【課題】近接センサ及び照度センサを１チップ化する場合、チップ面積を削減することができる光検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】受光部は、第１の受光素子５０と第２の受光素子５１が半導体を用いて一体的形成されている。第１の受光素子５０と第２の受光素子５１に共通なｐ型基板１を備えている。第１の受光素子５０では、第１のフォトダイオードＰＤ１、第２のフォトダイオードＰＤ２、第３のフォトダイオードＰＤ３が受光面から異なる深さに形成されている。第２の受光素子５１は赤外線透過フィルタ２０を備え、第４のフォトダイオードＰＤ１１、第５のフォトダイオードＰＤ１２、第６のフォトダイオードＰＤ１３が受光面から異なる深さに形成される。可視光領域に感度ピークを有する第１の受光素子５０から出力される光電流と赤外線領域に感度ピークを有する第２の受光素子から出力される光電流から周囲光の照度を測定する。 （もっと読む）

【課題】ナノワイヤセンサーの出力が微弱であっても高速で動作可能である。
【解決手段】非常に微細なナノワイヤ素子からなるナノワイヤセンサー素子４を含むナノワイヤセンサーの出力を、非常に微細なナノワイヤ素子からなるナノワイヤ増幅素子５およびナノワイヤ抵抗素子６,７を含むナノワイヤ回路で直接受ける。こうして、出力を増幅するためのナノワイヤ増幅素子５やナノワイヤセンサー素子４からナノワイヤ増幅素子５までの配線１２が持つ寄生容量を非常に小さくして、出力が微弱なナノワイヤセンサー素子４を備えていても、電子デバイス１を高速に動作させる。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードとトランジスタとが絶縁膜を介して同一の半導体基板に形成された半導体装置の、フォトダイオードを形成する半導体層と絶縁膜との界面のリーク電流を小さくする。
【解決手段】一導電型の半導体層１１と、半導体層の主面１５１に設けられた反対導電型の半導体領域１８２と、半導体層１１の主面１５１に半導体領域１８２と離間して設けられた一導電型で半導体層１１より高不純物濃度の半導体領域１９１、１９２と、少なくとも半導体領域１８２と半導体領域と１９１、１９２の間の半導体層１１の主面１５１に設けられた一導電型で半導体層１１より高不純物濃度で半導体領域１９１、１９２よりも低不純物濃度の半導体領域９９と、を備えるフォトダイオード３０と、半導体層１１の主面１５１上に設けられた絶縁層１０と、絶縁層１０上に設けられ、トランジスタ素子４０が形成された半導体層９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】各受光素子へ光が一様に照射されるか否かに拘らず、各分光特性の検出結果に偏りや感度のばらつきを生じることなく、照度の測定を行う。
【解決手段】受光素子ＰＤ１・ＰＤ２を備え、各受光素子ＰＤ１・ＰＤ２は、互いに異なる分光特性Ａ・Ｂから１つの分光特性が設定されるように構成され、各受光素子ＰＤ１・ＰＤ２は、照度の測定時に、互いに異なる分光特性となるように、分光特性Ａ・Ｂが順次切り替えて設定される。 （もっと読む）

【課題】入射光を遮ることなく、電磁ノイズをシールドすることができる半導体受光素子であって、受光素子とポリシリコン膜とがショートすることを回避し、かつ、受光素子のカソードとポリシリコン膜との間に発生する寄生容量を低減し、これによって、受光素子に接続される増幅器の動作の安定化を図ることができる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】Ｐ型基板１に形成されたＰＮ接合部４ａを有する受光素子４と、受光素子４を覆うＬＯＣＯＳ酸化膜５ａよりなる絶縁部と、絶縁部上に形成された透光性導電膜としてのポリシリコン膜８と、透光性導電膜に接続され、ＧＮＤ電位に固定するための電極７とを備える。 （もっと読む）

【課題】単一の受光素子を用いた簡単な構成による小型かつ低コストな近接／方向センサとして、対象物体の近接／非近接状態の変化とそれに直交する移動方向を、同時に最も効率よく検出して人体の動作に十分に追随させるための光検出装置を提供する。
【解決手段】受光素子２００は、反射光１０３が直接入射する第１のウェル３０１と、第１のウェル３０１を挟んで対向し、かつ反射光１０３は遮光されて入射しない第２のウェル３０２及び第３のウェル３０３とを備えている。受光素子２００による受信信号は、第１のウェル３０１の出力と第２のウェル３０２の出力との和、及び、第１のウェル３０１の出力と第３のウェル３０３との出力の和を、時間軸上で交互に出力する。この受信信号に基づいて、光検出装置天面の法線方向である第１の軸方向に沿う対象物体の近接状態と、前記対象物体の近接状態が変化した際の移動方向とが判定される。 （もっと読む）

【課題】光学的なパワー供給の利点を生かすとともに高い費用効率が得られるシステム及び方法を提供する。
【解決手段】光学的なパワー供給は、離れた孤立の回路を動作させるために個別の金属ワイヤではなく光を用いる。光学的パワー供給システム１００は、光の照射を受けて第１の電圧を供給する単一の光電変換コンポーネント１１０を備える。電圧ブースター１２０は、光電変換コンポーネント１１０から第１の電圧を受け、第１の電圧よりも大きな第２の電圧の信号をＶ_ＯＵＴ端子に供給する。光学的パワー供給システム１００は、電圧ブースター１２０からの第２の電圧によってパワーが供給されるセンサーと一体に構成してもよい。上記光電変換コンポーネント１１０は、安価な発光ダイオードでもよい。 （もっと読む）

【課題】活性化率が高く、毒性が低く、且つ制御が容易であるｐ型ドーパントを用いた量子型赤外線センサ用化合物半導体積層体を製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明による量子型赤外線センサを作製するための化合物半導体積層体は、基板に、ｎ型コンタクト層、光吸収層、ｐ型バリア層、及びｐ型コンタクト層が順次積層された積層体であって、前記光吸収層は、ノンドープのＩｎＳｂと、ｐ型ドーパントとしてＳｉがドーピングされた、ＧａＳｂ、ＡｌＳｂ、及びＡｌＧａＳｂからなる群より選択された一種とが周期的に積層された超格子構造体を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】出力信号の電圧低下を招くことなく、十分なゲインを確保できる光センサを提供する。
【解決手段】アノードが接地されたフォトダイオードＰＤ１と、フォトダイオードＰＤ１のカソードに一端が接続されたダイオード群ＤＧ１と、ダイオード群ＤＧ１の他端に一端が接続された電流源Ｉ１と、電流源Ｉ１の他端に一定電圧を印加する電源部と、フォトダイオードＰＤ１のカソードにベースが接続され、電流源Ｉ１の一端にコレクタが接続されたエミッタ接地型のＮＰＮトランジスタＱ_ＯＵＴ１とを備える。上記ダイオード群ＤＧ１は、フォトダイオードＰＤ１側に順方向が向くように直列に接続されたｎ個(ｎは２以上の整数)のダイオードＤ_１,Ｄ_２,…,Ｄ_ｎであり、ダイオード群ＤＧ１と電流源Ｉ１との接続点から、フォトダイオードＰＤ１に流れる光電流が電圧に変換されて光電変換信号として出力される。 （もっと読む）

【課題】焼き付きを低減しつつ、高い検出精度を得ることの可能な光検出回路および光検出方法と、上記検出回路を備えた表示パネルおよび表示装置とを提供する。
【解決手段】
光検出回路１４は、トランジスタＴ１、フォトダイオードＤ１および容量素子Ｃ１，Ｃ２を有している。トランジスタＴ１のゲートがダイオードＤ１のアノードと、容量素子Ｃ１と容量素子Ｃ２との接続点とに接続されている。トランジスタＴ１のドレインが電源線ＶＤＤＬに接続され、トランジスタＴ１のソースが光検出線ＬＤＬに接続されている。フォトダイオードＤ１のカソードが制御線ＲＳＴに接続されている。容量素子Ｃ１の一端がトランジスタＴ１のゲートに接続され、容量素子Ｃ１の他端が電源線ＶＤＤＬに接続されている。容量素子Ｃ２の一端がトランジスタＴ１のゲートに接続され、容量素子Ｃ２の他端が制御線ＲＳＴに接続されている。 （もっと読む）

【課題】フィルタ構造を用いずに所定の波長の光を選択的に検出できる半導体光素子および半導体光装置を提供する。
【解決手段】温度検知部と、温度検知部に熱的に接続された吸収部１０とを含み、吸収部１０に入射した光を検出する半導体光素子であって、吸収部１０が、特定波長を表面に結合させる表面プラズモンを誘起するように表面にアレイ状に配置された凹部１１および凸部を有し、特定波長の入射光の吸収量を、特定波長以外の入射光の吸収量より大きくする。また、複数の半導体光素子をアレイ状に配置する。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジが広く、かつ温度依存性が低減された光センサおよび、この光センサを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】光センサは、蓄積ノードと、リセット信号配線と、読み出し信号配線と、光検出用素子と、遮光層を有する参照用素子と、リセット信号が供給されてから読み出し信号が供給されるまでのセンシング期間に、光検出素子を流れる光量に応じた電流および参照用素子に流れる電流に応じて変化した蓄積ノードの電位を、読み出し信号にしたがって読み出し出力する、第１のスイッチング素子と、蓄積ノードと参照用素子との間に設けられ、読み出し信号供給時に蓄積ノードの電位が参照用素子の蓄積ノードとは反対側の電位より高くなった場合に、蓄積ノードと参照用素子との間を非導通状態にする第２のスイッチング素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放射ディテクタ、放射ディテクタの製造方法、および放射ディテクタを含むリソグラフィ装置に関する。
【解決手段】放射ディテクタは放射感応性表面を有する。放射感応性表面は、１０〜２００ｎｍの波長の放射および／または荷電粒子に感応する。放射ディテクタは、シリコン基板、ドーパント層、第１電極、および第２電極を有する。シリコン基板は、特定の導電タイプのドーピングプロファイルを有する第１表面側の表面領域内に設けられる。ドーパント層は、シリコン基板の第１表面側に設けられる。ドーパント層は、ドーパント材料の第１層と、第２層とを有する。第２層は拡散層であり、この拡散層は、シリコン基板の第１表面側の表面領域に接する。第１電極はドーパント層に接続される。第２電極はシリコン基板に接続される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、ダイナミックレンジを広くすることができる光センサを提供する。
【解決手段】光センサは、光検出素子と、第１の電圧（Ｖ＿ＳＳＲ）に対して電位差ΔＶ＿ＲＳＴ（Ｖ１）の第２の電圧（Ｖ＿ＳＳ）を発生させるパルス信号を、リセット信号として供給するリセット信号配線と、読み出し信号を供給する読み出し信号配線と、センシング期間（Ｔ１）に、光検出素子が受光した光量に応じて電位が変化する蓄積ノードと、蓄積ノードの電位変化に応じた信号を、出力配線へ読み出すセンサスイッチング素子とを備える。リセット信号配線では、センシング期間の少なくとも一部において、第１の電圧（Ｖ＿ＳＳＲ）と第２の電圧（Ｖ＿ＳＳ）との間の電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】放射線の検出感度を維持しつつ、電線と電極部との剥離を抑制できる。
【解決手段】検出可能領域上に充填される第１充填材444は、原子番号９以下の元素で構成されているので、原子番号９を超える元素で構成される場合に比して、放射線の透過性がよい。このため、検出可能領域において、放射線の検出感度が維持できる。また、バイアス電極401と電線とが接続される接続部は、弾性を有する第２充填材445が充填されているため、硬化性を有する充填材に比して、延長電極部431と高電圧線432との密着性が保て、高電圧線432と延長電極部431との剥離を抑制できる。このように、本実施形態では、延長電極部431と高電圧線432とが接続される接続部と検出可能領域とで充填材を使い分けることにより、放射線の検出感度を維持しつつ、高電圧線432と電極部との剥離を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ発光開始直後の不安定動作を排除する。
【解決手段】検出装置は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）を具備し、前記ＬＥＤの光を用いて検出を行う検出装置であって、前記ＬＥＤの発光開始直後の光量の不安定な時間（不安定時間）を判断するための不安定時間判断情報を記憶し、前記ＬＥＤの発光開始時に、当該ＬＥＤの前記不安定時間を前記不安定時間判断情報に基づいて判断し、発光開始から当該不安定時間の間の前記ＬＥＤの光を検出に用いない検出制御手段を具備する。 （もっと読む）

【課題】性能を低下させることなく光センサの小型化を図る。
【解決手段】フォトダイオードＰＤ１は、Ｐ基板１上に形成されたＮ拡散層１２の表面（受光面）に、Ｐ拡散層（不純物拡散層）からなる抵抗１５とＮ拡散層からなるカソード１３とを形成する。この抵抗１５は、屈曲したジグザグの帯状に形成されている。この抵抗１５により、フォトダイオードＰＤ１を流れる光電流を電圧に変換する。このように、電流−電圧変換用の抵抗１５をフォトダイオードＰＤ１上に形成することにより、フォトダイオードＰＤ１を含む光センサを小型化することができる。また、抵抗１５の一端を接地することにより、抵抗１５を電磁シールドとして機能させることができる。 （もっと読む）

【課題】光検出装置の縮小、製造コストの低減を図る。
【解決手段】可視光センサ及び赤外光センサを配置する際の面積を縮小するために、可視光を検知する第１のフォトダイオードと赤外光を検知する第２のフォトダイオードとを重畳して配置し、可視光を第１のフォトダイオードで先に吸収する構成とすることで第２のフォトダイオードに入射される可視光を非常に少なくするものである。また、第２のフォトダイオードと重畳して配置する第１のフォトダイオードを第２のフォトダイオードの光学フィルタとして用いるものである。そのため第１のフォトダイオードを構成する半導体層は可視光を吸収し、且つ赤外光を透過する半導体層とし、第２のフォトダイオードの半導体層は赤外光を吸収する半導体層とするものである。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さく且つ高ゲインを確保できる光センサを実現する。
【解決手段】光センサ１は、フォトダイオードＰＤ１と、ダミーフォトダイオードＰＤ２と、フォトダイオードＰＤ１およびダミーフォトダイオードＰＤ２の出力電流をそれぞれ電圧に変換するダイオードＤ１，ＰＤ２と、変換された電圧を差動演算する差動増幅器とを備えている。ダミーフォトダイオードＰＤ２は、フォトダイオードＰＤ１のリーク電流を受ける位置に配置され且つ遮光されている。ダミーフォトダイオードＰＤ２にリーク電流が流れることにより、ダイオードＤ２の電位が持ち上がるので、フォトダイオードＰＤ１側とダミーフォトダイオードＰＤ側との電位差が抑えられて、光センサ１の誤動作を抑制できる。また、フォトダイオードへＰＤ１の光入射時には、ダイオードＤ１により高ゲインが得られる。しかも、電流補償をすることなく特性を改善できるので、回路規模は増大しない。 （もっと読む）

【課題】可視光および赤外光の検出が可能であり、かつ小型化および生産性のいずれの観点においても改良された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板２と、半導体基板２上に設けられ可視光を検出する可視光検出部３と、半導体基板２上に設けられ赤外光を検出する赤外光検出部４と、赤外光検出部４を覆うように設けられ赤外光を透過させる積層光学膜６とを含む。半導体装置１は、さらに、半導体基板２上に設けられ、可視光検出部３の出力と赤外光検出部４の出力とに対して演算を行う機能素子部５を含んでいてもよい。積層光学膜６は、機能素子部５を覆っていることが好ましい。 （もっと読む）