【課題】形成されたパターンに与えるダメージが少ない基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板の表面にドライエア又は不活性ガスの気流にのせた洗浄用の微粒子を基板に衝突させて、前記基板の洗浄を行う洗浄工程と、前記洗浄用の微粒子を除去する除去工程と、を有することを特徴とする基板洗浄方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト膜を用い、１回の露光で密集したドットパターンと孤立ドットパターンを形成し、これを用いてポジネガ反転によってホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基の脱離によってアルカリ性現像液可溶になる樹脂、光酸発生剤又はこれと熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布しレジスト膜を形成する工程、位相シフトマスクを用いて露光し、露光後加熱しアルカリ性現像液で現像してポジ型パターンを得る工程、パターンを露光又は加熱し、上記樹脂の酸不安定基を脱離させアルカリ溶解性を向上させ、樹脂に架橋を形成させ上記ポジ型パターンに反転用膜形成用組成物用の有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜を形成する工程、上記架橋形成されたポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】現像処理工程以外のプロセスの不安定要因や、現像処理装置の構成や、被処理基板の材質及び厚みの影響等々を受けることなく、処理装置間及び被処理基板の面内において、実際に被処理基板が受けた現像処理効果を定量的かつ十分な情報量で計測把握できる現像処理評価方法を提供する。
【解決手段】必要最低レジスト膜厚に所定のネガ型レジストを塗布形成後、熱処理して作製した現像処理効果の測定のための被処理基板を、評価対象である現像処理装置により現像処理し、その現像処理後のレジスト膜厚を被処理基板内で複数点測定して求め、得られた被処理基板内の各測定点での現像処理後のレジスト膜厚の統計量を求める工程を有し、現像処理効果の評価対象である現像処理装置における設定現像処理時間における現像処理効果及びそのバラツキを、ネガ型レジストの未露光部のレジスト膜厚とそのバラツキで表す。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するためのパターン形成において欠陥を著しく低減できる有機溶剤を含有する現像液を用いたパターン形成方法及びその方法に用いるリンス液。
【解決手段】酸の作用により極性が増大し、有機溶剤を含有する現像液に対する溶解度が減少する樹脂を含有する有機溶剤系現像用レジスト組成物によりレジスト膜を形成する工程、露光工程、有機溶剤を含有する現像液を用いた現像工程、並びに、溶剤Ｓ１及びＳ２の少なくともいずれかを含有するリンス液を用いた洗浄工程（Ｓ１：分岐及び環状構造の少なくもいずれかを含むアルキル鎖を有し、該アルキル鎖における２級又は３級炭素原子が水酸基と結合している、炭素数が少なくとも５であるアルコール、Ｓ２：炭素数が少なくとも５であるアルキル基及び炭素数が少なくとも５であるシクロアルキル基の少なくともいずれかを有するジアルキルエーテル）を用いるパターン形成方法及び該リンス液。 （もっと読む）

【課題】処理を行う基板に対して歩留りが低下するのを防止できる基板処理装置、基板処理方法、及び表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる基板処理装置１００は、基板１０１に処理液を供給してスピン処理を行う基板処理装置１００であって、基板１０１を保持して回転させる吸着ステージ１０２と、吸着ステージ１０２上に載置された基板１０１を支持する支持ピン１０３と、支持ピン１０３が複数設けられたリング１０４と、リング１０４を上下に移動させるベローズバルブ１０５と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】処理の均一性を向上させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗの上面に遮断板４の下面を対向させた状態で、基板Ｗと遮断板４との間に処理液を供給して、基板Ｗと遮断板４との間を処理液によって液密にする。そして、基板Ｗと遮断板４との間が処理液によって液密にされた状態で、基板Ｗと遮断板４とを鉛直軸線まわりに相対回転させる。 （もっと読む）

【課題】芯材パターンの側壁に形成するマスク材を利用したパターン形成において工程数を削減できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、露光により酸を発生する酸発生剤を含む芯材パターン１５を下地膜上に形成する工程と、芯材パターン１５における長手方向の端部１５ａを除く部分を選択的に露光する工程と、芯材パターン１５から酸の供給を受けて架橋可能なマスク材１６を芯材パターン１５を覆うように下地膜上に供給する工程と、マスク材１６をエッチバックして、芯材パターン１５の上面を露出させると共に、マスク材１６における芯材パターン１５の端部１５ａに形成された部分を除去し、芯材パターン１５の側壁に形成されたマスク材側壁部１６ａを残す工程と、芯材パターン１５を除去し、下地膜上に残されたマスク材側壁部１６ａをマスクにして下地膜を加工する工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理方法を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる （もっと読む）

【課題】基板を水平状態にして連続的に搬送しながら、基板表面に処理液を均一に塗布あるいは浸漬して、短時間で均一な液処理を行う液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】基板をベルト搬送して処理液に浸漬すると共に、前記基板を液処理槽内の処理液中に投入する第一搬送ベルト１と、該第一搬送ベルトから移送される前記基板を処理液中を水平に搬送して処理液に浸漬する第二搬送ベルト２と、該第二搬送ベルトから前記基板を受け取り液処理槽から排出する第三搬送ベルト３とを設け、前記、第一、第二、第三搬送ベルトの搬送速度をそれぞれ異ならせた構成の液処理装置および液処理方法とした。 （もっと読む）

【課題】重ね合わせ露光を行うことなくリソグラフィ・プロセスを用いて、露光装置の解像限界を超えるような微細パターンを形成する。
【解決手段】パターン形成方法は、ウエハＷ上にネガレジスト３及びより高感度のポジレジスト４を塗布することと、ウエハＷのポジレジスト４及びネガレジスト３をライン・アンド・スペースパターンの像で露光することと、ポジレジスト４及びネガレジスト３をウエハＷの表面の法線に平行な方向に現像することとを有する。 （もっと読む）

【課題】基板を品質よく処理することができる基板処理装置、ガス溶解液供給方法、および、基板処理方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル２１と、二酸化炭素が溶解された炭酸ガス溶解水を二流体ノズルに供給する溶解液供給管２２と、炭酸ガス溶解水の溶存ガスと同じ二酸化炭素をキャリアガスとして二流体ノズル２１に供給するキャリアガス供給管２３と、を備えている。二流体ノズル２１は、炭酸ガス溶解水の液滴をキャリアガス（二酸化炭素）とともに基板Ｗに噴射する。噴射された炭酸ガス溶解水は溶解濃度が比較的に高い状態で基板Ｗに着液する。よって、基板を品質よく処理することができる。 （もっと読む）

【課題】フッ素系溶剤を主成分とする溶剤を基板表面から除去して当該基板表面を乾燥させる基板処理方法および基板処理装置において、基板表面に水滴が付着するのを防止して乾燥性能を高める。
【解決手段】ＩＰＡ液で覆われた基板表面ＷｆにＨＦＥ液を供給してＩＰＡ液をＨＦＥ液で置換して基板表面Ｗｆの全部がＨＦＥ液で覆われた後に、高温窒素ガスが基板裏面Ｗｂに供給されて基板Ｗが加熱されるとともに、基板表面ＷｆからＨＦＥ液が除去される。この基板加熱は、乾燥処理（除去処理）によってＨＦＥ液が基板表面Ｗｆから全部除去されるまで継続される。このように乾燥処理の間、基板裏面Ｗｂに高温窒素ガスを供給して基板Ｗを加熱しているため、仮に基板の周辺に多量の水蒸気成分が存在していたとしても、基板表面Ｗｆに水滴は付着することなく、基板Ｗを確実に乾燥することができる。 （もっと読む）

【課題】レジストを塗布し、露光後に現像を行ってレジストパターンを形成するにあたって、レジスト表面に残渣が付着することで生ずる現像欠陥を抑制すること。
【解決手段】ウエハＷの表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、その後レジスト膜が形成されたウエハＷの表面を露光して、この露光処理されたウエハＷの表面に、酸性アルコールＬを供給して、当該表面に形成されているレジスト膜の低分子層の一部を溶解し、さらに、その後行われる現像処理に用いられる現像液に対する当該低分子層の溶解性を高める。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィにおけるレジスト中のクェンチャーの液体への溶出によるパターン不良を防止できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に、塩基性化合物であるクェンチャーを含むレジスト膜１０２を形成する。その後、レジスト膜１０２の上に、アルカリ可溶性のクラウンエーテルを含むバリア膜１０３を形成する。続いて、バリア膜１０３の上に液体１０４を配した状態で、バリア膜１０３を介してレジスト膜１０２に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。その後、パターン露光が行われたレジスト膜１０２に対して現像を行って、バリア膜１０３を除去すると共にレジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】洗浄・乾燥時間の短縮が図れると共に、乾燥縞の欠陥除去を図れるようにした現像処理方法及び現像処理装置を提供する。
【解決手段】露光された半導体ウエハＷの表面に現像液を供給して現像を行った後に、ウエハの表面に純水を供給して洗浄を行う現像処理方法において、ウエハを水平に保持したスピンチャックを鉛直軸回りに回転させながらウエハの中心部上方からリンスノズル５８より純水を供給すると同時に、リンスノズルに隣接するディフューザ５３によりウエハの回転により生じる気流Ａを純水の液膜Ｆに誘導拡散し、リンスノズルとディフューザとを平行状態にしてウエハの中心部からウエハの外周縁に向かって径方向に同時に移動させて、ウエハの洗浄及び乾燥を行う。 （もっと読む）

【課題】疎水化した基板上のレジスト膜表面の濡れ性を改善し、効率的な現像液膜の形成を可能にすると共に、現像処理の安定化を図れるようにした現像処理方法及び現像処理装置を提供する。
【解決手段】スピンチャック４０によって水平保持されたウエハＷを回転させ、該ウエハ表面に現像液を供給して現像処理を施す現像処理方法において、現像処理工程の前に、回転する基板表面の中心近傍に位置する現像ノズル５２から現像液１００を供給すると同時に、現像ノズルよりもウエハ外周側に位置する純水ノズル５３から第２の液である純水２００を供給し、ウエハの回転に伴ってウエハの外周側に流れる純水によって形成される壁３００によって現像液をウエハの回転方向に広げるプリウェット処理を行う。これにより、疎水化したウエハ上のレジスト膜表面の濡れ性を改善することができ、効率的な現像液膜の形成を可能にすると共に、現像処理の安定化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】平流しの搬送ライン上で被処理基板に供給した第１の処理液を分別回収して第２の処理液に置き換える動作を効率よくスムースに行い、現像斑の発生を抑制する。
【解決手段】水平な搬送路を有する第１の搬送区間Ｍ１と、上り傾斜の搬送路を水平な搬送路から形成可能な第２の搬送区間Ｍ２と、第２の搬送区間Ｍ２が上り傾斜の状態で、第２の搬送区間Ｍ２に続く下り傾斜の搬送路を形成する第３の搬送区間Ｍ３とを含む平流しの搬送ライン２と、搬送体６を駆動する搬送駆動部と、第１の搬送区間Ｍ１内で基板Ｇ上に第１の処理液Ｄを供給する第１の処理液供給部９と、第３の搬送区間Ｍ３内で基板Ｇ上に第２の処理液Ｗを供給する第２の処理液供給部１３と、第２の搬送区間Ｍ２に被処理基板Ｇが載置された状態で、該第２の搬送区間Ｍ２に敷設された搬送体６を上昇移動させ、第１の搬送区間Ｍ１に続く上り傾斜の搬送路を形成する昇降手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】低インパクトでの現像を可能にすると共に、現像時間の短縮及び現像精度の向上が図れ、かつ、回路パターン部に残渣するスカムの除去効果の向上が図れるようにした超音波現像処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】露光処理された基板Ｇの回路パターンＰ表面に現像液Ｌを接触例えば液盛りさせて、現像処理を行う現像処理装置において、現像液が接触した状態にある基板の回路パターンに対して近接して対向配設され、回路パターンの領域と同じ若しくは若干大きい領域の発振面７ａを有する超音波振動子７と、該超音波振動子の高周波駆動電源３１とを具備する。基板表面に現像液を液盛りした後、超音波振動子の発振面を回路パターンに近接し、現像液に接液した状態で、超音波振動子より発生する超音波振動が回路パターン上の現像液に伝播しながら現像処理を行う。 （もっと読む）

【課題】高精度なパターン形成が可能な基板処理方法及びマスク製造方法を提供する。
【解決手段】処理液の吐出口と吸引口とを有し、処理対象の基板に対して相対移動可能に設けられたノズルの吐出口及び吸引口を基板の被処理面に対向させ、吐出口から処理液を被処理面に供給しつつこの被処理面上に供給された処理液を吸引口に吸引することで、被処理面の一部の領域のみを選択的に処理液で処理する。 （もっと読む）

【課題】はんだ耐熱性、長期信頼性、電気絶縁性の改善などのため無機フィラーを添加しても残渣を抑制でき、かつ基板およびフォトレジストにダメージがなく、コスト削減が可能となるフォトレジストの現像方法および装置を提供する。
【解決手段】基板８にフォトレジスト１１を形成し、露光した後、現像液２中に浸漬させ、現像液２中に電圧を印加しながら現像を行う。この際、電源４を駆動し、電極５、６により現像液２に電圧を印加する。現像液２への電圧印加は、基板８の浸漬に先だってするのが好ましい。 （もっと読む）