【課題】露光装置において基板に付着した液体による動作不良および処理不良が防止された基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの洗浄後、基板Ｗの一面を覆うようにリンス液の液層Ｌが形成される。続いて、液供給ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方から外方に向かって移動する。液供給ノズル６５０は、基板Ｗの中心部上方から所定距離移動した時点で一旦停止する。この期間に、遠心力により液層Ｌが薄層領域内で分断され、液層Ｌの中心部に乾燥コアＣが形成される。その後、液供給ノズル６５０が再び外方に向かって移動することにより、乾燥コアＣを始点としてリンス液が存在しない乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上で拡大する。 （もっと読む）

【課題】 有機ポリマー樹脂を基板上にパターン加工、硬化を行った後、得られたパターンを構成する有機ポリマー樹脂の一部を化学反応によって気化した後、簡便な方法で有機ポリマー中に含まれる不純物を低減する方法を提供する。
【解決手段】 基板上にパターン加工、硬化した有機ポリマー樹脂の一部を化学反応によって気化した後、下記（１）〜（３）のいずれかの処理を行うことによって、有機ポリマー樹脂中に含まれる不純物を低減することを特徴とする不純物の低減方法である。
（１）１００℃以上の温度で加熱処理を行う。
（２）塩基性水溶液で洗浄する。
（３）酸系水溶液で洗浄する。 （もっと読む）

【課題】現像処理後の基板を確実に乾燥させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】リンス液によって基板Ｗの上の現像液が洗い流された後、基板Ｗの回転速度が低下し、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。その後、基板Ｗの回転速度が上昇する。基板Ｗの回転速度の上昇により、遠心力が張力よりもやや大きくなることにより、液層Ｌは、周縁部の厚みが厚くなるとともに中心部の厚みが薄くなった状態で基板Ｗ上に保持される。続いて、ガス供給ノズル７５から液層Ｌの中心部に向けてガスが吐出され、液層Ｌの中心部にホールＨが形成される。それにより、液層Ｌの周縁部に働く遠心力に釣り合う張力が消滅する。また、ガスの吐出とともに基板Ｗの回転速度がさらに上昇する。それにより、液層Ｌが基板Ｗの外方に向かって移動する。 （もっと読む）

【課題】 基板現像工程を行うための装置が開示される。
【解決手段】 基板を支持するための基板支持部の互いに向い合う両側には現像ノズルを洗浄するための第１洗浄タンクと第２洗浄タンクを配置することができる。前記現像ノズルは前記第１洗浄タンクから前記第２洗浄タンクに向う水平方向に移動することができ、前記基板の上部面上に現像液を供給することができる。前記現像液を供給した後、前記現像ノズルは、前記第２洗浄タンクに収容されることが可能であり、前記現像ノズルについている現像液は前記第２洗浄タンク内で洗浄液によって除去することができる。 （もっと読む）

【課題】ラインエッジラフネスが低減され、更に寸法均一性も高いパターンが形成する方法、該方法に用いられる樹脂組成物及び該方法に用いられる現像液を提供する。
【解決手段】脂環式炭化水素構造を有し、分散度が１．７以下であり、かつ酸の作用により極性が増大する樹脂を含有する、活性光線又は放射線の照射により、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、レジスト組成物を塗布する工程、露光工程、および、ネガ型現像液を用いて現像する工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法、該方法に用いられるレジスト組成物及び該方法に用いられる現像液及びリンス液。 （もっと読む）

【課題】レジストが塗布され、露光された後の基板を現像するにあたり、安定して基板に現像液を供給すること。
【解決手段】基板保持部を各々備えた複数の現像処理部と、これら複数の現像処理部に共通に設けられ、前記基板保持部に保持された基板の表面に現像液を帯状に供給するための第１の現像液ノズルと、各現像処理部にて第１の現像液ノズルから吐出された現像液の帯状領域の一端側が基板の中央に向いた状態で、基板の表面全体に現像液の液膜を形成するため、現像液の供給位置を基板の表面における中央部及び周縁部の一方から他方に移動するように第１の現像液ノズルを移動させる駆動機構と、第１の現像液ノズルにより現像液の液膜が形成された基板の中心部に、円形状または前記帯状領域よりも長さが短い帯状に現像液を供給する第２の現像液ノズルと、を備える現像装置を構成し、工程に応じてノズルを使い分ける。 （もっと読む）

【課題】レジストが塗布され、露光された後の基板を現像するにあたり、安定して基板に現像液を供給すること。
【解決手段】基板を保持する基板保持部を介して前記基板を鉛直軸の周りに回転させながら、第１の現像液ノズルから現像液を帯状にかつその帯状領域の一端側が基板の中央に向くように基板の表面における中央部及び周縁部の一方に供給し、現像液の供給位置を移動させることにより、基板の表面に現像液の液膜を形成する工程と、前記現像液の液膜の乾燥を防止するために、第２の現像液ノズルから前記基板の中心部に円形状または第１の現像液ノズルから供給される現像液よりも長さが短い帯状に現像液を供給すると共に前記基板保持部を介して基板を鉛直軸の周りに回転させて、その現像液を遠心力により基板の周縁部に展伸させる工程と、を実施して、処理に応じて現像液ノズルを使い分ける。 （もっと読む）

【課題】基板を現像するにあたり、レジストパターンの形状のばらつきや現像欠陥を抑えることができる現像方法及び現像装置を提供すること。
【解決手段】表面にレジストが塗布され、露光された後の基板の中心部に現像液の濡れ性を高めるために現像能力の無い表面処理液を供給する工程と、前記基板を鉛直軸周りに回転させて、遠心力によりこの表面処理液を基板の周縁部へ展伸させて基板表面に表面処理液の液膜を形成する第１のプリウエット工程と、前記液膜の形成後、基板を鉛直軸回りに回転させながら、基板の中心部に現像液を供給し、遠心力によりこの現像液を基板の周縁部へ展伸させて基板表面に現像液の液膜を形成する第２のプリウエット工程と、行うことでその後に供給される現像液を基板全体に行き渡らせる。 （もっと読む）

【課題】 隙間を液シールで気密化することにより、カップ内の排気効率を高めて基板を清浄度高く処理することができる。
【解決手段】 液盛り後、所定時間が経過すると、上部カップ３５を「処理位置」に移動させると、下部かぎ状片４３の凹部４３ｂに、上部かぎ状片３１の垂下部材２９が僅かな隙間をおいてはまり込む。しかし、凹部４３ｂには純水が貯留して液シールを構成しているので、上部カップ３５の側方から外気が侵入するのを防止することができる。また、純水は凹部４３ｂに溜まるように構成してあるので、純水が容易に漏れ出すことがなく、長時間にわたり液シールを維持することができる。 （もっと読む）

【課題】長時間を要する処理が含まれている場合であっても処理能力の低下を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、露光後の基板Ｗの現像処理を行う現像処理部４１と洗浄処理部３１とを備える。現像処理部４１での処理時間が予め設定されている基準時間よりも短い場合には、現像処理の全行程を現像処理部４１にて実行する。一方、現像処理部４１での処理時間が基準時間よりも長い場合には、現像処理を前工程と後工程とに分割し、前工程を含む処理を現像処理部４１にて行うとともに、後工程を含む処理を洗浄処理部３１にて実行する。現像処理に長時間を要するケースであったとしても、現像処理を分割することによって基板処理装置１全体としての処理能力の低下を防止することができる。 （もっと読む）

【目的】現像段階で、寸法変動量が生じたとしてもその変動量が毎回同等になるようにする現像装置及び方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の現像装置１００は、現像対象となる基板２００を載置する回転テーブル１１０と、現像液１５２を供給する現像液タンク１０２と、基板２００の現像処理毎に現像液タンク１０２から一定量の現像液の供給を受け、供給された現像液を蓄える中継タンク１０４と、中継タンク１０４に蓄えられた現像液１５４を基板２００上に噴霧する噴出口１０８と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、現像に起因する寸法変動量を毎回同等とすることができる。 （もっと読む）

【課題】一定温度の塗布液を一気に且つ大量に塗布できる塗布液供給システムを提供する。
【解決手段】第２の循環経路３のポンプ８は常時駆動し、タンク１内の現像液の温度を一定に維持している。この状態で、第１の循環経路２のポンプ４を駆動し、ポンプ４で汲み出した現像液をスリットノズル６まで送り込む。このとき開閉弁７を閉じておくと、スリットノズル６内に供給された現像液はスリット状吐出口６ｄからカーテン状になって下方に流下し、被処理基板Ｗの表面に供給される。 （もっと読む）

【課題】複数の現像槽２０中を搬送しながら連続して現像し、続く水洗にてガラス基板１１の先端部と後端部との間で殆ど時間差なく現像を停止した際に発生する、ガラス基板の長さ方向の線幅のバラツキを縮小するアルカリ現像方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に噴射するアルカリ現像液のｐＨ値を、複数の連続した現像槽の中央部の現像槽で最大値にし、搬入装置に隣接する先端部の現像槽及び搬出装置に隣接する後端部の現像槽に向かって、中性値に近づくよう段階的に漸減させること。 （もっと読む）

【課題】薬液から微細なパーティクルを除去する。
【解決手段】第１のベローズポンプ２Ａと第２のベローズポンプ２Ｂから塗布ユニット９に薬液を交互に連続して供給する。一方のベローズポンプ２Ａ（２Ｂ）から薬液を供給している間、他方のベローズポンプ２Ｂ（２Ａ）では、薬液室Ｂ１への薬液の補給を行い、次いで当該薬液室Ｂ１の薬液を循環路８１に循環させて、薬液をフィルタ８３に繰り返し通過させる。フィルタ８３では薬液を繰り返し通過させるうちに、微細なパーティクルがフィルタ８３に分子間力で付着していき、徐々に微細なパーティクルが除去される。 （もっと読む）

【課題】多種類の処理ユニットを複数台ずつ有する塗布現像処理装置において、最終的なウェハの線幅を十分に制御できるようにする。
【解決手段】塗布現像処理装置１において、フォトリソグラフィー処理を行う際にウェハが順に搬送される処理ユニットの組み合わせを限定して、ウェハの搬送順路を限定する。ウェハの搬送順路は、線幅補正を行う露光後ベークユニットの台数と同数に限定され、当該各搬送順路毎に、使用される露光後ベークユニットが異なるようにする。ウェハの搬送順路毎に、露光後ベークユニットの加熱温度を補正して、線幅を制御する。 （もっと読む）

【課題】洗浄対象の膜の材料にかかわらず簡易に高い洗浄効果を得ることが可能な基板処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】被処理基板１の表面上に洗浄液を供給しながら回転させることで乾燥させる基板処理方法であって、回転中の被処理基板の表面上に洗浄液を供給する洗浄液供給位置を被処理基板上で移動させる際に、被処理基板の表面上の少なくとも一部の領域において、被処理基板の表面上における所定の箇所における水位を計測し、計測された水位に基づいて、洗浄液を供給する位置を移動させるときの洗浄液供給位置の移動速度又は被処理基板の回転速度、あるいは洗浄液供給位置の移動速度及び被処理基板の回転速度を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ウェハのフォトリソグラフィー工程において、レジスト膜の下層に形成された反射防止膜を、レジスト膜に影響を与えないように除去する。
【解決手段】 ウェハＷのフォトリソグラフィー工程において、現像液に溶解性を有する反射防止膜Ｂを形成し、その後レジスト膜Ｒを形成する。露光処理後の現像処理の際に、現像液Ｈ１をウェハＷ上に供給し、レジスト膜Ｒを現像する。レジスト膜Ｒの現像が終了した時点で、ウェハＷ上に現像液Ｈ１よりも濃度が低い現像液Ｈ２を供給する。この現像液Ｈ２の供給によって反射防止膜Ｂのみを溶解させ、除去する。 （もっと読む）

【課題】パターン幅の微細化、パターンの３次元化が可能なパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン形成方法は、現像処理により意図的にレジストパターンを倒壊させることを特徴とする。本発明の構成によれば、レジストパターンの間隔と、レジストパターンの厚みを適宜選択することにより、単一のリソグラフィ工程で、３次元的な高さを持った微細パターンや、露光光の解像限界以下のパターン幅を持った微細パターンを形成することが出来る。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられるレジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるリンス液を提供する。
【解決手段】（ア）特定繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、レジスト組成物を塗布する工程、（イ）露光工程、及び（エ）ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられるレジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるリンス液。 （もっと読む）

【課題】ノズル部材に付着した処理液が基板上に滴下するのを防止する。
【解決手段】基板処理装置１は、搬送中の基板Ｓの上面に、その搬送方向上流側から下流側に向かって斜め方向にリンス液を吐出する液ナイフ１６と、この液ナイフ１６に向けてエアを噴射するエアノズル３２を有する気体噴射手段とを有する。そして、コントローラ４０による制御に基づき、液ナイフ１６の下方に基板Ｓが存在しないときに、前記エアノズル３２から液ナイフ１６に対してエアが吹き付けられるように構成されている。 （もっと読む）