【課題】２つの光検出器に対応する２つの色を含む情報のミキシングに対して感受性のない検出装置を提供する。
【解決手段】基板３は、第１のバンドギャップエネルギーを有する第１の半導体層５と、半導体バッファ層６と、第１のバンドギャップエネルギーと異なる第２のバンドギャップエネルギーを有する第２の半導体層７とを連続的に備える。２つの異なる色に反応する２つの光検出器１、２は、第１及び第２の半導体層５、７の上にそれぞれ形成される。第１のバイアスパッド９は、第１の半導体層５を第１のバイアス回路８ｂ、１４に電気的に接続する。第２のバイアスパッド１０は、第２の半導体層７を第２のバイアス回路８ａ、１５に電気的に接続する。第１のバイアスパッドは第２の半導体層７と電気的接続しない。 （もっと読む）

【課題】基板の自由度があり、待機時（光非照射時）の電力消費が小さく、また光照射時のＳ／Ｎが大きい受光素子を提供することである。
【解決手段】紫外線が透過する材料をＦＥＴの電極として用い、また、電子走行領域をＡｌＧａＮとＧａＮとのヘテロ界面等のＧａＮ系膜同士のヘテロ界面とする。 （もっと読む）

【課題】有機撮像素子において残像を低減する。
【解決手段】有機撮像素子１は、基板１０上に複数の画素部１００を有し、基板１０の光入射側の表面に、層間絶縁層２０を介して形成された複数の画素電極４０と、複数の画素電極４０上に連続膜状に配された光機能層５０と、光機能層５０の上に配された、複数の画素部１００に共有される対向電極６０と、層間絶縁膜２０内に形成された少なくとも１層の金属配線層３２と、画素電極間の間隙Ｇに充填された充填部２１１と、光機能層５０内に突出して形成されてなる突出部２１２とからなる電界調整用絶縁層２１を備えてなり、光機能層５０は、有機材料を含む光電変換層５２を含む。突出部２１２は、充填部２１１に接している２つの画素電極４０の各端部４０ｔと、該２つの端部間の中央部上方の１つの頂点Ａとをそれぞれ結ぶ下に凸の曲線で囲まれてなる。 （もっと読む）

【課題】光源から放射された入射光の微小な変位を測定するにあたり、出力信号のＳ／Ｎを向上させるとともに、回路構成を小型化することができる光学式変位測定装置を得る。
【解決手段】受光面が光に対して不感なギャップを介して複数の領域に分割された４分割フォトダイオード１０に対して、光源から放射された入射光を入射させ、４分割フォトダイオード１０のフォトダイオード１１Ａ〜１１Ｄからの出力を増幅し、増幅された出力の変化に基づいて、４分割フォトダイオード１０に対する入射光の相対的な変位を測定する光学式変位測定装置であって、４分割フォトダイオード１０のフォトダイオード１１Ａ〜１１Ｄには、それぞれ入射光によって出力を生じない不感領域１２と、入射光によって出力を生じる感光領域１３とが形成され、４分割フォトダイオード１０全体について、不感領域１２は、感光領域１３に囲まれているものである。 （もっと読む）

【課題】暗電流値が小さい等のＳＮ比が高く、長期に亘って安定した光電変換素子の製造方法、および撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極１０４、電子ブロッキング層１１４、光電変換層１１２、上部電極１０８および封止層１１０が、この順で積層された光電変換素子１００の製造方法であり、光電変換層上に、スパッタ法により透明導電酸化物を０．５Å／ｓ以上の成膜速度で成膜し、応力が−５０〜−５００ＭＰａである上部電極を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】安定動作をすることができる半導体受光素子を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ＩｎＧａＡｓ光吸収層２、多重反射層３、ＩｎＧａＡｓ光吸収層７、ＩｎＰ窓層９が順に積層されている。ＩｎＰ窓層９は、ＩｎＧａＡｓ光吸収層２，７より大きいバンドギャップを持つ。ＩｎＰ窓層９の一部にｐ型不純物拡散領域１１が設けられている。アノード電極１２はｐ型不純物拡散領域１１上に設けられ、光が入射する開口を持つ。ｎ型ＩｎＰ基板１の下面にカソード電極１３が設けられている。ｐ型不純物拡散領域１１の外側にメサ溝１４が設けられている。メサ溝１４を挟んでｐ型不純物拡散領域１１の反対側にｐ型不純物拡散領域１６が設けられている。ｐ型不純物拡散領域１６はＩｎＧａＡｓ光吸収層２に達し、金属膜１７はｐ型不純物拡散領域１６を介してＩｎＧａＡｓ光吸収層２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】太陽光の影響を受けることなく可視光通信を行うことが可能な可視光通信受信装置を提供することにある。
【解決手段】可視光通信受信装置は、可視光を受光する可視光受光部と、可視光受光部によって受光された可視光から、フラウンホーファー線を抽出するフィルタと、当該フィルタによって抽出されたフラウンホーファー線に基づいて復調処理を行う受信回路とを具備する。 （もっと読む）

【課題】特性の高いフォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】アバランシェフォトダイオードに一端が電気的に接続され、その光入射面上に配置された抵抗４と、抵抗４の他端に接続された信号導線の読み出し部３ａとを備え、エピタキシャル半導体層上に形成された第１の絶縁膜１６ａと、第１の絶縁膜１６ａ上に形成された第２の絶縁膜１６ｂとを備え、抵抗４は、第１の絶縁膜１６ａと第２の絶縁膜１６ｂとの間に介在し、信号導線３は、第２の絶縁膜１６ｂ上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、ゴーストなどの発生を抑制して、画像品質を向上させる。
【解決手段】入射光Ｈを受光する複数の画素ＰＸが半導体基板１０１の上面に配列されているセンサ基板１００と、前記センサ基板の上面に下面が対面しており、前記入射光が透過する透明基板３００と、前記透明基板の上面と前記センサ基板の上面との間のいずれかの位置に設けられており、前記入射光が透過する回折格子６０１とを有し、前記回折格子は、前記半導体基板の上面にて前記複数の画素が配列された画素領域ＰＡに前記入射光が入射し回折されることで生ずる反射回折光を回折するように形成する。 （もっと読む）

【課題】斜めに入射する光が隣接する画素領域に混入することを抑制することができ、且つ、感度の低下を抑制することができる固体撮像装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置は、主面に複数の光電変換部が設けられた基板と、前記複数の光電変換部毎に設けられ、屈折率の異なる複数の層が積層され、所定の波長領域の光を選択的に透過させる干渉フィルタと、を備えている。そして、隣接する前記干渉フィルタ同士の間には、空隙が設けられている。 （もっと読む）

【課題】入射光の反射防止のための微細凹凸構造を画素毎に作り分けるに際し、半導体基板にダメージを与えることなく、低コストで高い信頼性と再現性を得る。
【解決手段】単結晶からなる半導体基板の表面に、半導体基板に対してエッチング選択比を有する保護膜を形成する第１の工程と、保護膜上に、所定のピッチで配置されるドット形状のレジストパターンを形成する第２の工程と、第２の工程により形成されたレジストパターンをマスクとするウェットエッチングにより、保護膜を選択的に除去する第３の工程と、第３の工程により選択的に除去された後に残存する保護膜をマスクとするウェットエッチングにより、半導体基板をエッチング加工することで、半導体基板の表面に所定のピッチで配列される凹凸構造を形成する第４の工程と、第４の工程により凹凸構造を形成した後、半導体基板上に残存する保護膜を除去する第５の工程とを含む固体撮像素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】色ずれを生じることなく、ダイナミックレンジの拡大を可能にする固体撮像装置を提供する。
【解決手段】電磁波を電荷に変換し、電荷量に応じた信号を出力する画素１０を含み、画素１０が２次元配置され、隣接する画素１０において、電磁波を電荷に変換する、フォトダイオードＰＤ及び転送トランジスタ２１の部分の構成は同一であるが、電荷量と信号量との関係を異ならせることが可能である、画素部とを含む固体撮像装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高く、光電流／暗電流のＳ／Ｎ比の良好であり、且つ、応答速度の速い光電変換素子を提供する
【解決手段】一対の電極（２０，４０）と、一対の電極（２０，４０）に挟持された少なくとも光電変換層３２を含む受光層３０を有する光電変換素子１は、受光層３０の少なくとも一部の層が、フラーレン又はフラーレン誘導体を主成分とする複数の粒子又は該複数の粒子が成形されてなる成形体であり、複数の粒子のＤ５０％で表される平均粒径が５０μm〜３００μmであるの光電変換素子用蒸着材料を用いて蒸着されたフラーレン又はフラーレン誘導体を含むものである。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の深さ位置によらずに光電変換領域の信号電荷を全て読み出すことが可能で、これにより残像のない撮像特性の向上が図られた固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１３に形成したトレンチ１７ｒ内にゲート絶縁膜１９を介して埋め込まれた読出ゲート２１ｒと、半導体基板１３の内部に設けられた光電変換領域１５ｒとを備えている。さらに、光電変換領域１５ｒとの間に間隔を保って、半導体基板１３の表面層にフローティングディフュージョン２３が設けられている。そして特に、光電変換領域１５ｒとゲート絶縁膜１９とに接して、ポテンシャル調整領域２５ｒが設けられている。このポテンシャル調整領域２５ｒは、半導体基板１３および光電変換領域１５ｒと同一の導電型で、かつ半導体基板１３および光電変換領域１５ｒよりも導電型の濃度が低い不純物領域である。 （もっと読む）

【課題】ノイズ光の影響を軽減することが可能な光電変換素子および光電変換装置を提供する。
【解決手段】フォトダイオードは、基板上に、第１導電型（例えばｐ型）半導体層、ｉ型半導体層および第２導電型（例えばｎ型）半導体層をこの順に備え、基板と第１導電型半導体層との間に遮光層を有している。第２導電型半導体層側から入射する光に基づいて信号電荷が取り出される（光電変換がなされる）。基板と第１導電型半導体層との間に遮光層が設けられていることにより、第２導電型半導体層側から入射した光のうち、吸収されずに第１導電型半導体層を透過して基板側へ出射した光が遮断されると共に、基板側から第１導電型半導体層へ向かう光が遮断される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示すと共に、高速で連続して製造した際にも製造ロッド間での応答速度のばらつきが小さい光電変換素子を提供することを目的とする。
【解決手段】導電性膜、光電変換材料を含む光電変換膜、および透明導電性膜をこの順で積層してなる光電変換素子であって、光電変換膜が固体からなる膜であり、該光電変換材料が、一般式（１）で表される化合物を含む、光電変換素子。
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【課題】遮光性の低下が抑制された光センサを提供する。
【解決手段】半導体基板（１０）に受光素子（２０）が複数形成され、半導体基板（１０）における受光素子（２０）の形成面（１０ａ）上に、透光膜（３０）を介して遮光膜（４０）が形成され、該遮光膜（４０）に、受光素子（２０）に対応した透光用の開口部（５０）が形成された光センサであって、遮光膜（４０）の平面形状が、楕円形である。 （もっと読む）

【課題】低フラックスを用いている間のノイズレベルを減少することを可能にするような検出回路を提供する。
【解決手段】ソースフォロワ検出器型の検出回路は、結合ノードＮに接続されたフォトダイオード１を備える。バイアス回路３は、逆バイアスである第１の状態とフローティングである第２の状態との間にフォトダイオード１をバイアスすることを可能にする。読み出し回路４は、結合ノードＮに接続され、フォトダイオード１により測定された現状を示す信号を生成する。金属シールド５は結合ノードＮの周りに配置される。金属シールド５は、読み出し回路４の出力に接続され、結合ノードＮの電位と同じ方向に変動する電位を持つように構成される。 （もっと読む）

【課題】電気的及び光学的なクロストークを抑制しつつ、比較的安価なレンズを用いても高い受光感度を得ることができる半導体受光装置を得る。
【解決手段】Ｆｅ−ＩｎＰ半絶縁性基板１上に、互いに電気的に分離された４個の受光素子２ａ〜２ｄが設けられている。各受光素子２ａ〜２ｄにおいて、Ｆｅ−ＩｎＰ半絶縁性基板１上にｎ型ＩｎＧａＡｓ導電層、ｎ型ＩｎＰ導電層、光電変換するｉ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層、及びｉ型ＩｎＰ窓層が順に積層されている。ｉ型ＩｎＰ窓層の一部に、受光部９となるｐ型ＩｎＰ不純物拡散領域が設けられている。導電層の一部は、ｉ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層と同じ材料で構成されている。４個の受光素子２ａ〜２ｄの受光部９の全てが同一直線上に配置されてはいない。 （もっと読む）

【課題】 精密な計測が可能なフォトダイオードアレイモジュールを提供する。
【解決手段】 このフォトダイオードアレイモジュールは、第１波長帯域の光に感応する第１フォトダイオードアレイを有する第１半導体基板２と、第２波長帯域の光に感応する第２フォトダイオードアレイを有する第２半導体基板２’と、複数のアンプＡＭＰが形成されると共に第１及び第２半導体基板２，２’が重なることなく横に並べ、各フォトダイオードをバンプを介してアンプＡＭＰに接続した第３半導体基板３とを備えている。第１半導体基板２及び第２半導体基板２’の隣接する端部には、段差部が形成されており、これにより各画素を双方の基板に渡って連続して整列させた場合においても、低ノイズで計測ができるようになる。 （もっと読む）