【課題】液浸リソグラフィにおいて、バリア膜とレジスト膜との接触が原因で発生したパーティクルが存在すると、レジストの現像が阻害され、レジストが均質に現像されなくなる。また、現像後に、レジスト膜の溶け残りがあると、結果的にパターンの形状が不良となる。
【解決手段】バリア膜形成用材料に、アルカリ可溶性ポリマーの他に、複数個のカルボキシル基を持つ多価カルボン酸化合物又は多価アルコール化合物を添加する。その結果、多価カルボン酸化合物又は多価アルコール化合物がレジスト膜表面に付着し、レジスト膜表面に付着していたパーティクルはバリア膜を除去する際に取り除かれる。また、現像と同時にバリア膜を除去する際には、レジスト膜が溶け残ることを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】液切りローラやエアーを用いることなく、処理液を供給する装置から処理液の持ち出し量を抑制することを目的とする。
【解決手段】基板Ｗの表面ＷＳに対して現像液を供給して表面処理を行う現像装置２０は、現像装置２０の内部で基板Ｗを水平方向に搬送させる搬送ローラ４０と、搬送ローラ４０により搬送される基板Ｗの全面に対して現像液を供給するシャワー５０と、現像装置２０の搬出口４２近傍に配置され、基板Ｗに対して斜め上方から基板Ｗの搬送方向の反対方向に向かって現像液を噴射することにより、基板Ｗの表面ＷＳに溜まった液溜まりを除去するスリットノズル６０と、を有している。現像液の押し出しにスリットノズル６０からの現像液を用いているため、乾燥によってムラが生じることはなく、メンテナンス作業も必要とならない。 （もっと読む）

【課題】解像度以下の線幅の形成が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】受ける光量が小さい順に低光量、中間光量、高光量とした場合、低光量及び高光量の露光で現像液に対して不溶（可溶）となり、中間光量の露光で現像液に対して可溶（不溶）となるレジストに対して露光及び現像を行い、レジストにおいて中間光量の露光を受けた部分のみを除去する（残す）。 （もっと読む）

【課題】基板に供給された現像液のうちレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液を基板から除去することができる基板現像方法と現像装置と基板処理装置を提供する。
【解決手段】現像液に引き続いて洗浄液を基板に供給し（ステップＳ１、Ｓ２）、続いて、基板を回転させて洗浄液を基板から振り切りつつ乾燥させる（ステップＳ３）。基板上の洗浄液が蒸発するのに伴い、レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液を表面上に移動させることができる。続いて、移動後洗浄処理を行うことで、回転処理で移動した現像液を洗い流すことができる（ステップＳ４）。このようにレジスト膜にしみ込んだ現像液を基板から除去することができるので、現像後の基板上に現像液が残る現像液残りを抑制することができる。したがって、現像欠陥の発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】現像液が基板上に残ることを抑制することができる基板現像方法および現像装置を提供する。
【解決手段】基板に現像液を供給し（ステップＳ１）、現像液が供給された基板にリンス液を供給して現像液を洗い流し（ステップＳ２）、第１の回転乾燥を行う（ステップＳ３）。このように基板上の現像液は微量してから、ＣＯ_２溶解液を基板に供給する（ステップＳ４）。基板上の微量の現像液はＣＯ_２溶解液と中和する。この中和反応によって生成された生成物（塩）はＣＯ_２溶解液に容易に溶解するので、ＣＯ_２溶解液とともに効率よく洗い流される。したがって、基板上に現像液が残ることを抑制することができる。この結果、現像液残りによる現像欠陥の発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ＲＥＬＡＣＳ技術を用いてレジストパターンの寸法を縮小する際に、レジストパターンの欠陥を低減する。
【解決手段】ウェハＷのレジストパターン上にレジストパターン寸法縮小剤を塗布する。その後ウェハＷを加熱し、レジストパターンの表面に接するレジストパターン寸法縮小剤の下層部分を純水に対する不溶性に変質させる。その後レジストパターン寸法縮小剤の上層部分を除去液により除去する。この除去工程では、先ずウェハＷを静止した状態でウェハＷ上に純水の液膜Ｄを形成して、純水の液膜Ｄによりレジストパターン寸法縮小剤Ｂの上層部分を溶解する。その後ウェハＷを回転させた状態でウェハＷに純水Ｅを供給して、レジストパターン寸法縮小剤の上層部分をウェハＷ上から除去する。その後純水Ｅが吐出された乾燥用ノズル１８２をウェハＷの中心部から外周部に移動させ、ウェハＷを回転させてウェハＷを乾燥する。 （もっと読む）

【課題】基板に対して衝撃やダメージを与えることなく、大流量の処理液を供給（吐出）することができ、かつ、処理液の供給（吐出）停止時には、ノズルからの液ダレやボタ落ちを防止できるようにする。
【解決手段】回転基台にて保持されるガラス基板Ｇに処理液であるリンス液を供給する処理液供給装置において、リンス液供給源３４に接続される供給管路３５の先端部に装着されるノズル３３に、供給管路に連通する流通路３６を設け、このノズルの流通路内に、供給管路から導かれるリンス液の流れ方向に対して直交する断面領域において液保持力を有する、例えばメッシュ部材４０ａ，４０ｂ，４０ｃからなる液保持部材４０を設ける。これにより、ガラス基板に対して衝撃やダメージを与えることなく、大流量の処理液を供給（吐出）することができ、かつ、供給（吐出）の停止時には、ノズルからの液ダレやボタ落ちを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】気圧の変動に起因して生じるパターンの線幅の寸法の誤差を補正して、高精度の現像を行なうことができる現像装置および現像方法を提供する。
【解決手段】現像装置に気圧計測部１０１を設け、制御部１０６が複数の気圧下において生じるパターンの線幅の寸法との誤差を計測した気圧との相関関係情報を基に、現像液射出部１０４がノズル１０３から射出する現像液１０５の射出圧を気圧に応じて制御する。これにより、気圧の変動に起因する誤差を補正して、高精度の現像を行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】レジスト感度むら等によって生じる寸法変動量を補正したパターン形成方法を提供する。
【解決手段】一態様のパターン形成方法は、Ｃｒ膜上に所定の膜厚のレジスト膜が塗布された基板を第１の時間現像処理する事前現像工程Ｓ１０２と、第１の時間現像後のレジスト膜の膜厚を測定する膜厚測定工程Ｓ１０４と、減膜量に基づいて寸法を補正した所定のパターンを描画する描画工程Ｓ１０６と、描画後に、現像処理する現像工程Ｓ１０８と、現像後のレジスト膜をマスクとして、被エッチング膜をエッチングするエッチング工程Ｓ１１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】良好な微細パターンを形成することのできるレジストパターン形成方法と、これを用いた半導体装置の製造方法とを提供する。
【解決手段】半導体基板１０３の上に、酸を供給し得る第１のレジストパターン１０１ａを形成した後、第１のレジストパターンの上に第２のレジスト１０２を形成する。次に、第１のレジストパターンに接する第２のレジストの界面部分に架橋層１０４を形成する。その後、第２のレジストの非架橋部分を除去して、第２のレジストパターンを形成する。第２のレジストパターン１０２ａを形成する工程は、水で現像する第１の現像工程と、第１の現像工程の後に、第２のレジストに対する溶解性が水より高い溶液で現像する第２の現像工程と、第２の現像工程の後に水でリンスする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】無機現像液を吐出する現像ノズルにおいて、現像液の乾燥による目詰まり等の不具合を抑える。
【解決手段】現像ノズル６に、キャニスタータンク１３と現像液供給用バルブ１９とからなる現像液ライン２４と、純水源８Ｂと純水洗浄用バルブ１８Ｂとを含む純水ライン２５Ａとが接続されている。現像ノズル６の待機位置である現像ノズルバス７内にはノズル外部洗浄用ノズル２３が配置され、純水洗浄用バルブ１８Ａとマニホールド２２を介して純水源８Ｂに接続されている。現像終了後に現像ノズルバス７に戻った現像ノズル６に、純水ライン２５Ａからの純水を供給してノズル孔２０から吐出させることにより、現像ノズル６の内面を純水で洗浄するとともに、ノズル外部洗浄用ノズル２３から純水を噴射することにより、現像ノズル６の外面と現像ノズルバス７の内面を純水で洗浄する。 （もっと読む）

【課題】均一な現像処理を行なうことができる現像装置および現像方法を提供することである。
【解決手段】現像液吐出ノズル１１のノズル本体部１６は平面状の底面１７を有する。ノズル本体部１６には、鉛直下向きに延びかつ底面１７で開口するスリット状吐出口１５が設けられる。現像処理時に基板１００を基板保持部により静止状態で保持する。現像液吐出ノズル１１を基板１００外の一方側の位置から基板１００上を通過して基板１００外の他方側の位置へ直線状に移動させつつ現像液を基板１００上に供給する。この場合、基板の表面に対して現像液吐出ノズル１１の底面１７が平行な状態を保ち基板の表面と現像液吐出ノズル１１の底面１７との間に互いに平行な平面で挟まれた空間が形成されるように現像液吐出ノズル１１を基板に対して相対的に移動させる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面周縁領域のうち処理領域に薬液を供給して当該処理領域の不要物をエッチング除去する基板処理方法および基板処理装置において、当該エッチング除去により表面周縁領域に形成される処理領域と非処理領域の界面を良好なものとする。
【解決手段】基板Ｗの表面周縁領域（＝ＮＴＲ２＋ＴＲ）のうち非処理領域ＮＴＲ２にリンス液を供給して表面周縁領域をリンス液で覆った状態で処理領域ＴＲに薬液が供給されて当該処理領域ＴＲの不要物（薄膜ＴＦ）がエッチング除去されて当該表面周縁領域に処理領域ＴＲと非処理領域ＮＴＲ２の界面が形成される。このように表面周縁領域全体をリンス液で覆いながらエッチング除去を行っているので、非処理領域ＮＴＲ２側への薬液付着やリンス不良を防止することができ、表面周縁領域に処理領域とＴＲ非処理領域ＮＴＲ２の界面を良好に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】露光装置および波長による限界を超える微細パターンの形成が可能なレジストパターン縮小化材料およびそれを使用する微細レジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトレジスト膜を露光および現像することによって形成されるレジストパターン上に塗布し、該レジストパターンを熱処理後現像することで微細化させるための材料であって、該レジストパターン縮小化材料は、孔径４０ｎｍ以下のフィルターで濾過された炭素数１〜１２の直鎖状もしくは分岐状アルキル基のアルコールを含む液体であり、さらに界面活性剤および／または水を含有する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の洗浄処理において、洗浄処理後の基板への異物の再付着を防止し、効果的に洗浄処理を行うと共に、スループット向上及び低コスト化を実現することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】洗浄液を用いて被処理基板Ｇの洗浄処理を行う基板処理装置１０において、被処理基板Ｇを仰向けの姿勢で搬送する搬送路３２を形成し、搬送路３２により基板Ｇを搬送する搬送手段１１１と、搬送される基板Ｇの上面に洗浄液を供給する洗浄ノズル１１４，１１６とを備え、搬送路３２は、基板Ｇを水平状態で搬送する水平部と、前記水平部から所定角度の上り傾斜を形成する傾斜部８０ａ、８１ａとを有し、洗浄ノズル１１４，１１６は、傾斜部８０ａ、８１ａの上方に配置され、洗浄液の吐出方向が、水平方向に対し下方に所定角度傾斜した方向かつ搬送路３２の上流方向になされ、傾斜部８０ａ、８１ａ上を搬送される基板Ｇの傾斜面に対し洗浄液を吐出する。 （もっと読む）

【課題】被処理体上の処理範囲内に液体を当接させる処理装置を提供する。
【解決手段】
本発明の処理装置は、液体を供給する供給手段と、上記供給手段より供給された液体を被処理体に当接させるとともに、該液体の拡散を防止して、上記被処理体を処理する被処理体処理手段（３）と、上記被処理体処理手段に供給された液体を回収する回収手段と、上記被処理体処理手段を上記被処理体と非接触に保持する保持手段（４）と、を備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ上に形成された微細構造体のパターンを崩壊させることなく乾燥処理を行えるようにした、微細構造体の処理方法と処理装置、及び微細構造体を提供する。
【解決手段】湿式処理装置２によって処理された微細構造体の表面の微細構造部を、超臨界二酸化炭素の臨界圧力以上の環境下における融点が３１℃以上である、置換媒体である固体物質による保護膜で被覆する工程と、微細構造体の表面の保護膜である固体物質を超臨界二酸化炭素で溶解除去して、微細構造体を乾燥する工程とを有する処理方法により、微細構造体を処理する。 （もっと読む）

【課題】エッチングの際の加工形状制御が容易となるハーフトーンマスク及びこれを用いたパターン基板の製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかるハーフトーンマスクは、中間階調領域を形成する半透明膜パターン２１、２２、２３と、半透明膜パターン２１、２２、２３の外周全てに配置される遮光膜パターン３１、３２とを有する。また、本発明にかかるパターン基板の製造方法は、ハーフトーンマスクによってレジストを露光する工程と、レジストを現像し、膜厚差を有するレジストパターン８１、８２、８３を形成する工程と、レジストパターン８１、８２、８３を介して基板上の膜６、７をエッチングする工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板を洗浄するにあたって、リンス液の必要供給量を減少させ、レジスト膜の現像欠陥の除去効率を向上させる。
【解決手段】ウェハＷを回転数３８０〜１０００ｒｐｍで回転させながら、リンス液供給ノズル４０からウェハＷの中心部に、リンス液Ｒを供給流量８０〜５００ｍｌ／ｍｉｎで１秒間吐出する。その後、リンス液Ｒの吐出を１秒間停止する。その後再び、ウェハＷの中心部に、リンス液Ｒを供給流量８０〜５００ｍｌ／ｍｉｎで１秒間吐出する。このようなリンス液Ｒの間欠的な吐出、及び停止が１５秒間行われる。リンス液ＲがウェハＷ上を拡散することで、ウェハＷ上のレジスト膜の現像欠陥を除去する。 （もっと読む）

【解決手段】下記一般式（１ａ）及び（１ｂ）で表される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物。


（Ｒ^1a及びＲ^1bはＨ、Ｆ、アルキル基又はフッ素化アルキル基。Ｒ^2a、Ｒ^2b、Ｒ^3a及びＲ^3bはＨ、アルキル基又はフッ素化アルキル基。Ｒ^2aとＲ^2b、Ｒ^3aとＲ^3bはそれぞれ結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、その場合、環を形成するＲ^2a、Ｒ^2b、Ｒ^3a及びＲ^3bはアルキレン基又はフッ素化アルキレン基。０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１、ａ＋ｂ＝１。ｎは１〜４の整数。）
【効果】本発明のレジスト保護膜材料は撥水性及び滑水性に優れ、ＡｒＦ液浸リソグラフィーにおいて水の浸透やレジスト中の添加物の染み出し防止の点で優れた性能を発揮する。また、本発明のレジスト保護膜はアルカリ溶解性であるため、現像工程時に保護膜の剥離を行うことができる。 （もっと読む）