【課題】
読み出し回路を備えた第一基板と受光素子を備えた第二基板をバンプ接続した量子型赤外線熱感知デバイスにおいて、HgCdTe等で構成された第二基板に影響を与えることなくシリコン基板等で構成された第一基板と、第二基板の熱膨張係数の違いに起因する隣接バンプ間の接触を防止する。
【解決手段】
量子型撮像素子は、読み出し回路を備えた第一基板と、前記第一基板とフリップチップボンディング（FCB）によって電気的に接続された、受光素子を備えた第二基板と、前記第一基板と前記第二基板をFCBによって電気的に接続する導体バンプ群と、各バンプの周囲を囲むように存在し、前記第一基板側にのみ固定され、前記第二基板との間に空隙を設けた絶縁壁とを有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハとカバー部材を固定するための固定部材とカバー部材との間の気泡の発生を抑制し、信頼性の高い光センサを製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 光センサの製造方法は、複数の画素領域を備えた半導体ウエハを準備する工程と、前記半導体ウエハ上に、固定部材によって前記複数の画素領域の各々を囲む格子状の凸部を形成する工程と、前記固定部材による前記格子状の凸部の線幅より狭い幅の格子状の溝及び格子状に配置された複数の貫通孔の少なくとも一方からなるギャップ部を表面に有する透光性基板を準備する工程と、前記固定部材上に通気口を構成するように、前記格子状の凸部と前記ギャップ部とを対向させて前記半導体ウエハと前記透光性基板を固定する工程と、固定された前記半導体ウエハと前記透光性基板を切断し、前記画素領域毎に個片化する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ等と接続してハイブリッド型検出装置を形成するときオープン不良を生じにくい、受光素子アレイ等を提供する。
【解決手段】化合物半導体の受光素子アレイは、ＣＭＯＳ等との接続のためにバンプが設けられた電極が複数配列されており、電極が配列された領域は、中心から距離に応じて領域Ｓ_１，Ｓ_２，Ｓ_３に分けられており、外側の領域の、領域面積当たりのバンプの占有面積が中心側の領域のそれより大きくなるように、外側の領域のバンプの個数の密度が、中心側の領域のそれより大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】組立て作業性を損なうことなく、周波数特性を向上させ得る、裏面入射型半導体受光素子、それを内蔵する光受信モジュールおよび光トランシーバを提供する。
【解決手段】裏面入射型半導体受光素子１８は、矩形状のＦｅドープＩｎＰ基板１と、基板表面における１辺（上辺）側の中央部に形成された、基板裏面から入射される光を受光するＰＮ接合部を有する受光メサ部２と、受光メサ部２の上面に形成された、ＰＮ接合部の一方側に導通するＰ型電極４と、基板表面における１辺（上辺）側の１隅部に形成されたＮ型電極メサ部９と、Ｎ型電極メサ部９の上面まで引き出された、ＰＮ接合の他方側に導通するＮ型電極５と、基板表面における他の３つの隅部を含む領域に形成されたＰ型電極メサ部８およびダミー電極メサ部１０と、ダミー電極メサ部１０の上面に形成されたダミー電極６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】プレーナー型導波路、又は基板上の溝内に載置された光ファイバーから光ビームを容易に受容することができる受光素子を備えた光学装置を提供する。
【解決手段】光検出器は、光検出器活性領域５１０が上面に形成され、入口面５０４と反射面５０６とを備えた半導体基板５０２を含む。反射面５０６は半導体基板５０２表面と鋭角を成しており、そして入口面５０４を通って半導体基板５０２内に透過される光ビーム５１３が、反射面５０６から半導体基板５０２上面に向かって内部反射されるように位置決めされている。光検出器活性領域５１０は、反射された光ビーム５１３が光検出器活性領域５１０上に衝突するように位置決めされている。光検出器を第２基板５０１上に載置することにより、第２基板５０１上に形成されたプレーナー型導波路５２０から光ビームを受容することができる。 （もっと読む）

【課題】
高速、高感度並びに入力光に対する光学位置合わせトレランスの大きな面入射型フォトダイオードを提供する。
【解決手段】
面入射型フォトダイオードにおいて、光吸収層４の上下に接しているクラッド層５、３の少なくとも光の入力側にある当該クラッド層３の形状が入力光１１の進行方向に対して層の幅が狭くなるテーパー状とし、光吸収層４の接合面積よりクラッド層３の受光面積を大きくする。これにより、入力光１１と面入射型フォトダイオードとの間の光学位置合せトレランスの改善を図り、面入射型フォトダイオードの高速化、高感度化、高光結合化を図る。 （もっと読む）

【課題】 接合バンプで接続されたハイブリッド型撮像装置などの検出装置等において、画素不良をなくし、経済性に優れ、かつ受光素子アレイ等の本体にダメージが生じにくい、検出装置等を提供する。
【解決手段】受光素子が複数配列されたフォトダイオードアレイ５０とＣＭＯＳ７０とを備え、フォトダイオードアレイの電極１１とＣＭＯＳの電極７１とが、接合バンプ９，７９を介在させて接合され、接合バンプ９，７９は、電極に接して位置する基部バンプ層９ａ，７９ａと、該基部バンプ層上に位置する、該基部バンプ層よりも、融点が低くかつ柔らかい金属からなる融合バンプ層９ｂ，７９ｂとを有し、該融合バンプ層が溶融して相手側と接合していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電素子と基板との相対位置を精度良く実装でき、かつ活性層側の厚みの小さい光モジュールを提供する。
【解決手段】光モジュール１は、基板２と、活性層３１が設けられた第１面３Ａと、前記第１面３Ａとは反対側の前記基板２に対向する第２面３Ｂとを備える光電素子３とを有し、前記光電素子３の前記第２面３Ｂに光電素子側バンプ３ａが設けられ、前記光電素子側バンプ３ａを介して前記光電素子３が前記基板２に固定されている。透明部材６の上部に固定用の透明基板を設ける必要がないので、活性層３１側の厚みの小さな光モジュール１を提供することができる。さらに光電素子３を基板２に固定する過程で光電素子の位置が基板に対してずれる心配が無いので、高い位置精度で光電素子を固定することができる。 （もっと読む）

【課題】 ハイブリッド型撮像装置などの検出装置等において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、接合強度を高くすることができ、かつ受光素子アレイ等の本体にダメージが生じにくい、検出装置等を提供する。
【解決手段】近赤外域の受光素子アレイ５０と、読み出し回路を構成するＣＭＯＳ７０とを備え、１つまたは２つの接合バンプ７９，９を挟んで、受光素子アレイの電極１１と読み出し回路の電極７１とが接合され、読み出し回路において、電極の対応部に開口部７８をあけられて、該電極が設けられた側の面７４を覆う樹脂層７５を備え、樹脂層の開口部の壁面等被覆するカップ状金属Ｋと、電解めっきで形成された接合バンプ７９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光受信モジュールにおいて、組立て作業性を損なうことなく、周波数特性を向上させ得る技術の提供。
【解決手段】光受信モジュールの基台部は、下段面と立ち上がり面と上段面とがこの順に連なる階段状の部分を有しており、光受信素子を配置するキャリアは、下面の幅よりも上面の幅が短くなっており、上面と前面に渡って配置される基準電圧用膜状配線及び信号電圧用配線が位置し、前記下段面と前記立ち上がり面に沿って配置され、前置増幅回路は、前記上段面に配置される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、実装精度を緩和させることによって安定的に高い光の結合効率を得て特性を均一化させる光半導体モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による光半導体モジュールは、複数の半導体素子８を集積して搭載し、各半導体素子８の活性領域の長手方向の一端を受発光部１０とし、各受発光部１０を各々異なる端面に形成した半導体チップ３と、半導体チップ３の受発光部１０が形成された各端面に相対して配置された、各々単数本のファイバコア６を有する複数のフェルール５と、半導体チップ３と各フェルール５との間に配置された複数のレンズ７とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
光結合効率が高く、高密度実装された小型の光モジュールを提供する。
【解決手段】
光モジュールにおいて、半導体基板１１の主表面に対して光を垂直方向に出射する発光素子が光出射領域に集積されたレンズ１９と光出射領域を囲むように集積された保持部２２とを有することにより、発光素子と発光素子からの光を導波する光ファイバ３１との水平垂直方向の位置合わせの簡易性が向上し、光結合効率が高く、高密度実装された小型の光モジュールを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 封止機能と光ファイバのガイド機能を備えた封止基板（第１基板）で光素子搭載基板（第２基板）が覆われた光モジュールの信頼性の向上（封止基板凹部での封止に対する信頼性）と製造工程の簡略化（大型基板での量産性向上、封止後の耐久試験が容易に行える）を実現する。
【解決手段】 光素子を表面に搭載し、貫通ビアホールで電気信号を裏面に導く光素子搭載基板と、レンズを裏面側に備え、表面側にファイバ保持用の非貫通凹部を持つ封止基板を貼り合せて封止した構造とする。 （もっと読む）

【課題】実装工程の工数を少なくすると共に、複数の光素子を基板上の同一線上に効率良く一致させて実装し得る生産性良好な光モジュール製造装置等を提供すること。
【解決手段】複数の光素子１ａ〜１ｃを同一線上に配列して保持する光素子用載置ステージ３２と、この各光素子用載置ステージ４〜６上の複数の光素子１ａ〜１ｃを基板１３に実装する構成の装置であって、前記光素子用載置ステージステージ３２を、複数の加熱用個別ステージ４，５，６によって構成すると共に、前記各加熱用個別ステージ４〜６の内の中央に位置する一の加熱用個別ステージ４を除いて他の各加熱用個別ステージ５，６が、前記中央に位置する一の加熱個別ステージ４上の光素子１ａが有する実装基準線Ｋに連続した一の基準線上に配列するように当該各加熱用個別ステージ４〜６の位置を調整する光素子用位置ずれ調整機構３３，３４を、それぞれ個別に備えていること （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の受光素子アレイにおいて、共通のｎ側電極を、能率よく確実に形成することができる、受光素子アレイ、その製造方法および当該受光素子アレイを用いた検出装置を提供する。
【解決手段】選択拡散されたｐ型領域１５ごとに設けられｐ側電極１２と、ＩｎＰ基板１の非成長部に接続されて、エピタキシャル積層体Ｅの最表面側へと延びるｎ側電極１１とを備え、エピタキシャル積層体Ｅの非成長側の端縁の壁面Ｅsは平滑面であり、そのエピタキシャル積層体の端縁部の格子欠陥密度が、そのエピタキシャル積層体の内側の格子欠陥密度より高く、かつｎ側電極が接続されるＩｎＰ基板の非成長部Ｍは、ＩｎＰ基板の内側から連続した平坦面とする。 （もっと読む）

【課題】波長の異なる光を分離するためにフィルタを空間的に配置すると、物理的なスペースが多く必要になるという問題を解決する。
【解決手段】波長分離型フォトダイオード７１は、隣接して設けられた少なくとも２つの面受光型フォトダイオード７３の受光面に、それぞれ異なる波長の光を選択的に透過させる、薄膜よりなる波長選択フィルタ７４をそれぞれ直接設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ホトダイオードアレイを備える放射線検出器の製造方法において、実装時における光検出部のダメージによるノイズの発生を防止する。
【解決手段】第１導電型の半導体からなる半導体基板３に、該半導体基板の両側表面を貫通する貫通配線８を形成する第１工程と、半導体基板の片側表面について、所定の領域に不純物を添加して複数の第２導電型の不純物拡散層を形成し、複数のホトダイオード４をアレイ状に配列して設ける第２工程と、半導体基板の片側表面側に、少なくともホトダイオード４が形成された領域を保護する膜厚１〜５０μｍの透明樹脂膜６を設ける第３工程とにより、ホトダイオードアレイを製造した後、ホトダイオードアレイを実装配線基板に実装する工程と、透明樹脂膜６上に、シンチレータパネル３１を、シンチレータパネルから出射された光を透過する光学樹脂３５を介して取り付ける工程とによって製造する。 （もっと読む）

【課題】開口部にカラーレジスト膜からなるカラーフィルタを形成し、さらにその上に保護膜を形成した後、ガラス等の上部支持基体を接着する光電変換装置において、開口部の段差近傍にて保護膜のしわやクラックが発生しやすい。
【解決手段】カラーレジスト膜５６を開口部９２の外縁部まで広げ、その上に保護膜５８を積層する。保護膜５８はカラーレジスト膜５６を覆う範囲に選択的に形成する。層間絶縁膜等を積層して構成され、開口部９２が形成される上部構造層５４には、その最上層の金属配線層を用いて、開口部を取り囲む平坦化フレーム９０が形成され、開口部９２の外縁部における上部構造層５４の表面を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でスイッチ機能と接続状態の確認機能を兼ね備えた接続確認モジュールを搭載した光電子回路基板を提供する。
【解決手段】第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂ、及び光導波路１０Ｃを備えた光電子回路基板１に開口１３を設け、その開口１３に光接続確認モジュール３を挿入する。光接続確認モジュール３は、第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄを有し、第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄは、それぞれが、ミラー３２２を有している。光接続確認モジュール３は、プッシュ操作を行うことにより、光導波路１０を伝播する光信号２を光路変換し、光路変換された光信号２を第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄの上面３２３から可視光として出射させる。検査者は、出射した光信号２を目視することで、光接続の状態を確認することが出来る。 （もっと読む）

【課題】光ファイバと光デバイスとの位置合わせが容易にできると共に、光ファイバと光デバイスとの光結合効率を向上することができる位置合わせガイド部材及び光コネクタを提供する。
【解決手段】位置合わせガイド部材１０は、光素子を有する光デバイス２０を支持する第一の支持部１００ａと、光導波路３０を支持する第二の支持部１００ｂと、光導波路３０の光軸と光素子の光軸とを結合し、第一の支持部１００ａと第二の支持部１００ｂとの間に設けられる空洞部１２０と、空洞部１２０の第一の支持部１００ａ側の少なくとも一部の表面に形成される反射部１１０とを備える。 （もっと読む）