【課題】簡単に設計された、感度の高い、無線周波数の使用に適した、ｐｉｎダイオード、を備えた集積回路構造を提供する。
【解決手段】集積回路構造において、保護される材料８２が隣接している少なくとも１つの段を含んだ形状を形成し、段をも覆う保護層を形成し、上記保護層を形成した後、スペーサ素子層を形成し、スペーサ素子層に異方性エッチングを行い、段に少なくとも１つのスペーサ素子を形成し、スペーサ素子によって覆われていない領域において、保護層を薄膜化するか、または、完全に除去し、上記保護される材料８２に沿って、保護層の少なくとも１つの残余領域１５０が残っており、保護層を薄膜化または除去した後、有効層を形成し、有効層をパターン形成すると同時に、スペーサ素子を除去して、保護される材料８２を、残余領域１５０によって保護する。 （もっと読む）

【課題】高品質な光デバイスをシリコン基板上にモノリシックに形成する。
【解決手段】シリコンを含むベース基板と、ベース基板上に設けられた複数のシード結晶と、複数のシード結晶に格子整合または擬格子整合する複数の３−５族化合物半導体とを備え、複数の３−５族化合物半導体のうちの少なくとも１つに、供給される駆動電流に応じて光を出力する発光半導体、または光の照射を受けて光電流を発生する受光半導体を含む光電半導体が形成されており、複数の３−５族化合物半導体のうち、光電半導体を有する３−５族化合物半導体以外の少なくとも１つの３−５族化合物半導体にヘテロ接合トランジスタが形成されている光デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】安価で、効果的な臨界制御で製造することのできる単純かつ効果的なアバランシュ・フォトダイオードを提供する。
【解決手段】本発明は、プレーナ接触領域を定める第１のｎ型半導体層とｐ型拡散領域を有する第２のｎ型半導体層とを有するプレーナ・アバランシェ・フォトダイオードを備える。本発明の構造のさらなる特徴は、ｎ型半導体多重層と、ｎ型半導体吸収層と、ｐ型接触層とを備える。さらなる実施形態は、プレーナ接触領域を定める第１のｎ型半導体層と、ｎ型半導体多重層と、ｎ型半導体吸収層と、ｐ型接触層に電気的に結合されたｐ型半導体層とを有するプレーナ・アバランシェ・フォトダイオードを備える。 （もっと読む）

【課題】第１基板から窒化物半導体層を容易に剥離する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０１の表面で単層又は複数層のグラフェン層１１１が成長する工程と、グラフェン層との界面で、共有結合性を有することなく、原子レベルのポテンシャルの規則性のみを用いた結合力を伴って窒化物半導体層１１４が形成される工程と、窒化物半導体層１１４とグラフェン層１１１ａとの間、あるいはグラフェン層相互間１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃのポテンシャルによる接合力以上の力で、窒化物半導体層がＳｉＣ基板から剥離される工程とを備える。また、剥離された窒化物半導体層が第２基板１３０の表面に接合される。 （もっと読む）

【課題】段差部において膜厚の急激な変動が抑制された半導体膜を含む半導体基板、およびその製造方法、並びに、その半導体基板を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体基板１は、下地基板１０と、下地基板１０上の一部に形成されている金属膜２０と、金属膜２０を覆うようにして下地基板１０上に形成されている絶縁膜３０と、絶縁膜３０上に形成され、かつ結晶化された半導体膜４０とを備えている。絶縁膜３０は、金属膜２０の端部において段差部を有し、当該段差部の下地基板１０に対して垂直な断面形状が、外に膨らむ「Ｒ」形状を呈している。上記段差面は、その上端部から下端部に向かって、テーパー角度ψが略０°から徐々に大きくなって、略４０°〜９０°であるテーパー角度θになるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】長波長放射を検出することができる装置を提供する。
【解決手段】
長波長放射を検出することができる光検出器であって、絶縁層の近位端上に配置されたソースと、絶縁層の遠位端上に配置されたドレインと、近位端と遠位端との間でソース及びドレインを結合する少なくとも１つのナノアセンブリと、ソースとドレインとの間に配置され、少なくとも１つのナノアセンブリの長手方向に少なくとも１つのナノアセンブリと並置された少なくとも２つの表面プラズモン導波路とを備え、少なくとも２つの表面プラズモン導波路のうちの一方は、少なくとも１つのナノアセンブリの第１の側に沿って配置され、少なくとも２つの表面プラズモン導波路のうちの他方は、第１の側に対向する少なくとも１つのナノアセンブリの第２の側に沿って配置される長波長放射を検出することができる光検出器を実現する。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い赤外線検出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明に係る赤外線検出素子１は、基板２と、第１のＰＮ接合部９と第２のＰＮ接合部１０とが交互に並ぶように基板２の一方の側の主面Ａに沿って線状に延在すると共に、主面上で隣り合う部位が溝１５によって仕切られたＰＮ半導体層３と、第１のＰＮ接合部９が一方の側に露出するように第２のＰＮ接合部１０の一方の側に設けられ、第２のＰＮ接合部９を短絡させる中間電極４と、ＰＮ半導体層３の両端部Ｅ１，Ｅ２に設けられ、一方の側からの赤外線の入射によって第１のＰＮ接合部９で発生した電荷による電位の変化を出力するための端子電極５，６と、を備える。 （もっと読む）

単一の独立した個別増幅器を用いることによる、又は入力信号を個別に増幅される個別成分に分散させることによる、光又は電気入力信号の検出のためのシステム及び方法を提供する。入力信号は、９５０ｎｍより長い波長における光吸収プロセスの結果又は低レベル電気信号とすることができる。個別増幅器は、非ゲートモードで降伏領域内又はそれを越えたバイアス電圧を受けながら動作可能なアバランシェ増幅器であり、入力信号検出及び増幅半導体層にモノリシックに統合された複合誘電体フィードバック層を含む。 （もっと読む）

【課題】耐久性が高く、かつ、高速応答性能を有する半導体受光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体受光素子１は、入力部１２１と、第一出力部１２２と、第二出力部１２３とを含み、入力部１２１から入力した光を偏光分離せずに、入射光よりも強度の低い光に分岐して、第一出力部１２２、第二出力部１２３から出力する光分波器１２と、第一出力部１２２からの光を伝播させる第一光導波路１３Ａと、第二出力部１２３からの光を伝播させる第二光導波路１３Ｂと、第一光導波路１３Ａの光射出側端面、第二光導波路１３Ｂの光射出側端面に接続された半導体光吸収層１４２とを備える。第一光導波路１３Ａからの光は、第二光導波路１３Ｂからの光とは異なる方向から前記半導体光吸収層１４２に入射する。 （もっと読む）

【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有している半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】フォトダイオードＰＤ１は、第１導電型の半導体領域と第２導電型の半導体領域とで形成されたｐｎ接合を有するｎ⁻型半導体基板１を備えている。ｎ⁻型半導体基板１には、ｎ⁻型半導体基板１の第２主面１ｂ側にアキュムレーション層７が形成されていると共に、第１主面１ａ及び第２主面１ｂにおける少なくともｐｎ接合に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。ｎ⁻型半導体基板１の第１主面１ａ及び第２主面１ｂにおけるｐｎ接合に対向する領域は、光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】表面表域の注入プロファイルのばらつきを抑制する。
【解決手段】半導体基板の上に第１の絶縁膜２０２ｉを形成する第１の工程と、前記第１の絶縁膜の上に導電層を形成し、ゲート電極２０３を形成する第２の工程と、前記ゲート電極をマスクとして前記第１の絶縁膜の露出した表面をエッチングする第３の工程と、前記第１の絶縁膜におけるエッチングされた部分を介して第１導電型の不純物イオンを前記半導体基板に注入することにより、光電変換部における電荷蓄積領域となるべき半導体領域２０６ｉを形成する第４の工程と、前記第４の工程の後に、前記薄膜化された部分を除去する第５の工程と、前記半導体基板及び前記ゲート電極を覆うように第２の絶縁膜２０７を形成する第６の工程と、前記第２の絶縁膜を介して第２導電型の不純物イオンを前記半導体基板に注入することにより、前記光電変換部における表面領域２０８を形成する第７の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】メサ上に再成長される半導体層によるメサの被覆性を、工程の追加を行わずに向上させることができるようにする。
【解決手段】メサ（受光領域メサ１９）の側壁は、当該メサの裾が広がる方向に傾斜する斜面である。メサの少なくとも側壁１１２は、その上に成長された、第１導電型、第２導電型、半絶縁型、ないしノンドープの半導体層（例えば、ノンドープＩｎＰ層１７）により被覆されている。メサの下端部における斜面の傾斜角度θ１よりも、メサの上端部における斜面の傾斜角度θ３の方が小さい。 （もっと読む）

【課題】増倍率が低い状態においても、光吸収層内で発生した電子の、光吸収層と電界調整層の界面への蓄積が抑制され、素子破壊に至る光信号強度を増加させることが可能な光吸収層を有するアバランシェホトダイオード及びこれを用いた光受信モジュールの提供。
【解決手段】電気調整層のうち、積層方向の少なくとも一部における伝導帯端のエネルギー準位が、光吸収層における伝導帯端のエネルギー準位より高く、増倍層の伝導帯端のエネルギー準位より低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストで、かつ、高効率の光学デバイスを製造する。
【解決手段】多結晶ウルツ鉱型半導体素子２００の製造方法であって、層状物質であり、かつ、六回対称結晶構造を有するグラファイト基板２０１の主面に、表面処理を行うことにより表面を荒らす表面処理ステップと、表面処理ステップで表面処理された主面に、複数の結晶粒１０４を有する多結晶ウルツ鉱型半導体１０３を主面の垂直方向に成長させる成膜ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程でガードリング構造を作り込むことのできるアバランシェフォトダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】拡散によりｐｎ接合を形成する工程で、拡散マスク２６の開口部２８の一部に、拡散制御層２４を設ける。拡散マスクを経てＺｎを窓層２０に拡散し、受光部とガードリングとを同時に形成する。拡散制御層と窓層とで拡散係数がほぼ等しい場合、単純に拡散制御層の厚さに相当する厚みが拡散フロントでの深さの差となる。 （もっと読む）

【課題】メサ型のフォトダイオードを有する光通信用素子等の半導体装置において、メサ上部への配線の寄生容量を低減し、応答特性の高速化を図る。
【解決手段】基板１１表面に形成されフォトダイオードのカソードなるｎ型高濃度層１２ａ上にｎ型クラッド層１２ｂ、吸収層１２ｃ、ｐ型クラッド層１２ｄ及びｐ型高濃度層１２ｅの積層体をメサ型に形成する。当該積層体の側面及びｎ型高濃度層１２ａの側面は、互いに連続して基板１１表面からｐ型高濃度層１２ｅまで段差なく到達する壁面を形成する部分を有する。基板１１上に配置された水平配線１９ａとフォトダイオードのアノードとなるｐ型高濃度層１２ｅとの層間を接続する配線１９ｄは当該壁面に沿って配置される。 （もっと読む）

【課題】作製時の歩留まりが高く、且つ光導波路と半導体光素子との結合効率を高めることができる半導体集積光デバイス及びその作製方法を提供する。
【解決手段】半導体集積光デバイス１Ａは、ｎ型ＩｎＰ基板３と、ｎ型ＩｎＰ基板３上に設けられ、III−Ｖ族化合物半導体を含む光導波路１１０を有する半導体レーザ領域１０と、半導体レーザ領域１０と並んでｎ型ＩｎＰ基板３上に設けられ、光導波路１１０と光学的に結合されｎ型ＩｎＰ基板３の主面に沿って延びる光導波路２１ａ〜２１ｅを有する光導波領域２０とを備える。光導波領域２０は、ｎ型ＩｎＰ基板３と光導波路２１ａ〜２１ｅとの間に設けられた下部クラッドとしての酸化シリコン層２３を更に有し、光導波路２１ａ〜２１ｅは、III−Ｖ族化合物とは異なる半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置外部と電気的に接続される領域となる端子部は、その製造工程中に、フォトダイオードのドライエッチング雰囲気、パッシベーション層のフッ酸系ウェットエッチング雰囲気に等に晒される。また、各工程におけるレジスト剥離に伴うプラズマアッシング雰囲気にも晒される。そのため、エッチング工程による端子部の表面でダメージが蓄積され、接触抵抗の増加、密着性の低下等の不良が発生する。
【解決手段】端子部１０Ｂを、ＡｌＮｄ合金を用いた導電金属層２１０と、ＴｉＮ、ＭｏまたはＣｒを主成分とする耐エッチング層２１１により構成した。ＡｌＮｄ合金を用いた導電金属層２１０の電気的抵抗値は小さく、高い導電性を有している。対して耐エッチング層２１１は、ドライ・ウェット両雰囲気に対して耐性を持つため、エッチングプロセスで生じる表面荒れが抑制され、接触抵抗の増加、密着性の低下等の不良発生が防げる。 （もっと読む）

【課題】製造の容易化、集光特性の向上を図る。
【解決手段】ＳＯＩ基板３１０の上部の単結晶シリコン層３１２内に、光照射面となる単結晶シリコン層３１２表面から同基板の酸化シリコン層３１１の方向に光電変換素子３２０を形成し、単結晶シリコン層３１２上部に、第１の支持基板３３０を形成し、ウェーハを反転して、ＳＯＩ基板３１０及び酸化シリコン層３１１を除去し、単結晶シリコン層３１２の第１の支持基板３３０と反対側の面に配線層を形成し、配線層上に、第２の支持基板を貼り合わせ、ウェーハを反転して、第１の支持基板３３０を除去する。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流の低減に基づいた低暗電流と素子容量の低減による高速応答及び高い受光感度を備えたｐｉｎ型受光素子を提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ等からなる半導体基板２０上に、ＳｉドープしたＧａＩｎＡｓからなるｎ型半導体層３０、アンドープＧａＩｎＡｓからなるｉ型半導体層３１及びＺｎドープＧａＩｎＡｓからなるｐ型半導体層３２が順次積層されており、ｉ型半導体層３１及びｐ型半導体層３２の周囲はメサ型に形成されており、そのメサ部の周囲にはパッシベーション半導体層４０を有している。さらに、ｐ型半導体層３２のメサ中央部の受光領域の厚みｈ２は、その周囲の厚みｈ１よりも薄くなっている。このような構造のｐｉｎ型受光素子では、低い暗電流特性を保持しながら、空乏層容量が低減し応答速度が格段に向上する。さらに、ｐ型半導体層３２での光吸収が低減され、受光感度も大幅に向上する。 （もっと読む）