【課題】
基板の変形を抑えながら現像液の洗浄を十分に行うことができる現像方法及び現像装置を提供すること。
【解決手段】
矩形基板を回転可能に保持しつつ上下動可能に構成された保持手段と、前記保持手段により保持された矩形基板が下降されたときに当該矩形基板の裏面に当接して支持する位置に配置された複数の支持ピンと、前記保持手段により保持された矩形基板が上昇され回転されたときに当該矩形基板の表面に第１の圧力で現像液を吐出する現像液ノズルと、前記保持手段により保持された矩形基板が下降されて当該矩形基板の裏面が支持ピンにより支持され、且つ、当該矩形基板が回転されないで静止状態にあるときに当該矩形基板の表面に第１の圧力よりも大きい第２の圧力で洗浄液を吐出する洗浄液ノズルとを具備する。 （もっと読む）

半導体プロセスでは、ウエハ上に形成される構造物の限界寸法は、ウエハ上に設けられた膜上部での現像ツールを用いた第１現像フォトレジストによって制御される。フォトレジストの現像は、現像温度及び現像時間の長さを含む現像プロセス変数の関数である。前記フォトレジストの現像後、１工程以上のエッチング工程が、ウエハ上に設けられた膜上で、エッチングツールを用いて実行される。前記１工程以上のエッチング工程の実行後、ウエハ上の複数の場所における構造物の限界寸法が、光学計測ツールを用いて測定される。前記限界寸法の測定後、１つ以上の現像ツール処理変数が、ウエハ上の複数の場所で測定された構造物の限界寸法に基づいて調節される。
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【課題】 所定パターンが容易かつ精度良く得られる電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板の現像装置及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板の現像装置及び電気光学装置の製造方法において、電気光学装置用基板の基板上に、感光性材料を積層して樹脂層を形成する工程と、樹脂層に対して、フォトマスクを介して、パターン露光を実施する工程と、樹脂層に対して、現像液を膜状に連続的に供給しながら、所定パターンを形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 リンス液によるリンス処理に伴うウォーターマークの発生を防止する。
【解決手段】 ミキシングユニット５２ｂ，７２ｂはそれぞれ塩酸供給源５２ａ，７２ａに接続されており、純水供給部２００から供給される純水に対して希塩酸を混合可能となっている。そして、混合させる希塩酸の流量を制御することで混合液のｐＨが５以下に調整される。ミキシングユニット５２ｂ，７２ｂとミキシングユニット５５，７７の間にはそれぞれ窒素溶解ユニット５８，７８が配設されており、混合液を窒素溶解ユニット５８，７８に送り込むことで窒素豊富な流体が生成される。ミキシングユニット５５，７７はそれぞれノズル６，２５に接続されており、ノズル６，２５からｐＨが５以下に低下した窒素豊富な流体がリンス液として基板Ｗに供給される。このため、基板ＷからのＳｉの溶出が低減され、リンス処理に伴うウォーターマークの発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】パターンの変形が抑制された状態で、液処理に引き続いて超臨界処理を行うことによる乾燥処理ができるようにする。
【解決手段】移送トレー１０３を副処理槽１０２より引き上げ、移送トレー１０３に洗浄水１０４が収容され、洗浄水１０４の中に基板１１１が浸漬された状態とする。次に、移送トレー１０３中に、イソプロピルアルコールを導入し、移送トレー１０３中に収容されていた洗浄水１０４をイソプロピルアルコールに置換し、移送トレー１０３にイソプロピルアルコール１０５が収容され、イソプロピルアルコール１０５の中に基板１１１が浸漬された状態とする。次に、超臨界処理装置１０６の反応室内部に、移送トレー１０３が収容された状態とする。 （もっと読む）

ポリマーフィルムを有する対象物を乾燥するための方法（１０）であって、そこでは対象物がリンス液に浸されている。その対象物がリンス浴から取り出され（２０）、そして充分な量のリンス液が対象物から蒸発し得る前に、その対象物が溶剤浴に据えられる（２０）。溶剤浴中の溶剤の密度が、力に関してポリマーフィルムの向く方向に依存する。対象物が溶剤浴から取り出される（３０）。乾燥プロセスが実施される（４０）。
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【課題】 現像後の洗浄時にウェハを回転させないで高い洗浄能力を維持し，さらに洗浄液の消費量を抑える。
【解決手段】 現像処理装置３０に，チャック１２０に保持されたウェハＷ上を移動する帯電棒１７３が設けられる。ウェハＷに現像液が液盛りされ，所定時間が経過すると，帯電棒１７３が，現像液中の現像生成物と逆の電荷に帯電された状態で，ウェハＷ上の現像液中を移動する。このとき，現像液中の現像生成物が静電気により帯電棒１７３に捕集される。この結果，その後にウェハＷに対する洗浄液の供給を非回転で，少量の洗浄液で行っても，ウェハＷを十分に洗浄できる。 （もっと読む）

【課題】 表面にレジストが塗布され、露光された後の基板を回転させつつ現像液を供給するにあたり、基板上の現像液の液流を制御して面内均一性の高いパターンを基板上に形成すること
【解決手段】 基板保持部であるスピンチャック２に水平に保持された基板例えばウエハＷを鉛直軸回りに正転させると共に、この基板の表面と対向して設けられた当該基板の周縁から中央部側に伸びる帯状の吐出口４１を有する現像液ノズル４を基板の外側から中央部に向かって移動させつつ現像液をその表面に供給する。そして基板の表面に現像液が供給された後、当該基板を逆転させるように構成する。この場合、正転から逆転にすることで基板上の現像液の液流れのパターンが変るので、基板上のパターンの細部にまで現像液が行き届きやすくなる。その結果、現像後に面内均一性の高いパターンを得ることができる。
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【課題】 現像プロセス等に起因するパーティクル状の析出系欠陥の発生およびＣＤ変動ならびにＬＥＲの悪化を抑制し、かつ、パターン倒れを防止する現像処理方法を提供する。
【解決手段】 レジスト膜が所定のパターンで露光処理され、かつ、その後に所定の現像液で現像処理されたウエハＷに、所定の界面活性剤を含有する第１リンス液を供給してリンス処理を行い、次いでレジストパターンを硬化させるための架橋剤を含む薬液を供給し、ウエハＷの表面に所定の高エネルギー線を照射して、架橋剤と高エネルギー線の照射の相乗作用によってレジスト膜を硬化させる。その後、この薬液よりも比重が大きい不活性液体をウエハＷに供給し、レジスト膜がこの不活性液体に浸されるように、所定時間放置して不活性液体を沈降させ、その後にスピン乾燥を行う。 （もっと読む）

【課題】十分な保護機能を有する保護膜を用いることができ、しかも高価な廃液処理システムを用いる必要のないパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にレジスト膜１３を形成する工程と、レジスト膜上に保護膜１４を形成する工程と、保護膜と露光用レンズとの間に第１の液体を介在させた状態でレジスト膜を露光する工程と、レジスト膜を露光した後、保護膜を酸化性の第２の液体１８によって除去する工程と、保護膜を除去した後、レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 微細構造体の倒壊を防止するとともに、効率よく現像、洗浄またはエッチングをするための方法を提供する。
【解決手段】 本発明の微細構造体の製造方法は、リソグラフィにより基板上の樹脂層を露光し、露光後の樹脂層に現像液を供給して樹脂型を形成する工程を含み、供給する現像液にメガヘルツ帯域の振動を与えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】この発明は回転駆動される基板の周速度の異なる中心部と外周部とを超音波振動が付与されたな処理液によってほぼ均一に処理できる処理装置を提供することにある。
【解決手段】水平な状態で回転駆動される基板の上面を、超音波振動が付与された処理液によって処理する基板の処理装置であって、
回転する基板の上面の径方向中心部から周辺部にわたって処理液を供給する分岐路３５ａ〜３５ｃ、合流部３６、集合路３７及び拡散溝３８を有する本体３２と、本体に設けられ基板の上面に供給される処理液に超音波振動を付与するとともに、基板の回転中心部から周辺部にゆくにつれて増加する周速度の変化に応じて処理液に対する超音波振動の付与面積を増加させる振動子３４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】省スペースで処理能力の高い、しかも均一性の高い処理が可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板２０主表面が斜め上方を向くように傾斜させた状態で基板２０を所定範囲の傾斜角度に保持する基板保持手段と、傾斜させた状態の基板２０の少なくとも一辺方向に対して略均等に処理液を供給し、基板２０主表面の全域に処理液を満たす処理液供給手段と、上記基板２０と上記処理液供給手段とを相対的に移動させる移動手段とを備える。上記基板保持手段による水平方向に対する基板２０の傾斜角度（α）は２５〜８０度の範囲である。上記処理液供給手段は、基板２０の一辺方向に対して略均等に処理液を供給可能なノズル３０からなり、上記移動手段は、ノズル３０を前記一辺方向と直交する基板２０主表面上を移動させる手段である。 （もっと読む）

【課題】基板表面乾燥後に、パーティクルが基板表面に付着することを抑制し、歩留まりの向上を図る。
【解決手段】基板１０に薬液を供給して基板１０の被処理領域Ｒを薬液処理する基板処理方法であって、前記薬液を吐出する吐出口と前記基板上の溶液を吸引する吸引口とが下面に配置された薬液吐出／吸引ヘッド７０を被処理領域Ｒ上に配置する、前記薬液吐出／吸引ヘッド７０の吐出口から薬液を前記基板１０に対して連続的に吐出する、前記吐出時に前記吸引口にて基板１０上の前記溶液を連続的に吸引する、前記吸引時に、前記吸引部から吸引された前記溶液中に含まれるパーティクル数を測定する、前記被処理領域Ｒで吸引された溶液に含まれるパーティクル数の測定値が所定値以下の場合に前記薬液の吐出を停止する。 （もっと読む）

パターン形成されたウエハーからの水の除去をそのパターン構造の崩壊又は劣化を伴うことなく行う方法でパターン形成されたウエハーの乾燥が実現される。本発明の一態様では、超臨界流体と、水よりも超臨界流体の中に溶解性を示す反応生成物を形成するための、水と化学的に反応する少なくとも１種類の水反応性物質とを含有する組成物を用いて乾燥を行う。超臨界ＣＯ_２などの超臨界流体の（水の溶解度が低いという）欠陥を回避する、パターン形成されたウエハーを乾燥させるための超臨界流体の使用についての様々な方法が記載される。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の表面にさらに微細なパターンを形成することができる微細レジストパターン、微細パターンの形成方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板６上に、特定の元素を含む特定のガスに接触して特定の元素と結合し所定のエッチングガスに対する耐性が強化される性質を有するレジスト層９を形成する工程と、レジスト層９に第一の露光１０を行い、第一の露光領域９ｂと第一の非露光領域９ａとを形成する工程と、第一の露光領域９ｂに対して第二の露光１１を行い、第二の露光領域９ｃと第三の露光領域９ｄとを形成する工程と、レジスト層９を特定のガスにさらして第三の露光領域９ｄのみを特定の元素と結合させる工程と、第二の露光領域９ｃと第一の非露光領域９ａとをエッチングにより除去し第三の露光領域９ｅからなるレジストパターンを形成する工程とを備えた。 （もっと読む）