【課題】個別の工程で形成されることで分離して配置された電極どうしを断線することなく接続できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の主面に第１の絶縁膜を介して形成された第１の電極と、半導体基板の主面に第２の絶縁膜を介して形成された第２の電極との間に補償膜を埋設する。第１の電極及び第２の電極上には、第１の電極の上面及び第２の電極の上面と接触する、第１の電極の上面から補償膜の上面を経由して第２の電極の上面まで到達する配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】静電破壊による歩留まりの低下を防ぐことができる半導体装置。
【解決手段】複数の画素を選択するための信号を走査線に供給する走査線駆動回路が、上記信号を生成するシフトレジスタを有しており、上記シフトレジスタにおいて、複数のトランジスタのゲート電極として機能する一の導電膜を複数に分割し、上記分割された導電膜どうしを、分割された導電膜と異なる層に形成された導電膜により、電気的に接続する構成を有する。上記複数のトランジスタには、シフトレジスタの出力側のトランジスタが含まれるものとする。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴ終端部でのリカバリ破壊を防ぎ、ダイオードのスナップバックを抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｎ−型のドリフト層３０の上に形成されたＰ型のチャネル層３１を含む半導体基板３２のうちチャネル層３１側の一面３３とは反対側の他面３４側に、Ｐ＋＋型のコレクタ層５３とＮ＋＋型のカソード層５４とが同じ階層に形成されている。そして、Ｐ＋＋型のコレクタ層５３がトレンチ３５の延設方向における表面ＩＧＢＴ専用領域１０および表面ダイオード専用領域２０の周辺部２５にそれぞれ設けられていることによりＮ＋＋型のカソード層５４は四角形状にレイアウトされている。また、Ｐ＋＋型のコレクタ層５３がエミッタ領域３９の終端部３９ａから距離ａを半径とする円形状に設けられていることにより当該四角形状の角部が窪んだ形状にレイアウトされている。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の不純物濃度を好適に制御する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第２トランジスタ１７０のゲート電極１７１を半導体基板１に対するマスクとして半導体基板１へイオン注入を行うことにより、第２トランジスタのドレイン１７５を形成するとともに、第２トランジスタ１７０のゲート電極１７１へイオン注入を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】スイッチング用のパワーＭＯＳＦＥＴと、そのパワーＭＯＳＦＥＴよりも小面積でかつそのパワーＭＯＳＦＥＴに流れる電流を検知するためのセンスＭＯＳＦＥＴとが１つの半導体チップＣＰＨ内に形成され、この半導体チップＣＰＨはチップ搭載部上に導電性の接合材を介して搭載され、樹脂封止されている。半導体チップＣＰＨの主面において、センスＭＯＳＦＥＴが形成されたセンスＭＯＳ領域ＲＧ２は、センスＭＯＳのソース用のパッドＰＤＨＳ４よりも内側にある。また、半導体チップＣＰＨの主面において、センスＭＯＳ領域ＲＧ２は、パワーＭＯＳＦＥＴが形成された領域に囲まれている。 （もっと読む）

【課題】 基板表面にパターンニングされたポリシリコン層（ゲート配線や保護ダイオード）が閉ループ状の場合、特にウエハの周辺部分に配置されるチップでは、層間絶縁膜形成時にＳＯＧ膜のスピンコートでチップコーナー部分などにおいてＳＯＧ液の液だまりが生じ、層間絶縁膜の膜厚が不均一となり、厚膜化した箇所ではコンタクトホールの形成不良が発生する問題があった。
【解決手段】 ゲート配線と保護ダイオードが連続した閉ループ状とならないように、ゲート配線のコーナー部と、ゲート配線および保護ダイオードの隣接部分に開放部を設ける。 （もっと読む）

【課題】短チャネル効果を抑制させつつ微細化を行い、低消費電力化した半導体装置を提供する。
【解決手段】溝部および該溝部を挟んで形成された一対の低抵抗領域を有する半導体基板と、半導体基板上の第１のゲート絶縁膜と、第１のゲート絶縁膜を介し、溝部と重畳するゲート電極と、ゲート電極を覆って設けられた第２のゲート絶縁膜と、第２のゲート絶縁膜上の、溝部を挟んで設けられた一対の電極と、一対の電極と接する半導体膜と、を有し、一対の低抵抗領域の一方と、一対の電極の一方が電気的に接続されている積層されたトランジスタを形成し、一方はｎ型半導体からなるトランジスタであり、他方はｐ型半導体からなるトランジスタにより形成させることによって、相補型ＭＯＳ回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】安定したボディ固定動作と共に、高集積化、低寄生容量化や配線容量の低減化を図ることができる、ＳＯＩ基板上に形成される半導体装置を得る。
【解決手段】ソース領域１，ドレイン領域２及びゲート電極３で形成されるＭＯＳトランジスタにおいて、ゲート一端領域及びゲート他端領域に部分分離領域１１ａ及び１１ｂが形成され、部分分離領域１１ａに隣接してタップ領域２１ａが形成され、部分分離領域１１ｂに隣接してタップ領域２１ｂが形成される。部分分離領域１１ａ，１１ｂ、タップ領域２１ａ，２１ｂ及び活性領域１，２の周辺領域は全て完全分離領域１０が形成される。 （もっと読む）

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題
とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリン
ト技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形
状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶
縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する１つの開口を形成する
のではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太
さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 （もっと読む）

【課題】高い集積密度を有するデバイス及び集積化方法の提供。
【解決手段】第１および第２の加工物の表面を各々約５〜１０Åの表面粗さまで研磨し、第１および第２の加工物の研磨された表面は、互いに接合される。第３の加工物の表面は、前記表面粗さまで研磨される。第３の加工物の表面は、第１および第２の加工物に接着される。第１、第２および第３の加工物は、各々好ましくはウエハ形態にある１つの表面上に形成される薄い材料を有する半導体デバイスであり得る。薄い材料は、所望の表面粗さまで研磨され、その後、互いに接合される。薄い材料は、各々この薄い材料が上に形成される材料の表面非平面度の約１〜１０倍の厚さを有する。多数のデバイスが互いに接合され得、デバイスは、異なるタイプのデバイスまたは異なる技術であり得る。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電子及び正孔の移動度を向上させたＳＯＩ構造のＣＭＯＳの提供
【解決手段】Ｓｉ基板１上にシリコン窒化膜２及びシリコン酸化膜３を介して、歪みＳｉ層６を挟み、左右にＳｉＧｅ層５を有する構造からなる第１のエピタキシャル半導体層及び歪みＧｅ層８を挟み、左右にＳｉＧｅ層７を有する構造からなる第２のエピタキシャル半導体層が島状に絶縁分離されて設けられ、歪みＳｉ層６には概略チャネル領域が形成され、ＳｉＧｅ層５には概略高濃度及び低濃度のソースドレイン領域（１０、１１、１２，１３）が形成された包囲型ゲート電極構造のＮチャネルのＭＩＳＦＥＴと、歪みＧｅ層８には概略チャネル領域が形成され、ＳｉＧｅ層７には概略高濃度のソースドレイン領域（１４、１５）が形成された包囲型ゲート電極構造のＰチャネルのＭＩＳＦＥＴとから構成したＣＭＯＳ。 （もっと読む）

【課題】メーカーの設計負担を増加させることなくセルタイプの異なるＩＣを実現することができるとともに、チップサイズおよび消費電力並びに動作速度が最適化された半導体集積回路を容易に実現可能な設計技術を提供する。
【解決手段】所望の機能を有する回路セルの設計情報を目的別にオブジェクトとして記述し、所定のオブジェクトの情報の削除もしくは追加のみで基体電位固定型セルと基体電位可変型セルのいずれをも構成可能なセル情報として、セルライブラリに登録するようにした。 （もっと読む）

【課題】工程数を削減して生産性を向上できる構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体層１にトレンチ２０を形成する工程と、トレンチ２の内壁およびトレンチ２外の表面を覆うように半導体層１上に絶縁膜３を形成する工程と、トレンチ２を埋め尽くし、トレンチ２外の絶縁膜３上に堆積されるように導電性のポリシリコン膜４を形成する工程と、トレンチ２内、およびトレンチ２外の絶縁膜３上の所定領域にポリシリコン膜４が残るように、当該ポリシリコン膜４を選択的に除去するポリシリコンエッチング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】Ｉ/Ｏ用バルク部とコアロジック用ＳＯＩ部が混載されたバルク＆ＳＯＩハイブリッド型ＣＭＩＳデバイスでは、閾値電圧制御の最適化のため多数のゲートスタックを用いる必要があり、プロセス及び構造が複雑になるという問題がある。
【解決手段】本願発明は、Ｈｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜およびメタルゲート電極を有するＳＯＩ型半導体ＣＭＩＳＦＥＴ集積回路装置において、いずれかのバックゲート半導体領域に不純物を導入することにより、対応する部分のＭＩＳＦＥＴの閾値電圧を調整するものである。 （もっと読む）

【課題】Ｉ/Ｏ用バルク部とコアロジック用ＳＯＩ部が混載されたバルク＆ＳＯＩハイブリッド型ＣＭＩＳデバイスでは、閾値電圧制御の最適化のため多数のゲートスタックを用いる必要があり、プロセス及び構造が複雑になるという問題がある。
【解決手段】本願発明は、Ｈｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜およびメタルゲート電極を有するＳＯＩ型半導体ＣＭＩＳＦＥＴ集積回路装置において、いずれかのバックゲート半導体領域に不純物を導入することにより、対応する部分のＭＩＳＦＥＴの閾値電圧を調整するものである。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜をＨｉｇｈ−ｋ材料で構成し、ゲート電極をメタル材料で構成するＨＫ／ＭＧトランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】素子分離部２で囲まれた活性領域１４に位置し、後の工程でコア用ｎＭＩＳのゲートＧが形成される領域Ｇａ１のみに、Ｎｃｈ用ゲートスタック構造ＮＧを構成する積層膜を形成し、上記領域Ｇａ１以外の領域ＮＧａ１には、Ｐｃｈ用ゲートスタック構造ＰＧを構成する積層膜を形成する。これにより、コア用ｎＭＩＳのゲートＧが形成される領域Ｇａ１へ素子分離部２から引き寄せられる酸素原子の供給量を減少させる。 （もっと読む）

【課題】様々なオン抵抗の素子を容易に製造することができる半導体装置、半導体集合部材及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、素子部と、第１の電極部と、第２の電極部と、延出部と、を備える。素子部は、基板に設けられる。第１の電極部は、素子部の上に設けられ、素子部と導通する。第２の電極部は、素子部の上において第１の電極部と離間して設けられ、素子部と導通する。延出部は、素子部の上に設けられ、第１の電極部及び第２の電極部の周縁部から基板の周縁部に向けて延出して設けられる。 （もっと読む）

【課題】アンテナスイッチのコスト削減を図る観点から、特に、アンテナスイッチをシリコン基板上に形成された電界効果トランジスタから構成する場合であっても、アンテナスイッチで発生する高調波歪みをできるだけ低減できる技術を提供する。
【解決手段】ＲＸスルートランジスタ群ＴＨ（ＲＸ）は、互いに直列に接続されたＭＩＳＦＥＴＱ１〜Ｑ５において、それぞれのＭＩＳＦＥＴのボディ領域と、隣接するＭＩＳＦＥＴのソース領域あるいはドレイン領域とを、それぞれ、ダイオード（整流素子）を介して接続する。そして、特に、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴの場合、ＭＩＳＦＥＴのボディ領域から隣接するＭＩＳＦＥＴのソース領域あるいはドレイン領域へ向う向きが順方向となるようにダイオードを接続する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート共通化ラインに存在するシリコン物質層による寄生キャパシタンスを減少させるために、製造工程中にゲート以外の他の部分の不要なシリコン物質を除去する。シリコン物質層は、ゲートの下部のみに局地的に存在し、したがって、寄生キャパシタンスの減少によって信号遅延が抑制されて良好な電気的特性を有する薄膜トランジスタの多結晶シリコン半導体素子が得られる。 （もっと読む）