【課題】液浸露光後、現像処理前において、基板の最上層の膜の表面、例えばレジスト膜の表面に吸着した異物を十分に除去できるようにする。
【解決手段】まず、基板にレジスト膜を形成する（ステップＳ２０）。その後、レジスト膜を液浸露光する（ステップＳ４０）。その後、基板を傾けて回転させながら、基板に洗浄液を、基板の表面に対して斜め方向又は水平方向から供給する（ステップＳ５０）。その後、レジスト膜を現像する（ステップＳ７０）。この方法によれば洗浄液を、基板の表面に対して斜め方向又は水平方向から供給することができる。このため、基板の最上層の膜に異物が吸着していた場合、この異物に対して洗浄液は、斜め方向又は水平方向にあたる。このため、異物は基板の最上層の膜表面から浮き上がりやすくなり、除去されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】プロセス雰囲気の汚染を避けつつ、レジストパターンのライン幅ラフネスを効率よく低減することができるレジスト塗布現像装置およびレジスト塗布現像方法を提供する。
【解決手段】レジスト塗布現像装置１は、基板Ｗ上にレジストを塗布してレジスト膜を形成するレジスト膜形成部と、露光されたレジスト膜を現像するレジスト現像部１８と、レジスト膜に対して溶解性を有する溶剤の蒸気またはガスを含む気体を生成する溶剤気体生成部と、気体生成部により生成された気体を調整する溶剤気体調整部と、レジスト現像部１８で現像されてパターン化されたレジスト膜を有する基板が収容される減圧維持可能な処理室６２であって、収容される基板Ｗに向けて、溶剤気体調整部により調整された気体を供給する供給部を含む当該処理室６２と、処理室を減圧に排気する排気部とを備える。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの倒壊を抑制する基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、基板上にレジスト膜を形成するレジスト形成工程と、レジスト膜を露光する露光工程と、露光工程の後、基板を処理室２０内に収容し、処理室２０の外部で生成したイオンを含むガスを処理室２０内に導入し、イオンを含む雰囲気中でレジスト膜に現像液を供給しレジスト膜を現像する現像工程と、現像工程の後、イオンを含む雰囲気に維持された処理室２０内でレジスト膜にリンス液を供給しレジスト膜を洗浄するリンス工程と、リンス工程の後、レジスト膜を乾燥する乾燥工程とを備えた。 （もっと読む）

【目的】半導体製造プロセスを提供する。
【解決手段】先ず、ウエハを提供し、ウエハ上に材料層及び露光されたフォトレジスト層が形成され、ウエハはセンターエリア及びエッジエリアを有する。その後、露光されたフォトレジスト層の特性を変化させ、センターエリア内の露光されたフォトレジスト層の最小加工寸法をエッジエリア内の露光されたフォトレジストの最小加工寸法と異ならせる。露光されたフォトレジスト層のエッジプロパティを変化させた後、露光されたフォトレジスト層をマスクとして使用することによりウエハにエッチングプロセスを行い、ウエハ上に形成された均一な最小加工寸法を有するパターン化材料層を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板を平流し方式で搬送しながら現像処理を行う現像処理装置において、基板の処理条件の違いに拘わらず、現像処理を効果的に行う。
【解決手段】基板Ｇの搬送路２と、前記搬送路を搬送される前記基板の前端から後端にわたり現像液Ｄを液盛りする第一の現像ノズル１０と、前記基板の処理に係る情報を取得する基板情報取得手段２０と、前記第一の現像ノズルの下流側に搬送路に沿って移動可能に設けられた第二の現像ノズル１３と、前記第二の現像ノズルを移動させるノズル移動手段１４と、前記第二の現像ノズル及び前記ノズル移動手段の駆動を制御する制御手段２５とを備え、前記制御手段は、前記基板情報取得手段から得られた情報に基づき、前記ノズル移動手段を駆動し、前記搬送路上における所定位置に前記第二の現像ノズルを移動させ、前記第二の現像ノズルから前記基板に現像液を供給する。 （もっと読む）

【課題】基板上に設けられた無機パターン又は樹脂パターンのパターン倒れを効果的に防止することが可能な表面処理剤、及びそのような表面処理剤を使用した表面処理方法を提供することを目的とする。また、その他の目的として、本発明は、基板の表面に対して、高度にシリル化処理を行うことのできる表面処理剤、及びそのような表面処理剤を使用した表面処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の表面処理に使用される表面処理剤であって、シリル化剤とシリル化複素環化合物と、を含有する表面処理剤を使用する。 （もっと読む）

【課題】パターン倒壊を防止し、低ダスト・高スループットでの超臨界乾燥を実現する。
【解決手段】ウェーハ支持部３１によりウェーハＷを把持して洗浄チャンバ１からウェーハＷを搬出する前に、近接板３３をウェーハＷのデバイス面に近接させ毛細管力でリンス液ＲＬをウェーハＷ上に保持したままで、超臨界乾燥チャンバ２へ搬送する。 （もっと読む）

【課題】送り出し部から処理液を供給ノズルを介して基板に吐出するにあたり、処理液の流量の監視と、処理液中の気泡のトラップとを同一の機器により行うこと。
【解決手段】気密な容器の上部に開口し、送り出し部から処理液が送り出される第１の流路と、当該容器の底部に接続され、途中に開閉バルブが設けられた第２の流路と、この第１の流路から滴下される液滴の落下軌跡を横切るように光軸が形成された光電センサーと、光電センサーからの検知信号に基づいて処理液の流量を計測する流量監視部と、容器の上部に設けられ、排気バルブを介して大気に開口する排気路と、前記容器内の液面レベルが下限レベルに達したか否かを監視し、下限レベルに達したときに、開閉バルブを閉じると共に排気バルブを開放し、送り出し部から容器内に処理液を送り出す制御部と、を備えるように装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】薬液の使用量を抑えながら、基板の処理を均一に行う。
【解決手段】基板１を移動しながら、薬液タンク２３から薬液ノズル２１へ薬液２を供給し、薬液ノズル２１から基板１へ薬液２を吐出し、薬液ノズル２１から基板１へ吐出した薬液２を回収して薬液タンク２３へ戻す。薬液タンク２３から薬液ノズル２１へ供給する薬液２の濃度を検出し、薬液２の濃度の検出結果に基づき、基板１の移動速度を変更する。そして、薬液ノズル２１から基板移動方向側に離して配置された洗浄液ノズル３１から基板１へ洗浄液を吐出して、基板１から薬液２を洗い流す。 （もっと読む）

【課題】リンス処理時間の低減、及び、リンス液の使用量を低減させることが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【解決手段】第１の処理液で処理してから第２の処理液で処理する基板処理装置１００は、第１、第２の処理液を半導体ウェーハに向けて供給する上部ノズル体５１及び斜方ノズル体７１と、半導体ウェーハＷ上面の膜厚を検出可能な膜厚検出手段８１，８２と、各処理液及び処理の特性等の情報を記憶したデータベース９０と、膜厚検出手段により検出された膜厚とデータベース９０に記憶された情報とに基いて、半導体ウェーハＷ上の液膜が第１の処理液から第２の処理液へと置換されたか否かを判定する制御装置７と、を備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】基板の下面への処理液による処理時にのみ対向部材を当該基板の下面に近接させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】下面処理液配管１０の管壁の途中部には、ベローズ部２４が設けられている。下面処理液配管１０内を処理液が流通するときは、その処理液の圧力によってベローズ部２４が伸長状態となり、下面処理液配管１０内を処理液が流通しないときよりも、下面処理液配管１０の配管長が長くなる。下面処理液配管１０の上端部に、対向棒２０が固定されている。処理液の吐出時には、対向棒２０を前記近接位置に位置し、また、処理液を吐出しないときは、対向棒２０を前記離間位置に位置する。 （もっと読む）

【課題】電子線用レジストの現像ローディング評価パターンにおいて、電子線露光時のfoggingの影響と現像ローディングの影響が発生する密なパターン領域を持つフォトマスクから、現像ローディングの影響のみを、工程を増やさず抽出することが出来、現像条件の最適化を行うことが出来る現像ローディング評価パターン、それを用いた評価方法、現像ローディング評価用マスク、および現像方法を提供することを課題とする。
【解決手段】電子線露光量に対応したパターン密度を有する複数個のダミーパターン部Ｂ、Ｃと、ダミーパターン部に近接して設けられた寸法測定パターン部Ａ、Ａ´と、を備えたことを特徴とする現像ローディング評価パターン。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターンニングにおいて、処理工程を煩雑化させることなく、先に形成されたレジストパターンがその上に塗布されたレジスト材料の溶剤に溶けることを防止する。
【解決手段】基板に第１レジスト材料を用いて第１レジスト膜を形成し、第１レジスト膜に対して露光および現像処理を行って、第１レジストパターンを形成する。ただし、第１レジスト膜形成処理後に行われる塗布後加熱処理、もしくは、第１レジスト膜に対する露光処理後に行われる露光後熱処理において、第１レジスト膜が形成された基板を第１レジスト材料に含まれる樹脂のガラス転移点以上の温度で加熱する。そして、第１レジストパターンが形成された基板に第２レジスト材料を用いて第２レジスト膜を形成し、第２レジスト膜に対して露光および現像処理を行って、第２レジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】基板搬送用のローラが温度上昇したときにこのローラの回転軸が変形するのを防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｋを挟持して搬送する下ローラ２１，第１上ローラ２２及び第２上ローラ２３と、各ローラ２１，２２，２３を回転自在に保持するローラ保持機構３０と、搬送される基板Ｋの上面に向けて流体を吐出する流体吐出機構と、流体吐出機構に流体を供給する流体供給機構とを備える。ローラ保持機構３０は、基板Ｋの両外側で一定間隔を隔てて対向する、下ローラ２１の一端を回転自在に保持する第１架台３３及び下ローラ２１の他端を回転自在に且つ軸線方向に変位可能に保持する第２架台３４と、第１架台３３に支持され、第１上ローラ２２を回転自在に保持する第１保持部材５０と、第２架台３４に支持され、第２上ローラ２３を回転自在に保持する第２保持部材５１とを備える。 （もっと読む）

【課題】現像液を基板に均一性高く供給して、歩留りの低下を抑えることができる現像装置を提供すること。
【解決手段】表面にレジストが塗布され、露光された後の基板を水平に保持する基板保持部と、現像液の前記基板への濡れ性を高めるための表面処理液を霧化させる表面処理液霧化手段と、霧化した前記表面処理液を前記基板に噴霧する第１の噴霧ノズルと、前記表面処理液が噴霧された基板に現像液を吐出して現像を行うための現像液吐出ノズルと、を備えるように現像装置を構成する。霧化した表面処理液は、液状のままの表面処理液に比べて、基板に対する表面張力が低いので、基板上で凝集することが抑えられるため、容易に基板全体に供給することができ、基板の濡れ性を高めることができる。その結果として、現像液を均一性高く基板に供給することができ、歩留りの低下を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】現像欠陥を抑えて、歩留りの低下を抑えることができ、さらに後段の装置における処理の手間を軽減させることができる、露光された後の基板を加熱する基板処理装置を提供すること。
【解決手段】表面にレジストが塗布され、さらに露光された後の基板を加熱する加熱板と、前記レジストに供給する現像液の前記基板への濡れ性を高めるための表面処理液を霧化する表面処理液霧化手段と、前記加熱板により加熱された基板を冷却するための冷却手段と、前記加熱板による加熱が開始されてから前記冷却手段による冷却が終了するまでに、霧化した前記表面処理液を基板に供給する表面処理液供給手段と、を備えるように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される被処理膜のパターンの線幅を基板面内で均一にする。
【解決手段】検査用ウェハの被処理膜にパターンを形成する（ステップＳ１）。被処理膜のパターンの線幅を測定する（ステップＳ２）。線幅測定結果に基づいて、ＰＥＢ装置における加熱温度を補正する（ステップＳ３）。外周部の線幅測定結果が目標線幅より大きい場合には、現像処理においてウェハの外周部に供給する現像液の供給量を増加させ、当該現像液の供給量を補正する（ステップＳ４）。外周部の線幅測定結果が目標線幅より小さい場合には、現像処理後においてウェハの外周部に処理液を供給させ、当該処理液の供給量を設定する（ステップＳ５）。ウェハにフォトリソグラフィー処理を行い、レジストパターンを形成する（ステップＳ６）。ウェハにエッチング処理を行い、被処理膜に所定のパターンを形成する（ステップＳ７）。 （もっと読む）

【課題】供給しようとする液体に対する不都合を生じさせずに、流量制御器における気泡の発生を確実に防止することができる液供給機構を提供すること。
【解決手段】処理液供給機構３は、処理液タンク２１と、処理液供給配管２２と、処理液の通流断面積を変化させる可変オリフィス部を有する流量制御器２７と、可変オリフィス部より前段の一次側の液圧および後段の二次側の液圧を求める圧力検出器２６，２８と、予め記憶された、処理液の液圧と対応する液圧における溶存可能な気体成分の量との関係から、処理液から気泡が発生し始める一次側の液圧と二次側の液圧との差圧ΔＰｓを求め、このΔＰｓの値以下の閾値ΔＰｔを設定し、実際に求められた一次側の液圧と二次側の液圧との差圧ΔＰｅの値がΔＰｔに達したか否かを判断し、ΔＰｅの値がΔＰｔに達したと判断した場合に、処理液の気泡の発生を抑制するように処理液の状態を制御する制御機構３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】上下に分割されて上側のカップが昇降自在なカップ内にて基板を回転させながら、液処理を行う液処理装置において、上下のカップの間からミストが外部に飛散することを防止できる液処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを吸着保持するスピンチャック１と、ウエハＷに現像液を供給する現像液ノズル１４及び洗浄液を供給する洗浄液ノズル１５と、スピンチャック１の側方を覆うように設けられ、下カップ４と、昇降自在な上カップ３とを組み合わせて構成されたカップ体２と、上カップ３が上昇したときに下カップの屈曲部４２が嵌入するように全周に亘って形成され、洗浄液を貯留するための溝部３２と、ウエハＷの回転によって振り切られた洗浄液を溝部３２に案内する液受容槽３４及び貫通孔３８と、を備え、溝部３２に貯留された洗浄液により、下カップ４と上カップ３との間を気密にシールしてカップ体２からミストが漏れ出すことを防止する。 （もっと読む）

【課題】液浸保護膜、又は撥水性レジストを含め、広範な種類の膜が成膜された基板を露光し、現像する場合にも、基板表面内でのＣＤ値の均一性を向上させることができ、処理時間を短縮することができる現像処理方法を提供する。
【解決手段】表面にレジストが塗布され露光された後の基板を回転させながら現像処理する現像処理方法において、基板Ｗの上方に配置された現像液ノズル４ｂを基板Ｗの中心側から外周側へ移動させ、現像液ノズル４ｂから基板Ｗの表面に現像液Ｄを供給する現像液供給ステップと、基板Ｗの上方に配置された第１のリンス液ノズル４ｃを基板Ｗの中心側から外周側へ移動させ、第１のリンス液ノズル４ｃから基板Ｗの表面に第１のリンス液Ｒを供給する第１のリンス液供給ステップとを有し、第１のリンス液ノズル４ｃが現像液ノズル４ｂよりも基板Ｗの中心側に配置された状態を保ったまま、第１のリンス液供給ステップを現像液供給ステップと同時に行うことを特徴とする。 （もっと読む）