【課題】接合強度が高く、放熱特性および耐熱性にも優れる接合体を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体素子３０と、半導体素子３０を実装する回路層２０が形成された絶縁性を有するセラミックス基板１０と、を備え、半導体素子３０と回路層２０は、アルミニウムを主成分とし、ゲルマニウム、マグネシウム、珪素、銅からなる群より選択される少なくも１種類を含有するアルミニウム系ろう材６０により、真空中または不活性雰囲気中でろう付けすることにより接合されている。 （もっと読む）

【課題】放熱効果及び層間熱膨張係数の差から発生する反り現象を防止できるとともに、層間熱膨張係数の差による内部変形率の差から発生する内部クラックを防止できる半導体パッケージ基板を提供する。
【解決手段】ベース基板１１０と、ベース基板１１０の上部に実装される実装材１２０と、ベース基板１１０と実装材１２０との間に形成される接着層１４０と、を含み、接着層１４０は、熱伝導性接着剤１４１と、熱伝導性接着剤１４１の外周に形成される軟性接着剤１４３と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】余剰半田による半田ボールの発生を抑制しつつ、半導体チップ搭載精度のより高い半導体モジュールを実現する。
【解決手段】半導体チップをマウントする部品搭載領域の外周に沿って、前記部品搭載領域と比べ半田濡れ性の低い、あるいは半田が濡れない低半田濡れ性領域が形成され、前記低半田濡れ性領域の少なくとも一部に余剰半田を流出させるに十分な開口部として半田の濡れやすい領域を設けるように構成する。 （もっと読む）

【課題】回路上に半導体素子等の電子部品をはんだ接合する際において、回路上に塗布して焼成することで、表面が平滑なはんだ下地層を形成することが可能なはんだ下地層形成用ペーストを提供する。
【解決手段】回路上に電子部品をはんだ接合する際に用いられるはんだ下地層形成用ペーストであって、少なくとも、金属粉末と、樹脂と、を含み、ずり速度１０ｓ^−１でせん断を１分間加えた後に、応力を印加しない状態で歪量を測定した場合に、せん断を解放した時点での歪量を０として、せん断を解放してから２分経過後の歪量が−４０％以下となることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結合構造の製造に応じて、構成要素を取り付ける後続の処理のための基板が提供される。
【解決手段】開示の基板は、金属部分と、この金属部分にレーザ焼結された下板とを備える。金属部分は、下板の焼結温度より低い融点を有する。結合構造２０は、金属マトリックス複合材中のアルミニウム金属などの金属部分を有する構造部材２２を含む。下板である金属層２４が、構造部材２２上に配置される。金属層２４は、構造部材２２と、構造部材２２が結合材料２８を介して結合される別の構成要素２６との間に位置する。すなわち、金属層２４は、結合材料２８に関して下板になる。 （もっと読む）

【課題】第１金属薄膜層を有するＬＥＤチップを基板に接合するのに適したダイボンド方法を提供する。
【解決手段】本方法は、該基板の表面上に第２金属薄膜層を形成することと、該第２金属薄膜層上にダイボンド材層を形成することと、該第１金属薄膜層が該ダイボンド材層に接触した状態で、該ＬＥＤチップを該ダイボンド材層上に配置することと、該ダイボンド材層を液体‐固体反応温度で予備キュア時間、加熱して第１金属間化合物層と第２金属間化合物層とを形成することと、該ダイボンド材層を固体‐固体反応温度でキュア時間、加熱して固体‐固体反応を行わせることとを含む。該液体‐固体反応温度と該固体‐固体反応温度は両方とも１１０℃未満で、該固体‐固体反応後の該第１と該第２金属間化合物層の融点は２００℃より高い。 （もっと読む）

【課題】鉛を用いることなく、微細な接合部分であっても好適に銅同士の接合が可能であり、接合箇所が良好な機械特性を有する接合方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子素子の実装方法は、銅電極１ａおよび銅電極１ｂにスズ薄層２を形成するスズ薄層形成工程を行なった後、銅電極１ａおよび銅電極１ｂに形成されたスズ薄層２同士を接触させ、スズの溶融および銅のスズへの溶解が可能な温度において加熱および加圧を行なう加熱工程を行なうことにより、銅電極１ａよび銅電極１ｂの銅をスズ薄層２中のスズへ溶解させ、スズ薄層２中のスズと銅電極１ａおよび銅電極１ｂの銅との相互拡散により銅電極１ａおよび銅電極１ｂとを電気的に接合する方法である。 （もっと読む）

【課題】集積回路素子裏面の電位を基準電位に保ちながら、フレキシブルプリント配線板の面積の増大を抑制できる集積回路を提供すること。
【解決手段】集積回路１は、配線パターン４を有するフレキシブルプリント配線板２と、配線パターン４上の一部に覆設された絶縁性保護膜７と、少なくとも絶縁性保護膜７上の一部に覆設され、かつ基準電位に接続される導電性接着膜８と、導電性接着膜８上に接して配置された集積回路素子１とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接合性が被接合材に関わらず良好で、高温耐量の高い接合材を提供すること。また、この接合材を用いて接合された半導体装置の耐熱性を向上させること。
【解決手段】融点が、たとえば２６０℃以上と高い板状の中央層２の上下表面に、中央層２より融点が低く濡れ性の良好な表面層３を積層することで接合材１を得ることができる。また、この接合材１を介して半導体チップや絶縁基板などの被接合材を接合することで半導体装置を形成する。 （もっと読む）

【課題】亜鉛を主成分とするはんだ材料を用いたときの濡れ性の向上によって、被接合部材が均一に接合された接合体、パワー半導体モジュール及びこれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の接合体３００は、第１部材１０１と第２部材１０２を有する。第１部材１０１と第２部材１０２の間は、亜鉛を主成分とするはんだ材料５０によって接合される。第１部材１０１と第２部材１０２の被接合面には、各々ニッケル層１１１，１１２を備え、更に、前記ニッケル層１１１，１１２の表面は、亜鉛との反応性が高く亜鉛と合金を生成する金属表面層１２１，１２２を備える。接合後の接合面では、前記金属表面層１２１，１２２が消失している。接合部材がパワー半導体モジュールの場合には、第１部材１０１と第２部材１０２が、パワー半導体素子と絶縁基板、又は絶縁基板と放熱板に相当する。 （もっと読む）

【課題】 最表面が金めっき層である導体層が搭載部に形成されていたとしても、接着剤を介して電子部品を搭載部に強固に固定することが可能で、信頼性に優れた電子装置の作製が容易な電子部品搭載用基板を提供する。
【解決手段】 絶縁基体１上の電子部品の搭載部１ａに、最表面が金めっき層２ａである導体層２が形成され、金めっき層２ａ上に電子部品５が搭載され接着剤６を介して固定される電子部品搭載用基板９であって、金めっき層２ａの下地めっき層２ｂが、一部が金めっき層２ａの表面に露出したセラミック粉末４を含有している。表面に露出したセラミック粉末４により接着剤６を金めっき層２ａの表面に強固に接着させることができるため、接着剤６を介して電子部品５を搭載部１ａに強固に接合することができる。 （もっと読む）

【課題】基体を含金属材料によって形成しているにも拘らず、他部材との接続時に、溶融した半田が、前記基体の側面を這い上がりにくいため、半導体レーザの短絡や、半導体レーザの出射面から出射されるレーザ光の光束が遮られたりするのを抑制できる放熱部材と、それを用いた半導体装置とを提供する。
【解決手段】放熱部材１は、基体７の他部材接続面６に、半田に対する濡れ性を付与すると共に、側面１３の、少なくとも他部材接続面６と隣接する領域、および他部材接続面６の、側面１３と隣接する領域のうちの少なくとも一方に、前記半田の流れを阻止するための半田ブロック層１４を形成した。半導体装置は、素子接続面に、半田からなる素子接続層を介して半導体素子を接続し、他部材接続面に、前記素子接続層を形成する半田より融点の低い半田からなる他部材接続層を介して他部材を接続した。 （もっと読む）

【課題】基板上に素子などの物体、特に微小な物体を実装する場合に、容易にしかも確実に高い位置精度で実装することができる実装方法を提供する。
【解決手段】粘度を制御することができる物質からなる素子保持層１２を基板１１上に形成し、素子保持層１２の、素子の実装領域を含む第１の部分１２ａの粘度を素子が自然に移動可能な粘度に制御し、かつ、素子保持層１２の、第１の部分１２ａの外側の第２の部分１２ｂの粘度を素子が自然には移動不可能な粘度に制御し、第１の部分１２ａに一つの素子１３を実装した後、第１の部分１２ａの粘度を素子１３が自然には移動不可能な粘度に制御する。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板上に金属板からなる回路基板を接合し、該金属回路基板の所要箇所に半導体素子を装着する構成の半導体装置で、氷点下から100℃以上の高温ヒートサイクルにも耐える高耐熱性を有した構成の提供。
【解決手段】半導体素子３の直下にMo材４ａを配置しかつ当該素子の接合部にはCu材４ｂを配置した構成とすることで、金属回路基板２と半導体素子間において、Mo材は該素子に対してCu材の平面方向の膨張を抑制でき、接合面にはMo材に比べ柔らかいCu材があることで接合部に与える応力を緩和でき、高耐熱、高強度な実装が可能となり、また、同様の作用効果を有する応力緩和機構として、Mo材は該素子直下の接合部のCu材を拘束するように配置、筒形状のMo材を採用できる。 （もっと読む）

【課題】 リードフレームのチップ搭載面にはんだを介してＩＣチップを搭載してなる樹脂封止型半導体装置において、チップ搭載面におけるはんだの濡れ広がりを所望の範囲にとどめる。
【解決手段】 リードフレーム２０ははんだ接合用のメッキ膜２３が形成され、そのインナーリード２１のチップ搭載面２１ａには、はんだ１２を介してＩＣチップ１０が搭載固定され、ＩＣチップ１０およびリードフレーム２０がモールド樹脂４０にて封止されており、インナーリード２１におけるメッキ膜２３の最表面は、モールド樹脂４０との密着性を向上させるために粗化された形状となっており、チップ搭載面２１ａのうちＩＣチップ１０の周囲部には、ＩＣチップ１０の直下に位置するメッキ膜２３よりも高く突出するダム部２４が、はんだ１２を取り囲むようにはんだ１２の全周に設けられている。 （もっと読む）

【課題】鉛を実質的に含有しない接合材を用い、高温条件においても良好な機械的強度を保持可能な接合体及び半導体装置。
【解決手段】接合体４は、第１金属被接合材１と、ニッケル、パラジウム、白金及びアルミニウムからなる群より選択される材料よりなる第２金属被接合材２とが接合され、接合層３の断面微細構造に、第２金属被接合材構成元素と錫とを含む固溶体相が存在する。 （もっと読む）