【課題】 ウェハを回転させない現像処理装置において，パーティクルの発生を抑制する。
【解決手段】 処理容器１０内に，受け渡し部１１と現像処理部１２が並べて形成される。処理容器１０内には，受け渡し部１１と現像処理部１２との間を，ウェハＷの外側面を両側から把持した状態で搬送する搬送機構１３が設けられる。受け渡し部１１と現像処理部１２との間であって，搬送機構１３によるウェハの搬送路の上方には，現像液供給ノズル５０と，エア吹出しノズル５１が設けられる。現像処理部１２には，洗浄液供給ノズル８０が設けられる。洗浄液供給ノズル８０は，ウェハＷの上下面を挟むように略Ｕ字型に形成され，洗浄液を吐出しながらウェハＷに沿って移動し，ウェハＷの表裏面に洗浄液を供給できる。 （もっと読む）

【課題】 当初の有機膜パターンがエッチングによるダメージや露光を受けていたりするような場合であっても、現像処理の後の有機膜パターンを所望の寸法・形状にすることが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板９０１上に形成された有機膜パターン９０１ａを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法である。有機膜パターン加工処理では、有機膜パターン９０１ａを上方から加熱する加熱処理と、有機膜パターン９０１ａの少なくとも一部を縮小するか又は有機膜パターン９０１ａの一部を除去する本処理とをこの順に行う。 （もっと読む）

【課題】 気体の巻き込みを抑制して基板表面から液体を効率良く吸引することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 吸引ノズル３１は基板表面ＷＳの法線方向に対して傾斜されながら移動方向Ｘに沿って上下方向に互いに対向配置された上側先端部位３２と下側先端部位３３とを有する。これら先端部位３２，３３の間に吸引経路３４が形成され、基板Ｗを搬送しながら該吸引経路３４の一方端３４ａより基板表面ＷＳに付着する処理液を吸引除去する。吸引経路３４の一方端３４ａは、Ｘ方向において下側先端部位３３の長さよりも長く形成された上側先端部位３２の延長領域３２１ｂによって上方より覆われるとともに、延長領域３２１ｂの下方側に広がる空間ＳＰが処理液によって満たされる。 （もっと読む）

【課題】ナノスケールの半導体処理のためにバブルフリーの液体を生成するためのシステムおよび方法
【解決手段】バブルフリーの液体を生成するためのシステムは、連続液体ソースと非バブル化チャンバとを含む。非バブル化チャンバは、出口と入口とを含む。入口は、供給管によって連続液体ソースの出口につながれる。非バブル化チャンバは、また、非バブル化チャンバの側壁内に少なくとも１つの口を含む。少なくとも１つの口は、非バブル化チャンバの入口から少なくとも長さＬの位置にある。バブルフリーの液体を生成するための方法も説明される。 （もっと読む）

【課題】 平流しの搬送ライン上で被処理基板に供給した第１の処理液を分別回収して第２の処理液に置き換える動作を効率よくスムースに行うこと。
【解決手段】基板Ｇは、その可撓性により基板全長の一部に搬送ライン１２０の隆起部１２０ａに倣った突条の基板隆起部Ｇ_aを形成し、かつ搬送速度に等しい速度で基板隆起部Ｇ_aを基板の前端から後端まで搬送方向と反対方向に相対的に移動させながら隆起部１２０ａを通過する。上り傾斜路Ｍ₂では、基板Ｇ上で現像液Ｒが重力により基板後方へ流れ、基板Ｇの前端から後端に向ってほぼ搬送速度に等しい速度で現像液Ｒの液膜が液盛りの状態から薄膜Ｒ'の状態に変化する。基板Ｇが下り傾斜路Ｍ₃に移ると、上方のリンスノズル１３８より帯状の吐出流でリンス液Ｓを供給され、基板Ｇ上のリンス液Ｓが着液するライン付近で薄膜状態の現像液Ｒ'はリンス液Ｓに置換されて現像が完全に停止する。 （もっと読む）

【課題】基板の薬液処理をむらなく均一に行う。
【解決手段】薬液処理室２０ａ，２０ｂにおいて、薬液ノズル３から供給された薬液により、基板１の薬液処理が行われる。薬液処理後、基板１は、ローラ２により、水置換／冷却室３０へ送られる。水置換／冷却室３０において、アクアナイフ６から吹き付けられた純水により、基板１の表面の薬液が、洗い流されて、純水と置換される。そして、冷却液ノズル７から供給された冷却液により、基板１の表面に残存する薬液が常温より低い温度に冷却される。従来に比べて、迅速かつ均一に薬液処理の進行が押さえられるので、処理時間が均一化され、処理がむらなく均一に行われる。冷却液として、例えば、ドライアイスを混ぜた純水を用い、基板上の液体を凍結させる。この場合、基板上の液体は、凍結により体積が膨張するので、基板の表面から浮いて剥がれ易くなる。 （もっと読む）

【課題】 露光された無機レジストを長時間現像する際に、現像工程を自動化し、現像液を再使用し、精密な制御を可能にする。
【解決手段】 被処理原盤２１がスピンテーブル２２に取り付けられてからプリリンス工程Ｓ１がなされる。次に、現像工程Ｓ２において第１段階の現像がなされる。現像が終了すると、リンス工程Ｓ３がなされる。そして、スピン乾燥工程Ｓ４がなされる。スピン乾燥工程Ｓ４が終了した段階で、モニタリング工程Ｓ５において、現像の進行度合いが測定される。モニタリング工程Ｓ５の測定結果から追加現像が必要か否かが判定工程Ｓ６で判定される。この判定結果に基づいて、工程Ｓ１（プリリンス）から再び追加現像処理がなされる。追加現像後に、現像が設定した段階となると、現像終了と判定される。その場合には、ポストリンス工程Ｓ７がなされる。 （もっと読む）

【課題】平流し方式において乾燥処理後の基板表面にシミや残渣が生じるのを防止して、処理品質を向上させること。
【解決手段】ベーパナイフＶＮ_Uは、搬送方向と直交する水平方向（横方向）において少なくとも基板Ｇの一端から他端までカバーできる長さに亘って延在する長尺状に横長のノズル本体を有している。このノズル本体の先端部（下端部）には、水蒸気を噴出する噴出口１７４が形成されている。ベーパ供給機構（図示せず）より加圧された水蒸気がベーパ供給管１７６を介してベーパナイフＶＮ_Uのノズル本体に導入され、先端の噴出口１７４より水蒸気が基板Ｇの上面（被処理面）に吹き付けられる。 （もっと読む）

【課題】 レジスト膜厚を均一にすることにより、ウエハ面内寸法を均一にすることを目的とする。
【解決手段】 現像ステージ１０２を一定角度１０６で傾斜させ、現像液供給手段１０７がウエハ１０１に対して移動しながら、ウエハ表面に現像液を供給して、ウエハ上に現像液を多段階で攪拌させることを特徴とする。このような現像ステージ１０２と多段階攪拌により、現像液の流れ現象を均一に行えることで、ウエハ全面が均一な濃度の現像液に覆われるため、現像速度が基板面内において均一になる。 （もっと読む）

【課題】パターンの疎密によらず、パターンの仕上がり寸法を均一にする。
【解決手段】基板処理方法は、第１の薬液吐出／吸引部260下面に配置された第１の薬液吐出口261から第１の薬液を基板に対して連続的に吐出すると共に薬液吐出口を挟むように配置された二つの吸引口262,263から基板上の溶液を連続的に吸引しつつ第１の薬液吐出／吸引部と基板とを相対的に水平直線移動させながら基板の略表面を第１の薬液により薬液処理するステップと、第２の薬液吐出／吸引部270下面に配置された第２の薬液吐出口271から第１の薬液と異なる第２の薬液を基板に対して連続的に吐出すると共に薬液吐出口を挟むように配置された二つの吸引口272,273から基板上の溶液を連続的に吸引しつつ第２の薬液吐出／吸引部と基板とを相対的に水平直線移動させながら基板の略表面を第２の薬液により薬液処理するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】水分除去のためのスピン乾燥におけるパタン倒れを防止した、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被加工膜またはレジストによるパタンを基板上に形成する工程と、少なくとも水を含む液体である洗浄液でパタンを洗浄する工程と、パタンを洗浄した後、基板上に残留する洗浄液の表面に親水性基および疎水性基を有する両親媒性物質を展開させる工程と、両親媒性物質を展開させた後、基板上の洗浄液を除去するための乾燥工程とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】基板の液処理において、基板の液処理において、基板上面に形成する回路パターンにむらを生じさせない液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１は、処理対象の基板を水平に保持する基板保持手段と、上記基板保持手段により保持された基板の上面に処理液を供給する処理液供給手段と、上記処理液供給手段により供給された処理液が基板の下面の所定位置よりも内側に回り込むのを阻止する液回り込み阻止手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、乾燥時に乾燥流体だけを局部的に加熱するだけで、リンス液の表面張力の影響によりパターン倒れや素子の固着が発生しうる微細なパターンを形成した１００ｍｍ以上の大口径基板に対して効率良く短時間で均一に乾燥させることができる微細構造乾燥処理法及びその装置を提供することにある。
【解決手段】
高圧容器内にリンス液に浸漬又は濡れた状態の微細構造を有する基板を設置する工程と、前記高圧容器内に前記リンス液の比重と異なる比重の乾燥流体を導入して満たす導入工程と、前記乾燥流体によって満たした前記高圧容器を設定角度に傾斜させて前記流体と前記リンス液の比重差を利用して前記リンス液を選択的に前記高圧容器内より排出させるリンス液排出工程と、前記流体を局部的に臨界温度以上に加熱する工程と、前記流体を局部的に加熱しながら大気圧まで減圧する減圧工程とを有することを特徴とする微細構造乾燥処理法にある。 （もっと読む）

【課題】基板上の形体をエッチングし、基板上の１以上の形体表面から残留物を除去する有効な方法を提供する。
【解決手段】アンモニアプラズマで処理されたウエハーの前処理のための方法。前処理は、次のステップにおける適正なエッチングを妨げることができるアンモニアプラズマにより引き起こされる被毒効果を中和することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上のレジストパターンにイオン注入処理を行う際のレジストの変質層の生成を抑制し、基板に損傷を与えることなくレジストを除去する。
【解決手段】基板１上にレジストパターン３を形成する第１の工程の後に、不活性ガスおよび窒素雰囲気下で加熱しながら基板１を紫外線照射するか、もしくは基板１を加熱しながらアルカリ溶液に浸漬する第２の工程を実施し、その後イオン注入の処理を行う第３の工程を実施し、最後にレジストパターン３を除去する第４の工程を実施する。レジストの除去能力低下は、レジスト樹脂が注入イオンである例えばリンと架橋することにより硬化した変質層が形成されるためである。本発明では、前処理として紫外線照射またはアルカリ溶液浸漬を行うことにより、変質層の形成を抑制し、レジスト除去を容易にする。 （もっと読む）

【解決手段】基板にフッ素原子又は珪素原子をベースポリマーに含むレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成し、その後該レジスト膜を１８０ｎｍ以下の露光波長にて露光、ポストエクスポジュアーベークし、次いで、カルボン酸又はスルホン酸のアミン塩を親水性基として有するフッ素系界面活性剤を含み、２５℃における表面張力が２５ｄｙｎｅ／ｃｍ以下であり、２５℃におけるｐＨが７以下である水溶液からなるレジスト表面処理剤組成物でプリウエット処理した後、現像を行うことを特徴とするパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、フッ素原子や珪素原子を含むベースポリマーを用いたレジスト膜の現像液に対する濡れ性を良好にすることができ、現像不良による欠陥のないレジストパターンを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 簡素化された機構で基板処理の面内均一性を向上させる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】 ステージ１１は基板１０を略水平な状態で支持すると共に回転可能である。基板処理機構２１は、基板１０の回転範囲の外側に可動部２２が設けられ、実効領域２３を有する。実効領域２３は、基板１０表面に対し何らかの処理を施す直接的な領域である。実効領域２３は、扇状の移動軌跡を有することにより、基板１０表面全域に処理の影響を及ぼす。制御機構４３は、基板処理機構２１による基板１０への処理時、基板１０上を通過する実効領域２３の相対的な速度を均一化するべく、制御部４３１を用いてモータ４１，４２を相互制御する。 （もっと読む）

【課題】 処理品質を向上させながら、小型化に有利な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 送引均衡型水洗ノズルヘッド１０に装備された排液チューブウォール２，４によってリンス処理後の純水（処理済リンス液）を吸引して基板上から直ちに除去するとともに、送引均衡型エアーナイフヘッド２０に装備された排気チューブウォール６，８によって処理済リンス液を含んだ乾燥処理後のガス（処理済乾燥ガス）を吸引して基板上から直ちに除去している。このため、処理済リンス液が飛散してヘッド２０によって乾燥処理される基板表面に付着することがない一方で、液切りされた処理済リンス液が飛散してヘッド１０によってリンス処理される基板表面に付着することがない。したがって、両ヘッド１０，２０を互いに近接配置して装置を小型化することができるとともに、汚染物の基板Ｗへの再付着を確実に防止して基板Ｗの処理品質を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 パターン寸法精度に優れ、露光装置を長期使用可能なレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 レジストパターン形成方法は、以下の工程を含む。基板上にレジスト膜を形成する。基板の外縁部の所定領域のレジスト膜に後の現像工程で該レジスト膜を溶解するに足りる露光量で光を照射することにより、外縁部のレジスト膜に潜像を形成する。外縁部に光が照射されたレジスト膜を洗浄する。洗浄されたレジスト膜の所望の露光領域に、露光領域と露光装置の投影光学系の最も基板側の構成要素の基板側面との間に屈折率が空気よりも大きい液体が存在する状態で投影光学系を通じて所望のパターン光を照射する。レジスト膜の露光領域を現像する。 （もっと読む）

【課題】経時的なフィルタの詰まりを起こさず、特別なメンテナンス無しでも安定した濾液量を確保する限外濾過フィルタの使用方法、限外濾過フィルタ再生機構付ウェット現像装置を提供すること。
【解決手段】薬液によりフィルタ膜表面を改質する、限外濾過フィルタ再生機構を具備したウェット現像装置を用い、薬液によるフィルタ再生を行う。装着前に、限外濾過フィルタ７を薬液に浸漬させフィルタ処理を行う。薬液が、酸化剤水溶液、アルカリ水溶液、又は両者の混合液である。また、薬液供給系、薬液排出系、濾液側排出系で構成される限外濾過フィルタ再生機構を具備する。薬液通過径路純水供給バルブ３３を設ける。薬液通過径路エアー供給バルブ２９を設ける。 （もっと読む）