【課題】基板を回転しながら基板の処理又は乾燥を行う際、処理液のミストが基板に付着するのを抑制し、かつ処理液のミストが装置の外へ漏れるのを防止する。
【解決手段】上カップ４０に吸気口４２を設け、下カップ３０の基板１より下の位置に排気口３２を設け、かつ下カップ３０の基板１の周囲の内壁に斜め下向きに傾斜した傾斜板３４を設ける。処理室内では、吸気口４２から基板１の表面を通り排気口３２へ向かう下向きの空気の流れが形成される。そして、基板１の表面を通った空気が、下カップ３０の内壁に設けられた傾斜板３４に沿って斜め下向きに流れ、基板１の回転による空気の流れの乱れが小さくなる。下カップ３０内で発生した処理液のミストを含む空気は、この斜め下向きの空気の流れに押されて、基板１の表面及び裏面へ回り込むことがほとんどなく、さらに上カップ４０と下カップ３０との隙間から処理室の外へ流れることもない。 （もっと読む）

パターンの最小ピッチを短縮させる方法が開示される。基板上のフォトレジストがマスクを介して放射線に曝される。このマスクは或る間隔で相隔てられた造形部を有する。放射線に対する第１の被曝量、放射線に対する第２の被曝量、及び放射線に対する第３の被曝量を有するフォトレジスト部分群が作り出される。放射線に対する第１の被曝量を有するフォトレジスト部分が、第１のケミストリを用いて、基板から選択的に除去される。放射線に対する第２の被曝量を有するフォトレジスト部分が、第２のケミストリを用いて、基板から選択的に除去される。放射線に対する第３の被曝量を有するフォトレジスト部分は残存し、基板上にパターンを形成する。このパターンの造形部間の間隔は、マスクの造形部間の間隔の１／２以下である。
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【課題】基板の表面へ吐出ノズルから洗浄液を吐出させつつ吐出ノズルを走査して基板をスピン乾燥させるときに、基板の周縁部での液跳ねを抑え、液跳ねによる液滴が基板に再付着することを防止できる方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗをスピンチャック１０によって水平姿勢に保持し回転モータ１４によって鉛直軸回りに回転させるとともに、純水吐出ノズル２０の吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ、純水吐出ノズルの吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査する際に、吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する過程で基板の回転速度を低下させる。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの多段階現像方法において、開口率が異なる領域が混在したとしても、パターン寸法（開口寸法）に生じるばらつきを防止できるようにする。
【解決手段】まず、工程ＳＴ１において、上面に互いの開口率が異なる設計パターンが露光されたレジスト膜を有するウェハにおけるレジスト膜の上に現像液を供給する。次に、工程ＳＴ２において、供給された現像液によりレジスト膜に現像反応を進行させる。次に、工程ＳＴ３において、現像後に現像液及び該現像液に溶解したレジストをウェハを回転させることにより振り切り除去する。次に、工程ＳＴ５において、現像液を除去した後、現像されたレジスト膜の上にリンス液を供給し、ウェハを回転させることにより現像液及び該現像液に溶解したレジストを洗い流す。このとき、工程ＳＴ３におけるウェハの回転速度は、工程ＳＴ５における基板の回転速度の２分の１以下である。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジストを用いて形成工程が容易となるパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】レジスト層２６の上面側２６ａよりもレジスト層２６の下面側２６ｂの方が開口部が広くなるように、レジスト層２６の下面側２６ｂをエッチング液（現像液と同じ）３３によってウェットエッチングするので、レジスト層２６の逆テーパ形状を容易に形成することができる。これにより、レジスト層がポジ型レジストからなる場合であっても、微細なパターンを容易に形成することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】液体で濡れた基板表面を乾燥させる際に基板表面に形成されたパターンの倒壊が発生するのを防止しながら、基板表面を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンスノズル８からのリンス液の吐出によりリンス処理を受けた基板表面Ｗｆ全体にはリンス液が盛られた状態で付着して、いわゆるパドル状のリンス層２１が形成される。そして、近接ブロック３の対向面３１が基板表面Ｗｆに対して近接配置され、対向面３１と基板表面Ｗｆとに挟まれた間隙空間に液密層２３が形成された状態で近接ブロック３が移動方向（−Ｘ）に移動するとともに、液密層２３の上流側端部に向けて、液体に溶解して表面張力を低下させる溶剤成分を含む溶剤ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】耐熱性を有するレリーフ構造体を製造可能であり、密着性が良好であるとともに、現像残渣が低減された感光性樹脂組成物、及び、該組成物を用いて、さらに密着性を向上、膜減りの低減を可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】特定の構造を有するポリベンゾオキサゾール前駆体、シロキサン化合物、界面活性剤、及び感光剤を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物、及び該組成物を用いた半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板表面におけるウォーターマークの発生を抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを保持して回転するためのスピンチャックと、基板Ｗに処理液を供給するための処理液ノズル１５と、基板Ｗの上面に対向する遮断板１０とを備える。遮断板１０および回転軸１２には、開口３１が形成されており、この開口３１に挿通された処理液ノズル１５は、基板Ｗの上面に処理液を供給する。また、遮断板１０のテーパ面２３と処理液ノズル１５の外壁面４２との間には、基板Ｗの上面に窒素ガスを供給するための環状の窒素ガス吐出口２６が設けられている。テーパ面２３は、周方向Ｘ１において不均一な形状にされており、基板Ｗ上の環状の窒素ガス吹付け域２７における窒素ガスの圧力は、周方向Ｘ１において不均一にされている。 （もっと読む）

【課題】リフロー工程において、エッチング処理後にレジスト表面に形成された変質層を剥離後、レジスト溶解前に前記剥離された変質層を基板から効果的に排除することによりパターン不良の発生を抑制する。
【解決手段】変質層を剥離するためのエッチング液を供給する第一の処理液供給手段１２と、レジストパターンから不要なレジストを除去するための薬液を供給する第二の処理液供給手段１３と、基板上に供給されたエッチング液または薬液を除去するためのリンス液を供給する第三の処理液供給手段１５と、基板上のリンス液を基板から除去するよう乾燥処理を行う乾燥手段１１と、前記乾燥手段１１の動作制御を行う制御手段１７とを備え、前記乾燥手段１１が前記エッチング液の除去に使用されたリンス液を基板から除去するよう乾燥処理を行う際、前記制御手段１７は、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態で乾燥処理を停止させる。 （もっと読む）

【課題】処理液の金属汚染の問題を生じることなく、処理液の除電を達成することができる基板処理装置および処理液の除電方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷに対して処理液による処理を実施するための処理室１と、この処理室１に処理液を供給するための処理液キャビネット２とを備えている。処理液キャビネット２には、処理液タンク９に貯留されている処理液を処理室１に供給するための供給配管１０が備えられている。供給配管１０の途中部には、ヒータ１２が介装されている。ヒータ１２は、石英を用いて形成され、処理液が流通可能な石英管１５を備えており、石英管１５は、アース線１７を介して接地されている。これにより、供給配管１０を流れる処理液が石英管１５と接液したときに、石英管１５およびアース線１７を介して、処理液に帯びている電荷を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内でフォトレジストパターンを溶解し所望のレジストパターンを形成するリフロー処理において、チャンバ内の溶剤雰囲気置換に伴うレジストパターンの変形を抑制し、パターン不良の発生を防止することのできる基板処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１０内の気圧を基準圧から該基準圧よりも低い第一の目標圧Ｐ１まで減圧するステップと、チャンバ内に溶剤雰囲気を導入し、チャンバ１０内の気圧を前記基準圧に戻すステップと、チャンバ１０内のフォトレジストを溶剤雰囲気により溶解するステップと、チャンバ１０内を前記基準圧より低く、且つ前記第一の目標圧Ｐ１よりも高く設定された第二の目標圧Ｐ２まで減圧し、チャンバ１０内の溶剤雰囲気を排出するステップとを実行する。 （もっと読む）

【課題】寸法均一性を向上してコストを低減したフォト現像方法を提供する。
【解決手段】所定形状に露光されたレジスト２０上に現像液３０を塗布して該現像液３０を除去する第１現像工程と、前記レジスト２０上に第１現像工程で用いた現像液３０とは異なる現像液３１を塗布して該現像液３１を除去する第２現像工程とを具備するフォト現像方法によって寸法均一性を向上すると共に現像時間を短縮して、作業効率を向上し、コストを低減する。 （もっと読む）

【課題】 フットプリントを大きくすることなく、大型の基板であっても基板全体で均一な液処理を行うことができる液処理装置と液処理方法を提供する。
【解決手段】 現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４は、ＬＣＤ基板Ｇを略水平姿勢で一方向に搬送するコロ搬送機構１４と、ＬＣＤ基板Ｇに現像液を吐出する主現像液吐出ノズル５１ａおよび副現像液吐出ノズル５１ｂと、主・副現像液吐出ノズル５１ａ・５１ｂをＬＣＤ基板Ｇ上でスキャンさせるノズル移動機構６０ａとを具備する。ノズル移動機構６０ａを駆動して主・副現像液吐出ノズル５１ａ・５１ｂをＬＣＤ基板Ｇ上でスキャンさせながら、主・副現像液吐出ノズル５１ａ・５１ｂから現像液をＬＣＤ基板Ｇに吐出することにより、現像液の液盛り時間を短縮してＬＣＤ基板Ｇ全体で均一な現像処理を行う。 （もっと読む）

【課題】画像露光において高精細スクリーンを用いる光重合性感光層を有する平版印刷版を長期間にわたって処理むら等の画像欠陥を生ずることなく現像処理する。
【解決手段】支持体上に光重合性感光層を有する感光性平版印刷版１２をレーザー露光した後、現像液の貯留される現像処理部１０で感光性平版印刷版１２を現像処理する平版印刷版の処理方法であって、露光に際し、ＡＭスクリーンとしては２５０線以上であり、ＦＭスクリーンとしては網点を構成する最小画素のサイズが５０μｍ以下である高精細スクリーンを用い、露光の後に現像処理部１０で感光性平版印刷版１２を現像する際、未露光部の光重合性感光層を、擦り部材１４１，１４２により擦ると共に超音波振動を印加して除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】 感光性レジスト等の洗浄処理に際して、基板外周部での欠陥を減少させることができ、且つ基板中央部の欠陥をも減少させる。
【解決手段】 被処理基板上に洗浄液を供給して洗浄するための基板処理方法において、被処理基板１０を連続的に回転させながら、基板１０の中心領域に洗浄液を間欠的に供給すると共に、基板１０の周辺領域に洗浄液を連続的に供給することにより、基板１０の回転に伴い基板１０上の液膜が中心領域から周辺領域に単調に増加し、かつ中心領域がほぼ乾燥するように処理する工程を、複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】パターン表面の異物、パターン倒れ、およびパターンラフネスの問題を同時に簡便に解決することができるレジスト用基板処理液とそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】炭素数が１１〜３０の炭化水素基を有する一級アミンまたはアンモニアのアルキレンオキサイド付加物と、水とを含んでなることを特徴とする、レジスト基板用処理液とそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の現像時に欠陥が発生したり、疎密パターンに寸法差が生じたりすることを抑制する。
【解決手段】表面に露光済みの感光性レジスト膜が形成された被処理基板１００に対して、現像液供給ノズル１１１から酸化性又は還元性を有する気体分子が溶解された現像液を供給して感光性レジスト膜の現像を行い、レジスト膜と生成物との親和力の内面分布を抑制し、局所的に現像中に発生する現像速度の違いを低減する。また、反応生成物は現像液中に速やかに拡散され、アルカリ濃度差によって生じる疎密寸法差を低減する。 （もっと読む）

【課題】現像液の使用量を抑えつつ、フォトレジストの表面全体を現像液で再現性高く濡らすことができるようにしたレジスト現像方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】所定のパターンが露光されたフォトレジストを表面に有するウエーハを低速回転から高速回転へと回転数を引き上げながら回転させると共に、ウエーハの直径と同じ長さの滴下ノズルから、回転しているウエーハ表面のフォトレジストに向けて現像液を滴下することによって、当該フォトレジストを現像する方法であって、滴下ノズルの中心とウエーハの中心とが平面視で重なり合うように当該滴下ノズルの位置は該ウエーハの上方で固定されており、ウエーハが高速回転に到達する前は現像液を滴下しないで（ステップＡ）、ウエーハが高速回転に到達してから現像液を滴下する（ステップＢ、Ｃ）。 （もっと読む）

【課題】ディジタル・リソグラフィを採用し、従来よりも小さいフィーチャ・サイズを有する構造体を製造可能とする。
【解決手段】基板の上にターゲット材料層を堆積させる、第１のステップと、ターゲット材料層の上に相変化材料を堆積させる、第２のステップと、相変化材料のプリント・パターンの下にある領域内を除くターゲット材料層と、相変化材料のプリント・パターンの下にあるターゲット材料層の全部ではなく一部と、を除去する、第３のステップと、を含み、その結果、前記基板の上にターゲット材料の微細なフィーチャであって、それらの幅が当初それらの上に置かれた前記相変化材料のその部分の幅より小さいフィーチャ、が形成される。 （もっと読む）

【課題】露光された感光性樹脂膜を有する半導体基板を静止した状態で、この基板の直径に対応した大きさを有する棒状現像液吐出ノズルを走査させるようにした現像装置を用いる現像方法において、基板の一端付近と他端付近の現像パターン寸法が現像液供給の時間差でばらつくのを防止する。
【解決手段】基板を静止させた状態で、基板上に棒状ノズルから現像液を吐出させながらノズルを移動するに際して、基板の一端Ｐ１から基板からの高さがＨＨの状態で移動を開始し、ノズルの高さを次第に低くして基板の他端Ｐ２で基板からの高さをＨＬにする。このようすれば、基板のＰ１部では最も早く現像が始まるが、現像液吐出ノズルの吐出の高さを随時低くさせることにより、基板の両端Ｐ１、Ｐ２での現像が始まる時間差が短縮される。 （もっと読む）