【課題】性能を落とすことなく小型化が可能なセンサ、太陽電池等の電気素子と、電気素子を容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】柱状体２に、蒸着、或いは半導体の溶融、溶解又はゲル状態の半導体８をコーティングする。その回りに、４本の絶縁線６、例えば糸を縞状に接合したものを巻き付ける。次に１本の絶縁線６をはがして、その跡に銅を蒸着して銅線９を形成する。最後に銅線９に隣接しない絶縁線をはがして、その跡にアルミニウムを蒸着してアルミニウム線１０を形成する。そして銅線９、アルミニウム線１０の間の抵抗値を測ることにより、半導体８に照射している光の強度を知ることができる。４本の絶縁線の太さを調整することにより、銅線９、アルミニウム線１０のそれぞれの直径、及びその間隔を決めることができ、設計とシミュレーションの作業が容易になる。また絶縁線６として細い糸を用いることにより、小型の光センサを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】光により消弧可能な光スイッチング素子又はその光スイッチング素子を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置(100)は、窒化物半導体を含む素子構造を有する光スイッチング素子(10)と、前記光スイッチング素子に第１の波長の光を照射する第１の光源(20)と、を遮光部材(40)内に備え、前記光スイッチング素子(10)は、前記第１の波長の光を照射されることにより、該光を照射される前に比べて、立ち上がり電圧が上昇することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】偏光に対する感応性が高い偏光有機光電変換素子およびその製造方法ならびに偏光に対する感応性が高く、しかも２軸方位の偏光を受光して光電変換することができる偏光光学素子を提供する。
【解決手段】偏光有機光電変換素子は、第１の電極１１と第２の電極１２との間に、その面内で少なくともその一部が予め所定の方向に一軸配向された有機光電変換層１３が挟まれた構造を有する。第１の電極１１と第２の電極１２との間に所定のバイアス電圧を印加した状態で偏光有機光電変換素子に光を入射させ、有機光電変換層１３の配向軸に平行な方向の偏光を光電変換する。二つの偏光有機光電変換素子を上下に配置して偏光光学素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】受光素子間のクロストーク（漏れ電流）を十分に低減し、小型且つ簡易な光半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置よると、裏面電極が鏡面状の薄膜となったことにより、隣接する受光素子へのクロストークを容易に抑圧することが出来、光半導体装置の光強度検出時における誤差を少なくすることが出来る。また、パターン化した裏面電極もしくは絶縁膜の底部にオーミック電極を裏面全体に設置することにより、裏面における接触抵抗を低減することが出来る。また、２次元配列の光半導体素子を用いることおよび裏面電極を鏡面状の薄膜とすることによりクロストークを改善することが出来る。また、高い気密性を有した状態で筺体に収納することにより、光半導体素子は、外部環境から保護されて、耐湿性に優れ、高い信頼性を確保することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】放射線の検出感度を維持しつつ、電線と電極部との剥離を抑制できる。
【解決手段】検出可能領域上に充填される第１充填材444は、原子番号９以下の元素で構成されているので、原子番号９を超える元素で構成される場合に比して、放射線の透過性がよい。このため、検出可能領域において、放射線の検出感度が維持できる。また、バイアス電極401と電線とが接続される接続部は、弾性を有する第２充填材445が充填されているため、硬化性を有する充填材に比して、延長電極部431と高電圧線432との密着性が保て、高電圧線432と延長電極部431との剥離を抑制できる。このように、本実施形態では、延長電極部431と高電圧線432とが接続される接続部と検出可能領域とで充填材を使い分けることにより、放射線の検出感度を維持しつつ、高電圧線432と電極部との剥離を抑制する。 （もっと読む）

【課題】超伝導トンネル接合素子（ＳＴＪ素子）が吸収するフォノンの量を多くでき、高い感度でフォトンを検出できる超伝導トンネル接合検出器を提供する。
【解決手段】基板１１のＳＴＪ素子１０を搭載しない側の端面からテラヘルツ波を照射する。基板１１内では、テラヘルツ波の吸収によって格子振動（フォノン）が発生し、このフォノン群は基板１１内を伝播し、フォノンがＳＴＪ素子１０の下部超伝導電極１２に到達することで、電極内のクーパー対を解離して準粒子を生成し、この準粒子の増加に伴うトンネル電流の増加分を信号として検出する。基板１１のテラヘルツ波を照射する側には、単体のＳＴＪ素子１０と基板１１を挟んで対向するように、集光用レンズ２１を配置してある。これにより、テラヘルツ波は、集光用レンズ２１によって単体のＳＴＪ素子１０に向けて集光されることになり、フォトンの集光効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】高感度化を図りつつ、電荷の高速転送を実現することが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】フォトゲート電極ＰＧは、平面形状が互いに対向する第１及び第２長辺ＬＳ１，ＬＳ２と互いに対向する第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２とを有する長方形状である。第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、第１及び第２長辺ＬＳ１，ＬＳ２の対向方向でフォトゲート電極ＰＧを挟んで対向して配置されている。第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２の対向方向でフォトゲート電極ＰＧを挟んで対向して配置されている。第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２側でのポテンシャルをフォトゲート電極ＰＧの直下の領域における第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２の間に位置する領域でのポテンシャルよりも高めている。 （もっと読む）

【課題】発光効率、発光波長の狭帯域化を図ることができる多孔質シリコン層を形成するため、陽極酸化法で多孔質シリコン層を形成する際、制御性良く微小孔を形成する方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板１０１と、その表面に埋設された多孔質シリコン層１０２と、多孔質シリコン層に接続するように設けられた透明電極１０３と、単結晶シリコン基板の裏面に設けられたオーミック性電極１０４とを有し、多孔質シリコン層を発光層あるいは受光層とする半導体光素子の製造方法であって、超音波振動を印加しながら、単結晶シリコン基板表面を陽極酸化し、発光層あるいは受光層となる前記多孔質シリコン層を形成する。 （もっと読む）

【課題】光信号の伝送状態が単発的な光信号で示される場合であっても、その伝送状態を目視で容易に確認できる光モニタデバイス、および、光信号検出方法を提供する。
【解決手段】伝送情報保持手段８１は、予め定められた閾値を超えるパワーの光信号が光伝送路内を伝送した場合に、その光信号が伝送したことを示す情報である伝送情報を保持する。表示手段８２は、伝送情報が保持されていることを条件に、光信号が伝送したことを表示する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、能動領域の欠陥を低減した半導体デバイスの制作方法を提供する。
【解決手段】本願発明は、表面照射光センサを製作する方法であって、
（ａ）能動領域の半導体ピクセルのアレイを形成する工程と、
（ｂ）各ピクセル内に、隔離された互いに反対の導電性タイプの接触領域を形成する工程と、
（ｃ）前記接触領域への金属コンタクトを形成し、各ピクセル内で、前記金属コンタクトが、前記接触領域の上部表面面積の総計の少なくとも約３０％を覆う工程とを含む、方法に関する。 （もっと読む）

【課題】コストの上昇や特性の低下を招くことなく、実装が容易な状態で、ＬＳＩのチップ間やチップ内の信号伝送を、光配線で行えるようにする。
【解決手段】素子形成領域１２２のシリコン上にエピタキシャル成長により形成した半導体層を光吸収層として備えて素子形成領域１２２に形成された光素子１２３と、光導波領域１２１に形成された溝部１０１ａと、溝部１０１ａに充填されて形成された下部クラッド層１０２と、下部クラッド層１０２の上に形成されて光素子１２３に光接続するコア１０３と、コア１０３の上に形成された上部クラッド層１０４と、コア１０３よりなる光導波路の光導波方向に垂直な方向の素子形成領域１２２の側部の基板１０１上に形成されて、光素子１２３に電極引き出し部１０５を介して接続する電極パッド部１０６とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造ばらつきに起因する測定結果のずれを、高精度に調整可能なセンサ装置を実現する。
【解決手段】本発明に係るセンサ装置１０は、外部からの光を受光して当該光の強さに応じた電流を発生するフォトダイオードＰＤ１と、前記電流を電気信号に変換する受光検出回路２と、受光検出回路２の受光感度を調整するための調整信号Ｖ１を出力するトリミング調整回路６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 紫外線非照射時の暗電流を低減し、光応答性に優れる紫外線センサを提供すること。
【解決手段】 酸化亜鉛系半導体からなる薄膜と、前記酸化亜鉛系半導体よりもバンドギャップの大きい酸化物半導体からなる薄膜とからなる半導体層と、紫外線受光により発生する電流を取り出す電極とを備えており、前記酸化亜鉛系半導体と前記酸化物半導体とが積層されており、前記酸化物半導体が受光側であることを特徴とする紫外線センサとする。 （もっと読む）

【課題】
導波路に結合された表面プラズモンポラリトン光検出器を提供する。
【解決手段】
金属−半導体−金属（ＭＳＭ）デバイスは、導波路内の光モードからの光を、当該ＭＳＭデバイスの電極表面の表面プラズモンポラリトン（ＳＰＰ）モードに結合する。ＳＰＰモードにおいては、半導体内での光の吸収は、非常に小さい領域で発生することができる。これは、活性な検出器領域の縮小を可能にし、電気的なキャリアに関して低容量（キャパシタンス）で非常に短い移送距離を可能にし、非常に低電圧なデバイス及び／又は非常に高い周波数を可能にし得る。 （もっと読む）

【課題】
量子ドット型光検出器の感度を高くすること
【解決手段】
ｎ型の第１の半導体によって形成された一対の電極層と、前記一対の電極層の間に配置された光吸収層を具備し、前記光吸収層が、第２の半導体によって形成された量子ドットと、前記第２の半導体よりバンドギャップが広い第３の半導体によって形成され且つ前記量子ドットを覆う中間層が、交互に積層された複数の量子ドット層と、電子親和力が前記第３の半導体より大きく、バンドギャップが前記第３の半導体より狭く、且つドナー濃度が前記量子ドット層より高い第４の半導体で形成され、更に前記量子ドット層の間に配置されたポテンシャル固定層とを具備すること。 （もっと読む）

【課題】
回路部とセンサ部を同一基板上に形成した半導体集積装置において、非鉛材料を使用した半導体集積装置を提供するとともに、その作製方法を提供する。
【解決手段】
半導体集積装置は、回路部２は、表面に保護層４４〜４６が成膜されており、センサ部３は、回路部の保護層表面を含む半導体基板表面の全体に成膜された非鉛強誘電体材料３１のうち該回路部に成膜された部分を除去した残余部により構成されている。作製方法は、回路部を形成する工程と、半導体基板の表面全体に、シリコン窒化膜を主とする保護層を構築する工程と、センサ部形成領域に積層された保護層を除去する工程と、半導体基板の全体に下部電極層を形成する工程と、下部電極層の表面に非鉛強誘電体材料層を形成する工程と、回路部形成領域に積層される非鉛強誘電体材料層および下部電極層を順次除去する工程と、センサ部に上部電極を形成する工程と、配線電極を形成する工程とを順次実施する。 （もっと読む）

【課題】色素増感太陽電池などの光電変換素子において、ヨウ化物イオンによる封止剤の劣化を低減して、耐久性を向上する。
【解決手段】半導体層１０３および色素を含む半導体電極１０８、対電極１０９ならびに半導体電極１０８と対電極１０９との間に設けられた電解質層１０４を有する光電変換素子１００であって、電解質層１０４中に環状ニトロキシルラジカル化合物とオキソアンモニウム塩を有する。 （もっと読む）

【課題】短絡などを生じた欠陥画素が存在したとしても、その周囲に異常な出力電流が出力される領域が拡がらないようにして、イメージセンサの生産性を向上させる。
【解決手段】イメージセンサを、第１光伝導体型素子６と第２光伝導体型素子８とを含む複数の画素１と、第１光導電体型素子６及び第２光導電体型素子８に接続された出力電極１２Ｂと、複数の画素１のそれぞれに含まれる第１光導電体型素子６に接続された共通電極１２Ｃと、出力電極１２Ｂと共通電極１２Ｃとの間に設けられ、動作時に流れる電流の方向と逆向きの電流が流れるのを阻止する整流素子７Ａ，７Ｂとを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、気体のモニタリングを高感度で遂行することができる、気体モニタリング装置等を提供することを目的とする。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、気体モニタリング装置は、波長３μｍ以下の少なくとも１つの波長の光を受光して、気体中のガス成分等を検出することを特徴とする。 （もっと読む）