【課題】 光学ヘッドの位置が設計時の位置から位置ずれを起こしている場合でも描画処理ごとに光学ヘッドのステージに対する位置ずれを取得することができるパターン描画装置およびパターン描画方法。
【解決手段】 ステージ上の蛍光材６１が塗布された第１基準マーク６０上に、第２基準マーク６２を描画し、該描画によって生じる第１基準マーク６０上からの第２基準マーク６２の形状に対応した励起光を受光することで第１基準マーク６０および第２基準マーク６２の像を取得する。第１基準マーク６０と第２基準マーク６２の相対位置関係を算出することで、光学ヘッドのステージに対する位置ずれを取得することができる。相対位置関係に基づき描画される所定のパターンの位置を制御して、所定のパターンの描画を実行することで、光学ヘッドが設計時の位置からずれている場合でも、該位置ずれを補正して所定のパターンを描画することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＮ構造の半導体装置において、フォトリソグラフィー工程で高精度の位置合わせができ、プロセスラインの汚染を防止することができて、素子特性の劣化が防止され、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＮ構造９上部のシリコン層３２の段差１８をアライメントマーク２０として用いることによって、アライメントマーク２０の形状崩れが防止されて、フォトリソグラフィー工程で高精度の位置合わせができるようになる。また、段差１８が小さいためにフォトリソグラフィー工程で凹部へのレジストの残留やプロセス途中で発生するゴミの残留が防止され、プロセスラインの汚染が防止できる。その結果、素子特性の劣化が防止され、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 マスクレス露光工程で仮想のマスクを用いてレイヤ別にオーバーレイする方法を通してマスクレス積層露光を行うことができる整列方法を提案する。
【解決手段】 マスクレス露光で既存のマスク露光のマスクと同一の役割をする仮想のマスクという概念を導入し、既存のマスク露光の整列マークと同一の役割をする仮想のターゲットマークという概念を導入してレイヤ別にオーバーレイを行うことによって、マスクレス露光でも積層露光を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークを形成する専用の工程の別途追加が無く、アライメントマークのサイズも自由に設定することができ、さらに、デバイス製造工程においてレジスト塗布斑やレジスト残り等の不具合を発生させない半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１９を用意し、アライメントマーク領域１５とＰＮコラム領域１３とにアライメントマーク領域１５のトレンチ幅がＰＮコラム領域１３のトレンチ幅よりも広いトレンチ１４、１６を同時に形成する。続いて、ＰＮコラム領域１３のトレンチ１４に単結晶半導体層２１を完全に埋め込みつつアライメントマーク領域１５のトレンチ１６に隙間が残るように単結晶半導体層２１の一部を形成する。この後、アライメントマーク領域１５のトレンチ１６内に空洞２２が残るように当該トレンチ１６を単結晶半導体層２１で塞ぐ。 （もっと読む）

【課題】粗面を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）加工時の改良された光学アライメント方法を提供する。
【解決手段】この方法では、二乗平均平方根（ＲＭＳ）表面粗さσ_ｓを有する少なくとも一つの粗面化アライメントマークがウエハ上に形成される。粗面化アライメントマークは、ウエハアライメントマークが位置するＬＥＤ１０の表面をプラズマエッチングによって粗面化する際に形成される。また、この方法では、約２σ_ｓから約８σ_ｓの範囲の波長λ_Ａを有するアライメント光を利用して、少なくとも一つの粗面化ウエハアライメントマークが結像される。また、この方法では、検出画像がアライメント対照と比較されてウエハアライメントが確立される。ウエハアライメントが一旦確立すれば、ｐ型コンタクト９０ｐ及びｎ型コンタクト９０ｎをＬＥＤの上面の適切な位置にそれぞれ形成することができる。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークの配置制約を緩和し、アライメントマークを容易に配置しうるとともに、製品チップの収率低下を抑制しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成されたアライメントマーク上に、前記アライメントマークのマーク機能領域内にパターンのエッジを有し、前記アライメントマークが露光装置の画像検出器により前記アライメントマークとして認識されるのを阻害する阻害パターンを配置する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置の投影精度を高める。
【解決手段】リソグラフィ装置は、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築された支持体と、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターン付放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムとを備える。リソグラフィ装置は、投影システムの光投影転写情報を測定する投影転写測定構成をさらに備える。投影転写測定構成は、スキャン移動中に測定ビームを投影システム内に誘導する光デバイスと、スキャン移動中に投影システムを通過した測定ビームを検出する検出器と、検出された測定ビームから光投影転写情報を決定する測定処理デバイスとを備える。光デバイス及び検出器は、投影システムの上流端に配置される。 （もっと読む）

【課題】ワークに形成されたパターンの画像のコントラストが低い場合であっても、ワークマークを誤検出なく確実に検出できるようにすること。
【解決手段】アライメント顕微鏡１０は例えば３倍の倍率と１０倍の倍率に切り替えが可能であり、ワークＷ上には、ワークマークＷＡＭと、ワークマークＷＡＭよりコントラストが高く見えやすいワークマークＷＡＭに対して所定の相対位置にある探索マークが設けられている。まず、アライメント顕微鏡を３倍の倍率にして、ワーク上に形成された上記探索マークを検出する。探索マークが検出されたら、ワークマークＷＡＭが１０倍の倍率のアライメント顕微鏡１０の視野に入るようにワークステージＷＳを移動させ、１０倍の倍率でワークマークＷＡＭを検出する。これにより、ワークマークを確実に検出することができ、マスクとワークの位置合わせを行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】詳細かつ正確な検査用マークの測定を容易に行なうことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成され、素子形成領域と、この素子形成領域を囲むように配置されたダイシングライン領域とを備える半導体装置であって、ダイシングライン領域では、異なるショットで形成された第１および第２の重ね合わせ検査マーク１５が形成され、第１および第２の重ね合わせ検査マーク１５は、第１および第２の重ね合わせ検査マークを識別するための補助マーク１８を含む。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングプロセス中に基板の位置合わせをする方法を説明する。
【解決手段】少なくとも１つのアライメントマークを含む第１のレジスト層を基板上に形成する。この第１のレジスト層を現像した後、第１のレジスト層の上に第２のレジスト層を堆積し、それによって平坦な上部面を残す（すなわちトポグラフィがない）。第２のレジスト層を適切にベークすることによって、対称アライメントマークを第２のレジスト層内に、第１のレジスト層内のアライメントマークからのオフセットエラーなく、またはほとんどなく形成する。第２のレジスト内に形成されるアライメントマークの対称性は、第１および第２のレジスト層のそれぞれの厚さ、被覆プロセスパラメータ、およびベーキングプロセスパラメータを適切に調整することによって向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】光学リソグラフィの解像度を向上させるためのダブルパターニング法などのリソグラフィパターニング法において、アライメントマークのコントラストを改善すること。
【解決手段】第１または第２リソグラフィパターンに色素を付加するリソグラフィダブルパターニングプロセスを伴う、半導体デバイスをリソグラフィにより製造するシステムおよび方法、ならびに製造物が提供される。第１リソグラフィパターンの位置を検出するとともに、それに第２リソグラフィパターンを直接位置合わせするために色素が使用される。この日は、特定の波長または所与の波長帯域において蛍光性、発光性、吸収性、または反射性とすることができる。この波長は、アライメントビームの波長と一致することができる。色素は、第１リソグラフィパターンを、それが放射感応層（例えばレジスト）で上塗りされている場合でも検出できるようにする。 （もっと読む）

【課題】マスク描画装置内でレチクル中心に対するパターン中心のズレを測定し、レチクル原版位置を修正することができ、レチクルの精度と収率の向上を図ることができる基板位置決め装置及び基板位置決め方法を提供する。
【解決手段】それぞれアクチュエータを内蔵し基板を押し当てることによって基板の位置決めを行う複数の位置決め手段（位置決めピン）と、アクチュエータを制御して、基板の位置決めする制御ユニットと、を備えることを特徴とする基板位置決め装置。 （もっと読む）

【課題】フォーカス検出に要する時間の短縮に有利な露光装置を提供する。
【解決手段】物体面に配置されたレチクルのパターンを像面に配置された基板に投影する投影光学系を備える露光装置であって、前記基板を保持するステージに配置された位相シフト型のマークと、前記物体面又は前記物体面と光学的に共役な位置に配置され、前記投影光学系を介して前記マークの像を撮像する撮像素子と、前記撮像素子で撮像された前記マークの像のうち一対のエッジ部によって形成されるエッジ像の間隔に基づいて、前記マークの前記投影光学系の光軸方向の位置を算出する算出部と、を有することを特徴とする露光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】感光材料の種類にかかわらず表面側に対する裏面側の位置を精度良く決定する。
【解決手段】被描画体１０の主走査方向の一方の辺ＡＤの頂点Ａ、Ｄの座標を、レーザ直接描画装置のＸＹ座標軸に基づいて求め、テーブル１２を回転させて辺ＡＤをレーザ直接描画装置のＸ軸と平行にしてから、被描画体をレーザ直接描画装置のＸＹ座標軸と平行に移動させ、頂点Ａを設計上の被描画体の頂点Ａ０の位置に位置決めして、表面を露光し、その後、被描画体１０を副走査方向の軸の回りに表裏反転させ、反転された頂点Ａ、Ｄの反転後の座標をレーザ直接描画装置のＸＹ座標軸に基づいて求め、反転された辺ＡＤをレーザ直接描画装置のＸ軸に平行にした後、被描画体をレーザ直接描画装置のＸＹ座標軸と平行に移動させ、反転された頂点Ａを表面における設計上の他方の頂点Ｄ ０の位置に位置決めして裏面を露光する。 （もっと読む）

【課題】低コストであって汎用性に優れており製造工数が削減された、基板の製造方法、基板の製造装置及び基板を提供することを課題とする。
【解決手段】本明細書に開示の基板の製造方法は、基板１０の一方の面１０ａにアライメントマーク１７ａを形成する工程と、アライメントマーク１７ａの位置を検出する工程と、アライメントマーク１７ａの位置に対応した基板１０の他方の面１０ｂの位置に、基板１０に対して透過性を有する波長のレーザＬを集光させて走査することによりマーク１２を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】従来技術の少なくとも１つの欠点が除去又は緩和される改良型リソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】パターニングデバイスから基板へパターン付き放射ビームを投影するように配置された液浸タイプのリソグラフィ装置の基板ステージであって、基板ステージが基板を保持するように構成されるとともにパターン付き放射ビームを感知する少なくとも１つのセンサを備え、前記センサは、入射放射ビームの方を向いた前面と当該前面と反対の背面とを有する少なくとも部分的に透過性である透過性層を備え、透過性層を透過した放射ビームに曝される少なくとも１つのセンサマークが背面に設けられた基板ステージに関する。 （もっと読む）

【課題】高精度な位置合わせ座標が得られ、高精度で位置合わせを行うことのできるアライメントマーク構造を提供する。
【解決手段】第１の方向に延在する第１溝１ｃと、第１の方向と直交する方向に延在する第２溝１ｄとを備えた凹部１ａからなり、第１溝１ｃおよび第２溝１ｄの側壁の上端部１ｂが、研磨により除去されており、第１溝１ｃの延在方向および第２溝１ｄの延在方向と交差するデータ検出直線１３ａの延在方向における第１溝１ｃの側壁の上端部の一方側および他方側の位置座標Ｘａ、Ｘｂと、データ検出直線１３ａの延在方向における第２溝１ｄの側壁の上端部の一方側および他方側の位置座標Ｘｃ、Ｘｄとのそれぞれと、特定位置座標Ｐ０とのデータ検出直線１３ａの延在方向における距離の平均値が、特定位置座標Ｐ０と凹部１ａとの距離として検出されるものであるアライメントマーク構造１とする。 （もっと読む）

【課題】トレンチ形成工程を有する半導体装置の製造方法において、並列ｐｎ構造の形成と同時に位置合わせマーカを形成し、製造プロセスの効率化を図ること。
【解決手段】ｎ型シリコン基板２１の表面にｎ型半導体２２を形成し、ｎ型半導体２２の表面にマスク酸化膜を形成する。次いで、フォトリソグラフィおよびエッチングによってマスク酸化膜を開口し、シリコン基板２１に達する第１のトレンチを形成する。同時に、第１のトレンチよりも深い第２のトレンチが形成される。次いで、第１のトレンチをｐ型半導体２７で埋める。同時に、第２のトレンチがｐ型半導体２８で埋められる。次いで、ｎ型半導体２２の表面を研磨し平坦化する。ここまでのプロセスで、並列ｐｎ構造が形成される。このとき、第２のトレンチの上部はｐ型半導体２８で埋まらずに残り、並列ｐｎ構造の表面に窪みが形成される。この窪みが、後の工程において位置合わせマーカとして機能する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アライメントマークを透過によって検出することが可能なＥＵＶリソグラフィ用の反射型マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板の一方の面に形成された多層膜と、上記多層膜上に形成された中間層と、上記多層膜および中間層が形成された基板上にパターン状に形成された吸収体と、上記基板の他方の面に形成された導電膜とを有する反射型マスクであって、上記吸収体のパターンが回路パターンとアライメントマークとを構成し、上記アライメントマークが配置されているアライメント領域では上記基板の他方の面が露出していることを特徴とする反射型マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】 復元フィルタのパラメータの値を適切に設定すること。
【解決手段】 撮像素子と、基板に形成されたアライメントマークの像を前記撮像素子上に形成する結像光学系と、前記撮像素子の出力信号を処理して前記アライメントマークの位置を検出する信号処理部とを有する検出装置である。前記信号処理部は、パラメータの値が設定された復元フィルタを前記出力信号に作用させて復元信号を生成する復元部を含み、前記パラメータの複数の値それぞれに関して、前記復元フィルタを前記出力信号に作用させて得られた復元信号から前記アライメントマークの形状に関する特徴量を算出し、算出された複数の前記特徴量に基づいて前記パラメータの値を設定する。 （もっと読む）