【課題】スループットを低下させることなく、ろ過効果を高めることが可能な薬液供給システムを提供する。
【解決手段】開示される薬液供給システムは、薬液を貯留する第１の容器および第２の容器と、第１の容器と第２の容器とを繋ぐ第１の配管に設けられ、第１の容器に貯留される薬液を第２の容器へ流す第１のポンプと、第１の配管に設けられ、第１の容器から第２の容器へ向かって第１の配管内を流れる薬液をろ過する第１のフィルタと、第１の容器と第２の容器とを繋ぐ第２の配管と、第２の配管に設けられ、第２の容器に貯留される薬液を第１の容器へ流す第２のポンプとを備える。 （もっと読む）

【課題】ＬＬＥによるダブルパターニングの２回目の現像処理において、２回目のレジストパターンの線幅を精度良く制御でき、１回目のレジストパターンの線幅も精度良く制御できる現像処理方法を提供する。
【解決手段】第１のレジストパターンが形成されている基板の表面にレジスト膜を成膜し、露光した後、第２のレジストパターンを形成するために、現像処理する現像処理方法であって、基板を静止させた状態で、第１の時間ｔ１の間、基板を現像処理する第１の工程Ｓ１９５と、基板を回転させながら、第２の時間ｔ２の間、基板を現像処理する第２の工程Ｓ１９６とを有する。第１の時間ｔ１と第２の時間ｔ２との時間比率は、第１のレジストパターンの線幅ＣＤ１が第１の所定値ＣＤ１ｔに等しくなるように調整され、第１の時間ｔ１と第２の時間ｔ２との合計時間Ｔは、第２のレジストパターンの線幅ＣＤ２が第２の所定値ＣＤ２ｔに等しくなるように調整される。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】載置部４２には、パターンの形成された面を上面として、当該上面が液体により濡れた状態で被処理基板Ｗが横向きに載置され、基板搬送機構４１は、載置台４２からこの被処理基板Ｗを受け取って、液槽３２内の液体中に浸漬するにあたり、前記パターンの形成領域の上端が当該液体に接触した時点において、このパターン形成領域の上端の板面に液体が残るように当該被処理基板Ｗを縦向きの状態に変換してから液体に浸漬する。処理容器３１では、この液槽３２を内部に格納した状態で、当該液槽３２内の液体を超臨界状態の流体に置換することにより、被処理基板Ｗを乾燥する処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜をスタティックな現像方式で現像したときに発生する異物付着を解決し、スタティックな現像方式の利点を活かしつつ、異物の少ないフォトマスク製造方法を提供する。
【解決手段】基板１に形成したレジスト膜３に露光処理を施した後、レジスト膜３に静置状態で現像液を付与することで露光部分を現像液中に溶解させるレジスト膜の現像方法において、現像のための溶解中に、基板１、異物７を帯電させることにより、電気的な反発作用によって異物７を脱離、付着を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングを行う際に、生産性を低下させることなく、ウェハ面内における２回目のレジストパターンの線幅のばらつきを低減することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】第１のレジスト膜が形成された基板を露光し、露光された基板を現像処理し、現像処理された基板を洗浄処理することによって第１のレジストパターンを形成する第１の処理工程Ｓ１２〜Ｓ１６と、第１のレジストパターンが形成された基板上に第２のレジスト膜を形成し、第２のレジスト膜が形成された基板を露光し、露光された基板を現像処理することによって第２のレジストパターンを形成する第２の処理工程Ｓ１７〜Ｓ２０とを有する。第１の処理工程Ｓ１６における基板を洗浄処理する第１の処理条件と第２のレジストパターンの線幅との関係を示す第１のデータに基づいて、第１の処理条件を決定し、決定した第１の処理条件で一の基板に第１の処理工程Ｓ１６を行う。 （もっと読む）

【課題】現像液に流速がある場合の濃度変化を考慮し、現像モデル式に組み込むことで、現像方法の違いや、現像液の不均一性によるレジスト寸法の違いを正確に表し、現像条件の最適化に適用し、レジストパターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】現像シミュレーション工程では、電子線描画後のレジスト膜中の蓄積エネルギー分布を計算し、その分布に対応した現像後のレジストパターン形状を予測する現像シミュレーションを行うことによって現像後のレジストパターン形状を推定し、レジストパターン形状が最適となるように現像条件を決定する。現像工程では、電子線描画後の基板を現像液を用いて予め定められた前記の現像条件で現像する。 （もっと読む）

【課題】所望とする形状の孤立ラインパターンを有するマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】レジスト膜２を露光して形成された潜像を現像により除去して、ラインパターン３に対応するパターン３’と、パターン３’の両側に並列する１組の補助ラインパターン４とを形成する。現像をさらに進めることにより、補助ラインパターン４を完全に除去してラインパターン３を形成する。ラインパターン３の線幅に応じて、ラインパターン３に対応するパターン３’と補助ラインパターン４との距離を変えることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】低温の処理液を用いた処理処理において、処理液ノズルの結露の発生を防止し、処理を基板面内で均一に行う。
【解決手段】現像処理装置１は、基板を保持する保持部材と、基板上に現像液、リンス液、処理液を供給する複合ノズル体４２と、保持部材上から退避した複合ノズル体４２を待機させるノズルバス４４とを有している。ノズルバス４４内には、複合ノズル体４２の先端部が収容される。ノズルバス４４は、待機中の複合ノズル体４２を挟んで設けられ、当該複合ノズル体４２においてノズルバス４４から露出した露出部を覆うように水平方向に延伸する一対のパージガスノズル９３、９３を有している。一対のパージガスノズル９３、９３は、複合ノズル体４２の露出部に対して水分を含まないパージガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】現像液の使用量を抑えると共に速やかに基板表面全体に現像液の液膜を形成する現像装置を提供すること。
【解決手段】処理雰囲気を形成する気密な処理容器と、この処理容器内に設けられ、基板を載置するための温調プレートと、前記処理容器内にミスト及び蒸気を含む雰囲気ガスを供給する雰囲気ガス供給部と、前記温調プレートを、前記蒸気が基板上に結露する温度に調整するための第１の温度調整部と、を備えるように現像装置を構成し、前記処理容器の内壁は、前記蒸気が当該内壁に結露しにくい温度に維持されるようにする。 （もっと読む）

【課題】基板表面全体に均一性高く現像液の液膜を形成すると共に高いスループットが得られる塗布、現像装置を提供すること。
【解決手段】現像モジュールと、洗浄モジュールと、前記現像モジュールにより現像された基板を前記洗浄モジュールに搬送する搬送機構と、を備え、前記現像モジュールは、処理雰囲気を形成する気密な処理容器と、この処理容器内に設けられ、基板を載置し、冷却するための温調プレートと、前記処理容器内に現像液のミストを含む雰囲気ガスを供給する蒸気供給部と、前記温調プレートを、前記蒸気が基板上に結露する温度に調整するための温度調整部と、を備えるように塗布、現像装置を構成する。現像モジュールと洗浄モジュールとで並行して処理を行えるので、高いスループットが得られる。 （もっと読む）

【課題】高いスループットが得られる現像装置を提供すること。
【解決手段】処理雰囲気を形成する気密な処理容器と、この処理容器内に搬入された基板の表面に現像液を結露させて液膜を形成するために、当該処理容器内に現像液のミストを供給する雰囲気ガス供給部と、前記液膜による現像を停止するために基板を乾燥する乾燥部と、を備えるように現像装置を構成する。現像液とレジストとの反応を停止させることができるので、洗浄モジュールによる洗浄処理と並行して現像処理を行うことができ、高いスループットが得られる。 （もっと読む）

【課題】低温の現像液を用いた現像処理を基板面内で均一に行い、基板上に所定のパターンを適切に形成する。
【解決手段】先ず、冷却装置において、１５℃に温度調節された冷却板に基板を載置して冷却する（ステップＳ１）。その後、現像装置において、３℃のリンス液を基板に供給して、基板を冷却する（ステップＳ２）。その後、基板上に３℃の現像液を供給し、基板上のレジスト膜を現像して当該レジスト膜にレジストパターンを形成する（ステップＳ３）。その後、基板上に３℃のリンス液を供給して、基板の表面を洗浄する（ステップＳ４）。その後、基板上に３℃の処理液を供給して、基板のレジストパターン上のリンス液の表面張力を低下させる（ステップＳ５）。 （もっと読む）

【課題】基板上に供給された処理液の逆流を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象となる基板Ｗはローラコンベア１０によって矢印ＦＷの基板進行方向に移動される。移動される基板Ｗの面上に液盛りノズル２０，３０によって現像液が隙間無く液盛りされて、現像処理が進行する。基板Ｗ上に液膜が形成されているときに、微差圧計４０が液盛りノズル２０よりも前方側に形成される前方側空間と後方側に形成される後方側空間との気圧差を検出する。制御部９０は、微差圧計４０の検出結果に基づいて、後方側空間が前方側空間よりも高圧となるように、ファンフィルタユニット５０から後方側空間に供給する空気の供給流量を制御する。液盛りノズル２０よりも後方側空間を前方側空間よりも高圧にすれば、現像液の逆流を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト上において現像液の液引きの生じない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にフォトレジストを塗布するフォトレジスト塗布工程と、塗布された前記フォトレジストに対して所定のパターンを露光する露光工程と、前記露光工程の後、前記基板を回転させることなく、前記基板上において現像液を供給するノズルを移動させながら、前記基板上の前記フォトレジストに現像液を供給し、前記フォトレジストの現像を行う現像工程と、を有し、前記露光工程における露光は、前記所定のパターンと、前記所定のパターンの他に前記所定のパターンの以外の領域に設けられたダミーパターンに対して行われることを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】微細なレジストパターンが形成された基板からリンス液を除去する際にパターン倒れを防止でき、また、疎水化剤の使用量を低減し、基板処理を行う際の処理コストを低減できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】レジストパターンが形成された基板にリンス液を供給するリンス液供給工程Ｓ１２と、レジストパターンを疎水化する第１の処理液の蒸気を含む雰囲気で、リンス液が供給された基板からリンス液を除去するリンス液除去工程Ｓ１４〜Ｓ１６とを有する。 （もっと読む）

【課題】液浸保護膜、又は撥水性レジストを含め、広範な種類の膜が成膜された基板を露光し、現像する場合にも、基板表面内でのＣＤ値の均一性を向上させることができ、処理時間を短縮することができる現像処理方法を提供する。
【解決手段】表面にレジストが塗布され露光された後の基板を回転させながら現像処理する現像処理方法において、基板Ｗの上方に配置された現像液ノズル４ｂを基板Ｗの中心側から外周側へ移動させ、現像液ノズル４ｂから基板Ｗの表面に現像液Ｄを供給する現像液供給ステップと、基板Ｗの上方に配置された第１のリンス液ノズル４ｃを基板Ｗの中心側から外周側へ移動させ、第１のリンス液ノズル４ｃから基板Ｗの表面に第１のリンス液Ｒを供給する第１のリンス液供給ステップとを有し、第１のリンス液ノズル４ｃが現像液ノズル４ｂよりも基板Ｗの中心側に配置された状態を保ったまま、第１のリンス液供給ステップを現像液供給ステップと同時に行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】水置換工程における現像液から水洗水への水置換の際に、水洗槽に混入した現像液の成分が、循環して基板に汚れを発生させない現像装置を提供する。
【解決手段】水置換工程の水置換槽Ｓ４へ水洗水を供給する循環タンクＳＴ１に、循環タンク内の水洗水の現像液成分による汚染度を計測する測定器４０を備え、測定器で計測された汚染度が予め設定された公差外となった際に、循環タンク内の水洗水の排水Ｄ３及び循環タンク内へ水洗槽から回収された水洗水の補充を行い、汚染度を公差内に調整する。現像液成分による汚染度として水洗水の導電率を用いる。循環タンクとして２基の循環タンクを並列に設け、一方の循環タンク内の水洗水の汚染度が公差外となった際に、他方の循環タンクに切り換えること。 （もっと読む）

【課題】好適にレジスト膜を現像することの出来るレジスト膜現像方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光した後、現像液を用いて現像を行なうレジスト膜現像方法において、第１の現像液がレジスト膜に接する第１現像工程と、第２の現像液がレジスト膜に接する第２現像工程と、を備え、前記第２の現像液は、前記第１の現像液と比較して低濃度の現像液であることを特徴とするレジスト膜現像方法である。 （もっと読む）

【課題】現像時に、処理液をミスト状に発生させてレジスト膜の現像を行うために、スプレー現像のような現像液の液滴によるレジストへのインパクト（衝撃）や、パドル現像のような基板に盛った現像液を振り切る際の現像液との摩擦によるパターン倒壊がなく、良好なレジスト膜のパターンを形成するパターン形成方法及びパターン形成装置を提供する。
【解決手段】フォトマスクまたは半導体製造の微細加工におけるレジストのパターン形成方法において、現像液及び処理液をミスト状に発生させてレジストのパターン形成を行うことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】純水の表面張力を低減することにより、微細パターン倒れを防止する基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】制御部５９は、処理槽１に疎水化溶液を供給させて、処理槽１内の純水を置換させるとともに、疎水化溶液により基板Ｗの改質処理を行わせる。改質処理により基板Ｗの表面全体が疎水化される。制御部５９は、純水を処理槽１に供給させて基板Ｗをリンス処理させた後、保持機構３９を上方位置に移動させるが、基板Ｗは疎水化されているので、純水の液残りを少なくすることができるともに、純水により基板Ｗの微細パターンにかかる表面張力を非常に小さくできる。したがって、純水から上方へ基板Ｗを持ち上げても、基板Ｗの微細パターンが純水の表面張力により受ける力を低減でき、基板Ｗの微細パターンが倒れるのを防止できる。 （もっと読む）