【課題】
鉛フリー半田に用いられるような２６０℃程度の高温半田リフロー処理によっても耐半田クラック製に優れた熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】
銅からなるリードフレームと、半導体素子とを熱硬化性接着剤組成物を用いて所定の加熱条件Ａにて接着する工程（１）と前記工程（１）により接着された前記リードフレームと前記半導体素子とが封止用樹脂組成物で封止された樹脂部分の平均厚みが１．０ｍｍ以上１．８ｍｍ以下となるように封止する工程（２）と前記工程（２）により封止された後、所定の加熱条件Ｂにて熱処理する工程（３）とを有する半導体装置の製造方であって、前記熱硬化性接着剤組成物の２６０℃における弾性率が５０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】高硬度で、耐熱性、透明性及び低波長領域での光透過性が優れた硬化物を与えることができ、かつ高いダイシェア強度を示す、ＬＥＤ素子等のダイボンディングに有用なシリコーン樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）式（１）で表される直鎖状オルガノポリシロキサン、
（Ｂ）式（２）で表され、２３℃で蝋状又は固体の三次元網状オルガノポリシロキサン樹脂、
（Ｃ）式（３）で表され、ケイ素原子に結合した水素原子を１分子中に少なくとも２個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
（Ｄ）白金族金属系触媒、
（Ｅ）煙霧質シリカ
を含有するダイボンディング用シリコーン樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】低温での加工性（低温貼付性）、及び、耐リフロー性を高度に満足することができ、かつＢステージにおける十分な熱流動性も達成できる接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）熱可塑性樹脂と、（Ｂ）熱硬化性成分と、を含有し、前記（Ｂ）熱硬化性成分として（Ｂ１）分子内に（メタ）アクリル基及びエポキシ基を有する反応性化合物及び／または（Ｂ２）分子内に（メタ）アクリル基及びフェノール性水酸基を有する反応性化合物を含む、接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】 充てん性、ダイシング性、耐電食性、作業性、保存安定性等に優れ、耐熱性や耐湿性を満足する接着剤組成物、その製造方法、これを用いた接着シート、その製造方法、一体型シート、半導体装置及びこの製造方法を提供する。
【解決手段】 （１）二官能基以上のエポキシ樹脂、（２）官能基を含み、窒素含有特性基を含む共重合成分が１重量％以下であって、メタクリル酸メチル及び／又はメタクリル酸エチルを２０〜５０重量％を含む、ガラス転移温度が０℃以上、重量平均分子量が１０万以上のアクリル系ランダム共重合体である高分子量成分、（３）分子中に２個以上の水酸基を有するフェノール樹脂並びに（４）粒径５μｍ以上の粒子が０．０１％以下で、平均粒径が０．８μｍ以下のフィラーを必須成分とした接着剤組成物、その製造方法、これを用いた接着シート、その製造方法、一体型シート、半導体装置及びこの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを基板又は他の電子部品上に接着するのに用いられ、半導体チップ上の保護膜の収縮による半導体チップの反りを抑制でき、かつ外周面にひけと呼ばれる凹部が形成され難い接着シートを提供する。
【解決手段】硬化後の接着シート３を介して半導体チップ５を基板２上に接着したり、又は硬化後の接着シート４を介して半導体チップ６を他の半導体チップ５上に接着したりするのに用いられる接着シートであって、硬化性樹脂と、接着性を表面に有する粒子３１とを含有する接着シート。 （もっと読む）

【課題】サブマウント基板と放熱基板の接着に必要な強度を確保しつつ、熱抵抗を下げて放熱性を高めることができる半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】ＬＥＤ素子（発光素子）２が搭載されたサブマウント基板３を接着剤４によって放熱基板５上に接着して成る半導体発光装置１において、前記接着剤４は、熱伝導率の異なる複数の領域を有し、前記ＬＥＤ素子２の直下を含む領域の熱伝導率を他の領域の熱伝導率よりも高く設定する。例えば、接着剤４を、樹脂接着剤にこれよりも熱伝導率の高いフィラーを混合して成る熱伝導性接着剤で構成するとともに、前記ＬＥＤ素子２の直下を含む領域には高熱伝導率接着剤４Ａを塗布し、他の領域にはフィラー濃度が高熱伝導率のそれよりも低い高接着力接着剤４Ｂする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造に必要な貯蔵弾性率と高い接着力を併せ持つ熱硬化型ダイボンドフィルム、及び当該熱硬化型ダイボンドフィルムを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】熱硬化型ダイボンドフィルム３は、半導体装置の製造の際に用いる熱硬化型ダイボンドフィルム３であって、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル共重合体及びフィラーを少なくとも含み、８０℃〜１４０℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が１０ｋＰａ〜１０ＭＰａの範囲内であり、１７５℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ〜３ＭＰａの範囲内である。 （もっと読む）

【課題】ダイボンド後に高温で長時間熱処理をした場合にも、半導体パッケージ内において被着体との間で剥離やボイドが発生するのを防止し、耐湿リフロー性に優れた熱硬化型ダイボンドフィルム、及びそれを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】熱硬化型ダイボンドフィルム３は、半導体装置の製造に用いる熱硬化型ダイボンドフィルム３であって、少なくともエポキシ樹脂、フェノール樹脂、重量平均分子量が１０万以上のアクリル共重合体及びフィラーにより形成され、酸価が１〜４の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チップを破損することなくピックアップ可能で、半導体パッケージを製造する際に好適に用いられる、接着シートの接着剤層を構成する接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】（メタ）アクリロイルモルフォリンに由来する構成単位を有するアクリル共重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化樹脂（Ｂ）および熱硬化剤（Ｃ）を含有することを特徴とする接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】高圧で半導体素子の封止を行った場合でも封止材が接着シートと被着体の界面に侵入せず、かつ圧着時に充填できなかった空隙を消失させることが可能で耐熱性・耐湿性に優れた接着シート及びこれを用いた半導体素子を提供する。
【解決手段】樹脂組成物から構成され、１４０℃で１分間加熱することで２００℃以下では発泡しなくなる接着シートであって、１４０℃で１分間、続いて２００℃で１分間加熱することによりＳｉＮをコートしたＳｉ基材への接着力が向上し、１８０℃で測定した接着力が１．０ＭＰａ以上となる接着シートとする。また、これを用いた半導体素子とする。 （もっと読む）

【課題】数百μｍから千μｍを超える比較的広いギャップの場合にも、極めて均一なギャップ間距離で接着可能である光硬化性樹脂組成物を提供する。また、該光硬化性樹脂組成物からなる電子部品用接着剤、該電子部品用接着剤を用いて接着してなる電子部品積層体を提供する。
【解決手段】カチオン重合性化合物、光カチオン重合開始剤、及び、平均粒子径が１００〜２０００μｍである粒子を含有する光硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】低硬化収縮性、低応力性を示し、良好な高温での接着力を示すとともに塗布作業性に優れる樹脂組成物および本発明を半導体用ダイアタッチ材または放熱部材用接着剤として使用した場合に耐半田クラック性などの信頼性に優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、（Ａ）分子内に(メタ)アクリロイル基を有する化合物、（Ｂ）グリシジル基を有する化合物、および、（Ｃ）アリルエステル基を有する化合物を必須成分とすることを特徴とする樹脂組成物および該樹脂組成物を用いて作製した半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 低温貼付性、Ｂステージにおける熱流動性、及び、耐リフロー性を高度に満足することができる接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】 被着体に半導体素子を接着するために用いられる接着剤組成物であって、（Ａ）Ｔｇが１００℃以下であるポリイミド樹脂と、（Ｂ）ラジカル重合性化合物と、（Ｃ）エポキシ樹脂と、を含有する、接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】薄型又は小サイズの半導体チップでも、ダイシング時のチップ飛びが防止可能な保持力と剥離性とのバランス特性に優れるダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】紫外線透過性の基材１上に粘着剤層２を有するダイシングフィルムと、その上に設けられたダイボンドフィルム３とを有するダイシング・ダイボンドフィルム１０において、粘着剤層は、アクリル酸エステルと、アクリル酸エステル１００ｍｏｌ％に対する割合が１０〜４０ｍｏｌ％の範囲内のヒドロキシル基含有モノマーと、ヒドロキシル基含有モノマー１００ｍｏｌ％に対する割合が７０〜９０ｍｏｌ％の範囲内の分子内にラジカル反応性Ｃ−Ｃ二重結合を有するイソシアネート化合物とで構成されるアクリル系ポリマーにより形成される粘着剤層前駆体に、エポキシ樹脂からなるダイボンドフィルムを積層した後、基材側から紫外線を照射して硬化させたものである。 （もっと読む）

【課題】塗布作業性に優れかつ十分な低応力性を有する樹脂組成物および該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチペーストまたは放熱部材接着用材料として使用することで、高温リフロー処理、温度サイクル試験でも剥離の生じない高信頼性の半導体装置を提供することである。
【解決手段】充填材（Ａ）、熱硬化性樹脂（Ｂ）、ブタジエン化合物の重合体または共重合体（Ｃ）を含み、前記ブタジエン化合物の重合体または共重合体（Ｃ）に含まれる１，４ビニル結合の割合が、１，４ビニル結合と１，２ビニル結合の合計に対し５０％以上であることを特徴とする樹脂組成物および該樹脂組成物を使用して作製したことを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】μＢＧＡ構造において良好な応力緩和性とパッケージ高さを確保できる厚膜の接着部材を提供し、スタックドＣＳＰにおいて良好なチップ積層性および良好なワイヤーボンディング性を確保する接着部材を提供する。
【解決手段】接着剤層２を有する接着部材１であって、総厚みが１５０μｍ以上であり動的粘弾性測定装置を用いて測定した場合の接着剤層の貯蔵弾性率が２００℃条件下で１ＭＰａ以上であるチップ積層型のチップサイズパッケージ用の接着部材１である。 （もっと読む）

【課題】接合材と被接合材との界面の脆性を抑え、かつ耐熱性を高くし、半導体装置の機械的な信頼性を向上させること。
【解決手段】絶縁基板１２の上に、金属Ａ粉体２と、金属Ａ粉体２よりも融点が高く比重の小さい金属Ｂ粉体３と、がフラックス４に分散して混合されている接合材１を塗布し、発熱源となる半導体チップ１１を載置する。そして、接合材１を半導体チップ１１と絶縁基板１２で挟んだまま、半導体チップ１１を接合材１の上側にして加熱炉に入れ、金属Ａ粉体２の融点以上、金属Ｂ粉体３の融点以下の温度に加熱する。ついで、金属Ｂ粉体３の融点以上の温度に加熱する。これによって、接合材１と半導体チップ１１との界面に延性の高い金属Ａと半導体チップ１１とによる第１反応層が形成され、接合層内における半導体チップ１１側に耐熱性の高い金属Ｂの濃度が高い領域が形成される。 （もっと読む）

【解決課題】支持体への半導体素子の搭載を低温で行うことが可能で、かつ室温（２５℃）ではべたつきのない接着層を与える液状樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂成分（Ａ）及び硬化剤成分（Ｂ）を含む液状樹脂組成物において、前記エポキシ樹脂成分（Ａ）が、室温で液状であり、前記硬化剤成分（Ｂ）が、フェノール性水酸基を有し且つ前記エポキシ樹脂成分（Ａ）に溶解する化合物（Ｂ１）と、フェノール性水酸基を有し且つ前記エポキシ樹脂成分（Ａ）に溶解しない化合物（Ｂ２）との組合せであることを特徴とする液状樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置のＣｕ，Ｎｉ，Ａｌを含めた各種電極と、金属酸化物粒子を接合の主剤とする接合材との接合部の接合信頼性を向上することを目的とする。
【解決手段】
半導体素子と電極がＡｇ系またはＣｕ系材で構成された接合層を介して接続された半導体モジュールであって、半導体素子と前記接合層との界面、及び前記接合層と前記電極との界面に前記接合層と同種の薄膜が形成し、かつ前記薄膜の厚さが１乃至２００ｎｍであることを特徴とする。また、半導体素子と電極とを接合する際に、接合材料の還元温度を超えない低温で熱処理し、その後、還元よりも高温での熱処理する２段加熱により接合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】例えば半導体ウェハ等の部材に低温で貼り付けることができると共に、例えばダイシングシート等の部材から容易に剥離することができる接着フィルム及び接着シート、並びにそれらを用いた半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】接着フィルム１は、高タック面Ａと低タック面Ｂとを有する。高タック面Ａは第１熱可塑性樹脂を含み、低タック面Ｂは第２熱可塑性樹脂を含む。第１熱可塑性樹脂のガラス転移温度は０℃以上４０℃未満であり、第２熱可塑性樹脂のガラス転移温度は４０℃以上８０℃未満である。接着フィルム１は、第１熱可塑性樹脂を含む第１ワニスと第２熱可塑性樹脂を含む第２ワニスとを基材上に重ねて塗布した後、乾燥することによって基材上に形成される。 （もっと読む）