【課題】基板へのダメージを抑制しつつ、処理液による処理時間を短縮することができる二流体ノズル、ならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル３は、外筒２３、内筒２４および中間筒２５を含む。内筒２４の内部空間は、ＤＩＷが流通する直線状の第１処理液流路２６となっている。内筒２４と中間筒２５との間には、窒素ガスが流通する円筒状の気体流路２７が形成されおり、中間筒２５と外筒２３との間には、ＤＩＷが流通する円筒状の第２処理液流路２８が形成されている。第１処理液流路２６の下端は、ＤＩＷを吐出する円状の第１処理液吐出口３０となっており、気体流路２７の下端は、第１処理液吐出口３０を取り囲み窒素ガスを吐出する円環状の気体吐出口３１となっている。また、第２処理液流路２８の下端は、気体吐出口３１を取り囲みＤＩＷを吐出する円環状の第２処理液吐出口３４となっている。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで高精度に基板の受け渡し位置の位置合わせをすることのできる基板処理装置、基板受け渡し位置の調整方法及びこの方法を記憶した記憶媒体を提供する。
【解決手段】スピンチャック２のように鉛直回りに回転自在な基板保持部にウエハＷ等の基板を保持して処理を行う基板処理装置において、基板の替わりに治具１２を基板保持部に受け渡し、この治具１２に予め設定された所定の計測位置における遠心加速度やスピンチャック２の回転中心からこの計測位置までの偏心距離を求める。そして少なくとも３箇所の異なる受け渡し位置にて得られた遠心加速度や偏心距離に基づき上述の回転中心を求め、基板の中心と上述の回転中心とが一致位置を基板の受け渡し位置のデータとして記憶する。 （もっと読む）

【課題】現像後のパターン表面の欠陥を改良するための現像後レジスト基板処理液およびそれを用いたレジスト基板の処理方法の提供。
【解決手段】窒素含有水溶性ポリマーまたは酸素含有水溶性ポリマー、例えばポリアミン、ポリオールまたはポリエーテルと、溶媒とを含んでなることを特徴とするレジスト基板処理液、ならびに現像処理後のレジストパターンを、そのレジスト基板処理液により処理し、純水により洗浄をさらに行うことを特徴とするレジスト基板の処理方法。 （もっと読む）

【課題】吐出むらを防止し易く、しかも組立性やメンテナンス性に優れたノズルを提供する。
【解決手段】スリットノズル２０は、第１，第２の一対のパーツ３２ａ，３２ｂを、これらの対向面３４ａ，３４ｂの間に隙間を形成した状態で重ね合わせ、この隙間によりスリット状の吐出口Ｄとこれに通じる扁平は流路Ｆを形成した構成となっている。このノズル２０の前記隙間は、第２パーツ３２ｂの対向面３４ｂに複数の突起３３が設けられ、当該突起３３が第１パーツ３２ａの対向面３４ａに当接する状態で両パーツ３２ａ，３２ｂが締結されることにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】液浸露光時に生じるウォーターマークやシミをレジストにダメージを与えることなく除去して、解像度及び面内の線幅精度の高い露光・現像方法を提供すること。
【解決手段】レジスト層の表面に保護膜が積層された半導体ウエハＷの表面に、光を透過する液層を形成した状態で半導体ウエハの表面を露光した後、露光された半導体ウエハの表面を現像する露光・現像処理方法において、露光後の現像前に、半導体ウエハの表面を、保護膜の溶媒からなる洗浄液により洗浄する。これにより、液浸露光時に生じるウォーターマークやシミをレジストにダメージを与えることなく除去することができる。 （もっと読む）

【課題】基板に対して良好に洗浄処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】薬液ユニット１０は、基板Ｗの薬液処理を可能とするユニットである。洗浄ユニット６０は、薬液ユニット１０により薬液が供給された基板Ｗにマイクロバブル水を供給して、マイクロバブル水による洗浄処理を可能とするユニットである。洗浄ユニット６０は、主として、複数の上側ノズル６１と、複数の下側ノズル６２と、液ナイフ６６と、貯留槽２０と、マイクロバブル発生部２１と、を備えている。これにより、薬液処理後の基板Ｗにマイクロバブル水を供給することができる。そのため、薬液処理において基板に付着した薬液をマイクロバブル水により迅速に置換することができ、洗浄処理に使用される処理液の量を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板上の現像液がリンス液に置換される際に基板面内の位置によって現像液の濃度差を生じることを無くし、レジスト膜面にしみ状の欠陥が発生することを防止することができ、現像液の使用量を低減させることができる方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗをスピンチャック１０によって水平姿勢に保持し回転モータ１４によって鉛直軸回りに回転させながら、現像液吐出ノズル２０から基板表面のレジスト膜上へ現像液を供給して現像処理した後に、引き続き基板を回転させて、レジスト膜上の現像液を遠心力で飛散させて除去し、その後に純水吐出ノズル３４からレジスト膜上へリンス液を供給してリンス処理する。 （もっと読む）

【課題】基板上の現像液がリンス液に置換される際に基板面内の位置によって現像液の濃度差を生じることを無くし、レジスト膜面にしみ状の欠陥が発生することを防止することができ、現像液の使用量を低減させることができる方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗをスピンチャック１０によって水平姿勢に保持し回転モータ１４によって鉛直軸回りに回転させながら、現像液吐出ノズル２０から基板表面のレジスト膜上へ現像液を供給して現像処理した後に、引き続き基板を回転させて、レジスト膜上の現像液を遠心力で飛散させて除去し、基板表面に干渉縞が見えなくなった時点で純水吐出ノズル３４からレジスト膜上へリンス液を供給してリンス処理する。 （もっと読む）

【課題】安価かつ簡易に、被処理基板上の水滴を残さずに洗浄することができる基板洗浄方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板（１１）の上方のノズル（１２）から洗浄液（１３）を吐出し、前記基板を回転させながら前記基板を洗浄する基板洗浄方法であり、前記ノズルから前記洗浄液を前記基板に吐出しながら、前記ノズルを前記基板の中心から前記基板の外側へ走査し、前記基板上の残留水滴を吸着させながら前記洗浄液を前記基板の外側に散逸させる基板洗浄方法において、前記ノズルから吐出した前記洗浄液が前記基板の回転に則って前記基板上を移動しながら散逸する際に、回転する前記基板上に滞留した前記洗浄液が前記ノズルから吐出した前記洗浄液と衝突しないように、前記洗浄液の流量、前記基板の回転数、前記ノズルの走査速度と走査開始位置を制御する。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ低コストに現像欠陥を抑制することが可能な水溶性パターン形成材料を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】パターン形成方法は、半導体基板１の主表面上にレジストパターン１２を形成する工程と、前記レジストパターン１２の上に、酸の存在下で熱架橋性を有する水溶性パターン形成材料を塗布する工程と、前記水溶性パターン形成材料の前記レジストパターンと接する部分に加熱によって架橋膜５０を形成する工程と、前記水溶性パターン形成材料の前記架橋膜５０以外の部分を、界面活性剤を含んだアルカリ水溶液を用いて除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板表面をより均一に処理すること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｓの表面に現像液の液層を形成してパドル現像を施す現像処理室２を有する。この現像処理室２には、現像液の液層が形成された基板Ｓを支持してその姿勢を切り換える姿勢切換機構２６が設けられる。この姿勢切換機構２６は、基板Ｓ上に形成された現像液を流下させるべく、コントローラの制御により、基板Ｓの対角線を軸としてその軸回りに基板Ｓを揺動させ、これにより基板Ｓを傾斜させるとともに基板Ｓの傾き方向を順次切換える。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表面の同じ層の被加工膜に対し複数回のパターニングを行うにあたり、パターニング間に生じる線幅のばらつきを低減する。
【解決手段】ウェハ表面の被加工膜に１回目のパターニングを行い、その１回目のパターニングにより形成されたパターンの寸法を測定する。その後、その１回目のパターニングの寸法測定結果に基づいて、２回目のパターニングの条件を設定する。この際、例えば１回目のパターンの寸法とその目標寸法の差と、２回目のパターンの寸法とその目標寸法の差が等しくなるように、２回目のパターニングの条件を設定する。その後、その設定されたパターニングの条件により２回目のパターニングを行う。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の面内及び被処理基板間のレジストパターンの線幅を精度高く制御すること。
【解決手段】複数のヒータにより複数の加熱領域を夫々独立して加熱制御できる熱板を備え、前記熱板により露光後、現像前の被処理基板を加熱する加熱ユニットと、レジスト液を塗布する前の被処理基板の前記各加熱領域に対応した領域に光を照射して、各領域の光学的性質を測定する光学測定ユニットと、予め求められた、被処理基板の下地膜の光学的性質と、ヒータの加熱温度と、レジストパターンの線幅との相関関係が記憶された記憶部と、前記光学測定ユニットにより測定された被処理基板の下地膜の光学的性質、レジストパターンの線幅の目標値及び前記記憶部の相関関係に基づいて各加熱領域毎に前記ヒータの加熱温度を演算し、演算された加熱温度に基づいて熱板の各加熱領域の温度を制御する制御手段と、を備えた塗布、現像装置を構成する （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された露光後のレジスト膜を現像処理するときに、パターン寸法の微細化に伴って起こるレジストパターン倒壊の発生を防止することができ、後工程に悪影響を及ぼす心配が無く、現像プロセスにおいてレジスト膜上への現像液の液盛り性が悪くなることもない方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に形成された露光後のレジスト膜を現像処理する工程後、現像処理後のレジスト膜をリンス処理する工程前に、溶剤吐出ノズル３２から疎水性樹脂を含む溶剤を基板表面のレジスト膜上へ供給して、レジスト露出面を疎水性樹脂被膜で被覆し、その後にリンス処理しスピン乾燥する。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＡなどの有機溶媒成分を用いて液体で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理方法および基板処理装置において、有機溶媒成分の消費量を抑制しながら基板表面を良好に乾燥する。
【解決手段】リンス処理後に基板Ｗを回転させながら基板表面Ｗｆに付着しているリンス液（ＤＩＷ）の表層部を基板表面Ｗｆから振り切って除去する。続いて、基板表面ＷｆにＩＰＡとＤＩＷとが混合された混合液を供給する。基板表面Ｗｆ上のリンス液の大部分が除去されていることから、基板表面Ｗｆに微細パターンＦＰが形成されている場合であってもパターン間隙に付着する液体成分が混合液に置換される。しかも、基板表面Ｗｆに供給する混合液のＩＰＡ濃度は５０％以下とされている。したがって、ＩＰＡの消費量を抑制しながらパターン倒壊を有効に防止できる。 （もっと読む）

【課題】処理むらの発生を防止しつつ効率良く基板の処理を進める。
【解決手段】現像処理室３において水平姿勢の基板に対して現像液を供給することにより現像処理を施した後、洗浄処理室４において傾斜姿勢の基板Ｓに対して洗浄液を供給することにより洗浄処理を行う。その際、現像処理後、基板Ｓを現像処理室３において水平姿勢から仮傾斜姿勢（洗浄処理に適した基板Ｓの傾斜姿勢よりも斜度の小さい姿勢）に変換し、この仮傾斜姿勢の状態で基板Ｓを現像処理室３から洗浄処理室４に搬送する。そして、洗浄処理室４において、基板Ｓの姿勢を仮傾斜姿勢から前記本傾斜姿勢に変換して洗浄処理を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】基板の表面へ液体吐出ノズルから洗浄液を吐出させつつ液体吐出ノズルを走査するとともに、基板表面へ気体噴出ノズルから乾燥用気体を噴出させつつ気体噴出ノズルを走査して基板をスピン乾燥させるときに、洗浄液と乾燥用気体との干渉による基板表面での液跳ねを抑え、液跳ねによる液滴が基板の乾燥部分に再付着することを防止できる方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗを水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させ、純水吐出ノズル２０から基板の表面へ純水を吐出させつつその吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査する際に、ガス噴出ノズル２６から基板表面へ窒素ガスを噴出させつつその噴出口を、純水吐出ノズルの吐出口より常に基板の中心側に位置させかつ純水体吐出ノズルの吐出口から遠ざけるように、基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査する。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体の急激な流量変化による温度変化に対応して、素早く超臨界流体の温度を一定に保てるようにした洗浄方法、及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】それぞれ異なる設定温度の超臨界流体を流す複数系統の超臨界流体ライン１２、１３を合流させ、それぞれの系統の超臨界流体ラインからの超臨界流体の流量及び混合比を制御して、合流後の所要温度の超臨界流体により被洗浄物を洗浄する被洗浄物の洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸部や可動部を有する半導体装置を、この凹凸部や可動部に固着、損傷を生じることなく製造する方法の提供。
【解決手段】半導体装置の凹凸部や可動部を液体処理し、この液体を純水で置換した後、純水を溶剤で置換し、この溶剤中に昇華性物質を含ませ、溶剤を蒸発して半導体装置の表面に昇華性物質を析出せしめ、この昇華性物質を昇華により除去することからなる。 （もっと読む）

【課題】 初期オーバーシュート量を削減し、基板大量処理時の現像液をリサイクルしながら基板を大量処理する際にも安定したディスペンス特性が確保できる処理液供給装置を提供する。
【解決手段】 本発明の処理液供給装置は、ノズルの近傍に積算機能を持つ流量計を設けることにより、流量計の変化に対応して、サーボモータを制御してポンプ回転数の制御にフィードバックさせるので、フィルターの目詰まり度合いに関係なく常時一定量を吐出することが可能となり、現像液をレジストコーティングされた膜上に必要最低限（膜厚１ｍｍ）から表面張力最大値（３ｍｍ）までの塗布可能領域において安定したディスペンスが可能となる。 （もっと読む）