【課題】光電変換層に付着した不純物に起因して発生するリーク電流を抑制することが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】この撮像装置１００は、基板１の表面上に形成される薄膜トランジスタ７と、薄膜トランジスタ７のドレイン電極２５に電気的に接続される下部電極２７と、下部電極２７の表面上に設けられる光電変換層３０と、光電変換層３０の表面上に設けられる透明電極３４とを備え、光電変換層３０の側面は、平面的に見て、透明電極３４の側面３４ａと略一致しているか、または、光電変換層３０の側面の少なくとも一部が透明電極３４の側面３４ａよりも内側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 電子機器類において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、かつ接合強度を高くすることができる、電子機器、バンプ接合された複合型電子機器、検出装置、受光素子アレイ、および、これらの製造方法を提供する。
【解決手段】 接合バンプ９に接合される電極を有する電子機器５０,７０であって、電極１１，７１，１２，７２に、凹部Ｋが、該凹部の底部と該凹部以外の電極の面である頂部との平均垂直距離が１００ｎｍ以上となるように、該電極の面にわたって形成されており、かつ、凹部がエッチングにより付されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体のＰ/Ｎ接合界面端部が、大気と接することで生じるリーク電流等の欠陥を抑制し、不良を起こしにくくしたＰＮ接合ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】互いに導電型の異なるシリコン半導体２，３相互の接合部を少なくとも１つ有する半導体装置であって、上記シリコン半導体接合部の接合界面端部を含む表面を、Ｎを含有するＳｉＯ₂膜８で接合界面端部を覆うことにより、接合界面端部の大気との接触を避けることができ、この部分での不純物吸着を抑え、経年によるリーク電流の発生を抑えることができる。ＳｉＯ₂膜８にＮを含有させることで、ＮがＳｉＯ₂膜に含有されると同膜に正の固定電荷が発生し、これにより電場が形成され、接合界面端部を含む表面でのキャリアの再結合を抑え、リーク電流の発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 結晶性が良好な素子窒化物光半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 この窒化物光半導体素子は、Ａ面サファイア基板１と、基板１上に設けられた厚さが１μｍを超えるＣ面ＡｌＮ層２と、ＡｌＮ層２上に形成されたｎ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層４と、ｎ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層４上に形成されたｐ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層９とを備えている。Ａ面サファイア基板１上に、１μｍを超えるＣ面ＡｌＮ層を成長することによって、これにクラックが発生せず、平坦性と結晶性に優れたＣ面ＡｌＮ層が得られる。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高い光検出素子、光検出装置及び赤外線検出素子、赤外線検出装置を提供する。
【解決手段】入射した赤外線ＩＲを他の波長帯域の光に変換すると共に、他の波長帯域に変換された光を検出する赤外線検出素子１０において、赤外線検出素子１０の受光面に凹凸構造２８を設けると共に、受光面以外の赤外線検出素子１０の外周面を金属膜２４で覆い、凹凸構造２８を透過して、素子内部に入射した光を、金属膜２４で反射すると共に、金属膜２４で反射した光を凹凸構造２８で反射し、他の波長帯域に変換された光を金属膜２４と凹凸構造２８との間で反射し、入射した赤外線ＩＲ及び他の波長帯域に変換された光をセル１１内部に閉じ込めるようにした。 （もっと読む）

【課題】所定のアドレスに配置された光電変換素子の周辺に配置された光電変換素子に反射光が入射してしまうことによって生ずる解像度（分解能）の低下（周辺ボケ）を防止することを目的とする。
【解決手段】第１の透光性基板と、第１の透光性基板上に設けられた複数の光電変換素子と、前記複数の光電変換素子に対向して設けられた第２の透光性基板と、前記第１の透光性基板と第２の透光性基板とを接着し前記複数の光電変換素子を囲って配置されたシール材と、を有する構造を形成し、前記第１の透光性基板をウェットエッチングすることにより、前記第１の透光性基板を薄くする。 （もっと読む）

【課題】ＳＮ比を向上させることができる固体撮像装置内視鏡を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１００は、複数の画素部を有し、画素部が、画素電極１０４と、画素電極の上方に設けられ、受光した光に応じて電荷を生成する光電変換層を含む有機層１０７と、有機層の上方に複数の画素部で共有に設けられた対向電極１０８と、対向電極を覆う封止層１１０と、封止層の上方に設けられたカラーフィルタＣＦと、画素電極に捕集された電荷に応じた信号を読出す読出し回路１１６と、カラーフィルタを透過する光を、該カラーフィルタが配置された画素部に対応する光電変換層へ導く集光手段１１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】特性の良い光電変換素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。または、簡単な工程で、特性の良い光センサ光電変換装置を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】光透過性を有する基板と、光透過性を有する基板上の絶縁層と、絶縁層上の、光電変換を奏する半導体領域、第１の導電型を示す半導体領域、および、第２の導電型を示す半導体領域を有する単結晶半導体層と、第１の導電型を示す半導体領域と電気的に接続された第１の電極と、第２の導電型を示す半導体領域と電気的に接続された第２の電極とを有する光電変換素子とを備える半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】高い感度を得ることができる光検知器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極１と、下部電極１上方に形成された活性層９と、活性層９上方に形成された上部電極４と、が設けられている。活性層９には、障壁層２と、障壁層２と格子整合する量子井戸層３と、が設けられている。障壁層２及び量子井戸層３は、タイプＩＩ型の超格子を構成している。量子井戸層３には、第１の化合物半導体層３ａ及び３ｃと、第１の化合物半導体層３ａ及び３ｃの結晶に格子歪を生じさせる第２の化合物半導体層３ｂと、が設けられている。 （もっと読む）

感光素子および関連方法が提供される。一側面では、例えば、感光撮像素子は、少なくとも１つの接合部を形成する複数のドープ領域と、半導体基板に連結され、電磁放射と相互作用するように設置される、テクスチャ加工領域と、半導体基板に連結され、少なくとも１つの接合部から電気信号を伝導するように動作可能な電気伝導要素とを有する、半導体基板を含むことができる。一側面では、テクスチャ加工領域は、赤外線電磁放射の検出から電気信号の発生を促進するように動作可能である。別の側面では、電磁放射と相互作用するステップはさらに、テクスチャ加工領域を欠いている半導体基板と比較して、半導体基板の有効吸収波長を増加させるステップを含む。
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【課題】本発明は反射防止膜を有するイメージセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】反射防止イメージセンサは、基板と、前記基板内に配置された第１カラーセンシングピクセルと、前記基板内に配置された第２カラーセンシングピクセルと、前記基板内に配置された第３カラーセンシングピクセルと、前記第１、第２および第３カラーセンシングピクセル上に直接配置された第１層と、前記第１、第２および第３カラーセンシングピクセル上に置かれ、前記第１層上に直接配置された第２層と、前記第１カラーセンシングピクセルまたは第２カラーセンシングピクセルの少なくとも一つの上に置かれ、前記第２層の一部上に直接配置された第３層とを含み、前記第１層は第１屈折率を有し、前記第２層は前記第１屈折率より大きい第２屈折率を有し、前記第３層は前記第２屈折率より大きい第３屈折率を有する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体結晶中への亜鉛の取り込み量を増やすことができる化合物半導体膜の製造方法、化合物半導体膜及び当該化合物半導体膜を用いた半導体デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】亜鉛をドープするｐ型化合物半導体膜のエピタキシャル成長時に、亜鉛含有原料（例えば、ジエチル亜鉛；ＤＥＺｎ）と共に所定範囲の供給量のＳｂ含有原料（例えば、トリスジメチルアミノアンチモン；ＴＤＭＡＳｂ）を供給することにより、化合物半導体膜（例えば、ＩｎＧａＡｓ膜）中への亜鉛の取り込み量を増やす。 （もっと読む）

【課題】暗電流および劣化を抑制可能な半導体受光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体受光素子の製造方法では、第１導電型半導体基板を用意する工程と、第１導電型半導体基板上に、第１導電型層、光吸収層、拡散バッファ層、および第２導電型層をこの順に含んだ半導体層を形成する工程と、前記拡散バッファ層および前記第２導電型層において、外周の一部または全部を除去することにより内周を受光部として残す第２導電型層除去工程と、前記第１導電型層の形成後かつ前記光吸収層の形成前に、アバランシェ増倍層を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 十分な受光感度を保ちつつ、受光部の容量を低減し、且つキャリアの走行時間も短縮した半導体受光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板と、該半導体基板上に形成された第１導電型の第１の半導体層と、該第１の半導体層上に形成された高抵抗の第２の半導体層と、該第２の半導体層上に形成された第１導電型の第３の半導体層と、前記第２の半導体層中に埋め込まれた第２導電型の第４の半導体層からなり、前記第４の半導体層は、前記半導体基板の表面に水平方向に一定間隔で分離されていることを特徴とする半導体受光装置。 （もっと読む）

【課題】光電変換層のキャリア生成効率を上昇させることを目的とする。
【解決手段】光電変換層を複数種類の半導体を積層した構造とすることによって、広い波長範囲に渡って光を吸収することができるので、キャリア生成効率を上昇させることができる。さらに、複数種類の半導体を積層した光電変換層は膜厚比を最適化することによってキャリア生成効率を向上させることができる。具体的には、吸収係数を求め、透過光の強度式に代入し、透過光の積分強度が最小となる膜厚比を決定し、その膜厚比を膜厚となるように上記複数種類の半導体を成膜すればよい。 （もっと読む）

【課題】優れた信頼性を具備し、かつ簡易に製造できる半導体受光素子を提供すること。
【解決手段】本発明は、ｎ型の半導体基板２０１上に、半導体メサ１２０と、少なくとも半導体メサ１２０の側壁を覆う半導体層１０７ａが少なくとも形成されている。半導体メサ１２０は、光吸収層１０４と、ｐ型のコンタクト層１０６を少なくとも有する。半導体基板１０１の主面は、＜０１−１＞方向を軸として、（１００）面に対して回転角θだけ回転した結晶面であり、その回転角θは０．１°≦｜θ｜≦１０°である。 （もっと読む）

【課題】メサ型フォトダイオードの安定なデバイス特性及び長期信頼性を得る。
【解決手段】メサ（受光領域メサ１９）の側面２３と、メサの上面２４における少なくとも当該メサの肩の部分（肩部２５）とは、それらの上に成長された第１導電型、第２導電型、半絶縁型、ないしノンドープの半導体層（例えば、ノンドープＩｎＰ層１７）により連続的に被覆されている。半導体層においてメサの側面２３を覆う部分の層厚Ｄ１が８５０ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】光検出感度を向上することが可能な半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】フォトダイオードアレイＰＤＡ１は、第１導電型の半導体からなり、互いに対向する第１主面１ａ及び第２主面１ｂを有すると共に第１主面１ａ側に第２導電型の複数の半導体領域３がアレイ状に形成されたシリコン基板１を備えている。シリコン基板１には、第２主面１ｂ側にシリコン基板１よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層１０が形成されていると共に、第２主面１ｂにおける少なくとも第２導電型の複数の半導体領域３の間の領域に対向する第１の領域１ｂ_１に不規則な凹凸１１が形成されている。シリコン基板１の第２主面１ｂにおける第１の領域１ｂ_１は、光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】高い均一性を備える銀薄膜を熱処理により凝集させて凸凹を形成する場合、温度や表面状態により、一箇所に凝集し、銀薄膜が無くなってしまう領域と、銀が「だま」状に集中してしまう場所ができてしまう場合がある。この場合、本来の目的である乱反射領域にはならず、不良品となる課題がある。
【解決手段】多結晶ＩＴＯ層２０ａを積層し、フォトリソグラフ工程によりレジストマスクを形成した後、多結晶ＩＴＯ層２０ａを例えば塩酸系のエッチング液を用いてエッチングする。ここで、レジストマスクに覆われた部分は配線層として機能する。この場合粒界から選択的にエッチングが進行し、特定の面方位のグレインが残り、エッチングマスクとして機能する残渣２０ｂが形成される。この残渣２０ｂをマスクとして第２層間絶縁層１９をドライエッチングすることでテクスチャー構造を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成によって、第１の光電変換部と第２の光電変換部との近接、及び第２の光半導体素子に対する気密封止を実現することができる光検出器を提供する。
【解決手段】 光検出器１では、低抵抗Ｓｉ基板３、絶縁層４、高抵抗Ｓｉ基板５及びＳｉフォトダイオード２０によって、凹部６内に配置されたＩｎＧａＡｓフォトダイオード３０に対する気密封止パッケージが構成されており、低抵抗Ｓｉ基板３の電気通路部８及び配線膜１５によって、Ｓｉフォトダイオード２０及びＩｎＧａＡｓフォトダイオード３０に対する電気的配線が達成されている。そして、Ｓｉフォトダイオード２０のｐ型領域２２がＳｉ基板２１の裏面２１ｂ側の部分に設けられているのに対し、ＩｎＧａＡｓフォトダイオード３０のｐ型領域３２がＩｎＧａＡｓ基板３１の表面３１ａ側の部分に設けられている。 （もっと読む）