【課題】高強度の光が入力されても、応答性の低下が抑制できるようにする。
【解決手段】例えばＩｎＰからなる基板１０１と、基板１０１の上に形成された第１導電型の半導体からなる第１半導体層１０２と、第１半導体層１０２の上に形成された半導体からなる光吸収層１０３と、光吸収層１０３の上に形成された第２導電型の半導体からなる第２半導体層１０５と、第１半導体層１０２に形成された第１電極および第２半導体層１０５に形成された第２電極とを少なくとも備える。光吸収層１０３は、対象とする光の波長に対応するバンドギャップエネルギーを有して基板１０１とは格子定数が異なる半導体から構成されて歪みを有している。 （もっと読む）

【課題】暗電流を抑えることができるフォトダイオードを用いた光電変換装置を、マスクの枚数を増やすことなく作製できる方法の提供を、目的の一とする。
【解決手段】同一の形状を有するマスクを用いた露光を、一のフォトレジスト層に対して複数回行い、なおかつ、各露光により上記フォトレジスト層において形成される像を、部分的に重ね合わせる。そして、上記像が重ね合わされた領域に、最上層のｐ層或いはｎ層の形状を加工するためのレジストマスクを選択的に形成する。また、ｉ層の形状を加工するためのレジストマスクも、上記マスクと同一の形状を有するマスクを用いた露光により、形成する。上記構成により、同一の形状を有するマスクを用いながらも、最上層のｐ層或いはｎ層の形状を加工するためのレジストマスクのパターンを、ｉ層の形状を加工するためのレジストマスクのパターンよりも、１回り小さく形成することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンからなる集積回路とゲルマニウム受光器との集積化がより容易に行えるようにする。
【解決手段】シリコン層１０１の上に形成された第１ゲルマニウム層１０２と、第１ゲルマニウム層１０２の上に形成された第２ゲルマニウム層１０３と、第２ゲルマニウム層１０３の上に第２ゲルマニウム層１０３の上面を覆って形成されたシリコンキャップ層１０４とを少なくとも備える。第１ゲルマニウム層１０２および第２ゲルマニウム層１０３は、周囲が絶縁層１０５により覆われている。 （もっと読む）

【課題】 特に微弱光（もしくは光子）の検出信号のＳ／Ｎ比を向上させることができる半導体受光素子、および、それを用いた半導体受光装置を提供する。
【解決手段】 光信号を電気信号に変換するフォトダイオード層１３が、光吸収層１３３と、増倍層１３１と、これらに挟まれた電界緩和層１３２とを含み、
増倍層１３１において、第一増倍層１３１ａと、これに隣接する第二増倍層１３１ｂとが、電界緩和層１３２側から前記順序で積層され、
第一増倍層１３１ａ内に含まれる材料のバンドギャップの最小値をＥｇ１_ｍｉｎ、第二増倍層１３１ｂ内に含まれる材料のバンドギャップの最大値をＥｇ２_ｍａｘ、第二増倍層１３１ｂ内に含まれる材料のバンドギャップの最小値をＥｇ２_ｍｉｎとしたとき、Ｅｇ１_ｍｉｎ≧Ｅｇ２_ｍａｘかつＥｇ１_ｍｉｎ＞Ｅｇ２_ｍｉｎの関係を満たすことを特徴とする半導体受光素子。 （もっと読む）

【課題】
高速、高感度並びに入力光に対する光学位置合わせトレランスの大きな面入射型フォトダイオードを提供する。
【解決手段】
面入射型フォトダイオードにおいて、光吸収層４の上下に接しているクラッド層５、３の少なくとも光の入力側にある当該クラッド層３の形状が入力光１１の進行方向に対して層の幅が狭くなるテーパー状とし、光吸収層４の接合面積よりクラッド層３の受光面積を大きくする。これにより、入力光１１と面入射型フォトダイオードとの間の光学位置合せトレランスの改善を図り、面入射型フォトダイオードの高速化、高感度化、高光結合化を図る。 （もっと読む）

【課題】全波長帯の量子効率に優れた垂直構造のシリコン光電子増倍管を提供すること。
【解決手段】本発明は垂直構造のシリコン光電子増倍管に係り、さらに詳しくは、ガイガーモードで動作する多数のマイクロピクセルと、前記マイクロピクセルの周りに配設されるトレンチ電極と、前記マイクロピクセル及び前記トレンチ電極が載置されると共に、外部につながるように部分的に開放された状態の基板と、を備えて、前記トレンチ電極と前記マイクロピクセルとの間に逆バイアスを加えることにより電場が水平に形成されることをその構成上の特徴とする。特に、前記マイクロピクセルは、ｐ型伝導性のエピタキシ層と、前記エピタキシ層の内部に垂直に形成されるＰＮ接合層と、を備えていてもよい。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、生体成分を高感度で検出することができる生体成分検出装置を提供する。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、受光層における不純物濃度が５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、拡散濃度分布調整層の拡散前のｎ型不純物濃度が２×１０^１５／ｃｍ^３以下であって受光層側の厚み範囲に低い不純物濃度範囲を有し、生体成分検出装置は、波長３μｍ以下の生体成分の吸収帯に含まれる、少なくとも１つの波長の光を受光して、検査をする。 （もっと読む）

【課題】カルコパイライト型半導体を用いるとともに、より広範囲の光波長域の光も光電変換でき、より多くの撮像データが得られる光電変換装置およびその製造方法、および固体撮像装置を提供する。
【解決手段】下部電極層２５と、下部電極層２５上に配置され、表面に高抵抗層２４２を有するカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜２４と、化合物半導体薄膜２４上に配置された透明電極層２６と、層間絶縁層４１、酸化亜鉛系化合物半導体薄膜４２、電極４３、４４を備え、透明電極層２６と下部電極層２５間に逆バイアス電圧を印加して、前記透明電極層２６と前記下部電極層２５間及び前記電極４２、４３間に逆バイアス電圧を印加することにより、紫外領域光を光電変換して広帯域化する光電変換装置およびその製造方法、および光電変換装置を適用した固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】 経済性に優れ、かつ高い製造歩留りを可能にしながら、画素に短絡や接続不良（オープン）を生じない、検出装置等を提供する。
【解決手段】受光素子アレイ５０と、ＣＭＯＳ７０と、これらの間に介在する接合バンプ９と、受光素子アレイおよびＣＭＯＳのグランド電極１２，７２どうしを接続する接続部材２１とを備え、受光素子アレイのグランド電極１２は、画素領域４５の外側４７において、段の底面をなす化合物半導体層２にオーミック接触しており、接続部材２１は、受光素子アレイのグランド電極１２とＣＭＯＳのグランド電極７２とに対して直立していることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】より簡易な手法で、所定の層表面に反射防止構造を形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、高周波電力を印加したプラズマ雰囲気中で、基板上にシリコン（Ｓｉ）含有絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、前記Ｓｉ含有絶縁膜を形成する際に用いたガスを継続して流し続けながら前記高周波電力の出力を弱めることで、前記Ｓｉ含有絶縁膜上にＳｉを主成分とする複数の粒子を堆積させる工程（Ｓ１０４）と、前記複数の粒子をマスクとして、前記Ｓｉ含有絶縁膜をエッチングする工程（Ｓ１０６）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、ナノワイヤを含むナノワイヤフォトダイオードと少なくとも一つの垂直フォトゲートに動作可能に接続するナノワイヤフォトダイオードからなるデバイスに関する。

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【課題】光の入射角度を規定することができるようにしながらも、体格の増大が抑制された受光素子を提供する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板の一面側に形成された、光を検知して、検知した光を電気信号に変換する受光部と、を備え、受光部の形成面の裏面が光の入射面とされた受光素子であって、半導体基板の厚さ方向にトレンチが形成され、該トレンチによって、受光部の受光面と、半導体基板内に入射した光の進行方向とが成す光の入射角度を規定した。 （もっと読む）

【課題】光センサの感度のばらつきを低減することができる半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光を透過しないＭｅｔａｌ層２６の下部領域、すなわち、Ｎ−ＷＥＬＬ層１４上部方向から照射された光が入射されない領域にＮ＋層１６が形成されており、Ｎ−ＷＥＬＬ層１４上部の光が入射される領域にはＮ＋層１６は形成されていない。これにより、受光素子１０に入射された光は、Ｎ＋層１６を透過せずに、Ｐ−Ｓｕｂ層１２とＮ−ＷＥＬＬ層１４とのＰＮ接合面に到達し、電荷を励起させる （もっと読む）

【課題】安価に製造することができ、フレキシブルな基板上に形成することが可能な高精度な紫外線センサを提供することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトランジスタと、前記トランジスタのゲートに接続する電圧源を有し、前記トランジスタのしきい値電圧は前記酸化物半導体膜に紫外線を照射することによって変化し、前記トランジスタのしきい値電圧の変化は酸化物半導体膜に照射される紫外線の波長に依存し、前記電圧源は前記トランジスタのゲートに出力する電圧を調整する構成を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】小型化を容易に図ることができ、且つ、ＥＭＩによる誤作動を防止することができる光検出装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】受光部及び回路部が形成された半導体層とシリコン基板とが絶縁層を介して積層された構造を有するＳＯＩ基板と、ＳＯＩ基板の第１主面上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜に埋設された表面回路配線と、受光部への所定波長領域の光を透過する開口を有する格子部を含む表面擬似配線と、ＳＯＩ基板の第２主面上に形成された裏面回路配線及び裏面擬似配線と、表面回路配線と裏面回路配線とを接続する貫通回路配線と、表面擬似配線と裏面擬似配線とを電気的に接続する貫通擬似配線を有し、受光部の周囲は、表面擬似配線、裏面擬似配線及び貫通擬似配線によって囲まれていること。 （もっと読む）

【課題】 光電変換装置において、保護絶縁膜の構造を変えることなく、入射光の波長に対しての出力の波（リップル）を低減する。
【解決手段】 本発明は上記課題に鑑み、複数の光電変換領域と、前記複数の光電変換領域上に配された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に接して配された、該層間絶縁膜とは異なる屈折率を有する保護絶縁膜と、を有する光電変換装置において、各光電変換領域の受光面に配された凹部と、該凹部を埋め込む埋込領域とを有し、前記凹部の深さｄは各第一半導体領域への入射光の波長をλとし、前記埋込領域の屈折率をｎとしたとき、ｄ≧λ／４ｎであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い性能を有する光変換装置、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる光電変換装置は、基板１上に形成された薄膜トランジスタ１０１と、薄膜トランジスタ１０１と電気的に接続されたフォトダイオード１００と、を備え、フォトダイオード１００は、薄膜トランジスタ１０１のドレイン電極７と接続する下部電極１０と、下部電極１０の上に形成された光電変換層１１と、光電変換層１１上に透明導電膜によって形成され、上面視で光電変換層１１の上面に内包されるよう形成された上部電極１２と、上部電極１２の外側の部分の光電変換層１１の上面を保護するよう設けられた保護膜（化合物層２０等）と、を備えるものである。 （もっと読む）

エピタキシャルリフトオフを用いる、フレキシブル光電（ＰＶ）デバイス等の感光性デバイスの製造方法が開示される。同様に、成長用基板を有する構造を含むフレキシブルＰＶデバイスを製造する方法が開示され、この方法では、保護層の選択的エッチングにより、再利用に好適な平滑な成長用基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】 高感度な半導体受光装置を構成可能な半導体受光素子、それを用いた半導体受光装置および半導体受光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体受光素子１０は、基板１１上に、光信号を電気信号に変換するフォトダイオード層１２と、半導体抵抗層１３とが、前記順序で積層され、前記フォトダイオード層１２と前記半導体抵抗層１３とが、電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域に受光感度を有し、良好な結晶性を得やすく、かつ、その一次元または二次元アレイを、高精度で形成しやすく、暗電流を低くできる受光素子、受光素子アレイ、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐｎ接合１５を受光層３に含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体積層構造の受光素子であって、受光層がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素が、受光層内に選択拡散されて形成されており、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６ｃｍ^−３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）