カップ２３に対して１つのノズル２４が共有されている。ただし、現像モジュールＤＥＶ１、ＤＥＶ２の前記ノズル２４からは、レジストの代わりにポジ型のレジストを現像する現像液が供給される。
【００４６】
第５の補助単位ブロックＥ５は、現像モジュールＤＥＶ１に対応する現像モジュールＤＥＶ２と、露光後洗浄モジュールＰＩＲ１、ＰＩＲ２に対応する露光後洗浄モジュールＰＩＲ３、ＰＩＲ４と、を備えている。第４、第５の補助単位ブロックＥ４、Ｅ５は、メインアームＦ１に対応するメインアームＦ２を共有している。メインアームＦ２は、第４、第５の補助単位ブロックＥ４、Ｅ５に設けられる各モジュールと、後述の棚ユニットＵ５、Ｕ６において第４、第５の補助単位ブロックＥ４、Ｅ５と同じ高さ位置にある各モジュールとの間で、ウエハＷを受け渡す。
【００４７】
各層の搬送領域Ｒ３のキャリアブロックＳ１側には、図１及び図３に示すように、第１〜第５の補助単位ブロックＥ１〜Ｅ５に跨って棚ユニットＵ５が設けられている。棚ユニットＵ５には、メインアームＦ１がアクセス可能な位置に受け渡しモジュールＣＰＬ３１が設けられている。また、メインアームＦ２がアクセス可能な位置に受け渡しモジュールＣＰＬ３２、ＣＰＬ３３が設けられている。
【００４８】
インターフェイスブロックＳ６について、その縦断側面図である図７も参照しながら説明する。インターフェイスブロックＳ６には、複数の積層されたモジュールからなる棚ユニットＵ６が設けられている。棚ユニットＵ６において、前記メインアームＦ２がアクセスできる高さ位置に受け渡しモジュールＴＲＳ２１が設けられ、メインアームＦ１がアクセスできる高さ位置に受け渡しモジュールＴＲＳ２２が設けられている。また、棚ユニットＵ６には受け渡しモジュールＢＵ４１、ＢＵ４２、ＣＰＬ４１、ＣＰＬ４２が設けられている。
【００４９】
また、インターフェイスブロックＳ６には、インターフェイスアーム３５、３６が設けられている。インターフェイスアーム３５、３６は回動自在、昇降自在及び進退自在に構成されており、さらにインターフェイスアーム３５は、水平方向に移動自在に構成されている。インターフェイスアーム３５は露光装置Ｓ７、受け渡しモジュールＣＰＬ４１、ＣＰＬ４２にアクセスし、これらの間でウエハＷを受け渡す。インターフェイスアーム３６は、棚ユニットＵ６を構成する各モジュールにアクセスし、これらのモジュール間でウエハＷを受け渡す。
【００５０】
続いて、塗布、現像装置１に設けられた制御部５１について図１０を参照しながら説明する。図中５０はバスである。制御部５１はプログラム５２、メモリ５３、ＣＰＵ５４などを備えており、前記プログラム５２には制御部５１から塗布、現像装置１の各モジュール及び搬送手段に制御信号を送り、後述のウエハＷの搬送及び処理を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。このプログラム５２（処理パラメータの入力操作や表示に関するプログラムも含む）は、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）、メモリーカードなどの記憶媒体に格納されて制御部５１にインストールされる。
【００５１】
前記メモリ５３には、ウエハＷのＩＤと、当該ウエハＷの搬送先のモジュールと、搬送されるモジュールの順番と、が互いに対応付けられた搬送スケジュールが記憶さる記憶領域５５が設けられる。また、制御部５１はモード選択部５６を備えている。このモード選択部５６から例えばウエハＷのロット毎に処理モードを選択することができる。この処理モードとしては、ウエハＷにレジスト膜形成モジュールＣＯＴでネガ型レジストを塗布し、ネガ現像モジュールＮＤＥＶで現像処理を行うネガ現像処理モードと、ウエハＷにレジスト膜形成モジュールＣＯＴでポジ型レジストを塗布し、現像モジュールＤＥＶで現像処理を行うポジ現像処理モードとがある。上記の搬送スケジュールは、このように選択した処理モードに基づいて決定される。
【００５２】
続いて、塗布、現像装置１において、ユーザがネガ現像処理モードを選択した場合のウエハＷの搬送経路について説明する。図１１には、この搬送経路を点線で示しており、この図１１を参照しながら説明する。キャリアＣから受け渡しアーム１３により棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＵ１１に受け渡されたウエハＷは、受け渡しアーム１５→棚ユニットＵ１、Ｕ２の疎水化処理モジュールＡＤＨの順で搬送され、疎水化処理される。疎水化処理後、ウエハＷは受け渡しアーム１５→棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＣＰＬ１１→第１の液処理単位ブロックＢ１のメインアームＡ１→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１、ＢＣＴ２の順で搬送されて、当該ウエハＷに反射防止膜が形成される。
【００５３】
反射防止膜形成後ウエハＷは、メインアームＡ１→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１１→第１の加熱処理単位ブロックＣ１のメインアームＤ１→加熱モジュールＣＨＰ→メインアームＤ１→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１２→第２の液処理単位ブロックＢ２のメインアームＡ２→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２の順に搬送され、ウエハＷにネガ型のレジスト膜が形成される。
【００５４】
続いて、前記ウエハＷは、メインアームＡ２→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１３→メインアームＤ２→加熱モジュールＰＡＢ→メインアームＤ１→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１４→第３の液処理単位ブロックＢ３のメインアームＡ３→保護膜形成モジュールＩＴＣ１、ＩＴＣ２の順に搬送され、レジスト膜の上層に保護膜が形成される。
【００５５】
次に、ウエハＷはメインアームＡ３→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１５→メインアームＤ１→加熱モジュールＣＨＰ→メインアームＤ１→棚ユニットＵ５の受け渡しモジュールＣＰＬ３１→第１〜第３の補助単位ブロックＥ１〜Ｅ３のメインアームＦ１→裏面洗浄モジュールＢＳＴ１〜ＢＳＴ４の順で搬送されて、裏面洗浄処理を受ける。裏面洗浄処理後、ウエハＷはメインアームＦ１→棚ユニットＵ６の受け渡しモジュールＴＲＳ２１→インターフェイスアーム３６→受け渡しモジュールＢＵ４１→インターフェイスアーム３６→受け渡しモジュールＣＰＬ４１→インターフェイスアーム３５→露光装置Ｓ７の順で搬送されて、液浸露光される。
【００５６】
図１２、図１３は、この露光装置Ｓ７での処理の様子を示したものである。図中４１は露光されるウエハＷが載置されるステージであり、鉛直軸回りに回転する。ＮはウエハＷのノッチである。４３は露光ヘッドであり、ウエハＷを露光しながら移動する。露光ヘッド４３は、鎖線の矢印で示すように下方に光を照射しながらウエハＷの一方側と他方側との間で移動し、この移動を行うたびに移動方向とは直交するようにずれる。これによってウエハＷに縞状に露光領域４４が形成される。露光領域４４には多数の点を付して示している。その後、ウエハＷが９０度回転し、露光ヘッド４３が再びウエハＷ上を同様に動き、ウエハＷが井桁状に露光される。図中４５は、非露光領域である。
【００５７】
図１１に戻って、液浸露光後のウエハＷは、インターフェイスアーム３５→受け渡しモジュールＣＰＬ４２→インターフェイスアーム３６→受け渡しモジュールＢＵ４２→インターフェイスアーム３６→受け渡しモジュールＴＲＳ２２→第４〜第５の補助単位ブロックＥ４〜Ｅ５のメインアームＦ２→第４または第５の補助単位ブロックＥ４またはＥ５の露光後洗浄モジュールＰＩＲ１〜ＰＩＲ４に搬送されて、保護膜除去及び洗浄処理を受ける。
【００５８】
然る後、ウエハＷは、メインアームＦ２→棚ユニットＵ５の受け渡しモジュールＣＰＬ３２またはＣＰＬ３３→第３の加熱処理単位ブロックＣ３のメインアームＤ２または第４の加熱処理単位ブロックＣ４のメインアームＤ３→加熱モジュールＰＥＢ→メインアームＤ２またはＤ３→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１６またはＴＲＳ１７→第４、第５の液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５のメインアームＡ４→ネガ現像モジュールＮＤＥＶ１〜ＮＤＥＶ４の順で搬送されて、ウエハＷに現像液が供給される。そして、非露光領域６５が前記現像液に溶解し、格子状に孔が配列されたパターンが形成される。なお、前記孔は、例えばコンタクトホールの形成に利用される。
【００５９】
次にウエハＷは、メインアームＡ４→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１６、ＴＲＳ１７→メインアームＤ２またはＤ３→加熱モジュールＰＯＳＴ→メインアームＤ２またはＤ３→受け渡しモジュールＴＲＳ１６またはＴＲＳ１７→メインアームＡ４→棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＣＰＬ１２→受け渡しアーム１５→受け渡しモジュールＢＵ１２→受け渡しアーム１３→キャリアＣの順で搬送される。
【００６０】
続いて、ユーザがポジ現像処理モードを行うように選択した場合におけるウエハＷの搬送経路について、上記のネガ現像処理モードの経路との差異点を説明する。ウエハＷはネガ現像処理を行う場合と同様にキャリアＣからレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２へ搬送され、当該レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２ではポジ型レジストが塗布される。その後、ウエハＷはレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２から、ネガ現像を行う場合と同様に露光装置Ｓ７に搬送される。露光装置Ｓ７では、例えば図１３で示したようにウエハＷ全体を１回露光した後のステージ４１の回転、露光ヘッド４３の再移動及び再露光が行われない。このポジ現像処理ではネガ現像処理とは異なるパターンが形成される。
【００６１】
露光後のウエハＷは、上記の搬送経路に沿って搬送され、露光後洗浄モジュールＰＩＲ、加熱モジュールＰＥＢで順次処理を受けた後、加熱処理単位ブロックＣ３、Ｃ４のメインアームＤ２、Ｄ３が、当該ウエハＷを棚ユニットＵ５の受け渡しモジュールＣＰＬ３２、ＣＰＬ３３に夫々搬送する。続いて、メインアームＦ２が、これら受け渡しモジュールＣＰＬ３２、ＣＰＬ３３のウエハＷを現像モジュールＤＥＶ１、ＤＥＶ２に搬送する。そして、ウエハＷに現像液が供給されてポジ現像処理が行われ、レジスト膜の露光部が溶解する。その後、ウエハＷはメインアームＦ２→受け渡しモジュールＣＰＬ３２、ＣＰＬ３３→メインアームＤ３、Ｄ４→加熱モジュールＰＯＳＴの順で搬送される。これ以降、ウエハＷは、ネガ現像処理モード実行時と同様の経路でキャリアＣに戻される。
【００６２】
上記のようにウエハＷが処理中に液処理ブロックＳ３の各層の液処理モジュールのうち一方が使用不可になった場合には、当該液処理モジュールに対向した他方の液処理モジュールへ後続のウエハＷを搬送するように搬送スケジュールが変更される。図１４には通常の搬送時のウエハＷの搬送フローの概略を示しており、図１５には例えばレジスト膜形成モジュールＣＯＴ２及びネガ現像モジュールＮＤＥＶ２が使用不可になった場合の搬送フローの概略を示している。
【００６３】
図１５のフローに示すように、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ２が使用不可になった場合には、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ２に搬入されるように設定されていたウエハＷは、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１に搬送されて処理を受けるように搬送スケジュールが変更される。また、ネガ現像モジュールＮＤＥＶ１に搬入されるように設定されていたウエハＷは、ネガ現像モジュールＮＤＥＶ１に搬送されて処理を受けるように搬送スケジュールが変更される。ＩＴＣ、ＢＣＴについても、これらのモジュールが使用不可になった場合は同様に、対向する同種の液処理モジュールにウエハＷが搬送される。これらの液処理モジュールが使用不可になる場合としては、例えばモジュールの故障時やメンテナンス時などがあり、故障時には制御部５１が自動で上記のように搬送スケジュールの変更を行う。メンテナンス時には、ユーザがメンテナンスを行う液処理モジュールを制御部５１から設定すると、当該制御部５１が上記のように搬送スケジュールの変更を行う。
【００６４】
この第１の実施形態及び後述の各例で、ウエハＷに疎水化処理を行うタイミングとしては、上記の例に限られず、例えばレジスト膜を形成し、加熱モジュールＰＡＢで加熱処理を行った後にメインアームＤ１、メインアームＡ２、棚ユニットＵ３の受け渡しモジュール及び受け渡しアーム１５を介して棚ユニットＵ１、Ｕ２の疎水化処理モジュールＡＤＨに搬送して処理を行ってもよい。処理後のウエハＷは棚ユニットＵ３の受け渡しモジュール及び受け渡しアーム１５を介して、再び液処理ブロックＳ２に搬入される。
【００６５】
この塗布、現像装置１によれば、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ、保護膜形成モジュールＩＴＣ、ネガ現像モジュールＮＤＥＶを夫々含む液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５が上下に積層された液処理ブロックが設けられ、液処理ブロックＳ３に隣接するように加熱モジュールが積層された加熱処理ブロックＳ４が設けられている。そして、各液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５では、同種の液処理モジュールがウエハＷの搬送領域Ｒ１を挟むように対向している。これにより処理ブロックＳ２０の設置面積を抑えると共に、液処理モジュールが使用不可になっても他の液処理モジュールを使用してウエハＷを処理することができるので、スループットの低下を抑えることができる。さらに、上記の例ではネガ現像処理とポジ現像処理とを切り替えて行うことができるので、形成するレジストパターンの種類に応じてユーザが選択できる幅が広い。従って複数の塗布、現像装置を設ける必要が無くなるため、コストを抑えることができるし、装置の設置面積をより抑えることができる。
【００６６】
（第２の実施形態）
続いて第２の実施形態の塗布、現像装置６について、塗布、現像装置１との差異点を中心に説明する。図１６、図１７、図１８は、夫々塗布、現像装置６の平面図、斜視図、縦断側面図である。図１６に示すように前方側ブロックＳ２には、棚ユニットＵ１、Ｕ２の後方側に棚ユニットＵ２１、Ｕ２２が夫々配置されている。そして、棚ユニットＵ１とＵ２との間及びＵ２１とＵ２２との間は、前後方向に形成された搬送領域Ｒ４として構成されている。前記受け渡しアーム１５は、搬送領域Ｒ４に沿って移動し、各棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ２１、Ｕ２２の各モジュールにウエハＷを搬送する。図１９は、前方側ブロックＳ２の正面図である。ただし、棚ユニットＵ２１、Ｕ２２は、棚ユニットＵ１、Ｕ２に対して、外側へずらして示している。棚ユニットＵ２１、Ｕ２２には、棚ユニットＵ１、Ｕ２と同様に疎水化処理モジュールＡＤＨが設けられている。
【００６７】
液処理ブロックＳ３を構成する各液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ４には、搬送領域Ｒ１の左右に夫々２基ずつ同種の液処理モジュールが対向するように設けられており、各液処理モジュールは搬送領域Ｒ１に沿って配列されている。図２０には第１の液処理単位ブロックＢ１の平面図を示している。キャリアブロックＳ１側には反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１、ＢＣＴ２が設けられ、インターフェイスブロックＳ６側には、硬化モジュールＦＣＯＴ１、ＦＣＯＴ２が設けられている。硬化モジュールＦＣＯＴは、レジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に構成されているが、レジスト液の代わりに硬化液を供給する。この硬化液が、レジストパターンが形成されたレジスト膜に供給されると、当該レジストパターンが硬化する。それによって、当該レジストパターンに再度レジスト液を供給したときに、供給されたレジスト液に含まれる溶剤に対してレジストパターンが不溶になる。
【００６８】
また、図１６に示すように第２の液処理単位ブロックＢ２においては、キャリアブロックＳ１側にレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２が設けられている。インターフェイスブロックＳ６側には、保護膜形成モジュールＩＴＣ１、ＩＴＣ２が設けられている。図２１には第３の液処理単位ブロックＢ３の平面図を示している。この第３の液処理単位ブロックＢ３では、キャリアブロックＳ１側にネガ現像モジュールＮＤＥＶ１とＮＤＥＶ２とが対向して設けられ、インターフェイスブロックＳ６側にネガ現像モジュールＮＤＥＶ３とＮＤＥＶ４とが設けられている。図２２には、第４の液処理単位ブロックＢ４の平面図を示しており、キャリアブロックＳ１側に現像モジュールＤＥＶ１とＤＥＶ２とが設けられ、インターフェイスブロックＳ６側に現像モジュールＤＥＶ３とＤＥＶ４とが設けられている。
【００６９】
塗布、現像装置６の加熱処理ブロックＳ４は第１の実施形態と略同様に構成されており、メインアームＤ１は棚ユニットＵ４において液処理単位ブロックＢ１、Ｂ２の高さ位置にある受け渡しモジュール間でウエハＷを受け渡すことができる。メインアームＤ２、Ｄ３は、棚ユニットＵ４において液処理単位ブロックＢ３、Ｂ４の各高さ位置にある受け渡しモジュールにウエハＷを受け渡す
【００７０】
補助ブロックＳ５は、補助単位ブロックＥ１〜Ｅ４により構成されており、これらの補助単位ブロックＥ１〜Ｅ４でメインアームＦ１が共用されている。各単位ブロックＥ１〜Ｅ４には、露光後洗浄モジュールＰＩＲと、裏面洗浄モジュールＢＳＴとが、搬送領域Ｒ３を挟んで対向して設けられている。この塗布、現像装置６に搭載された裏面洗浄モジュールＢＳＴは、第１の実施形態の裏面洗浄モジュールＢＳＴと異なり、１つのスピンチャック２２及び処理カップ２３を備えている。
【００７１】
第１の実施形態と同様に、制御部５１のモード選択部５６から、ユーザはネガ現像処理モード及びポジ現像処理モードのいずれを行うかを選択することができる。この第２の実施形態では、ネガ現像処理モードを選択した場合及びポジ現像処理を選択した場合の両方で、第１の実施形態で説明した格子状に孔が配列されるレジストパターンを形成することができる。
【００７２】
ネガ現像処理モード実行時のウエハＷの搬送経路について、図２３を参照しながら説明する。ウエハＷは、キャリアＣ→受け渡しアーム１３→棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＵ１１→受け渡しアーム１５→棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ２１、Ｕ２２の疎水化処理モジュールＡＤＨ→受け渡しアーム１５→受け渡しモジュールＣＰＬ１１→メインアームＡ１→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１、ＢＣＴ２→メインアームＡ１→受け渡しモジュールＴＲＳ１１→メインアームＤ１→加熱モジュールＣＨＰ→メインアームＤ１→受け渡しモジュールＴＲＳ１２→メインアームＡ２→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２の順に搬送され、ウエハＷにネガ型のレジスト膜が形成される。
【００７３】
続いて、前記ウエハＷは、メインアームＡ２→受け渡しモジュールＴＲＳ１３→メインアームＤ１→加熱モジュールＰＡＢ→メインアームＤ１→受け渡しモジュールＴＲＳ１４→メインアームＡ２→保護膜形成モジュールＩＴＣ１、ＩＴＣ２→メインアームＡ２→受け渡しモジュールＴＲＳ１５→メインアームＤ１→加熱モジュールＣＨＰ→受け渡しモジュールＣＰＬ３１→メインアームＦ１→裏面洗浄モジュールＢＳＴ→メインアームＦ１の順で受け渡される。これ以降、ウエハＷは、第１の実施形態と同様にインターフェイスブロックＳ６を介して露光装置Ｓ７に搬入され、第１の実施形態のネガ型現像処理モード実行時と同様に液浸露光される。
【００７４】
液浸露光後、ウエハＷは、第１の実施形態と同様にインターフェイスブロックＳ６からメインアームＦ１に受け渡され、メインアームＦ１→露光後洗浄モジュールＰＩＲ→受け渡しモジュールＣＰＬ３２→メインアームＤ２→加熱モジュールＰＥＢ→メインアームＤ２→受け渡しモジュールＴＲＳ１６→メインアームＡ３→ネガ現像モジュールＮＤＥＶ１〜ＮＤＥＶ４で現像処理を受ける。その後、ウエハＷは、メインアームＡ３→受け渡しモジュールＴＲＳ１７→メインアームＤ２→加熱モジュールＰＯＳＴ→メインアームＤ２→受け渡しモジュールＴＲＳ１８→メインアームＡ３→受け渡しモジュールＣＰＬ１２の順に搬送され、以降ウエハＷは第１の実施形態と同様にキャリアＣに戻される。
【００７５】
続いて、ポジ現像処理を行う場合のウエハＷの搬送経路について、図２４、図２５を参照しながら上記のネガ現像処理との差異点を説明する。このポジ現像処理では、キャリアＣから取り出したウエハＷに１回目のレジストパターン形成を行い、ウエハＷをキャリアＣに戻した後、当該ウエハＷに２回目のレジストパターン形成を行い、再度キャリアＣに戻す。図２４は１回目のレジストパターンを形成するときの搬送経路とモジュール、図２５は２回目のレジストパターンを形成するときの搬送経路とモジュールを夫々示している。また、図２６〜図２８では処理中のウエハＷの表面を示しており、これらの図２６〜図２８も適宜参照しながら説明を行う。
【００７６】
図２４に示すようにネガ現像処理を行う場合と同様の経路でキャリアＣから露光装置Ｓ７へウエハＷが搬送され、各モジュールで処理を受ける。ただし、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２では、ウエハＷにネガ型レジストの代わりにポジ型レジストが塗布される。露光装置Ｓ７では、第１の実施形態のネガ型現像処理モード実行時と同様に縞状に露光領域が形成される。
【００７７】
露光後のウエハＷは、露光装置Ｓ７→メインアームＦ１→露光後洗浄モジュールＰＩＲ→メインアームＦ１→受け渡しモジュールＣＰＬ３３→メインアームＤ３→加熱モジュールＰＥＢ→受け渡しモジュールＴＲＳ１６→メインアームＡ４→現像モジュールＤＥＶの順に搬送されて、現像される。それによって、前記露光領域が溶解し、レジストパターンが形成される。図２６は前記レジストパターンを示しており、パターンの凹部を６１、凸部を６２として表している。図中矢印の先にはレジストパターンの縦断側面を示している。レジストパターン形成後、ウエハＷはメインアームＡ４→受け渡しモジュールＴＲＳ１７→加熱モジュールＰＯＳＴ→受け渡しモジュールＴＲＳ１８→メインアームＡ４→受け渡しモジュールＣＰＬ１２の順に搬送され、その後、第１の実施形態と同様にキャリアＣに戻され、１回目のレジストパターン形成が終了する。
【００７８】
その後、ウエハＷはキャリアＣから再度受け渡しモジュールＢＵ１１に取り出され、図２５に示すように２回目のレジストパターン形成が開始される。ウエハＷは、受け渡しアーム１５→受け渡しモジュールＣＰＬ１１→硬化モジュールＦＣＯＴ１、ＦＣＯＴ２→メインアームＤ１→加熱モジュールＣＨＰの順で搬送され、パターンが硬化された後、１回目のレジストパターン形成時と同様にレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２に搬送され、ポジ型レジストが供給される。図２７に示すように、新たに供給されたレジスト６３が凹部６１に埋まる。その後、１回目のパターン形成時と同様の経路でウエハＷは搬送され、保護膜形成後に露光装置Ｓ７に搬入される。露光装置Ｓ７では、上記したとおり縞状に露光領域が形成されるように露光ヘッド４３が移動する。この２回目のパターン形成時の露光処理では、１回目のパターン形成時の露光処理と、ウエハＷのノッチＮの向きが９０°異なっている（図２８）。
【００７９】
液浸露光後、ウエハＷは１回目のパターン形成時と同様に現像モジュールＤＥＶへ搬送され、２回目のパターン形成時に露光された領域６４が現像液に溶解するが、１回目のパターン形成時に形成された凸部６２は露光領域６４となっていても溶解しない。これによって格子状に配列された孔が形成される。以降、ウエハＷは１回目のパターン形成時と同様に処理を受けると共に各モジュール間を搬送され、キャリアＣに戻される。この第２の実施形態においても第１の実施形態と同様に対向する同種の液処理モジュールのうち、一方が使用不可になった場合は他方の液処理モジュールを用いて、ウエハＷの搬送及び処理が継続される。
【００８０】
この第２の実施形態では、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ及び硬化モジュールＦＣＯＴを含む第１の液処理単位ブロックＢ１、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ及び保護膜形成モジュールＩＴＣを含む第２の液処理単位ブロックＢ２、ネガ現像処理モジュールＮＤＥＶを含む第３の液処理単位ブロックＢ３、現像処理モジュールＤＥＶを含む第４の液処理単位ブロックＢ４が互いに積層されて液処理ブロックＳ３を構成し、この液処理ブロックＳ３に隣接するように加熱モジュールが積層された加熱処理ブロックＳ４が設けられている。そして、各液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ４では、同種の液処理モジュールが搬送領域Ｒ１を挟むように対向している。従って、第１の実施形態と同様に処理ブロックＳ２０の設置面積を抑えると共にスループットの低下を抑えることができる。また、第２の実施形態では同様の形状のパターンを形成するにあたり、ユーザがネガ現像処理かポジ現像処理かを選択することができる。使用するレジストの性質や各膜の膜厚などを考慮して、この選択を行うことにより、良好な形状のレジストパターンを形成することができる。
【００８１】
（第２の実施形態の変形例）
第２の実施形態の塗布、現像装置６で、液処理モジュールの配置としては上記の例に限られない。例えば、図２９及び図３０に示すように第１の液処理単位ブロックＢ１に反射防止膜形成モジュールＢＣＴ及びレジスト膜形成モジュールＣＯＴを配置し、第２の液処理単位ブロックＢ２に硬化モジュールＦＣＯＴ及び保護膜形成モジュールＩＴＣを配置してもよい。このような配置とした場合、ネガ現像処理モード実行時においては、ウエハＷは反射防止膜形成後、第１の加熱処理単位ブロックＣ１の加熱モジュールＣＨＰで加熱処理された後、棚ユニットＵ５の受け渡しモジュールＴＲＳを介して第１の液処理単位ブロックＢ１に戻され、レジスト膜形成モジュールＣＯＴで処理される。レジスト塗布後のウエハＷは、再度第１の加熱処理単位ブロックＣ１に搬入され、加熱モジュールＰＡＢで加熱処理された後、メインアームＦ１により第２の液処理単位ブロックＢ２に搬送され、保護膜の形成処理を受ける。以降、ウエハＷは第２の実施形態と同様の搬送経路で搬送されて処理を受ける。
【００８２】
ポジ現像処理を行う場合、上記のネガ現像処理と同様の経路でウエハＷを搬送し、１回目のレジストパターンを形成した後、当該ウエハＷをキャリアＣから受け渡しアーム１３→受け渡しモジュールＢＵ１１→受け渡しアーム１５→第１の液処理単位ブロックＢ１→第１の加熱処理単位ブロックＣ１→第２の液処理単位ブロックＢ２の順序で搬送し、当該第２の液処理単位ブロックＢ２の硬化モジュールＦＣＯＴ１、ＦＣＯＴ２で処理する。
【００８３】
その後、ウエハＷを第１の加熱処理単位ブロックＣ１の加熱モジュールＣＨＰへ搬送して加熱処理し、さらに補助ブロックＳ５→インターフェイスブロックＳ６の受け渡しモジュールＣＰＬ４２→受け渡しモジュールＢＵ４１→第３の加熱処理単位ブロックＣ３→第４の液処理単位ブロックＢ４の順で搬送して、キャリアＣに戻す。このとき、各ブロックでは、ウエハＷの処理を行わずにキャリアＣへと搬送する。然る後、当該ウエハＷを繰り返しキャリアＣから取り出し、第１の液処理単位ブロックＢ１に搬入後、１回目のレジストパターン形成時と同様にウエハＷの搬送及び処理を行い、２回目のレジストパターン形成を行う。
【００８４】
また、現像処理を行う単位ブロックの液処理モジュールの配置についても上記の例に限られない。例えば、第２の実施形態では、第３の液処理単位ブロックＣ３、第４の液処理単位ブロックＣ４に夫々現像モジュールＤＥＶ、ネガ現像モジュールＮＤＥＶの一方のみが設けられているが、これら第３及び第４の液処理単位ブロックＣ３、Ｃ４が、現像モジュールＤＥＶ及びネガ現像モジュールＮＤＥＶの両方を含んでいてもよい。また、第１の実施形態と同様に、現像処理を行う第３の液処理単位ブロックＣ３、第４の液処理単位ブロックＣ４のメインアームはこれら液処理単位ブロックＣ３、Ｃ４で共用されていてもよい。また、各実施形態で、現像モジュールＤＥＶ及びネガ現像モジュールＮＤＥＶを含む液処理単位ブロックは、他の液処理モジュールを含む液処理単位ブロックの下方に位置していてもよい。
【００８５】
第２の実施形態の塗布、現像装置６に設けられた硬化モジュールＦＣＯＴを第１の実施形態の塗布、現像装置１に適用することもできる。図３１は、この硬化モジュールＦＣＯＴを備え、上記の格子状に孔が配列されたパターンを形成することができるように構成された塗布、現像装置１の概略図を示している。この塗布、現像装置１の液処理ブロックＳ３では液処理単位ブロックＧ１〜Ｇ６が、下から順に積層されて構成されている。液処理単位ブロックＧ１、Ｇ３、Ｇ４は、第１の実施形態の液処理単位ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３と夫々同様に構成されている。液処理単位ブロックＧ５、Ｇ６は、ネガ現像モジュールＮＤＥＶの代わりに現像モジュールＤＥＶが設けられていることを除いて、第１の実施形態の液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５と同様に構成されている。また、液処理単位ブロックＧ２は、液処理モジュールとしてＦＣＯＴが設けられる他は、第１の実施形態の液処理単位ブロックＢ１と同様に構成されている。
【００８６】
この例では加熱処理単位ブロックＣ１、Ｃ２に設けられるメインアームＤ１は、液処理単位ブロックＧ１〜Ｇ４の高さ位置にある受け渡しモジュールにアクセスすることができる。それによって、液処理単位ブロックＧ１〜Ｇ４と加熱処理単位ブロックＣ１、Ｃ２との間でウエハＷの受け渡しが行えるようになっている。そして、１回目のレジストパターン形成処理では、ウエハＷは、液処理単位ブロックＧ１、Ｇ３、Ｇ４に順次搬送されて処理を受けた後、液処理単位ブロックＧ５またはＧ６に搬送されて処理を受ける。そして、２回目のレジストパターン形成処理でウエハＷは、液処理単位ブロックＧ２、Ｇ３、Ｇ４に順次搬送されて処理を受けた後、液処理単位ブロックＧ５またはＧ６に搬送されて処理を受ける。
【００８７】
図３２には、硬化モジュールＦＣＯＴを第１の実施形態に適用した、さらに他の例について示している。ここに示した液処理ブロックＳ３の液処理単位ブロックＧ６には液処理モジュールとしてネガ現像モジュールＮＤＥＶが設けられている。この違いを除いて、図３２の液処理ブロックＳ３は、図３１の液処理ブロックと同様に構成されている。このような液処理ブロックＳ３を備えた塗布、現像装置１でもネガ現像処理モードとポジ現像処理モードとを切り替えて実行することができ、第２の実施形態と同様に各現像モードで多数の孔が格子状に配列されたレジストパターンを形成することができる。なお、上記の各実施形態で保護膜形成モジュールＩＴＣは、保護膜形成用の薬液の代わりにレジスト膜の上層に反射防止膜を形成するための薬液を供給して、当該反射防止膜を形成するものであってもよい。ただし、その場合は、第２の実施形態のポジ現像処理モードのように１枚のウエハＷに繰り返しレジストパターンを形成する処理は行わない。
【００８８】
上記の各実施形態で現像用の単位ブロックは２層設けられているが、３層以上の複数層であってもよく、また１層のみ設けられていてもよい。なお、第１の実施形態の現像用の単位ブロックのように、メインアームＡが共有化されていても、他の単位ブロックＢの高さの２つ分の高さを有していれば、その単位ブロックＢは２層であるものと見ることができる。
【符号の説明】
【００８９】
Ａ１〜Ａ６ メインアーム
ＢＣＴ 反射防止膜形成モジュール
Ｂ１〜Ｂ６ 液処理単位ブロック
ＣＯＴ レジスト膜形成モジュール
ＤＥＶ 現像モジュール
Ｄ１〜Ｄ４ メインアーム
Ｆ１、Ｆ２ メインアーム
ＮＤＥＶ ネガ現像モジュール
ＩＴＣ 保護膜形成モジュール
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 前方側処理ブロック
Ｓ３ 液処理ブロック
Ｓ４ 加熱処理ブロック
Ｓ５ 補助ブロック
Ｓ６ インターフェイスブロック
Ｓ７ 露光装置
Ｗ ウエハ
１、６ 塗布、現像装置
５１ 制御部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にレジストを塗布し、現像を行う塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。前記レジストパターンを形成するための塗布、現像装置には、ウエハに各種の処理を行うための処理モジュールを備えた処理ブロックが設けられている。
【０００３】
処理ブロックは、例えば特許文献１に記載されるように、レジスト膜などの各種の塗布膜を形成する単位ブロック及び現像処理を行う単位ブロックを互いに積層することにより構成されている。各単位ブロックにはウエハの搬送機構が設けられ、当該搬送機構によりウエハは順番に各単位ブロックに設けられる処理モジュールに受け渡されて処理を受ける。
【０００４】
ところで、ウエハに形成するパターンの微細化が進んでいることから、前記塗布、現像装置に設けられる処理モジュールは多様化している。ウエハにレジストを供給してレジスト膜を形成するレジスト膜形成モジュールやウエハに現像液を供給して現像を行う現像モジュールなどの他に、例えば繰り返しフォトリソグラフィを行うためにレジストパターンを硬化させる硬化液を供給するモジュールや、ウエハの上層に液浸露光用の保護膜を形成するためのモジュールなどが搭載される場合がある。このように多種のモジュールを搭載した上で、どのように塗布、現像装置の設置面積を小さくするかが検討されている。
【０００５】
また、前記特許文献１の塗布、現像装置では、ウエハは順番に各層のモジュール間を搬送されるため、一つのモジュールについてウエハの処理が行えなくなると、後段のモジュールにウエハを搬送することが出来なくなり、処理効率が低下してしまうおそれがある。このように処理効率の低下を抑え、且つ設置面積を小さくすることができる塗布、現像装置が求められていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１１５８３１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、塗布、現像装置のスループットの低下を抑えると共に装置の設置面積を抑えることができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、第１の単位ブロックと第２の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、
この積層体に対して上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記第１の単位ブロックは、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜用の薬液を基板に供給するための反射防止膜モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜の上にレジスト液を供給するためのレジストモジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記第２の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、レジスト膜の上に上層膜を形成するための薬液を基板に供給するための上層膜モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置され、基板に対して１回目の現像処理がされて形成された第１のレジストパターンを硬化させるための硬化液を基板に供給する硬化モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールを備えると共に、これら現像モジュールは前記直線搬送路に沿って移動する主搬送機構により基板の受け渡しが行われることと、
ｆ）前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｇ）前記第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックの各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｈ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該第１の単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｉ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
前記塗布、現像装置は、次のように構成することができる。
（１）第１の単位ブロックに設けられたレジストモジュールに代えて硬化モジュールが設けられ、第２の単位ブロックに設けられた硬化モジュールに代えてレジストモジュールが設けられる。
（２）前記現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれる。
（３）第１回目のレジストパターン形成処理を行った後、前記硬化モジュールを使用し、その後に第２回目のレジストパターン形成処理を行うモードと、
ネガ型レジストを現像する現像モジュールを使用してレジストパターンを形成するモードと、
の一方を選択するためのモード選択部を設ける。
【００１０】
また、本発明の塗布、現像方法は、前記塗布、現像装置を用いて、
基板に対して１回目のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して１回目の現像処理を行い第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンに硬化液を供給して、第１のレジストパターンを硬化する工程と、
硬化された第１のレジストパターンに２回目のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して２回目の現像処理を行い第２のレジストパターンを形成する工程と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。
【００１１】
本発明の他の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、第１の単位ブロックと第２の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、
この積層体に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記第１の単位ブロックは、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜用の薬液を基板に供給するための反射防止膜モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記第２の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、レジスト膜の上に上層膜を形成するための薬液を基板に供給するための上層膜モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックの少なくとも一方の直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜の上にレジスト液を供給するためのレジストモジュールと、
ｆ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールを備えると共に、これら現像モジュール前記直線搬送路に沿って移動する主搬送機構により基板の受け渡しが行われることと、
ｇ）前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｈ）前記第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックの各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｉ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該第１の単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｊ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｋ）前記現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれること、
を備えたことを特徴とする。
【００１２】
例えば現像用の単位ブロックは複数設けられ、複数の現像用の単位ブロックの一つは、ポジ型レジストを現像する専用の単位ブロックであり、複数の現像用の単位ブロックの他の一つは、ネガ型レジストを現像する専用の単位ブロックである。
【００１３】
本発明の他の塗布、現像方法は、前記塗布、現像装置を用い、
レジストモジュールで基板にネガ型レジストまたはポジ型レジストを塗布する工程と、
ネガ型レジストが塗布された基板を、ネガ型レジストを現像する現像モジュールに搬送する工程と、
ポジ型レジストが塗布された基板を、ポジ型レジストを現像する現像モジュールに搬送する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の更に他の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、レジスト膜の上に上層膜を形成するための上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、塗布膜用の単位ブロック群の各単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｆ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
ｇ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
ｈ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｉ）下記の[ｉ−１]、[ｉ−２]、[ｉ−３]のいずれかの構成を備えたことと、
[ｉ−１] 基板に対して１回目の現像処理がされて形成された第１のレジストパターンを硬化させるための硬化液を基板に供給する硬化モジュールを設け、現像モジュールは全てポジレジスト用のレジストを現像するためのものである。
[ｉ−２] 前記硬化モジュールを設け、現像モジュールとしては、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれる。
[ｉ−３] 前記硬化モジュールは設けられず、現像モジュールとしては、ネガ型レジストを現像する現像モジュールが含まれる。
ｊ）前記[ｉ−１]、[ｉ−２]における硬化モジュールは、塗布膜用の単位ブロック群または現像用の単位ブロックに対して上下方向に積層された単位ブロックの中に配置され、当該単位ブロックには前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置された前記硬化モジュールと、これら硬化モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備え、
また前記[ｉ−２]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
前記[ｉ−３]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置されたネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
を備えたことを特徴とする。
【００１５】
前記塗布、現像装置において、[ｉ−２]の構成を採用し、
第１回目のレジストパターン形成処理を行った後、前記硬化モジュールを使用し、その後に第２回目のレジストパターン形成処理を行うモードと、
ネガ型レジストを現像する現像モジュールを使用してレジストパターンを形成するモードと、
の一方を選択するためのモード選択部を設けてもよい。
【００１６】
更に他の本発明の塗布、現像方法は、前記塗布、現像装置を用い以下の工程を行うことを特徴とする。
（４）基板に対して１回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して１回目の現像処理を行い第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンに硬化液を供給して、第１のレジストパターンを硬化する工程と、
硬化された第１のレジストパターンに２回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して２回目の現像処理を行い第２のレジストパターンを形成する工程と、
を備える。
（５）第１の基板に対してネガ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記第１の基板を現像処理する工程と、
を備える。
（６）（５）の各工程に加え、第２の基板に対して１回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記第２の基板を現像処理して１回目の現像処理を行い第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンに硬化液を供給して、第１のレジストパターンを硬化する工程と、
硬化された第１のレジストパターンに２回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記第１の基板を現像処理して２回目の現像処理を行い第２のレジストパターンを形成する工程と、
を備える。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の塗布、現像装置は、反射防止膜モジュール及びレジストモジュールを含んだ第１の単位ブロックと、上層膜を形成するモジュールとレジストパターンを硬化させるモジュールとを含んだ第２の単位ブロックとを積層した積層体に、さらに現像用の単位ブロックが積層され、これらの各モジュールは基板を搬送する直線搬送路の左右両側に配置されている。従って、装置の設置面積を抑えられるし、また一方のモジュールが使用不可の際に他方のモジュールで処理を行うことができるので、スループットの低下を抑えることができる。
本発明の他の塗布、現像装置についても、反射防止膜モジュール、レジストモジュール、上層膜を形成するモジュールを含む第１及び第２の単位ブロックからなる積層体に、ポジ用のレジスト、ネガ用のレジストを夫々現像する現像モジュールを含んだ現像用の単位ブロックが積層され、各モジュールは基板を搬送する搬送路の左右両側に配置されている。従って、装置の設置面積を抑えることができ、スループットの低下を抑えることができる。
本発明のさらに他の塗布、現像装置についても、反射防止膜用の単位ブロックと、レジスト膜用の単位ブロックと、上層膜用の単位ブロックと、現像用の単位ブロックとの積層体に、さらに硬化モジュールを含んだ単位ブロックが積層されるか、前記現像用単位ブロックは少なくともネガ用のレジストを現像する現像モジュールを備えるように構成され、各単位ブロックでモジュールが基板の搬送路の左右両側に配置されているので、装置の設置面積を抑えることができ、スループットの低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る塗布、現像装置の平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置の斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置の縦断側面図である。
【図４】前記塗布、現像装置の前方側ブロックの縦断側面図である。
【図５】前記塗布、現像装置の液処理ブロックの縦断正面図である。
【図６】前記塗布、現像装置の加熱処理ブロックの縦断正面図である。
【図７】前記塗布、現像装置の補助ブロックの縦断正面図である。
【図８】前記補助ブロックの平面図である。
【図９】前記塗布、現像装置のインターフェイスブロックの縦断正面図である。
【図１０】前記塗布、現像装置の制御部の構成図である。
【図１１】前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路を示すフロー図である。
【図１２】ウエハが露光される様子を示す説明図である。
【図１３】ウエハが露光される様子を示す説明図である。
【図１４】正常時におけるウエハの搬送経路を示すフロー図である。
【図１５】液処理モジュールの異常時におけるウエハの搬送経路を示すフロー図である。
【図１６】第２の実施の形態に係る塗布、現像装置の平面図である。
【図１７】前記塗布、現像装置の斜視図である。
【図１８】前記塗布、現像装置の縦断側面図である。
【図１９】前記塗布、現像装置の前方側ブロックの縦断側面図である。
【図２０】前記塗布、現像装置の液処理ブロックの平面図である。
【図２１】前記塗布、現像装置の液処理ブロックの平面図である。
【図２２】前記塗布、現像装置の液処理ブロックの平面図である。
【図２３】前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路を示すフロー図である。
【図２４】前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路を示すフロー図である。
【図２５】前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路を示すフロー図である。
【図２６】前記塗布、現像装置により処理されるウエハの表面図である。
【図２７】前記塗布、現像装置により処理されるウエハの表面図である。
【図２８】前記塗布、現像装置により処理されるウエハの表面図である。
【図２９】前記塗布、現像装置の変形例の液処理ブロックの平面図である。
【図３０】前記塗布、現像装置の変形例の液処理ブロックの平面図である。
【図３１】第１の実施形態に硬化モジュールを適用した概略図である。
【図３２】第１の実施形態に硬化モジュールを適用した概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
（第１の実施形態）
本発明に係る塗布、現像装置１について説明する。図１は、本発明の塗布、現像装置１をレジストパターン形成装置に適用した場合の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この塗布、現像装置１は、基板であるウエハＷが例えば２５枚密閉収納されたキャリアＣを搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、ウエハＷに対して処理を行うための処理ブロックＳ２０と、補助ブロックＳ５と、インターフェイスブロックＳ６と、を直線状に配列して構成されている。インターフェイスブロックＳ６には、液浸露光を行う露光装置Ｓ７が接続されている。
【００２０】
前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリアＣを載置する載置台１１と、この載置台１１から見て前方の壁面に設けられる開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリアＣからウエハＷを取り出すための受け渡しアーム１３とが設けられている。受け渡しアーム１３は、上下方向に５つのウエハ保持部１４を備え、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリアＣの配列方向に移動自在に構成されている。受け渡しアーム１３は、キャリアＣから５枚ずつウエハＷを処理ブロックＳ２０の受け渡しモジュールＢＵ１１に一括で受け渡す。なお、ウエハＷを載置できる場所をモジュールと記載し、このモジュールのうちウエハＷに対して加熱、液処理、ガス供給などの処理を行うモジュールを処理モジュールと記載する。また、処理モジュールのうち、ウエハＷに薬液や洗浄液を供給するモジュールを液処理モジュールと記載する。
【００２１】
処理ブロックＳ２０は、キャリアブロックＳ１側から補助ブロックＳ５側に向けて配列された前方側ブロックＳ２と、液処理ブロックＳ３と、加熱系のブロックである加熱処理ブロックＳ４とにより構成される。図４は、前方側ブロックＳ２の縦断側面図を示している。前方側ブロックＳ２には複数のモジュールが積層された棚ユニットＵ１、Ｕ２が設けられており、棚ユニットＵ１、Ｕ２はキャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ６に向かう方向と直交する方向に沿って配列されている。
【００２２】
棚ユニットＵ１、Ｕ２には疎水化処理モジュールＡＤＨが、例えば液処理ブロックＳ３を構成する後述の第１の液処理単位ブロックＢ１と同じ高さに配置されている。疎水化処理モジュールＡＤＨは、ウエハＷのベベル部（周端部）を含む表面に処理ガスを供給し、前記表面の疎水性を向上させ、液浸露光時に当該周端部から各膜の剥がれを抑えるためのモジュールである。
【００２３】
また、例えば棚ユニットＵ１には受け渡しモジュールＢＵ１１、ＢＵ１２が設けられており、これら受け渡しモジュールＢＵ１１、ＢＵ１２は、夫々キャリアＣからウエハＷが受け渡されるモジュール、キャリアＣへウエハＷを戻すためのモジュールである。受け渡しモジュールＢＵ１１は、既述の受け渡しアーム１３から搬送されたウエハＷを一括で受け取るために、上下方向に５つのウエハＷの保持部を備えている。受け渡しモジュールＢＵ１１に搬送されたウエハＷは、１枚ずつ受け渡しモジュールＢＵ１１から取り出されて処理を受ける。また、ＢＵと記載した受け渡しモジュールは、複数枚のウエハＷを夫々載置するステージを備え、載置したウエハＷを滞留させることができる。
【００２４】
棚ユニットＵ１、Ｕ２に挟まれるように、受け渡しアーム１５が設けられている。この受け渡しアーム１５は昇降自在、鉛直軸回りに回動自在且つ進退自在に構成されている。受け渡しアーム１５は、棚ユニットＵ１、Ｕ２及び後述のＵ３の各モジュール間でウエハＷを受け渡す。
【００２５】
液処理ブロックＳ３について、その縦断側面図である図５も参照しながら説明する。液処理ブロックＳ３は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第５の液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５が下から順に積層されて構成されており、各液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５は区画壁により仕切られている。各液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、略同様に構成されている。図１では第２の液処理単位ブロックＢ２について示しており、以下、代表してこの第２の液処理単位ブロックＢ２について説明する。キャリアブロックＳ１側を前方側、インターフェイスブロックＳ６側を後方側とすると、この第２の液処理単位ブロックＢ２の中央には、前後方向に向かう直線状の搬送路である搬送領域Ｒ１が形成されており、この搬送領域Ｒ１を左右から挟むようにレジスト膜形成モジュール（レジストモジュール）ＣＯＴ１、ＣＯＴ２が互いに対向して設けられている。
【００２６】
前記搬送領域Ｒ１には、主搬送機構であるメインアームＡ２が設けられている。このメインアームＡ２は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在及び前後方向に移動自在に構成されており、第２の液処理単位ブロックＢ２の各モジュール間で、ウエハＷの受け渡しを行うことができる。
【００２７】
レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１は、前後方向に２つのスピンチャック２２を備えており、スピンチャック２２は、ウエハＷの裏面中央部を吸着保持すると共に鉛直軸回りに回転自在に構成されている。図中２３は処理カップであり、上側が開口している。処理カップ２３は、スピンチャック２２の周囲を囲み、レジストの飛散を抑える。ウエハＷを処理するときには、当該処理カップ２３内にウエハＷが収容され、ウエハＷの裏面中央部はスピンチャック２２に保持される。
【００２８】
また、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１には、各処理カップ２３で共用されるノズル２４、２５が設けられている。ノズル２４はポジ型レジストを、ノズル２５はネガ型レジストをウエハＷに供給する。図中２６はノズル２４、２５を支持するアームであり、図中２７は駆動機構である。駆動機構２７は、アーム２６を介してノズル２４、２５を各処理カップ２３の配列方向に移動させると共にアーム２６を介してノズル２４、２５を昇降させる。駆動機構２７により、ノズル２４、２５はレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１の各処理カップ２３間を移動し、各スピンチャック２２に受け渡されたウエハＷの中心にネガ型レジストまたはポジ型レジストを吐出する。吐出されたレジストは、前記スピンチャック２２により鉛直軸回りに回転するウエハＷの遠心力により、ウエハＷの周縁へと展伸し、レジスト膜が成膜される。なお、図示は省略しているが、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１は、ウエハＷの周端部に溶剤を供給し、当該周端部の不要な膜を除去するノズルを備えている。レジスト膜形成モジュールＣＯＴ２は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１と同様に構成されている。
【００２９】
各液処理単位ブロックＢ１、Ｂ３〜Ｂ５について簡単に説明する。各液処理単位ブロックＢ１、Ｂ３〜Ｂ５は、液処理単位ブロックＢ２と同様のレイアウトで各モジュールが配置されている。つまり、既述の各液処理モジュールが、搬送領域Ｒ１を挟んで互いに対向している。また、各液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５に設けられるメインアームＡ１〜Ａ４は、互いに独立してモジュール間でウエハＷを搬送する。第１の液処理単位ブロックＢ１は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２の代わりに反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１、ＢＣＴ２を備えることを除いて、第２の液処理単位ブロックＢ２と同様に構成されている。反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１、ＢＣＴ２は、ノズル２４から反射防止膜形成用の薬液をウエハＷに供給して、当該ウエハＷに反射防止膜を形成することを除いて、レジスト膜形成モジュールと同様に構成されている。つまり、これら反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１、ＢＣＴ２は、各々ウエハＷを処理するための処理カップ２３及びスピンチャック２２を２つずつ備えており、２つの処理カップ２３及びスピンチャック２２に対してノズルが共有されている。
【００３０】
第３の液処理単位ブロックＢ３は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２の代わりに上層膜モジュールである保護膜形成モジュールＩＴＣ１、ＩＴＣ２を備えることを除いて、第２の液処理単位ブロックＢ２と同様に構成されている。保護膜形成モジュールＩＴＣ１、ＩＴＣ２は、ノズル２４から撥水性の保護膜を形成するための薬液をウエハＷに供給して、当該ウエハＷに前記保護膜を形成する。
【００３１】
第４の液処理単位ブロックＢ４は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２の代わりにネガ現像モジュールＮＤＥＶ１、ＮＤＥＶ２を備えることを除いて、第２の液処理単位ブロックＢ２と同様に構成されている。ネガ現像モジュールＮＤＥＶは、ネガ型のレジストを現像するモジュールであり、レジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に構成されている。ただし、現像モジュールＤＥＶ１、ＤＥＶ２の前記ノズル２４からは、レジストの代わりにネガ型のレジストを現像する現像液が供給される。
【００３２】
第５の液処理単位ブロックＢ５は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２の代わりにネガ現像モジュールＮＤＥＶ３、ＮＤＥＶ４を備えることを除いて、第２の液処理単位ブロックＢ２と同様に構成されている。第４の液処理単位ブロックＢ４の搬送領域Ｒ１と、第５の液処理単位ブロックＢ１の搬送領域Ｒ１とは互いに互いに接続されている。そして、液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５で共用のメインアームＡ４が設けられている。メインアームＡ４は、メインアームＡ２と同様に構成されているが、差異点として当該メインアームＡ４は液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５間を昇降することができ、これら液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５の各モジュールにウエハＷを受け渡すことができる。
【００３３】
液処理ブロックＳ３において、キャリアブロックＳ１側には、図１及び図３に示すように、各液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５に跨って棚ユニットＵ３が設けられている。棚ユニットＵ３は、多数の積層されたモジュールからなり、メインアームＡ１がアクセスできる高さ位置に受け渡しモジュールＣＰＬ１１が設けられ、メインアームＡ４がアクセスできる高さ位置に受け渡しモジュールＣＰＬ１２が設けられている。これら棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールを介して液処理ブロックＳ３と、前方側ブロックＳ２との間でウエハＷの受け渡しが行われる。なお、ＣＰＬと記載した受け渡しモジュールは、載置したウエハＷを冷却する冷却ステージを備えている。後述の受け渡しモジュールＴＲＳは、ウエハＷを載置するステージを備えている。
【００３４】
液処理ブロックＳ３において、インターフェイスブロックＳ６側には、図１及び図３に示すように、各液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５に跨って上下方向に棚ユニットＵ４が設けられている。棚ユニットＵ４は、複数の積層されたモジュールからなり、液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５の高さ位置には、夫々受け渡しモジュールＢＵ３１〜ＢＵ３４が設けられている。各液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５で、ウエハＷの搬送先の液処理モジュールが使用中であったり、メンテナンス中であり、速やかにウエハＷを各液処理モジュールに搬入できないときには、前記ウエハＷを各液処理モジュールに搬入する前に、この受け渡しモジュールＢＵ３１〜３４に一旦退避させる。
【００３５】
棚ユニットＵ４において、液処理単位ブロックＢ１の高さ位置には受け渡しモジュールＴＲＳ１１が設けられている。液処理単位ブロックＢ２の高さ位置には受け渡しモジュールＴＲＳ１２、ＴＲＳ１３が設けられている。液処理単位ブロックＢ３の高さ位置には受け渡しモジュールＴＲＳ１４、ＴＲＳ１５が設けられている。液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５の高さ位置には夫々受け渡しモジュールＴＲＳ１６、ＴＲＳ１７が設けられている。これら棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳを介して液処理ブロックＳ３と、加熱処理ブロックＳ４との間でウエハＷの受け渡しが行われる。
【００３６】
加熱処理ブロックＳ４について、縦断側面図である図６も参照しながら説明する。加熱処理ブロックＳ４は、ウエハＷに加熱処理を行う第１〜第４の加熱処理単位ブロックＣ１〜Ｃ４が下から順に積層されて構成されている。加熱処理単位ブロックＣ１〜Ｃ４は互いに区画壁により区画され、加熱処理単位ブロックＣ１は、液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ２に隣接して設けられている。加熱処理単位ブロックＣ２は、液処理単位ブロックＢ３に隣接して設けられている。また、加熱処理単位ブロックＣ３、Ｃ４は夫々液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５に夫々隣接している。これら加熱処理単位ブロックＣ１〜Ｃ４は、加熱モジュールと、単位ブロック用の搬送手段であるメインアームＤと、前記メインアームＤが移動する搬送領域Ｒ２と、を備えている。
【００３７】
第１〜第４の加熱処理単位ブロックＣ１〜Ｃ４は互いに略同様に構成されており、ここでは代表して図１に示した第１の加熱処理単位ブロックＣ１について説明する。第１の加熱処理単位ブロックＣ１の中央には、前記搬送領域Ｒ２が前後方向に形成されている。そして、この搬送領域Ｒ２に沿って棚ユニットＵ１１〜Ｕ１３及び棚ユニットＵ１４〜Ｕ１６が配列されている。棚ユニットＵ１１〜Ｕ１３及び棚ユニットＵ１４〜Ｕ１６は、搬送領域Ｒ２を挟むように互いに対向しており、各棚ユニットＵ１１〜Ｕ１６は、例えば４基積層された加熱モジュールを含んでいる。前記搬送領域Ｒ２には、メインアームＤ１が設けられている。このメインアームＤ１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、前後方向に移動自在に構成されている。このメインアームＤ１については後に詳しく説明する。
【００３８】
前記加熱モジュールは、載置されたウエハＷを加熱する熱板３１と、当該熱板３１と後述のメインアームＤ１との間でウエハＷを受け渡す冷却プレート３２とを備え、熱板３１で加熱されたウエハＷは、冷却プレート３２に受け渡されて、冷却された後、メインアームＤ１に受け渡される。図６では、第１の加熱処理単位ブロックＣ１において反射防止膜形成後にウエハＷを加熱する加熱モジュールをＣＨＰ、レジスト膜形成後にウエハＷを加熱する加熱モジュールをＰＡＢとして夫々示している。
【００３９】
次に第２の加熱処理単位ブロックＣ２について説明する。第２の加熱処理単位ブロックＣ２は、第１の加熱処理単位ブロックＣ１と略同様に構成されており、差異点として棚ユニットＵ１４〜Ｕ１６を構成する加熱モジュールが２段に設けられている。この加熱モジュールは、保護膜形成後のウエハＷを加熱するモジュールであり、図中ＣＨＰとして示している。また、この第２の加熱処理単位ブロックＣ２では、第１の加熱処理単位ブロックＣ１とメインアームＤ１を共有しており、前記メインアームＤ１は、加熱処理単位ブロックＣ１、Ｃ２に設けられる各モジュールと、前記棚ユニットＵ４において加熱処理単位ブロックＣ１、Ｃ２の高さに設けられる各モジュールと、後述の棚ユニットＵ５において加熱処理単位ブロックＣ１、Ｃ２の高さに設けられる各モジュールとの間でウエハＷを受け渡すことができる。
【００４０】
第３の加熱処理単位ブロックＣ３は、第２の加熱処理単位ブロックＣ２と同様に構成されており、差異点として固有のメインアームＤ２を備えている。メインアームＤ２は、加熱処理単位ブロックＣ３に設けられる各モジュールと、前記棚ユニットＵ４において加熱処理単位ブロックＣ３の高さに設けられる各モジュールと、棚ユニットＵ５において加熱処理単位ブロックＣ３の高さに設けられる各モジュールとの間でウエハＷを受け渡すことができる。また、各棚ユニットＵ１１〜Ｕ１６を構成する加熱モジュールは、露光後に加熱を行う加熱モジュール及び現像後に加熱を行う加熱モジュールであり、図中ＰＥＢ、ＰＯＳＴとして夫々記載している。第４の加熱処理単位ブロックＣ４は、第３の加熱処理単位ブロックＣ３と同様に構成されており、メインアームＤ２に対応するメインアームＤ３を備えている。メインアームＤ１〜Ｄ３は上下搬送機構を構成する。
【００４１】
続いて、補助用処理ブロックＳ５について、その縦断側面図である図７も参照しながら説明する。この補助処理用ブロックＳ５は、第１〜第５の補助単位ブロックＥ１〜Ｅ５が下から順に積層されて構成されている。各補助単位ブロックＥ１〜Ｅ５は、互いに区画壁により区画され、第１、第２の補助単位ブロックＥ１、Ｅ２は、前記加熱処理単位ブロックＣ１に隣接している。第３〜第５の補助単位ブロックＥ３〜Ｅ５は、第２〜第４の加熱処理単位ブロックＣ２〜Ｃ４に夫々隣接して設けられている。
【００４２】
図１に示した第２の補助単位ブロックＥ２について説明すると、第２の補助単位ブロックＥ２の中央には、搬送領域Ｒ３が前後に向かって形成されており、この搬送領域Ｒ３を挟むように裏面洗浄モジュールＢＳＴ１、ＢＳＴ２が互いに対向して設けられている。各裏面洗浄モジュールＢＳＴは、反射防止膜形成モジュールＢＣＴと同様に構成されており、２つの処理カップ２３及びスピンチャック２２を備えている。また、ノズル２４が設けられる代わりに、処理カップ２３毎にウエハＷの裏面及びベベル部に洗浄液を供給して洗浄を行う不図示のノズルを備えている。前記搬送領域Ｒ３にはメインアームＦ１が設けられ、進退自在、鉛直軸回りに回転自在、前後方向に移動自在及び昇降自在に構成されている。
【００４３】
第１の補助単位ブロックＥ１は第２の補助単位ブロックＥ２と同様に搬送領域Ｒ３を備えているが、液処理モジュールを備えていない。第３の補助単位ブロックＥ３は、第２の補助単位ブロックＥ２と同様に構成されており、裏面洗浄モジュールＢＳＴ１、ＢＳＴ２に対応する裏面洗浄モジュールＢＳＴ３、ＢＳＴ４を夫々備えている。また、第１〜第３の補助単位ブロックＥ１〜Ｅ３の搬送領域Ｒ３は互いに接続され、第１〜第３の補助単位ブロックＥ１〜Ｅ３は前記メインアームＦ１を共有している。そして、メインアームＦ１は、第１〜第３の補助単位ブロックＥ１〜Ｅ３に設けられる各モジュールと、後述の棚ユニットＵ５、Ｕ６において第１〜第３の補助単位ブロックＥ１〜Ｅ３と同じ高さ位置にある各モジュールとの間で、ウエハＷを受け渡す。
【００４４】
図８には第４の補助単位ブロックＥ４の平面図を示している。第４の補助単位ブロックＥ４は、第２の補助単位ブロックＥ２と同様に搬送領域Ｒ３を備えている。また、第２の補助単位ブロックＥ２との差異点として、裏面洗浄モジュールＢＳＴの代わりに現像モジュールＤＥＶ１及び露光後洗浄モジュールＰＩＲ１、ＰＩＲ２を備えている。露光後洗浄モジュールＰＩＲ１、ＰＩＲ２が搬送領域Ｒ３に臨むように前後方向に沿って配列され、現像モジュールＤＥＶ１は搬送領域Ｒ３を挟んで、これら露光後洗浄モジュールＰＩＲ１、ＰＩＲ２に対向するように設けられている。
【００４５】
露光後洗浄モジュールＰＩＲ１、ＰＩＲ２は、ウエハＷに保護膜除去または洗浄用の処理液を供給するモジュールであり、レジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に構成されているが、１つの処理カップ２３及びスピンチャック２２に対して１つのノズル２４が設けられている。現像モジュールＤＥＶ１は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１と同様に構成されている。つまり２つの処理カップ２３に対して１つのノズル２４が共有されている。ただし、現像モジュールＤＥＶ１、ＤＥＶ２の前記ノズル２４からは、レジストの代わりにポジ型のレジストを現像する現像液が供給される。
【００４６】
第５の補助単位ブロックＥ５は、現像モジュールＤＥＶ１に対応する現像モジュールＤＥＶ２と、露光後洗浄モジュールＰＩＲ１、ＰＩＲ２に対応する露光後洗浄モジュールＰＩＲ３、ＰＩＲ４と、を備えている。第４、第５の補助単位ブロックＥ４、Ｅ５は、メインアームＦ１に対応するメインアームＦ２を共有している。メインアームＦ２は、第４、第５の補助単位ブロックＥ４、Ｅ５に設けられる各モジュールと、後述の棚ユニットＵ５、Ｕ６において第４、第５の補助単位ブロックＥ４、Ｅ５と同じ高さ位置にある各モジュールとの間で、ウエハＷを受け渡す。
【００４７】
各層の搬送領域Ｒ３のキャリアブロックＳ１側には、図１及び図３に示すように、第１〜第５の補助単位ブロックＥ１〜Ｅ５に跨って棚ユニットＵ５が設けられている。棚ユニットＵ５には、メインアームＦ１がアクセス可能な位置に受け渡しモジュールＣＰＬ３１が設けられている。また、メインアームＦ２がアクセス可能な位置に受け渡しモジュールＣＰＬ３２、ＣＰＬ３３が設けられている。
【００４８】
インターフェイスブロックＳ６について、その縦断側面図である図７も参照しながら説明する。インターフェイスブロックＳ６には、複数の積層されたモジュールからなる棚ユニットＵ６が設けられている。棚ユニットＵ６において、前記メインアームＦ２がアクセスできる高さ位置に受け渡しモジュールＴＲＳ２１が設けられ、メインアームＦ１がアクセスできる高さ位置に受け渡しモジュールＴＲＳ２２が設けられている。また、棚ユニットＵ６には受け渡しモジュールＢＵ４１、ＢＵ４２、ＣＰＬ４１、ＣＰＬ４２が設けられている。
【００４９】
また、インターフェイスブロックＳ６には、インターフェイスアーム３５、３６が設けられている。インターフェイスアーム３５、３６は回動自在、昇降自在及び進退自在に構成されており、さらにインターフェイスアーム３５は、水平方向に移動自在に構成されている。インターフェイスアーム３５は露光装置Ｓ７、受け渡しモジュールＣＰＬ４１、ＣＰＬ４２にアクセスし、これらの間でウエハＷを受け渡す。インターフェイスアーム３６は、棚ユニットＵ６を構成する各モジュールにアクセスし、これらのモジュール間でウエハＷを受け渡す。
【００５０】
続いて、塗布、現像装置１に設けられた制御部５１について図１０を参照しながら説明する。図中５０はバスである。制御部５１はプログラム５２、メモリ５３、ＣＰＵ５４などを備えており、前記プログラム５２には制御部５１から塗布、現像装置１の各モジュール及び搬送手段に制御信号を送り、後述のウエハＷの搬送及び処理を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。このプログラム５２（処理パラメータの入力操作や表示に関するプログラムも含む）は、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）、メモリーカードなどの記憶媒体に格納されて制御部５１にインストールされる。
【００５１】
前記メモリ５３には、ウエハＷのＩＤと、当該ウエハＷの搬送先のモジュールと、搬送されるモジュールの順番と、が互いに対応付けられた搬送スケジュールが記憶さる記憶領域５５が設けられる。また、制御部５１はモード選択部５６を備えている。このモード選択部５６から例えばウエハＷのロット毎に処理モードを選択することができる。この処理モードとしては、ウエハＷにレジスト膜形成モジュールＣＯＴでネガ型レジストを塗布し、ネガ現像モジュールＮＤＥＶで現像処理を行うネガ現像処理モードと、ウエハＷにレジスト膜形成モジュールＣＯＴでポジ型レジストを塗布し、現像モジュールＤＥＶで現像処理を行うポジ現像処理モードとがある。上記の搬送スケジュールは、このように選択した処理モードに基づいて決定される。
【００５２】
続いて、塗布、現像装置１において、ユーザがネガ現像処理モードを選択した場合のウエハＷの搬送経路について説明する。図１１には、この搬送経路を点線で示しており、この図１１を参照しながら説明する。キャリアＣから受け渡しアーム１３により棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＵ１１に受け渡されたウエハＷは、受け渡しアーム１５→棚ユニットＵ１、Ｕ２の疎水化処理モジュールＡＤＨの順で搬送され、疎水化処理される。疎水化処理後、ウエハＷは受け渡しアーム１５→棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＣＰＬ１１→第１の液処理単位ブロックＢ１のメインアームＡ１→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１、ＢＣＴ２の順で搬送されて、当該ウエハＷに反射防止膜が形成される。
【００５３】
反射防止膜形成後ウエハＷは、メインアームＡ１→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１１→第１の加熱処理単位ブロックＣ１のメインアームＤ１→加熱モジュールＣＨＰ→メインアームＤ１→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１２→第２の液処理単位ブロックＢ２のメインアームＡ２→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２の順に搬送され、ウエハＷにネガ型のレジスト膜が形成される。
【００５４】
続いて、前記ウエハＷは、メインアームＡ２→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１３→メインアームＤ２→加熱モジュールＰＡＢ→メインアームＤ１→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１４→第３の液処理単位ブロックＢ３のメインアームＡ３→保護膜形成モジュールＩＴＣ１、ＩＴＣ２の順に搬送され、レジスト膜の上層に保護膜が形成される。
【００５５】
次に、ウエハＷはメインアームＡ３→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１５→メインアームＤ１→加熱モジュールＣＨＰ→メインアームＤ１→棚ユニットＵ５の受け渡しモジュールＣＰＬ３１→第１〜第３の補助単位ブロックＥ１〜Ｅ３のメインアームＦ１→裏面洗浄モジュールＢＳＴ１〜ＢＳＴ４の順で搬送されて、裏面洗浄処理を受ける。裏面洗浄処理後、ウエハＷはメインアームＦ１→棚ユニットＵ６の受け渡しモジュールＴＲＳ２１→インターフェイスアーム３６→受け渡しモジュールＢＵ４１→インターフェイスアーム３６→受け渡しモジュールＣＰＬ４１→インターフェイスアーム３５→露光装置Ｓ７の順で搬送されて、液浸露光される。
【００５６】
図１２、図１３は、この露光装置Ｓ７での処理の様子を示したものである。図中４１は露光されるウエハＷが載置されるステージであり、鉛直軸回りに回転する。ＮはウエハＷのノッチである。４３は露光ヘッドであり、ウエハＷを露光しながら移動する。露光ヘッド４３は、鎖線の矢印で示すように下方に光を照射しながらウエハＷの一方側と他方側との間で移動し、この移動を行うたびに移動方向とは直交するようにずれる。これによってウエハＷに縞状に露光領域４４が形成される。露光領域４４には多数の点を付して示している。その後、ウエハＷが９０度回転し、露光ヘッド４３が再びウエハＷ上を同様に動き、ウエハＷが井桁状に露光される。図中４５は、非露光領域である。
【００５７】
図１１に戻って、液浸露光後のウエハＷは、インターフェイスアーム３５→受け渡しモジュールＣＰＬ４２→インターフェイスアーム３６→受け渡しモジュールＢＵ４２→インターフェイスアーム３６→受け渡しモジュールＴＲＳ２２→第４〜第５の補助単位ブロックＥ４〜Ｅ５のメインアームＦ２→第４または第５の補助単位ブロックＥ４またはＥ５の露光後洗浄モジュールＰＩＲ１〜ＰＩＲ４に搬送されて、保護膜除去及び洗浄処理を受ける。
【００５８】
然る後、ウエハＷは、メインアームＦ２→棚ユニットＵ５の受け渡しモジュールＣＰＬ３２またはＣＰＬ３３→第３の加熱処理単位ブロックＣ３のメインアームＤ２または第４の加熱処理単位ブロックＣ４のメインアームＤ３→加熱モジュールＰＥＢ→メインアームＤ２またはＤ３→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１６またはＴＲＳ１７→第４、第５の液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５のメインアームＡ４→ネガ現像モジュールＮＤＥＶ１〜ＮＤＥＶ４の順で搬送されて、ウエハＷに現像液が供給される。そして、非露光領域６５が前記現像液に溶解し、格子状に孔が配列されたパターンが形成される。なお、前記孔は、例えばコンタクトホールの形成に利用される。
【００５９】
次にウエハＷは、メインアームＡ４→棚ユニットＵ４の受け渡しモジュールＴＲＳ１６、ＴＲＳ１７→メインアームＤ２またはＤ３→加熱モジュールＰＯＳＴ→メインアームＤ２またはＤ３→受け渡しモジュールＴＲＳ１６またはＴＲＳ１７→メインアームＡ４→棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＣＰＬ１２→受け渡しアーム１５→受け渡しモジュールＢＵ１２→受け渡しアーム１３→キャリアＣの順で搬送される。
【００６０】
続いて、ユーザがポジ現像処理モードを行うように選択した場合におけるウエハＷの搬送経路について、上記のネガ現像処理モードの経路との差異点を説明する。ウエハＷはネガ現像処理を行う場合と同様にキャリアＣからレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２へ搬送され、当該レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２ではポジ型レジストが塗布される。その後、ウエハＷはレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２から、ネガ現像を行う場合と同様に露光装置Ｓ７に搬送される。露光装置Ｓ７では、例えば図１３で示したようにウエハＷ全体を１回露光した後のステージ４１の回転、露光ヘッド４３の再移動及び再露光が行われない。このポジ現像処理ではネガ現像処理とは異なるパターンが形成される。
【００６１】
露光後のウエハＷは、上記の搬送経路に沿って搬送され、露光後洗浄モジュールＰＩＲ、加熱モジュールＰＥＢで順次処理を受けた後、加熱処理単位ブロックＣ３、Ｃ４のメインアームＤ２、Ｄ３が、当該ウエハＷを棚ユニットＵ５の受け渡しモジュールＣＰＬ３２、ＣＰＬ３３に夫々搬送する。続いて、メインアームＦ２が、これら受け渡しモジュールＣＰＬ３２、ＣＰＬ３３のウエハＷを現像モジュールＤＥＶ１、ＤＥＶ２に搬送する。そして、ウエハＷに現像液が供給されてポジ現像処理が行われ、レジスト膜の露光部が溶解する。その後、ウエハＷはメインアームＦ２→受け渡しモジュールＣＰＬ３２、ＣＰＬ３３→メインアームＤ３、Ｄ４→加熱モジュールＰＯＳＴの順で搬送される。これ以降、ウエハＷは、ネガ現像処理モード実行時と同様の経路でキャリアＣに戻される。
【００６２】
上記のようにウエハＷが処理中に液処理ブロックＳ３の各層の液処理モジュールのうち一方が使用不可になった場合には、当該液処理モジュールに対向した他方の液処理モジュールへ後続のウエハＷを搬送するように搬送スケジュールが変更される。図１４には通常の搬送時のウエハＷの搬送フローの概略を示しており、図１５には例えばレジスト膜形成モジュールＣＯＴ２及びネガ現像モジュールＮＤＥＶ２が使用不可になった場合の搬送フローの概略を示している。
【００６３】
図１５のフローに示すように、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ２が使用不可になった場合には、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ２に搬入されるように設定されていたウエハＷは、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１に搬送されて処理を受けるように搬送スケジュールが変更される。また、ネガ現像モジュールＮＤＥＶ１に搬入されるように設定されていたウエハＷは、ネガ現像モジュールＮＤＥＶ１に搬送されて処理を受けるように搬送スケジュールが変更される。ＩＴＣ、ＢＣＴについても、これらのモジュールが使用不可になった場合は同様に、対向する同種の液処理モジュールにウエハＷが搬送される。これらの液処理モジュールが使用不可になる場合としては、例えばモジュールの故障時やメンテナンス時などがあり、故障時には制御部５１が自動で上記のように搬送スケジュールの変更を行う。メンテナンス時には、ユーザがメンテナンスを行う液処理モジュールを制御部５１から設定すると、当該制御部５１が上記のように搬送スケジュールの変更を行う。
【００６４】
この第１の実施形態及び後述の各例で、ウエハＷに疎水化処理を行うタイミングとしては、上記の例に限られず、例えばレジスト膜を形成し、加熱モジュールＰＡＢで加熱処理を行った後にメインアームＤ１、メインアームＡ２、棚ユニットＵ３の受け渡しモジュール及び受け渡しアーム１５を介して棚ユニットＵ１、Ｕ２の疎水化処理モジュールＡＤＨに搬送して処理を行ってもよい。処理後のウエハＷは棚ユニットＵ３の受け渡しモジュール及び受け渡しアーム１５を介して、再び液処理ブロックＳ２に搬入される。
【００６５】
この塗布、現像装置１によれば、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ、保護膜形成モジュールＩＴＣ、ネガ現像モジュールＮＤＥＶを夫々含む液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５が上下に積層された液処理ブロックが設けられ、液処理ブロックＳ３に隣接するように加熱モジュールが積層された加熱処理ブロックＳ４が設けられている。そして、各液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ５では、同種の液処理モジュールがウエハＷの搬送領域Ｒ１を挟むように対向している。これにより処理ブロックＳ２０の設置面積を抑えると共に、液処理モジュールが使用不可になっても他の液処理モジュールを使用してウエハＷを処理することができるので、スループットの低下を抑えることができる。さらに、上記の例ではネガ現像処理とポジ現像処理とを切り替えて行うことができるので、形成するレジストパターンの種類に応じてユーザが選択できる幅が広い。従って複数の塗布、現像装置を設ける必要が無くなるため、コストを抑えることができるし、装置の設置面積をより抑えることができる。
【００６６】
（第２の実施形態）
続いて第２の実施形態の塗布、現像装置６について、塗布、現像装置１との差異点を中心に説明する。図１６、図１７、図１８は、夫々塗布、現像装置６の平面図、斜視図、縦断側面図である。図１６に示すように前方側ブロックＳ２には、棚ユニットＵ１、Ｕ２の後方側に棚ユニットＵ２１、Ｕ２２が夫々配置されている。そして、棚ユニットＵ１とＵ２との間及びＵ２１とＵ２２との間は、前後方向に形成された搬送領域Ｒ４として構成されている。前記受け渡しアーム１５は、搬送領域Ｒ４に沿って移動し、各棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ２１、Ｕ２２の各モジュールにウエハＷを搬送する。図１９は、前方側ブロックＳ２の正面図である。ただし、棚ユニットＵ２１、Ｕ２２は、棚ユニットＵ１、Ｕ２に対して、外側へずらして示している。棚ユニットＵ２１、Ｕ２２には、棚ユニットＵ１、Ｕ２と同様に疎水化処理モジュールＡＤＨが設けられている。
【００６７】
液処理ブロックＳ３を構成する各液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ４には、搬送領域Ｒ１の左右に夫々２基ずつ同種の液処理モジュールが対向するように設けられており、各液処理モジュールは搬送領域Ｒ１に沿って配列されている。図２０には第１の液処理単位ブロックＢ１の平面図を示している。キャリアブロックＳ１側には反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１、ＢＣＴ２が設けられ、インターフェイスブロックＳ６側には、硬化モジュールＦＣＯＴ１、ＦＣＯＴ２が設けられている。硬化モジュールＦＣＯＴは、レジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に構成されているが、レジスト液の代わりに硬化液を供給する。この硬化液が、レジストパターンが形成されたレジスト膜に供給されると、当該レジストパターンが硬化する。それによって、当該レジストパターンに再度レジスト液を供給したときに、供給されたレジスト液に含まれる溶剤に対してレジストパターンが不溶になる。
【００６８】
また、図１６に示すように第２の液処理単位ブロックＢ２においては、キャリアブロックＳ１側にレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２が設けられている。インターフェイスブロックＳ６側には、保護膜形成モジュールＩＴＣ１、ＩＴＣ２が設けられている。図２１には第３の液処理単位ブロックＢ３の平面図を示している。この第３の液処理単位ブロックＢ３では、キャリアブロックＳ１側にネガ現像モジュールＮＤＥＶ１とＮＤＥＶ２とが対向して設けられ、インターフェイスブロックＳ６側にネガ現像モジュールＮＤＥＶ３とＮＤＥＶ４とが設けられている。図２２には、第４の液処理単位ブロックＢ４の平面図を示しており、キャリアブロックＳ１側に現像モジュールＤＥＶ１とＤＥＶ２とが設けられ、インターフェイスブロックＳ６側に現像モジュールＤＥＶ３とＤＥＶ４とが設けられている。
【００６９】
塗布、現像装置６の加熱処理ブロックＳ４は第１の実施形態と略同様に構成されており、メインアームＤ１は棚ユニットＵ４において液処理単位ブロックＢ１、Ｂ２の高さ位置にある受け渡しモジュール間でウエハＷを受け渡すことができる。メインアームＤ２、Ｄ３は、棚ユニットＵ４において液処理単位ブロックＢ３、Ｂ４の各高さ位置にある受け渡しモジュールにウエハＷを受け渡す
【００７０】
補助ブロックＳ５は、補助単位ブロックＥ１〜Ｅ４により構成されており、これらの補助単位ブロックＥ１〜Ｅ４でメインアームＦ１が共用されている。各単位ブロックＥ１〜Ｅ４には、露光後洗浄モジュールＰＩＲと、裏面洗浄モジュールＢＳＴとが、搬送領域Ｒ３を挟んで対向して設けられている。この塗布、現像装置６に搭載された裏面洗浄モジュールＢＳＴは、第１の実施形態の裏面洗浄モジュールＢＳＴと異なり、１つのスピンチャック２２及び処理カップ２３を備えている。
【００７１】
第１の実施形態と同様に、制御部５１のモード選択部５６から、ユーザはネガ現像処理モード及びポジ現像処理モードのいずれを行うかを選択することができる。この第２の実施形態では、ネガ現像処理モードを選択した場合及びポジ現像処理を選択した場合の両方で、第１の実施形態で説明した格子状に孔が配列されるレジストパターンを形成することができる。
【００７２】
ネガ現像処理モード実行時のウエハＷの搬送経路について、図２３を参照しながら説明する。ウエハＷは、キャリアＣ→受け渡しアーム１３→棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＵ１１→受け渡しアーム１５→棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ２１、Ｕ２２の疎水化処理モジュールＡＤＨ→受け渡しアーム１５→受け渡しモジュールＣＰＬ１１→メインアームＡ１→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１、ＢＣＴ２→メインアームＡ１→受け渡しモジュールＴＲＳ１１→メインアームＤ１→加熱モジュールＣＨＰ→メインアームＤ１→受け渡しモジュールＴＲＳ１２→メインアームＡ２→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２の順に搬送され、ウエハＷにネガ型のレジスト膜が形成される。
【００７３】
続いて、前記ウエハＷは、メインアームＡ２→受け渡しモジュールＴＲＳ１３→メインアームＤ１→加熱モジュールＰＡＢ→メインアームＤ１→受け渡しモジュールＴＲＳ１４→メインアームＡ２→保護膜形成モジュールＩＴＣ１、ＩＴＣ２→メインアームＡ２→受け渡しモジュールＴＲＳ１５→メインアームＤ１→加熱モジュールＣＨＰ→受け渡しモジュールＣＰＬ３１→メインアームＦ１→裏面洗浄モジュールＢＳＴ→メインアームＦ１の順で受け渡される。これ以降、ウエハＷは、第１の実施形態と同様にインターフェイスブロックＳ６を介して露光装置Ｓ７に搬入され、第１の実施形態のネガ型現像処理モード実行時と同様に液浸露光される。
【００７４】
液浸露光後、ウエハＷは、第１の実施形態と同様にインターフェイスブロックＳ６からメインアームＦ１に受け渡され、メインアームＦ１→露光後洗浄モジュールＰＩＲ→受け渡しモジュールＣＰＬ３２→メインアームＤ２→加熱モジュールＰＥＢ→メインアームＤ２→受け渡しモジュールＴＲＳ１６→メインアームＡ３→ネガ現像モジュールＮＤＥＶ１〜ＮＤＥＶ４で現像処理を受ける。その後、ウエハＷは、メインアームＡ３→受け渡しモジュールＴＲＳ１７→メインアームＤ２→加熱モジュールＰＯＳＴ→メインアームＤ２→受け渡しモジュールＴＲＳ１８→メインアームＡ３→受け渡しモジュールＣＰＬ１２の順に搬送され、以降ウエハＷは第１の実施形態と同様にキャリアＣに戻される。
【００７５】
続いて、ポジ現像処理を行う場合のウエハＷの搬送経路について、図２４、図２５を参照しながら上記のネガ現像処理との差異点を説明する。このポジ現像処理では、キャリアＣから取り出したウエハＷに１回目のレジストパターン形成を行い、ウエハＷをキャリアＣに戻した後、当該ウエハＷに２回目のレジストパターン形成を行い、再度キャリアＣに戻す。図２４は１回目のレジストパターンを形成するときの搬送経路とモジュール、図２５は２回目のレジストパターンを形成するときの搬送経路とモジュールを夫々示している。また、図２６〜図２８では処理中のウエハＷの表面を示しており、これらの図２６〜図２８も適宜参照しながら説明を行う。
【００７６】
図２４に示すようにネガ現像処理を行う場合と同様の経路でキャリアＣから露光装置Ｓ７へウエハＷが搬送され、各モジュールで処理を受ける。ただし、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２では、ウエハＷにネガ型レジストの代わりにポジ型レジストが塗布される。露光装置Ｓ７では、第１の実施形態のネガ型現像処理モード実行時と同様に縞状に露光領域が形成される。
【００７７】
露光後のウエハＷは、露光装置Ｓ７→メインアームＦ１→露光後洗浄モジュールＰＩＲ→メインアームＦ１→受け渡しモジュールＣＰＬ３３→メインアームＤ３→加熱モジュールＰＥＢ→受け渡しモジュールＴＲＳ１６→メインアームＡ４→現像モジュールＤＥＶの順に搬送されて、現像される。それによって、前記露光領域が溶解し、レジストパターンが形成される。図２６は前記レジストパターンを示しており、パターンの凹部を６１、凸部を６２として表している。図中矢印の先にはレジストパターンの縦断側面を示している。レジストパターン形成後、ウエハＷはメインアームＡ４→受け渡しモジュールＴＲＳ１７→加熱モジュールＰＯＳＴ→受け渡しモジュールＴＲＳ１８→メインアームＡ４→受け渡しモジュールＣＰＬ１２の順に搬送され、その後、第１の実施形態と同様にキャリアＣに戻され、１回目のレジストパターン形成が終了する。
【００７８】
その後、ウエハＷはキャリアＣから再度受け渡しモジュールＢＵ１１に取り出され、図２５に示すように２回目のレジストパターン形成が開始される。ウエハＷは、受け渡しアーム１５→受け渡しモジュールＣＰＬ１１→硬化モジュールＦＣＯＴ１、ＦＣＯＴ２→メインアームＤ１→加熱モジュールＣＨＰの順で搬送され、パターンが硬化された後、１回目のレジストパターン形成時と同様にレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２に搬送され、ポジ型レジストが供給される。図２７に示すように、新たに供給されたレジスト６３が凹部６１に埋まる。その後、１回目のパターン形成時と同様の経路でウエハＷは搬送され、保護膜形成後に露光装置Ｓ７に搬入される。露光装置Ｓ７では、上記したとおり縞状に露光領域が形成されるように露光ヘッド４３が移動する。この２回目のパターン形成時の露光処理では、１回目のパターン形成時の露光処理と、ウエハＷのノッチＮの向きが９０°異なっている（図２８）。
【００７９】
液浸露光後、ウエハＷは１回目のパターン形成時と同様に現像モジュールＤＥＶへ搬送され、２回目のパターン形成時に露光された領域６４が現像液に溶解するが、１回目のパターン形成時に形成された凸部６２は露光領域６４となっていても溶解しない。これによって格子状に配列された孔が形成される。以降、ウエハＷは１回目のパターン形成時と同様に処理を受けると共に各モジュール間を搬送され、キャリアＣに戻される。この第２の実施形態においても第１の実施形態と同様に対向する同種の液処理モジュールのうち、一方が使用不可になった場合は他方の液処理モジュールを用いて、ウエハＷの搬送及び処理が継続される。
【００８０】
この第２の実施形態では、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ及び硬化モジュールＦＣＯＴを含む第１の液処理単位ブロックＢ１、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ及び保護膜形成モジュールＩＴＣを含む第２の液処理単位ブロックＢ２、ネガ現像処理モジュールＮＤＥＶを含む第３の液処理単位ブロックＢ３、現像処理モジュールＤＥＶを含む第４の液処理単位ブロックＢ４が互いに積層されて液処理ブロックＳ３を構成し、この液処理ブロックＳ３に隣接するように加熱モジュールが積層された加熱処理ブロックＳ４が設けられている。そして、各液処理単位ブロックＢ１〜Ｂ４では、同種の液処理モジュールが搬送領域Ｒ１を挟むように対向している。従って、第１の実施形態と同様に処理ブロックＳ２０の設置面積を抑えると共にスループットの低下を抑えることができる。また、第２の実施形態では同様の形状のパターンを形成するにあたり、ユーザがネガ現像処理かポジ現像処理かを選択することができる。使用するレジストの性質や各膜の膜厚などを考慮して、この選択を行うことにより、良好な形状のレジストパターンを形成することができる。
【００８１】
（第２の実施形態の変形例）
第２の実施形態の塗布、現像装置６で、液処理モジュールの配置としては上記の例に限られない。例えば、図２９及び図３０に示すように第１の液処理単位ブロックＢ１に反射防止膜形成モジュールＢＣＴ及びレジスト膜形成モジュールＣＯＴを配置し、第２の液処理単位ブロックＢ２に硬化モジュールＦＣＯＴ及び保護膜形成モジュールＩＴＣを配置してもよい。このような配置とした場合、ネガ現像処理モード実行時においては、ウエハＷは反射防止膜形成後、第１の加熱処理単位ブロックＣ１の加熱モジュールＣＨＰで加熱処理された後、棚ユニットＵ５の受け渡しモジュールＴＲＳを介して第１の液処理単位ブロックＢ１に戻され、レジスト膜形成モジュールＣＯＴで処理される。レジスト塗布後のウエハＷは、再度第１の加熱処理単位ブロックＣ１に搬入され、加熱モジュールＰＡＢで加熱処理された後、メインアームＦ１により第２の液処理単位ブロックＢ２に搬送され、保護膜の形成処理を受ける。以降、ウエハＷは第２の実施形態と同様の搬送経路で搬送されて処理を受ける。
【００８２】
ポジ現像処理を行う場合、上記のネガ現像処理と同様の経路でウエハＷを搬送し、１回目のレジストパターンを形成した後、当該ウエハＷをキャリアＣから受け渡しアーム１３→受け渡しモジュールＢＵ１１→受け渡しアーム１５→第１の液処理単位ブロックＢ１→第１の加熱処理単位ブロックＣ１→第２の液処理単位ブロックＢ２の順序で搬送し、当該第２の液処理単位ブロックＢ２の硬化モジュールＦＣＯＴ１、ＦＣＯＴ２で処理する。
【００８３】
その後、ウエハＷを第１の加熱処理単位ブロックＣ１の加熱モジュールＣＨＰへ搬送して加熱処理し、さらに補助ブロックＳ５→インターフェイスブロックＳ６の受け渡しモジュールＣＰＬ４２→受け渡しモジュールＢＵ４１→第３の加熱処理単位ブロックＣ３→第４の液処理単位ブロックＢ４の順で搬送して、キャリアＣに戻す。このとき、各ブロックでは、ウエハＷの処理を行わずにキャリアＣへと搬送する。然る後、当該ウエハＷを繰り返しキャリアＣから取り出し、第１の液処理単位ブロックＢ１に搬入後、１回目のレジストパターン形成時と同様にウエハＷの搬送及び処理を行い、２回目のレジストパターン形成を行う。
【００８４】
また、現像処理を行う単位ブロックの液処理モジュールの配置についても上記の例に限られない。例えば、第２の実施形態では、第３の液処理単位ブロックＣ３、第４の液処理単位ブロックＣ４に夫々現像モジュールＤＥＶ、ネガ現像モジュールＮＤＥＶの一方のみが設けられているが、これら第３及び第４の液処理単位ブロックＣ３、Ｃ４が、現像モジュールＤＥＶ及びネガ現像モジュールＮＤＥＶの両方を含んでいてもよい。また、第１の実施形態と同様に、現像処理を行う第３の液処理単位ブロックＣ３、第４の液処理単位ブロックＣ４のメインアームはこれら液処理単位ブロックＣ３、Ｃ４で共用されていてもよい。また、各実施形態で、現像モジュールＤＥＶ及びネガ現像モジュールＮＤＥＶを含む液処理単位ブロックは、他の液処理モジュールを含む液処理単位ブロックの下方に位置していてもよい。
【００８５】
第２の実施形態の塗布、現像装置６に設けられた硬化モジュールＦＣＯＴを第１の実施形態の塗布、現像装置１に適用することもできる。図３１は、この硬化モジュールＦＣＯＴを備え、上記の格子状に孔が配列されたパターンを形成することができるように構成された塗布、現像装置１の概略図を示している。この塗布、現像装置１の液処理ブロックＳ３では液処理単位ブロックＧ１〜Ｇ６が、下から順に積層されて構成されている。液処理単位ブロックＧ１、Ｇ３、Ｇ４は、第１の実施形態の液処理単位ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３と夫々同様に構成されている。液処理単位ブロックＧ５、Ｇ６は、ネガ現像モジュールＮＤＥＶの代わりに現像モジュールＤＥＶが設けられていることを除いて、第１の実施形態の液処理単位ブロックＢ４、Ｂ５と同様に構成されている。また、液処理単位ブロックＧ２は、液処理モジュールとしてＦＣＯＴが設けられる他は、第１の実施形態の液処理単位ブロックＢ１と同様に構成されている。
【００８６】
この例では加熱処理単位ブロックＣ１、Ｃ２に設けられるメインアームＤ１は、液処理単位ブロックＧ１〜Ｇ４の高さ位置にある受け渡しモジュールにアクセスすることができる。それによって、液処理単位ブロックＧ１〜Ｇ４と加熱処理単位ブロックＣ１、Ｃ２との間でウエハＷの受け渡しが行えるようになっている。そして、１回目のレジストパターン形成処理では、ウエハＷは、液処理単位ブロックＧ１、Ｇ３、Ｇ４に順次搬送されて処理を受けた後、液処理単位ブロックＧ５またはＧ６に搬送されて処理を受ける。そして、２回目のレジストパターン形成処理でウエハＷは、液処理単位ブロックＧ２、Ｇ３、Ｇ４に順次搬送されて処理を受けた後、液処理単位ブロックＧ５またはＧ６に搬送されて処理を受ける。
【００８７】
図３２には、硬化モジュールＦＣＯＴを第１の実施形態に適用した、さらに他の例について示している。ここに示した液処理ブロックＳ３の液処理単位ブロックＧ６には液処理モジュールとしてネガ現像モジュールＮＤＥＶが設けられている。この違いを除いて、図３２の液処理ブロックＳ３は、図３１の液処理ブロックと同様に構成されている。このような液処理ブロックＳ３を備えた塗布、現像装置１でもネガ現像処理モードとポジ現像処理モードとを切り替えて実行することができ、第２の実施形態と同様に各現像モードで多数の孔が格子状に配列されたレジストパターンを形成することができる。なお、上記の各実施形態で保護膜形成モジュールＩＴＣは、保護膜形成用の薬液の代わりにレジスト膜の上層に反射防止膜を形成するための薬液を供給して、当該反射防止膜を形成するものであってもよい。ただし、その場合は、第２の実施形態のポジ現像処理モードのように１枚のウエハＷに繰り返しレジストパターンを形成する処理は行わない。
【００８８】
上記の各実施形態で現像用の単位ブロックは２層設けられているが、３層以上の複数層であってもよく、また１層のみ設けられていてもよい。なお、第１の実施形態の現像用の単位ブロックのように、メインアームＡが共有化されていても、他の単位ブロックＢの高さの２つ分の高さを有していれば、その単位ブロックＢは２層であるものと見ることができる。
【符号の説明】
【００８９】
Ａ１〜Ａ６ メインアーム
ＢＣＴ 反射防止膜形成モジュール
Ｂ１〜Ｂ６ 液処理単位ブロック
ＣＯＴ レジスト膜形成モジュール
ＤＥＶ 現像モジュール
Ｄ１〜Ｄ４ メインアーム
Ｆ１、Ｆ２ メインアーム
ＮＤＥＶ ネガ現像モジュール
ＩＴＣ 保護膜形成モジュール
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 前方側処理ブロック
Ｓ３ 液処理ブロック
Ｓ４ 加熱処理ブロック
Ｓ５ 補助ブロック
Ｓ６ インターフェイスブロック
Ｓ７ 露光装置
Ｗ ウエハ
１、６ 塗布、現像装置
５１ 制御部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、第１の単位ブロックと第２の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、
この積層体に対して上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記第１の単位ブロックは、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜用の薬液を基板に供給するための反射防止膜モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜の上にレジスト液を供給するためのレジストモジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記第２の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、レジスト膜の上に上層膜を形成するための薬液を基板に供給するための上層膜モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置され、基板に対して１回目の現像処理がされて形成された第１のレジストパターンを硬化させるための硬化液を基板に供給する硬化モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールを備えると共に、これら現像モジュールは前記直線搬送路に沿って移動する主搬送機構により基板の受け渡しが行われることと、
ｆ）前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｇ）前記第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックの各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｈ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該第１の単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｉ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項２】
第１の単位ブロックに設けられたレジストモジュールに代えて硬化モジュールが設けられ、第２の単位ブロックに設けられた硬化モジュールに代えてレジストモジュールが設けられる請求項１記載の塗布、現像装置。
【請求項３】
前記現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることを特徴とする請求項１または２記載の塗布、現像装置。
【請求項４】
第１回目のレジストパターン形成処理を行った後、前記硬化モジュールを使用し、その後に第２回目のレジストパターン形成処理を行うモードと、
ネガ型レジストを現像する現像モジュールを使用してレジストパターンを形成するモードと、
の一方を選択するためのモード選択部を設けたことを特徴とする請求項３記載の塗布、現像装置。
【請求項５】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、第１の単位ブロックと第２の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、
この積層体に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記第１の単位ブロックは、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜用の薬液を基板に供給するための反射防止膜モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記第２の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、レジスト膜の上に上層膜を形成するための薬液を基板に供給するための上層膜モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックの少なくとも一方の直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜の上にレジスト液を供給するためのレジストモジュールと、
ｆ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールを備えると共に、これら現像モジュール前記直線搬送路に沿って移動する主搬送機構により基板の受け渡しが行われることと、
ｇ）前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｈ）前記第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックの各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｉ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該第１の単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｊ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｋ）前記現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれること、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項６】
現像用の単位ブロックは複数設けられ、複数の現像用の単位ブロックの一つは、ポジ型レジストを現像する専用の単位ブロックであり、複数の現像用の単位ブロックの他の一つは、ネガ型レジストを現像する専用の単位ブロックである請求項３または５に記載の塗布、現像装置。
【請求項７】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、レジスト膜の上に上層膜を形成するための上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、塗布膜用の単位ブロック群の各単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｆ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
ｇ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
ｈ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｉ）下記の[ｉ−１]、[ｉ−２]、[ｉ−３]のいずれかの構成を備えたことと、
[ｉ−１] 基板に対して１回目の現像処理がされて形成された第１のレジストパターンを硬化させるための硬化液を基板に供給する硬化モジュールを設け、現像モジュールは全てポジレジスト用のレジストを現像するためのものである。
[ｉ−２] 前記硬化モジュールを設け、現像モジュールとしては、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれる。
[ｉ−３] 前記硬化モジュールは設けられず、現像モジュールとしては、ネガ型レジストを現像する現像モジュールが含まれる。
ｊ）前記[ｉ−１]、[ｉ−２]における硬化モジュールは、塗布膜用の単位ブロック群または現像用の単位ブロックに対して上下方向に積層された単位ブロックの中に配置され、当該単位ブロックには前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置された前記硬化モジュールと、これら硬化モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備え、
また前記[ｉ−２]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
前記[ｉ−３]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置されたネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項８】
前記[ｉ−２]の構成を採用し、
第１回目のレジストパターン形成処理を行った後、前記硬化モジュールを使用し、その後に第２回目のレジストパターン形成処理を行うモードと、
ネガ型レジストを現像する現像モジュールを使用してレジストパターンを形成するモードと、
の一方を選択するためのモード選択部を設けたことを特徴とする請求項７記載の塗布、現像装置。
【請求項９】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、第１の単位ブロックと第２の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、
この積層体に対して上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記第１の単位ブロックは、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜用の薬液を基板に供給するための反射防止膜モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜の上にレジスト液を供給するためのレジストモジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記第２の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、レジスト膜の上に上層膜を形成するための薬液を基板に供給するための上層膜モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置され、基板に対して１回目の現像処理がされて形成された第１のレジストパターンを硬化させるための硬化液を基板に供給する硬化モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールを備えると共に、これら現像モジュールは前記直線搬送路に沿って移動する主搬送機構により基板の受け渡しが行われることと、
ｆ）前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｇ）前記第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックの各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｈ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該第１の単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｉ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
を備える塗布、現像装置か、あるいは前記塗布現像装置において第１の単位ブロックに設けられたレジストモジュールに代えて硬化モジュールが設けられ、第２の単位ブロックに設けられた硬化モジュールに代えてレジストモジュールが設けられる塗布、現像装置を用い、
基板に対して１回目のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して１回目の現像処理を行い第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンに硬化液を供給して、第１のレジストパターンを硬化する工程と、
硬化された第１のレジストパターンに２回目のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して２回目の現像処理を行い第２のレジストパターンを形成する工程と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項１０】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、第１の単位ブロックと第２の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、
この積層体に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記第１の単位ブロックは、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜用の薬液を基板に供給するための反射防止膜モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記第２の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、レジスト膜の上に上層膜を形成するための薬液を基板に供給するための上層膜モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックの少なくとも一方の直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜の上にレジスト液を供給するためのレジストモジュールと、
ｆ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールを備えると共に、これら現像モジュール前記直線搬送路に沿って移動する主搬送機構により基板の受け渡しが行われることと、
ｇ）前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｈ）前記第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックの各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｉ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該第１の単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｊ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｋ）前記現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれること、
を備えた塗布、現像装置を用い、
レジストモジュールで基板にネガ型レジストまたはポジ型レジストを塗布する工程と、
ネガ型レジストが塗布された基板を、ネガ型レジストを現像する現像モジュールに搬送する工程と、
ポジ型レジストが塗布された基板を、ポジ型レジストを現像する現像モジュールに搬送する工程と、を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項１１】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、レジスト膜の上に上層膜を形成するための上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、塗布膜用の単位ブロック群の各単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｆ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
ｇ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
ｈ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｉ）下記の[ｉ−１]、[ｉ−２]、[ｉ−３]のいずれかの構成を備えたことと、
[ｉ−１] 基板に対して１回目の現像処理がされて形成された第１のレジストパターンを硬化させるための硬化液を基板に供給する硬化モジュールを設け、現像モジュールは全てポジレジスト用のレジストを現像するためのものである。
[ｉ−２] 前記硬化モジュールを設け、現像モジュールとしては、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれる。
[ｉ−３] 前記硬化モジュールは設けられず、現像モジュールとしては、ネガ型レジストを現像する現像モジュールが含まれる。
ｊ）前記[ｉ−１]、[ｉ−２]における硬化モジュールは、塗布膜用の単位ブロック群または現像用の単位ブロックに対して上下方向に積層された単位ブロックの中に配置され、当該単位ブロックには前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置された前記硬化モジュールと、これら硬化モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備え、
また前記[ｉ−２]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
前記[ｉ−３]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置されたネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
を備えた塗布、現像装置を用い、
基板に対して１回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して１回目の現像処理を行い第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンに硬化液を供給して、第１のレジストパターンを硬化する工程と、
硬化された第１のレジストパターンに２回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して２回目の現像処理を行い第２のレジストパターンを形成する工程と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項１２】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、レジスト膜の上に上層膜を形成するための上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、塗布膜用の単位ブロック群の各単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｆ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
ｇ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
ｈ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｉ）下記の[ｉ−１]、[ｉ−２]、[ｉ−３]のいずれかの構成を備えたことと、
[ｉ−１] 基板に対して１回目の現像処理がされて形成された第１のレジストパターンを硬化させるための硬化液を基板に供給する硬化モジュールを設け、現像モジュールは全てポジレジスト用のレジストを現像するためのものである。
[ｉ−２] 前記硬化モジュールを設け、現像モジュールとしては、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれる。
[ｉ−３] 前記硬化モジュールは設けられず、現像モジュールとしては、ネガ型レジストを現像する現像モジュールが含まれる。
ｊ）前記[ｉ−１]、[ｉ−２]における硬化モジュールは、塗布膜用の単位ブロック群または現像用の単位ブロックに対して上下方向に積層された単位ブロックの中に配置され、当該単位ブロックには前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置された前記硬化モジュールと、これら硬化モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備え、
また前記[ｉ−２]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
前記[ｉ−３]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置されたネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
を備えた塗布、現像装置を用い、
第１の基板に対してネガ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記第１の基板を現像処理する工程と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項１３】
第２の基板に対して１回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記第２の基板を現像処理して１回目の現像処理を行い第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンに硬化液を供給して、第１のレジストパターンを硬化する工程と、
硬化された第１のレジストパターンに２回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記第１の基板を現像処理して２回目の現像処理を行い第２のレジストパターンを形成する工程と、
を備えたことを特徴とする請求項１２記載の塗布、現像方法。
【請求項１４】
塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項９ないし１３のいずれか一項に記載の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
【請求項１】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、第１の単位ブロックと第２の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、
この積層体に対して上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記第１の単位ブロックは、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜用の薬液を基板に供給するための反射防止膜モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜の上にレジスト液を供給するためのレジストモジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記第２の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、レジスト膜の上に上層膜を形成するための薬液を基板に供給するための上層膜モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置され、基板に対して１回目の現像処理がされて形成された第１のレジストパターンを硬化させるための硬化液を基板に供給する硬化モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールを備えると共に、これら現像モジュールは前記直線搬送路に沿って移動する主搬送機構により基板の受け渡しが行われることと、
ｆ）前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｇ）前記第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックの各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｈ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該第１の単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｉ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項２】
第１の単位ブロックに設けられたレジストモジュールに代えて硬化モジュールが設けられ、第２の単位ブロックに設けられた硬化モジュールに代えてレジストモジュールが設けられる請求項１記載の塗布、現像装置。
【請求項３】
前記現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることを特徴とする請求項１または２記載の塗布、現像装置。
【請求項４】
第１回目のレジストパターン形成処理を行った後、前記硬化モジュールを使用し、その後に第２回目のレジストパターン形成処理を行うモードと、
ネガ型レジストを現像する現像モジュールを使用してレジストパターンを形成するモードと、
の一方を選択するためのモード選択部を設けたことを特徴とする請求項３記載の塗布、現像装置。
【請求項５】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、第１の単位ブロックと第２の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、
この積層体に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記第１の単位ブロックは、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜用の薬液を基板に供給するための反射防止膜モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記第２の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、レジスト膜の上に上層膜を形成するための薬液を基板に供給するための上層膜モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックの少なくとも一方の直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜の上にレジスト液を供給するためのレジストモジュールと、
ｆ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールを備えると共に、これら現像モジュール前記直線搬送路に沿って移動する主搬送機構により基板の受け渡しが行われることと、
ｇ）前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｈ）前記第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックの各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｉ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該第１の単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｊ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｋ）前記現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれること、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項６】
現像用の単位ブロックは複数設けられ、複数の現像用の単位ブロックの一つは、ポジ型レジストを現像する専用の単位ブロックであり、複数の現像用の単位ブロックの他の一つは、ネガ型レジストを現像する専用の単位ブロックである請求項３または５に記載の塗布、現像装置。
【請求項７】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、レジスト膜の上に上層膜を形成するための上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、塗布膜用の単位ブロック群の各単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｆ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
ｇ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
ｈ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｉ）下記の[ｉ−１]、[ｉ−２]、[ｉ−３]のいずれかの構成を備えたことと、
[ｉ−１] 基板に対して１回目の現像処理がされて形成された第１のレジストパターンを硬化させるための硬化液を基板に供給する硬化モジュールを設け、現像モジュールは全てポジレジスト用のレジストを現像するためのものである。
[ｉ−２] 前記硬化モジュールを設け、現像モジュールとしては、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれる。
[ｉ−３] 前記硬化モジュールは設けられず、現像モジュールとしては、ネガ型レジストを現像する現像モジュールが含まれる。
ｊ）前記[ｉ−１]、[ｉ−２]における硬化モジュールは、塗布膜用の単位ブロック群または現像用の単位ブロックに対して上下方向に積層された単位ブロックの中に配置され、当該単位ブロックには前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置された前記硬化モジュールと、これら硬化モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備え、
また前記[ｉ−２]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
前記[ｉ−３]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置されたネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項８】
前記[ｉ−２]の構成を採用し、
第１回目のレジストパターン形成処理を行った後、前記硬化モジュールを使用し、その後に第２回目のレジストパターン形成処理を行うモードと、
ネガ型レジストを現像する現像モジュールを使用してレジストパターンを形成するモードと、
の一方を選択するためのモード選択部を設けたことを特徴とする請求項７記載の塗布、現像装置。
【請求項９】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、第１の単位ブロックと第２の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、
この積層体に対して上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記第１の単位ブロックは、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜用の薬液を基板に供給するための反射防止膜モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜の上にレジスト液を供給するためのレジストモジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記第２の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、レジスト膜の上に上層膜を形成するための薬液を基板に供給するための上層膜モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置され、基板に対して１回目の現像処理がされて形成された第１のレジストパターンを硬化させるための硬化液を基板に供給する硬化モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールを備えると共に、これら現像モジュールは前記直線搬送路に沿って移動する主搬送機構により基板の受け渡しが行われることと、
ｆ）前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｇ）前記第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックの各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｈ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該第１の単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｉ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
を備える塗布、現像装置か、あるいは前記塗布現像装置において第１の単位ブロックに設けられたレジストモジュールに代えて硬化モジュールが設けられ、第２の単位ブロックに設けられた硬化モジュールに代えてレジストモジュールが設けられる塗布、現像装置を用い、
基板に対して１回目のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して１回目の現像処理を行い第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンに硬化液を供給して、第１のレジストパターンを硬化する工程と、
硬化された第１のレジストパターンに２回目のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して２回目の現像処理を行い第２のレジストパターンを形成する工程と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項１０】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、第１の単位ブロックと第２の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、
この積層体に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記第１の単位ブロックは、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜用の薬液を基板に供給するための反射防止膜モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記第２の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、レジスト膜の上に上層膜を形成するための薬液を基板に供給するための上層膜モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックの少なくとも一方の直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜の上にレジスト液を供給するためのレジストモジュールと、
ｆ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールを備えると共に、これら現像モジュール前記直線搬送路に沿って移動する主搬送機構により基板の受け渡しが行われることと、
ｇ）前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｈ）前記第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックの各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｉ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該第１の単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
ｊ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記第１の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｋ）前記現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれること、
を備えた塗布、現像装置を用い、
レジストモジュールで基板にネガ型レジストまたはポジ型レジストを塗布する工程と、
ネガ型レジストが塗布された基板を、ネガ型レジストを現像する現像モジュールに搬送する工程と、
ポジ型レジストが塗布された基板を、ポジ型レジストを現像する現像モジュールに搬送する工程と、を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項１１】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、レジスト膜の上に上層膜を形成するための上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、塗布膜用の単位ブロック群の各単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｆ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
ｇ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
ｈ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｉ）下記の[ｉ−１]、[ｉ−２]、[ｉ−３]のいずれかの構成を備えたことと、
[ｉ−１] 基板に対して１回目の現像処理がされて形成された第１のレジストパターンを硬化させるための硬化液を基板に供給する硬化モジュールを設け、現像モジュールは全てポジレジスト用のレジストを現像するためのものである。
[ｉ−２] 前記硬化モジュールを設け、現像モジュールとしては、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれる。
[ｉ−３] 前記硬化モジュールは設けられず、現像モジュールとしては、ネガ型レジストを現像する現像モジュールが含まれる。
ｊ）前記[ｉ−１]、[ｉ−２]における硬化モジュールは、塗布膜用の単位ブロック群または現像用の単位ブロックに対して上下方向に積層された単位ブロックの中に配置され、当該単位ブロックには前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置された前記硬化モジュールと、これら硬化モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備え、
また前記[ｉ−２]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
前記[ｉ−３]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置されたネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
を備えた塗布、現像装置を用い、
基板に対して１回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して１回目の現像処理を行い第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンに硬化液を供給して、第１のレジストパターンを硬化する工程と、
硬化された第１のレジストパターンに２回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して２回目の現像処理を行い第２のレジストパターンを形成する工程と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項１２】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
ｂ）前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、レジスト膜の上に上層膜を形成するための上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
ｃ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｄ）前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
ｅ）前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、塗布膜用の単位ブロック群の各単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
ｆ）前記塗布膜用の単位ブロック群の各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
ｇ）前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
ｈ）キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
ｉ）下記の[ｉ−１]、[ｉ−２]、[ｉ−３]のいずれかの構成を備えたことと、
[ｉ−１] 基板に対して１回目の現像処理がされて形成された第１のレジストパターンを硬化させるための硬化液を基板に供給する硬化モジュールを設け、現像モジュールは全てポジレジスト用のレジストを現像するためのものである。
[ｉ−２] 前記硬化モジュールを設け、現像モジュールとしては、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれる。
[ｉ−３] 前記硬化モジュールは設けられず、現像モジュールとしては、ネガ型レジストを現像する現像モジュールが含まれる。
ｊ）前記[ｉ−１]、[ｉ−２]における硬化モジュールは、塗布膜用の単位ブロック群または現像用の単位ブロックに対して上下方向に積層された単位ブロックの中に配置され、当該単位ブロックには前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置された前記硬化モジュールと、これら硬化モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備え、
また前記[ｉ−２]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
前記[ｉ−３]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置されたネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
を備えた塗布、現像装置を用い、
第１の基板に対してネガ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記第１の基板を現像処理する工程と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項１３】
第２の基板に対して１回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記第２の基板を現像処理して１回目の現像処理を行い第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンに硬化液を供給して、第１のレジストパターンを硬化する工程と、
硬化された第１のレジストパターンに２回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記第１の基板を現像処理して２回目の現像処理を行い第２のレジストパターンを形成する工程と、
を備えたことを特徴とする請求項１２記載の塗布、現像方法。
【請求項１４】
塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項９ないし１３のいずれか一項に記載の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【公開番号】特開２０１２−５４４６９（Ｐ２０１２−５４４６９Ａ）
【公開日】平成２４年３月１５日（２０１２．３．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１９７０３６（Ｐ２０１０−１９７０３６）
【出願日】平成２２年９月２日（２０１０．９．２）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月１５日（２０１２．３．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月２日（２０１０．９．２）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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