【課題】間接合わせ工程においてもより高精度に位置合わせを行うことを可能とする。
【解決手段】位置合わせ装置は、パターンの露光工程における現行工程のパターンの位置合わせを直前工程よりも前に形成されたパターンを用いて行う。位置合わせ装置は、補正計算部１１と、補正制御部１３とを具備する。補正計算部１１は、現行工程において、直前ロットの現行工程の補正値と、直前ロットの現行工程の出来ばえ値と、直前ロットの直前工程の出来ばえ値と、現行ロットの直前工程の出来ばえ値とに基づいて、ウェハ内パターンの並進ずれ、倍率ずれ及び回転ずれの各々について現行ロットの補正値を算出する。補正制御部１３は、補正値を用いて、チップ内パターンの並進ずれ、倍率ずれ及び回転ずれの補正を制御する。 （もっと読む）

【課題】
走査型露光装置を用いる基板上のショット配列の精度を計測する計測方法において、より短時間でショットの配列精度を評価する計測方法を提供する。
【解決手段】
第１の露光においてウェハ上に転写されたショットＡ(i,j+１), Ａ(i,j)と、そのウェハを９０°回転させた第２の露光においてウェハ上に転写されたショットＢ(i,j), Ｂ(i+１,j)とを重畳させ、その重畳領域において、ショットＡ(i,j+１), Ｂ(i+１,j)に含まれる中実箱型マークとショットＢ(i,j)に含まれる中空箱型マークが重なり合い、ショットＡ(i,j)に含まれる中空箱型マークとショットＢ(i,j)に含まれる中実箱型マークが重なり合う。形成した重ね合わせマーク３７〜４２を、全ての重畳領域内のマークに関して計測し、これら重畳領域を形成する全てのショットの相対的な位置誤差および回転誤差を一括して演算する。 （もっと読む）

【課題】マスクの大型化を抑制できるステージ装置を提供する。
【解決手段】マスクを保持するステージ装置において、マスクＭＡ１を保持して走査方向へ移動する第１マスクステージＭＳＴ１と、マスクＭＡ２を保持し、第１マスクステージＭＳＴ１に移動可能に載置される第２マスクステージＭＳＴ２と、マスクＭＡ１とマスクＭＡ２との相対配置情報を検出するアライメント系３１Ａ，３１Ｂと、アライメント系３１Ａ，３１Ｂの検出結果に基づいてマスクステージＭＳＴ１，ＭＳＴ２のステージ配置を調整し、マスクＭＡ１，ＭＡ２の相対配置を制御する制御装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の生産ラインの直行率を良好にする。
【解決手段】全てのマーク４２ａ〜ｄより少ない個数のマーク４２が検出された場合（１１６でＮ）に、検出されたマーク４２の位置に基づいて、全てのマーク４２ａ〜ｄが検出されるように基板Ｐとカメラ１８ａ、１８ｂとの位置関係を補正するための補正量を演算し（１３６）、演算された補正量に基づいて、カメラ１８ａ、１８ｂによって全てのマークが検出されるように、基板Ｐとカメラ１８ａ、１８ｂとの位置関係を補正する（１３８）。 （もっと読む）

【課題】生産の流れを阻害することなく、露光装置による描画を精度よくモニタリングし、そのデータから校正用データを抽出し、該露光装置にフィードバックスするマスクレス露光方法を提供する。
【解決手段】第１方向に走査し、該第１方向に交差する第２方向に走査領域がずらされた後、該第２方向に重なり部分を有するように第１方向に走査することによって、重なり部分を有して隣接する一対の走査領域であって、前記重なり部分の近傍に前記回路パターンと異なる複数のマークを露光し、前記マークは、少なくとも前記重なり部分の一方の側に２個および他方の側に２個で１セットをなすマークで構成され、これら複数のマークの距離のずれの計測によって、互いに隣接する走査領域の前記第１方向と第２方向のずれと前記第１方向に対する前記投影光学系の露光光の傾き及び走査露光中に発生したステージのヨーイング角を解析し、この結果から校正データを得る。 （もっと読む）

【課題】投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を配置する方法を提供する。
【解決手段】方法は、レベルセンサを使用して、基板の少なくとも一部の高さ測定を実行し、高さデータを生成する。指定及び／又は予め割り出された補正高さを使用して、補正済み高さデータを計算する。予め割り出された補正高さを使用は、プロセススタックデータに少なくとも部分的に基づいてよい。基板テーブルの位置は、プロセススタックデータに、特にターゲット区域のプロセススタック層に部分的に基づく補正高さを使用して制御される。 （もっと読む）

【課題】露光中に、投影光学系に対するウェーハ表面の位置及び方向を測定し、ウェーハテーブルの垂直位置及び水平方向の傾斜を調節して、ウェーハ表面を最適な焦点位置に維持する。
【解決手段】リソグラフィ装置は、投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を配置する際に使用するレベルセンサと、リソグラフィ装置の基板テーブルを動かすように構成された１対のアクチュエータと、アクチュエータを制御することによって、レベルセンサに対して基板を動かす制御装置と、を含む。制御装置は、第一アクチュエータと第二アクチュエータの運動を組み合わせて、アクチュエータの個々の少なくとも一方の最高速度より速い速度を有する複合運動を生成する。 （もっと読む）

【課題】 コストアップを生じず、高いオーバーレイ精度かつ高いスループットで基板の重ね合わせ誤差量の補正を可能にする。
【解決手段】 マークの位置情報を含む電気信号を評価基準に従って評価して第１評価値を得る。そして、前記第１評価値と、他の露光装置の位置検出器における電気信号を前記評価基準に従って評価して得られた第２評価値と、前記他の露光装置が発生させる第２重ね合わせ誤差とに基づいて、前記露光装置が発生させる第１重ね合わせ誤差を推定する。そして、前記露光装置の前記マークの位置を検出する位置検出器からの出力と推定した第１重ね合わせ誤差とに基づいて、前記露光装置が発生させる重ね合わせ誤差が前記第１重ね合わせ誤差よりも小さくなるように基板を位置決めしながら該基板を露光する。 （もっと読む）

【課題】要求される重ね合わせ精度を確保しながら高いスループットを得るために好適な技術を提供する。
【解決手段】露光装置は、複数の基板をそれらの特性に応じてグループ分けし、それぞれについて基準基板と非基準基板とを決定するグループ分け部１０３と、基準基板については第１個数の計測ポイントの計測を実施し非基準基板についてはより少ない第２個数の計測ポイントの計測を実施する計測部１０４と、基準基板の位置決めのための第１補正値および非基準基板の位置決めのための第２補正値を決定する補正値決定部１０５と、第１補正値と第２補正値に基づいてそれぞれの基板を位置決めするとともに露光する露光部１０７とを備える。補正値決定部１０５は計測部１０４による基準基板の計測結果に基づいて第１補正値を決定し計測部１０４による非基準基板の計測結果と計測部１０４による基準基板の計測結果または第１補正値とに基づいて第２補正値を決定する。 （もっと読む）

【課題】 反復学習制御は試行を繰り返すことにより追従誤差の少ない制御入力を得ることができるが、制御対象にパラメータ変動がある場合には、学習性能が劣化し試行の回数が多くなってしまう。
【解決手段】 本発明の位置決め装置は、制御対象の位置を検出する検出部と、前記検出部の出力を目標値から減算する減算部と、前記検出部の出力と前記目標値との偏差が入力されるフィルタを含み、前記制御対象に制御入力をフィードフォワードする反復学習制御回路と、を備える位置制御装置であって、前記制御対象のパラメータ変動を算出する算出手段を備え、前記制御対象のパラメータ変動に応じて前記フィルタの特性が変更されることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 一度の露光でウエハの両面に高精度に位置合わせした状態でパターンを同時露光すること。
【解決手段】 ウエハＳの両面にパターンＰを同時に露光する装置であって、パターン及びアライメント用マークｍ１、ｍ２を有する下部マスクＭ１及び上部マスクＭ２と、下部マスクの位置を変化させる移動機構６と、紫外光Ｌを照射してウエハの両面にパターンを露光させる両露光部１５、１６と、アライメント用マークを観察する上部観察部２０と、観察された２つの観察画像の位置関係に基づいて両マスクが予め決められた位置関係からどの程度変位しているか変位量を算出する画像処理機構２１と、上部マスクから一定距離離間したアライメント位置で上記変位量を補正するように下部マスクの位置を水平調整させる制御部７と、を備え、制御部が、水平調整後に下部マスクを上部マスクに近接させた露光位置で両露光部を作動させるウエハ露光装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】露光領域の位置合わせを高精度に行うことができるとともに露光処理を高速化することができる露光方法を提供する。
【解決手段】非走査に複数設けられている露光領域の基準位置情報を取得する取得ステップと、包括領域の第１端部に配置された各位置合せマークを検出する第１検出ステップ（Ｓ２１）、基板を走査方向に対して傾斜した方向へ移動させて第２検出位置に配置し包括領域の第２端部に配置された、包括領域内の第１の露光領域の近傍に位置する位置合せマークを検出する第２検出ステップ（Ｓ２３）と、第１および第２検出ステップの各検出結果に基づいて基板の位置合せを行い、第２検出位置から第１の露光領域を露光する第１露光ステップ（Ｓ２８）と、第１および第２検出ステップの各検出結果ならびに基準位置情報に基づいて基板の位置合せを行い、第２の露光領域を露光する第２露光ステップ（Ｓ２９）とを含む。 （もっと読む）

【課題】露光装置の構成の簡略化、小型化、低コスト化を図る。
【解決手段】照明光源からの照明光で照明されたマスクＲ２のパターンの像を基板Ｗ上に投影する投影光学ユニットＰＬＵ１であって、マスクＲ２と基板Ｗとの間の光路中に設けられ、基板Ｗでの反射光を該光路から分離する光学部材２５と、光学部材２５で分離された光を検出する検出手段Ｂ１とを備えて構成される。 （もっと読む）

マイクロリソグラフィ用の投影露光装置（１０）が提案される。投影露光装置は、マスク構造（２０）を配置したマスク（１８）を保持するためのマスク保持手段（１４）と、基板（３０）を保持するための基板保持手段（３６）と、露光プロセス中に基板（３０）にマスク構造（２０）を結像するための投影光学系と（２６）、投影露光装置の基準素子に対してマスク保持手段（１４）の位置から機械的に分離された所定位置に配置した測定構造（４８）とを備える。投影露光装置（１０）は、投影光学系（２６）による結像によって生成された測定構造（４８）の像を検出するように構成された検出器（５２）と、投影露光装置の動作中にマスク構造（２０）の結像および測定構造（４８）の結像が前記投影光学系（２８）によって同時に行われるように構成した投影露光装置（１０）と、露光中に検出器（５２）の領域で測定構造（４８）の像の側方位置を検出するように構成された評価装置とを備える。
（もっと読む）

【課題】ノイズ増幅への感度がより低い可変利得コントローラの提供が望まれている。
【解決手段】位置決めデバイスのためのコントローラは、位置決めデバイスの位置を示す位置信号を受信し、エラー信号を得るために位置信号を位置決めデバイスの所望の位置を示すセットポイント信号と比較し、変更されたエラー信号を得るためにエラー信号の振幅成分および周波数成分に基づいてエラー信号を選択的に変更し、位置決めデバイスを制御するための制御信号を変更されたエラー信号に基づいて生成するように構成される。このコントローラは、リソグラフィ装置の位置決めデバイスの制御に適用されてもよい。 （もっと読む）

【課題】位置合わせ精度の劣化の抑制とスループットの向上を両立することができる位置合わせ方法を提供する。
【解決手段】原版と基板のショット領域との位置合わせ方法であって、少なくとも１つの基板に形成された複数の計測マークのうち第１の数の計測マークを計測するステップと、前記計測ステップで計測された結果に基づいて基板のショット領域の格子情報を算出する算出ステップと、前記算出された格子情報と複数の計測マークのうち第１の数よりも少ない第２の数の計測マークを計測した場合に算出される基板のショット領域の格子情報を予測する予測ステップと、前記算出ステップで算出された格子情報と前記予測ステップで予測された格子情報とのずれ量が許容範囲内であるかどうかを判定し、許容範囲内であると判定された場合に、第２の数の計測マークを計測する計測モードに移行させる移行ステップとを有することを特徴とする位置合わせ方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ基板上に設けられるショットごとに位置合わせを行うときの位置合わせ時間の短縮および位置合わせ精度の向上図ることができる位置合わせ方法および位置合わせ装置を提供する。
【解決手段】 制御部１７は、アライメントセンサ１６から得られる粗調アライメントターゲット２１の位置情報に基づいて、レクチル１２に対するウエハ基板２の位置合わせを行う。次に、微調位置合わせ用ショット２４をレクチル１２のパターンを転写する位置に移動させ、アライメントセンサ１６から得られる微調アライメントターゲット２２の位置情報に基づいて、レクチル１２に対する位置合わせを行い、レクチル１２のパターンを微調位置合わせ用ショットに転写する。続いて、ウエハ基板２の移動距離が最短になる順序で、微調位置合わせ用ショット２４に隣接するショット２０から順番に、位置合わせを行い、露光する。 （もっと読む）

【課題】 多層構造を有する半導体装置の製造において、簡単に正確な層間位置合わせを実現する。
【解決手段】 第１の導体パターンを含む第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成され第２の導体パターンを含む第２の絶縁膜とよりなる積層構造上に、第３の導体パターンを形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記第１の導体パターンと前記第２の導体パターンとの間の第１の位置ずれ量を計測し、前記第２の導体パターンと前記第３の導体パターンとの間の第２の位置ずれ量を計測し、前記第２の絶縁膜上に前記第３の導体パターンを、エッチングにより形成し、前記第３の導体パターンと前記第１の導体パターンとの間の第３の位置ずれ量を、前記パターニングされた第３の導体パターンと前記第１の絶縁膜中に含まれる位置合わせマークを観察することにより計測し、前記第２の位置ずれ量を前記第１および第３の位置ずれ量に基づいて補正した補正位置ずれ量を求める。 （もっと読む）

【課題】露光装置の構成を複雑化することなく、基板ステージの位置計測精度を維持しつつ計測可能範囲を広げる。
【解決手段】レチクルステージＲＳには、原版側ラフ計測マークと原版側ファイン計測マークとを含む原版側計測マークが配置される。基板ステージＷＳには、基板側ラフ計測マークと基板側ファイン計測マークとを含む基板側計測マークが配置される。制御部ＣＮＴは、原版側ラフ計測マークおよび基板側ラフ計測マークを使用してレチクルステージＲＳとウエハステージＷＳとの相対位置がラフ計測され、そのラフ計測の結果に基づいてレチクルステージＲＳとウエハステージＷＳとの相対位置が補正され、次いで、原版側ファイン計測マークおよび基板側ファイン計測マークを使用してレチクルステージＲＳとウエハステージＷＳとの相対位置がファイン計測されるように計測工程を制御する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置の処理能力を大きく損なうことなく、重ね合わせ精度を向上させる方法及び装置を提供する。
【解決手段】露光条件を最適化するために基板の露光時に基板上の位置合わせ標識を検査する。基板１０が露光及び位置合わせユニット１５の真下で走査を受けるとき、基板のそれぞれの部分が最初に検出器ユニット１６の下方を通過し、次いで露光ユニット１７の下方を通過する。したがって、基板１０のそれぞれの部分に関して検査器ユニット１６によって測定された、直線位置、配向、及び膨張に関する情報が露光ユニット１７に伝達可能であり、基板が露光ユニット１７の真下を通過しながら基板が露光されるとき、基板の当該部分に関する露光条件を最適化することができる。 （もっと読む）